存储技术演进
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北方华创:刻蚀及薄膜沉积设备持续突破,受益存储技术演进-20260323
东方证券· 2026-03-23 16:24
投资评级与核心财务预测 - 报告给予北方华创“买入”评级,并维持该评级 [6] - 基于可比公司2026年平均51倍市盈率估值,给予目标价721.65元,当前股价(2026年3月20日)为468.72元,存在约54%的潜在上涨空间 [3][6] - 预测公司2025-2027年归母净利润分别为70.4亿元、102.6亿元、130.5亿元,对应每股收益分别为9.72元、14.15元、18.00元 [3][5] - 原2025-2026年净利润预测为74.9亿元、96.4亿元,本次预测下调主要基于对营业收入和毛利率的调整 [3][10] 核心观点与业务分析 - 报告核心观点认为,公司作为平台型设备龙头,在刻蚀及薄膜沉积设备领域优势突出,并将受益于存储技术演进带来的需求增长 [2][9] - 存储技术向3D堆叠演进,显著提升了对刻蚀和薄膜沉积设备的性能要求和需求量。3D NAND层数增加要求刻蚀技术实现更高深宽比,且设备用量占比攀升;同时每层均需薄膜沉积工艺,催生更多设备需求。DRAM未来也有望向3D堆叠发展,进一步推动相关设备市场 [9] - 公司在薄膜沉积设备领域已形成物理气相沉积、化学气相沉积、外延、原子层沉积等全系列布局。2025年上半年,薄膜沉积设备收入超过65亿元人民币。公司于2025年7月发布高端12英寸低压化学气相硅沉积立式炉设备,攻克多项技术瓶颈 [9] - 公司在刻蚀设备领域布局完善,已形成ICP、CCP、干法去胶等全系列产品。其CCP设备在8英寸产线已占主导地位,并成功应用于12英寸产线的部分步骤。2025年上半年,刻蚀设备收入超过50亿元人民币 [9] 财务表现与预测 - 公司2024年营业收入为298.38亿元,同比增长35.1%;归母净利润为56.21亿元,同比增长44.2% [5] - 预测2025-2027年营业收入分别为390.14亿元、508.30亿元、625.39亿元,同比增长率分别为30.8%、30.3%、23.0% [5] - 预测2025-2027年毛利率分别为42.1%、43.0%、43.9%;净利率分别为18.0%、20.2%、20.9% [5] - 预测2025-2027年净资产收益率(ROE)分别为20.5%、24.2%、24.6% [5] - 预测2025-2027年市盈率(PE)分别为48.2倍、33.1倍、26.0倍;市净率(PB)分别为9.0倍、7.2倍、5.7倍 [5] 市场表现与估值比较 - 截至报告发布前,公司股价近12个月绝对涨幅为47.87%,相对沪深300指数涨幅为32.98% [7] - 报告选取了中微公司、拓荆科技、盛美上海、芯源微、华海清科作为可比公司,其2026年平均市盈率为51倍,以此为估值基准 [3][11]
北方华创(002371):刻蚀及薄膜沉积设备持续突破,受益存储技术演进
东方证券· 2026-03-23 15:30
投资评级与核心观点 - 报告给予北方华创**买入**评级,并维持该评级 [6] - 报告设定目标价为**721.65元**,基于2026年3月20日股价**468.72元**,潜在上涨空间显著 [6] - 报告核心观点认为,公司作为平台型设备龙头,在**刻蚀及薄膜沉积设备**领域优势突出,并将持续受益于存储技术向3D堆叠演进带来的行业高速成长 [2][9] 盈利预测与估值 - 预测公司2025-2027年归母净利润分别为**70.4亿元**、**102.6亿元**、**130.5亿元**,原2025-2026年预测为74.9亿元、96.4亿元,主要调整了营业收入和毛利率假设 [3][10] - 预测公司2025-2027年营业收入分别为**390.14亿元**、**508.30亿元**、**625.39亿元**,同比增长率分别为**30.8%**、**30.3%**、**23.0%** [5] - 预测公司2025-2027年每股收益分别为**9.72元**、**14.15元**、**18.00元** [5] - 给予目标价的估值依据是可比公司2026年平均**51倍**市盈率 [3][10] - 报告预测公司毛利率将从2024年的**42.9%** 稳步提升至2027年的**43.9%**,净利率从**18.8%** 提升至**20.9%** [5] 业务亮点与成长逻辑 - 存储技术向**3D NAND**和未来**3D DRAM**演进,对刻蚀及薄膜沉积设备的性能和需求量要求大幅提升,有望带动行业高速成长 [9] - 在3D NAND趋势下,**刻蚀设备**用量占比将不断攀升,且技术要求实现更高的深宽比 [9] - 3D NAND层数增加将催生更多的**薄膜沉积设备**需求 [9] - 公司在**薄膜沉积设备**领域已形成物理气相沉积、化学气相沉积、原子层沉积等全系列布局 [9] - 2025年上半年,公司薄膜沉积设备收入超**65亿元人民币** [9] - 公司于2025年7月发布**SICRIUS PY302系列**12英寸低压化学气相硅沉积立式炉设备,成功攻克三大技术瓶颈,标志着在高端半导体装备领域取得关键技术突破 [9] - 公司在**刻蚀设备**领域已形成ICP、CCP、干法去胶等全系列产品布局 [9] - 公司的**CCP刻蚀设备**在8英寸产线已占据主导地位,并成功应用于12英寸产线的多个步骤 [9] - 2025年上半年,公司刻蚀设备收入超**50亿元人民币** [9] 财务表现与预测 - 公司2024年营业收入为**298.38亿元**,同比增长**35.1%**,归母净利润为**56.21亿元**,同比增长**44.2%** [5] - 预测公司2026年营业利润同比增长**50.2%**,归母净利润同比增长**45.7%**,增速显著 [5] - 预测公司净资产收益率将从2024年的**20.3%** 提升至2027年的**24.6%** [5] - 预测公司市盈率将从2024年的**60.4倍**下降至2027年的**26.0倍** [5]
存储行业近况交流
2025-10-27 08:30
行业与公司 * 存储行业,具体涉及DRAM和NAND Flash两大市场,以及HBM这一细分领域[1][2][4] * 涉及的公司包括国际主要厂商三星、海力士、美光,以及国内厂商长鑫存储(DRAM)和长江存储(NAND Flash)[1][2][4][5] 市场供需、库存与价格格局 * DRAM市场库存自2025年起逐渐减少,目前原厂及代理商库存量基本维持在4个月左右,DRAM稼动率约为82%,处于正常供需关系下限(80%-85%),对价格有提升作用[1][2] * NAND Flash市场从2025年开始库存也逐渐减少,稼动率目前在78%-80%之间,预计在2025年第四季度提高到90%左右以应对需求[2][4] * 服务器占整个存储需求的30%,是增长最快的领域之一,手机市场占比最高为35%,新机发布显著提升存储需求,车载电子是另一快速增长领域[1][2] * 具体产品价格方面,DDR4 16GB 3,200颗粒现货价为6.8美元,服务器用DDR4 RDIMM 16GB 3,200从85美元上涨到90美元[2] * NAND Flash产品价格方面,1TB QLC晶圆售价5.5美金,1TB TLC晶圆售价6.2美金[4] * 2026年海外存储厂商计划扩产,HBM产能将额外增加15万片/月,DRAM和NAND均计划扩产约30万片/月,增幅约15%-16%[21] * 可通过稼动率、库存量和需求量三个指标提前发现DRAM或NAND涨价动向,稼动率提升可能使价格涨幅收窄但不改变整体上涨趋势[3][22][24] 技术演进与竞争态势 * DRAM技术方面,主流厂商三星、海力士、美光已进入D1β制程(约12纳米),国内长鑫存储处于D1z制程(15-16纳米),存在1-2代差距[1][4] * NAND Flash技术向更高堆叠层数发展,国际厂商达296层并开发400层制品,长江存储采用232层V8制品,与国际厂商差距为0.5至一代[1][4] * 存储制品逻辑阵列和存储阵列分离是未来趋势,Xstacking技术和混合键合(Hybrid Bonding)是发展方向,长江存储的技术路线符合此趋势[1][5] * 为克服制程微缩难度,CBA技术通过分离电容器、存储位元及外围电路位元并使用混合键合,CF²方技术通过3D堆叠提高单元面积密度[9] HBM市场发展 * HBM市场预计价格稳中略降,因产能扩张较多,2025年HBM产能将扩展至32.6万片/月,对应1100-1200万张GPU板卡[1][10] * HBM与AI产品存在充分必要关系,AI服务器占总存储比例约4.5%-5%[1][10] * 当前HBM市场份额为海力士约53%、三星38%、美光9%,预计到2026年第二季度将变为海力士42%、三星40%、美光18%,竞争更激烈[16][20] * 海力士主要使用MR-MUF技术(效率高精度低),三星和美光采用TC-SCF技术(精度高效率低),未来将转向Hybrid Bonding混合键合方案[3][13][14] * HBM制造关键工艺包括TSV通孔刻蚀、绝缘层/种子层/阻挡层沉积、导电物质填充、晶圆减薄、堆叠键合[15] * HBM相较于GDDR具有更高带宽和性能,更适用于AI推理与训练、高性能计算等数据密集型应用[15] 其他重要动态与趋势 * 三星寻求与长江存储合作,因NAND技术相对DRAM更简单,且长江存储与国际主流厂商差距较小[1][5] * 训练端向推理端甚至端侧发展的趋势明显,提升了DRAM和NAND需求,DRAM需求提升幅度更大,例如手机平均内存容量可能从10GB增至14GB,增幅40%以上[25] * 冷数据向热数据转化及推理端占比提高,导致HDD供不应求,拉动了ESSD(企业级SSD)市场需求和价格上涨,一片NAND晶圆最高可挑选出20%至30%的高等级产品用于ESSD[1][26][27][28] * HDD原厂如希捷、西数在未来一年内不会大规模扩产,进一步刺激了市场对ESSD的需求[26][27]