涉及的行业与公司 * **行业**：全球晶圆厂设备市场[1] * **公司**：应用材料、泛林研究、台积电、三星、SK海力士、美光、长鑫存储、长江存储、北方华创、中微公司、Teradyne、ARM Holdings[10][7][12][15] 核心观点与论据 * **市场增长趋势**：多家主要投行对2026年全球晶圆厂设备市场持乐观态度，预计将持续增长，增长率预测在中高个位数至低双位数之间[1][2] * 摩根士丹利预测2026年WFE市场规模为1290亿美元，同比增长11%，并进一步将2027年增长率上调至13%（达1450亿美元）[3] * 高盛上调2026年WFE增长预期至9-11%[4] * 伯恩斯坦预测2026年WFE市场规模约1320亿美元，同比增长10%[5] * **主要增长驱动力**：增长主要由人工智能、高性能计算和存储器的强劲需求驱动[1][2] * **AI/HPC基础设施**：AI模型训练和推理需求持续推动超大规模企业增加资本支出，AI数据中心建设，特别是高端逻辑和高带宽存储器，是WFE支出的核心动力[6][7] * **存储器支出复苏**： * DRAM：受AI服务器对HBM的旺盛需求驱动，主要制造商为满足预计2025-2026年达25%的比特增长率，将持续进行产能扩张和技术升级，预计DRAM WFE在2026年将实现强劲增长（摩根士丹利预测+17%）[7] * NAND：支出已从历史低位反弹，制造商正将现有低层数NAND产能升级至200层以上QLC架构以满足需求，预计2026年NAND WFE将有显著增长（摩根士丹利预测+28%）[7] * **高端逻辑投资**：台积电为满足AI/HPC和智能手机对先进制程（如N2、N3）的需求，资本支出保持高位，技术向全环绕栅极、背面供电等方向发展，增加了刻蚀和沉积等工艺步骤的复杂性和设备强度[7][8] * **设备类型偏好**：由于3D架构（GAA、3D NAND、4F2 DRAM）的普及，对垂直堆叠技术的依赖增加，刻蚀和沉积设备的增长预计将超越整体WFE市场，因此在刻蚀和沉积领域占据主导地位的公司（如应用材料、泛林研究）被普遍看好[9][10] * **中国市场展望**：整体中国WFE支出预计将保持韧性或温和下降，主要得到本土逻辑（AI GPU）和存储器（长鑫存储、长江存储）产能建设的支撑，但在成熟制程领域，本土设备厂商（如北方华创、中微公司）的市场份额预计将持续增长[11][12] * **风险与关注点**： * 部分报告认为半导体设备行业处于“中周期”，增长势头可能在2026年略有放缓或趋稳[13] * 对中国的进一步出口管制可能带来下行风险[14] * 投资者密切关注AI支出的可持续性以及超大规模企业资本支出的长期能见度[14] * **投资建议**： * 普遍看好因刻蚀/沉积比例高而具有结构性优势的头部设备商，如应用材料、泛林研究[15] * 根据各细分市场增长前景和客户结构，对特定公司进行了评级调整（如：上调Teradyne，下调ARM Holdings等）[15] * 对中国市场，关注具有本土化增长逻辑和持续获得市场份额的本土设备供应商[16] 其他重要内容 * **中国市场分化**：西方设备商对2026年中国市场持谨慎态度（部分预计其中国营收占比将下降），主因是设备本土化率提升（从约21%加速至29%），以及出口管制政策的影响[11] * **市场核心特征总结**：2026年半导体设备市场的核心特征是由AI和HBM驱动的结构性增长，存储器支出强反弹，技术升级带来设备需求的结构性变化（向刻蚀/沉积倾斜），以及中国市场在政策限制下出现的本土化替代机会，整体趋势积极，但需关注行业周期位置和地缘政治风险[16]

核心观点 - 半导体设备龙头中微公司2025年度经营业绩实现标志性突破，营收首次突破百亿大关，归母净利润首次超过20亿元，成功逆转了2024年净利润下滑的趋势 [1][3][4] 财务业绩表现 - 2025年预计实现营业收入约123.85亿元，首次突破百亿，同比增长约36.62%，超出市场机构预测中位数121.28亿元 [1][3][4] - 2025年预计实现归母净利润20.80亿元至21.80亿元，同比增加约28.74%至34.93%，首次突破20亿元大关 [1][3][4] - 2025年预计实现扣非净利润15亿元至16亿元，同比增加约8.06%至15.26% [3] - 2024年公司营业收入为90.65亿元，归母净利润为16.16亿元（同比下降9.53%） [3] 收入构成与增长驱动 - 核心产品刻蚀设备2025年销售约98.32亿元，占预计营业收入的79.39%，同比增长约35.12% [3] - LPCVD和ALD等半导体薄膜设备收入5.06亿元，同比大幅增长约224.23% [3] - 业绩增长主要源于市场需求急剧增长，公司先进产品实现量产，以及出售部分持有的上市公司股票获得投资收益 [2][4] - 2025年计入非经常性损益的股权投资收益为6.11亿元，较上年同期的1.98亿元增加约4.13亿元 [4] 研发投入与成果 - 2025年研发投入超过37亿元（约37.36亿元），同比增长超过50%（约52.32%），占当期营业收入的30.16%，远高于科创板上市公司均值 [2][6] - 2025年研发费用约24.72亿元，同比增长约74.36% [6] - 近两年新开发出十多种导体和介质薄膜设备，多款新型设备产品已进入市场并获得重复性订单 [2][6] - LPCVD设备累计出货量突破三百个反应台，EPI设备已进入客户端量产验证阶段 [6] - 公司在南昌（约14万平方米）和上海临港（约18万平方米）的生产和研发基地已投入使用 [6] 产品与技术进展 - 等离子体刻蚀设备在国内外获更多客户认可，针对先进逻辑和存储器件制造的关键刻蚀工艺高端产品新增付运量显著提升 [4] - 先进逻辑器件中段关键刻蚀工艺和先进存储器件超高深宽比刻蚀工艺实现量产 [4] - 持续保持国际氮化镓基MOCVD设备市场领先地位，积极布局碳化硅和氮化镓基功率器件应用市场 [7] - 在Micro-LED和其他显示领域的专用MOCVD设备开发上取得良好进展，几款MOCVD新产品进入客户端验证阶段 [7] - 新型八寸碳化硅外延设备、新型红黄光LED应用的设备已付运至国内领先客户开展验证 [7]

核心财务表现 - 公司预计2025年营收同比增长逾36%至123.85亿元人民币 [1] - 预计2025年归属于母公司所有者的净利润为20.80亿元至21.80亿元，同比增长约28.74%至34.93% [1] - 剔除非经常性损益后，核心净利润预计为15.00亿元至16.00亿元，增幅区间为8.06%至15.26% [1] - 2025年计入非经常性损益的股权投资收益预计为6.11亿元，较上年同期的1.98亿元大幅增加约4.13亿元 [3] 核心业务增长 - 刻蚀设备作为核心增长引擎，全年销售额预计达98.32亿元，同比增长约35.12% [1] - 薄膜设备业务增长迅猛，LPCVD和ALD等设备收入录得约5.06亿元，同比激增224.23% [1] - 截至2025年底，公司刻蚀设备反应台全球累计出货量已超过6,800台 [2] - 公司的CDP产品部门已开发出十多款导体和介质薄膜设备，性能达到国际领先水平 [2] - LPCVD设备累计出货量已突破300个反应台，部分设备已获得重复性订单 [2] 研发投入与战略 - 2025年研发投入高达37.36亿元，较上年增长52.32%，占营收比例超三成 [1][2] - 计入损益的研发费用同比增长约74.36%至24.72亿元 [2] - 高强度研发投入旨在弥补国产半导体设备短板并确立长期增长基础 [2] 技术与产品进展 - CCP设备在关键介质刻蚀领域保持高速增长，已全面覆盖存储器应用中的各类超高深宽比需求 [2] - ICP设备针对下一代逻辑和存储客户的设备开发取得进展，加工精度和重复性已达到单原子水平 [2] - EPI设备已顺利进入客户端量产验证阶段，减压EPI设备已付运至成熟制程和先进制程客户 [3] - 在化合物半导体领域，保持了在氮化镓基MOCVD设备的市场领先地位 [4] - 新型八寸碳化硅外延设备及新型红黄光LED应用设备已付运至国内领先客户开展验证 [4] - 常压外延设备已完成开发，正式进入工艺验证阶段 [4] 运营与供应链 - 在营收大幅增长的带动下，2025年公司毛利较去年增长约11.45亿元 [3] - 公司位于南昌约14万平方米以及上海临港约18万平方米的生产和研发基地已经投入使用 [3] - 公司持续开发关键零部件供应商，以推动供应链的稳定与安全，确保了设备交付率保持在较高水准 [3]

中国半导体设备市场国产化率情况 - 去胶设备国产化率最高，达到80-90%，主要国产品牌包括盛美上海、至纯科技、拓荆科技、屹唐半导体 [2] - 刻蚀设备国产化率为30-40%，主要国产品牌包括中微公司、北方华创、新凯来、屹唐半导体等 [2] - 清洗设备国产化率为30-40%，主要国产品牌包括盛美上海、北方华创、至纯科技等 [2] - 热处理设备国产化率为30-40%，主要国产品牌包括北方华创、华卓精科、屹唐半导体、新凯来 [3] - 薄膜沉积设备国产化率为25-30%，主要国产品牌包括北方华创、拓荆科技、中微公司、微导纳米、至纯科技、盛美上海、新凯来 [3] - 化学机械抛光设备国产化率为20-30%，主要国产品牌包括华海清科、盛美上海等 [3] - 涂胶显影设备国产化率为10-15%，主要国产品牌包括芯源微、华海清科、盛美上海 [3] - 离子注入设备国产化率低于10%，主要国产品牌包括上海微电子、北方华创、烁科中科信、青岛四方、凯世通等 [3] - 量/检测设备国产化率低于5%，主要国产品牌包括新凯来、精测电子、上海睿励、中科飞测等 [3] - 光刻设备主要外资品牌为ASML、Nikon、Canon，国产品牌包括上海微电子、新凯来 [3] 半导体设备零部件产业链及概况 - 产业链上游为原材料供应商，提供铝、铜、石英、陶瓷等金属及非金属材料 [6] - 产业链中游为零部件厂商，生产机械类、机电一体类、光学类等各类半导体设备零部件 [6] - 零部件厂商的直接客户分为两类：半导体设备厂商，以及下游的IDM厂商及晶圆代工厂 [6] - 机械类与光学类零部件通常具有较高的精度要求，对尺寸公差、表面光洁度及形位精度均有严格控制 [10] - 机械类零部件包括金属件、石英件、陶瓷件等，起到连接、支撑、承载、绝缘、散热等作用，应用于沉积、刻蚀、热处理等设备 [12] - 光学类零部件是构成核心设备光学系统的关键部分，用于实现精确的光传输、聚焦、成像与检测，应用于光刻机、检测设备、激光设备等 [12] - 光学类零部件具体包括光学镜头/透镜组、光学窗口、滤光片/分光器、反射镜/扫描镜等 [14] 半导体设备零部件市场国产化率与规模 - 2024年中国半导体设备零部件市场整体国产化率约为7.1%，仍处于较低水平 [15] - 半导体设备零部件市场规模（按收入）在2020年至2029年预计呈现增长趋势 [18] 半导体设备表面处理零部件市场 - 表面处理零部件是指应用于晶圆制造过程中清洗、抛光、蚀刻、去胶、镀膜等表面处理环节的关键部件 [19] - 该市场国产化率不断提升，但整体仍处于较低水平，尤其是在技术要求较高的机电一体类、光学类、电气类、仪器仪表类零部件领域 [20] - 市场发展趋势包括：制造工艺不断进步、制造智能化不断推进、功能模组化成为发展方向 [20][24] - 智能化与精密制造能力需持续提升，以满足先进制程对“高一致性、高可靠性”的严苛标准 [24] - 国产替代加速，高端核心零部件迎来突破窗口，将加快替代电镀腔体、静电吸盘、喷淋头等关键部件进口 [24] - 等离子刻蚀技术发展推动高耐蚀涂层等特殊表面处理需求上升 [24] - 表面处理零部件市场规模（按收入）在2020年至2029年预计呈现增长趋势 [21] 半导体设备零部件涂层工艺 - 涂层工艺是指将涂料、薄膜等材料以特定方法涂布在基体表面，形成具有特定功能和性能的固态连续膜的过程 [23] - 主要涂层技术包括：热喷涂涂层技术（如火焰喷涂、等离子喷涂）、物理气相沉积、化学气相沉积、电镀涂层技术、电化学涂层技术、有机涂层技术等 [25][26] - 半导体零部件涂层用于改善零部件或产品表面的物理、化学或功能性能，覆盖防腐、防氧化、导电、绝缘、抗反射等功能 [26] 半导体设备特殊涂层零部件市场 - 特殊涂层零部件市场是面向先进制程设备的高附加值领域，也是重要的高值易耗品 [34] - 该市场具有技术壁垒高、认证周期长、国产替代空间大等显著特征 [35] - 特殊涂层广泛应用于7nm及以下工艺节点所需的刻蚀机、化学气相沉积、原子层沉积、离子注入等核心装备的关键零部件上 [36] - 2024年中国半导体设备特殊涂层零部件市场规模（按收入）及相关服务收入呈现具体数值 [33] - 该领域技术难点在于涂层与基材的高附着强度、微观结构均匀性控制、高纯度材料应用、涂层厚度与致密度稳定控制及长期可靠性验证 [40] 特殊涂层工艺国产化率与技术壁垒 - 阳极氧化国产化率较高，为55%-60%，技术壁垒相对较低 [28] - 电弧热喷涂国产化率为60%-70%，但在涂层均匀性和颗粒控制方面与国际龙头仍有差距 [28] - 大气等离子喷涂国产化率为35%-40%，已实现批量国产替代，适用于Y2O3等陶瓷涂层 [28] - 高致密等离子喷涂国产化率低于10%，属于高难度工艺，国内大部分厂商仍在研发验证阶段 [28] - 气溶胶沉积法国产化率低于10%，属于新兴技术，量产及商业化能力较弱 [28] - 物理气相沉积国产化率低于10%，海外厂商未在中国大陆建厂引入该项技术，国内极少厂商能够掌握 [28] - 原子层沉积国内外均处于研发验证阶段 [28] - 特殊涂层工艺兼容的最高制程随技术升级而提高，例如高致密等离子喷涂、气溶胶沉积法、物理气相沉积可兼容14nm及以下乃至7nm及以下的先进制程 [38] - 工艺的孔隙率和表面粗糙度随技术升级而显著改善，例如物理气相沉积的孔隙率可低于0.1%，表面粗糙度低于0.1µm [38] - 核心技术壁垒包括：材料壁垒（高致密、高纯度涂层制备能力）、工艺壁垒（复杂结构件表面均匀沉积难度大）、设备壁垒（专用化设备集成能力要求高）、客户验证壁垒（认证周期长达12-24个月） [41][42][43][44] 特殊涂层零部件行业发展趋势与竞争格局 - 发展趋势包括：涂层零部件朝更高耐腐蚀性与更强等离子稳定性发展；先进金属等多元材料与复合工艺协同发展；国产替代推动高端工艺全面升级 [45][46] - 截至2024年，中国半导体设备特殊涂层零部件市场竞争高度集中，前五大企业合计占据市场销售额的55.7% [47] - 市场份额排名第一的为KoMiCo Ltd.，销售额为10.0亿元人民币，市场份额为23.8% [48] - 市场份额排名第二的为Tocalo Co., Ltd.，销售额为4.8亿元人民币，市场份额为11.4% [48] - 市场份额排名第三的为TOTO Ltd.，销售额为3.3亿元人民币，市场份额为7.9% [48] - 市场份额排名第四的为Hansol IONES Co.,Ltd.，销售额为2.9亿元人民币，市场份额为6.9% [48] - 市场份额排名第五的为成都超纯应用材料股份有限公司，销售额为2.4亿元人民币，市场份额为5.7% [48] 精密光学市场概况 - 精密光学产业链包含上游、中游、下游环节 [50] - 精密光学市场规模（按收入）在2020年至2029年预计呈现增长趋势 [50] - 光学产品主要包括光学元件、光学组件以及光学系统 [52] - 精密光学产品主要分为精密光学器件、精密光学镜头以及精密光学系统 [54] - 根据应用领域不同，可进一步分为消费级精密光学产品和工业级精密光学产品 [54] - 工业级精密光学器件广泛应用于工业测量、半导体制造、生命科学、无人驾驶、生物识别及AR/VR检测等高科技领域 [57] - 工业级精密光学器件通常具有严苛要求，部分超大尺寸器件的面型精度最高可达λ/200，表面粗糙度控制在0.1nm以下 [57] 工业级精密光学下游应用 - 在半导体领域，光学技术广泛应用于制造过程，包括光刻、检测（如关键尺寸测量、掩模检测）等 [58] - 在生命科学领域，光学技术为可视化、测量、分析和操控等提供工具 [58] - 在AR/VR领域，通过对头显设备进行光学测试以降低缺陷水平，提升体验 [58] - 在航空航天领域，精密光学是重要基础技术，应用于光学望远镜系统、航空测绘相机等 [58] - 在无人驾驶领域，通过融合使用激光雷达、摄像头等多种光学传感器感知环境 [58] - 在生物识别领域，结合光学与高科技手段，利用人体生理特性进行身份鉴定 [58]

半导体设备ETF（159516）的资金流动与规模 - 资金盘中流入超2亿份，过去20个交易日净流入超50亿元 [2] - 截至2026年1月15日，该ETF规模已突破150亿元，位居同类ETF第一 [2] 半导体设备ETF（159516）近期表现强势的核心原因 - 原因一：先进制程扩产驱动 通过芯片堆叠等技术（如n+1、n+2）实现等效7纳米、5纳米芯片生产，尽管良率相对较低，但高精度的先进制程芯片依然重要 [2] - 原因二：存储涨价带动扩产预期 存储价格上涨促使厂商加大扩产力度，高性能存储芯片的生产高度依赖刻蚀设备和薄膜沉积设备，近期部分存储相关企业的上市预期也共同推动了该ETF上涨 [2] 台积电业绩与AI算力产业链景气度 - 台积电业绩超预期，再次点燃AI热情，其作为全球算力产业链的关键环节，是AI景气度的锚点 [3] - 英伟达、博通等海外大厂的计算芯片依赖台积电制造和封测，其CoWoS产能持续扩产但仍处紧缺状态 [3] - 在手机等传统下游增长有限的背景下，台积电扩产节奏超预期，预示着北美AI未来需求的增长 [3] 半导体设备行业的市场机遇与驱动因素 - 全球存储行业进入扩产周期，国内存储行业受益于此次存储涨价红利 [3] - 台积电2025年业绩创纪录，2026年资本支出大幅上调，印证了AI算力与先进制程带来的持续红利 [3] - 面对国内百万片级的先进产能缺口，国内晶圆厂迎来扩产热潮，为设备市场释放出千亿美元空间 [3] - 半导体设备国产化率有望实现翻倍增长，行业投资机遇由先进制程与国产替代双轮驱动 [3]

台积电2025年第四季度财报表现 - 单季度营收达336.7亿美元，首次突破10460.9亿新台币 [1] - 净利润同比大幅增长35%，连续第八个季度实现同比增长 [1] - 2026年资本支出计划最高达560亿美元，较2025年实际支出409亿美元大幅增长37%，创公司历史新高 [1] 半导体产业链市场反应 - 半导体产业链受提振强势拉升，设备、封测服务、材料等分支表现突出 [1] - 半导体设备ETF（561980）前一交易日单日涨幅超过4%，最新规模突破32亿元人民币创历史新高 [1] - 该ETF昨日全天净流入7626万元人民币，成分股中微公司、长川科技股价均创历史新高 [1] 半导体设备行业需求与机遇 - DRAM和NAND架构向3D化发展，将显著提升刻蚀、薄膜沉积设备需求 [3] - 3D化驱动DRAM和NAND对应的设备可服务市场分别扩大至原来的约1.7倍和1.8倍 [3] - 存储和先进逻辑扩产增量乐观，产业能见度提升，半导体设备厂商（“卖铲人”）最为受益 [3] - 半导体设备自主可控被认为是未来五年期间确定性最高的趋势之一 [3] 相关指数与产品表现 - 半导体设备ETF（561980）跟踪中证半导体指数，该指数对国产设备、材料和设计龙头高度聚焦，呈现更高弹性 [3] - 该指数2025年至今涨幅达94.69%，上一轮半导体周期（2018年）至今最大涨幅超过640%，在同类指数中位居第一 [3] - 指数前十大权重股集中度接近80%，覆盖刻蚀设备、多领域设备、制造龙头、AI芯片设计、半导体材料等细分龙头 [5] - 指数中设备、材料、芯片设计三个行业的合计占比超过90%，有望充分受益于国产替代成长空间 [5]

股权结构变动 - 2026年1月7日，北京市国资委批准北京电控以非公开协议转让方式向国新投资转让其所持北方华创14,481,773股股票，占总股本2% [1] - 股份转让价格为426.39元/股，股份转让总价款为61.74亿元 [1] - 国新投资是国务院国资委监管的中央企业中国国新控股有限责任公司的专业化、市场化股权运作平台，此次转让旨在加强双方战略合作，构建“资本合作带动产业赋能”的合作模式 [1] 公司业务与财务表现 - 公司为平台化半导体设备龙头，持续受益于半导体设备国产化进程 [2] - **刻蚀设备**：已形成ICP、CCP、干法去胶、高选择性刻蚀和Bevel刻蚀设备的全系列产品布局，2025年上半年收入超50亿元 [2] - **薄膜沉积设备**：已形成物理气相沉积、化学气相沉积、外延、原子层沉积、电镀和金属有机化学气相沉积设备的全系列布局，2025年上半年收入超65亿元 [2] - **热处理设备**：已形成立式炉和快速热处理设备的全系列布局，2025年上半年收入超10亿元 [2] - 子公司芯源微拥有湿法设备、涂胶显影设备、键合设备等产品线 [2] - 2025年前三季度实现营收273.01亿元，同比增长32.97%，实现归母净利润51.30亿元，同比增长14.83% [2] - 2025年第三季度实现营收111.60亿元，同比增长38.31%，实现归母净利润19.22亿元，同比增长14.60% [2] 股权激励与业绩目标 - 公司向包括董事、高级管理人员、核心技术人才和管理骨干实施2025年股权激励计划 [3] - 股票期权在4个会计年度分年度进行业绩考核并行权 [3] - 业绩考核目标为2026-2029年，公司的营收增长率、研发投入占营业收入比例均不低于对标公司（Gartner公布的年度全球半导体设备厂商销售额排名前五的公司）的算数平均值 [3] - 同时要求这4年间每年专利申请量大于500件，EOE算术平均值不低于16%，利润率算术平均值不低于8% [3] 分析师预测与评级 - 维持公司2025-2026年归母净利润预测为76.28亿元、100.30亿元，新增2027年归母净利润预测为128.12亿元 [3] - 公司为半导体设备平台型公司龙头，持续受益于国产化进程，维持“买入”评级 [3]

投资评级 - 维持“买入”评级 [3] 核心观点 - 国有资本合作带动产业赋能，股权转让获批加强战略合作，构建“资本合作带动产业赋能”模式 [1] - 报告研究的具体公司作为平台化半导体设备龙头，持续受益于半导体设备国产化进程 [2] - 发布股权激励计划，深度绑定核心团队，考核目标与全球前五厂商对标 [3] 近期事件与股权结构 - 2026年1月7日，北京市国资委同意北京电控以非公开协议转让方式向国新投资转让其所持报告研究的具体公司14,481,773股股票，占总股本2% [1] - 股份转让价格为426.39元/股，股份转让总价款为61.74亿元 [1] - 国新投资是国务院国资委监管的中央企业中国国新控股有限责任公司开展国有资本运营的专业化、市场化股权运作平台 [1] 业务与财务表现 - 报告研究的具体公司为平台化半导体设备龙头公司，产品线覆盖刻蚀、薄膜沉积、热处理及湿法设备等 [2] - 2025年上半年刻蚀设备收入超50亿元，薄膜沉积设备收入超65亿元，热处理设备收入超10亿元 [2] - 2025年前三季度实现营收273.01亿元，同比增长32.97%，实现归母净利润51.30亿元，同比增长14.83% [2] - 2025年第三季度实现营收111.60亿元，同比增长38.31%，实现归母净利润19.22亿元，同比增长14.60% [2] - 预测2025-2027年归母净利润分别为76.28亿元、100.30亿元、128.12亿元 [3] 股权激励计划 - 公司向包括董事、高级管理人员、核心技术人才和管理骨干实施2025年股权激励计划 [3] - 股票期权在4个会计年度分年度进行业绩考核并行权 [3] - 业绩考核目标为2026-2029年，公司的营收增长率、研发投入占营业收入比例均不低于对标公司（Gartner公布的年度全球半导体设备厂商销售额排名前五的公司）的算数平均值 [3] - 同时要求每年专利申请量大于500件，EOE算术平均值不低于16%，利润率算术平均值不低于8% [3] 财务预测摘要 - 预测营业收入：2025E为387.78亿元，2026E为498.56亿元，2027E为598.20亿元 [4] - 预测营业收入增长率：2025E为29.96%，2026E为28.57%，2027E为19.99% [4] - 预测归母净利润：2025E为76.28亿元，2026E为100.30亿元，2027E为128.12亿元 [4] - 预测归母净利润增长率：2025E为35.71%，2026E为31.48%，2027E为27.74% [4] - 预测EPS：2025E为10.53元，2026E为13.84元，2027E为17.68元 [4] - 预测ROE（摊薄）：2025E为20.00%，2026E为21.11%，2027E为21.56% [4] - 预测P/E：2025E为47倍，2026E为36倍，2027E为28倍 [4] - 预测毛利率稳定在41%-43%区间 [11] - 预测研发费用率维持在12%左右 [12] 市场数据 - 当前股价：497.50元 [5] - 总股本：7.24亿股 [5] - 总市值：3604.29亿元 [5] - 一年股价区间：275.63元至523.97元 [5] - 近3月换手率：71.22% [5] - 近1年绝对收益率为75.49%，相对收益率为47.99% [8]

文章核心观点 - AI算力需求驱动半导体产业变革，半导体设备作为上游“卖铲子”的赛道迎来确定性爆发 [1] - 全球半导体设备销售额预计将持续创纪录增长，主要受AI相关投资、存储技术升级及厂商扩产推动 [2] - 存储芯片技术向3D堆叠演进，对刻蚀、薄膜沉积、混合键合等核心设备的需求激增，并带动国产设备厂商在多个细分领域取得进展 [5][6][13] 全球半导体设备市场增长趋势 - 预计2025年全球半导体制造设备总销售额将达到创纪录的1330亿美元，同比增长13.7% [2] - 预计2026年和2027年销售额将分别达到1450亿美元和1560亿美元，增长主要受AI相关投资推动 [2] - 晶圆制造设备（WFE）领域2025年预计增长11.0%，达到1157亿美元，较此前预测上调，反映DRAM和HBM领域投资超预期 [2] - 预计2026年韩国将重回全球芯片设备支出第二位，达到约296.6亿美元，较2025年预计的233.2亿美元增长27.2% [4] - 预计2026年中国大陆在半导体设备领域的投入将稳居全球首位，达到约392.5亿美元 [4] 存储市场与厂商扩产驱动设备需求 - 2025年存储市场涨价潮、HBM与DDR5需求爆发及全球巨头扩产，共同拉动半导体设备需求 [2] - 长鑫募集资金重点投向存储器技术升级等项目，拟投入205亿元人民币，直接带动设备市场需求 [3] - 三星电子提高DRAM和NAND生产线效率，专注HBM制造，并重启平泽第五工厂建设，计划2028年量产 [3] - SK海力士清州M15X新工厂准备投产，专注DRAM及AI存储方案，并计划在2027年前完成龙仁园区内大规模晶圆厂建设 [4] - 三星电子DRAM月产能为65万片晶圆，SK海力士月产能为50万片，加上M15X芯片后为55万片 [4] 存储技术升级驱动的核心设备需求 - 3D NAND层数突破400层并向1000层迈进，DRAM向垂直通道晶体管（VCT）演进，HBM通过硅通孔（TSV）技术实现垂直互联，对设备提出颠覆性要求 [5] - 3D NAND扩产和DRAM技术演进对刻蚀和沉积设备拉动最强，HBM扩产额外提升光刻、原子层沉积（ALD）、混合键合等设备需求 [6] - 刻蚀设备：在3D NAND制造中加工极深沟道孔洞、台阶等结构，层数增加使刻蚀设备用量占比从34.9%升至48.4%；单步刻蚀时间随深宽比提升而翻倍，设备数量需求增加；加工HBM的TSV（HBM4达2048个接口）使刻蚀工序增多 [8] - 薄膜沉积设备（含CVD、PVD、ALD等）：3D NAND层数增加使沉积步骤同步增加，设备需求翻倍；ALD设备在3D NAND产线资本开支占比从2D时代的18%升至26%；HBM堆叠层数增加需要更多ALD设备进行互联层沉积 [8] - 混合键合设备：HBM堆叠层数提升（未来向24+层迈进）推动需求；HBM3/3E（8~12层）已推动热压键合设备需求，未来HBM4+（16+层）需依赖混合键合技术；3D IC和先进封装技术普及及异质集成需求增长 [8] - SEMI预测2026-2028年间全球存储领域设备支出将达1360亿美元，其中3D NAND相关投资占比超40% [10] 关键设备技术细节与市场影响 - 3D NAND层数从32层提升到128层时，刻蚀设备使用量占比从34.9%上升到48.4% [10] - 随着堆叠层数升高，沟道通孔、狭缝和接触孔的刻蚀加工时间会变长甚至翻倍，导致工艺设备数量需求增加 [10] - 从24层到232层3D NAND，每层均需薄膜沉积工艺步骤，催生更多薄膜沉积设备需求 [11] - 东京电子披露，在Flash芯片产线资本开支占比中，薄膜沉积设备在2D时代占比为18%，在3D时代占比为26% [11] - HBM对光刻设备需求升级：DRAM第六代制程（D1c）规模化应用EUV光刻；HBM的TSV接口倍增与线路微米级间距推高EUV光刻需求优先级 [12] - 混合键合设备是HBM制造关键：现阶段HBM3/3E主要依赖热压键合设备；未来层数进一步增加及总高受限将推动混合键合技术成为关键 [12] 中国半导体设备国产化进展 - 刻蚀设备主要代表厂商有中微公司、北方华创、屹唐半导体等 [14] - 中微公司CCP设备覆盖28纳米以上大部分应用，在28纳米及以下节点取得进展，其3D NAND高深宽比刻蚀技术被全球顶级芯片制造商采用 [14] - 北方华创CCP设备在8英寸产线硅刻蚀、介质刻蚀中占主导地位，并成功应用于12英寸产线关键非核心步骤 [14] - 薄膜沉积设备厂商包括北方华创、拓荆科技、中微公司、微导纳米等 [15] - 拓荆科技形成PECVD、ALD、SACVD等薄膜设备系列产品，客户覆盖中芯国际、华虹集团等 [15] - 中微公司为先进存储器件和逻辑器件开发的LPCVD、ALD等多款薄膜设备已顺利进入市场 [15] - 北方华创是国内PVD龙头，在LPCVD、APCVD、ALD领域有布局 [15] - 微导纳米是国内首家将量产型High-k ALD应用于28nm节点前道生产线的国产设备公司 [15] - 键合设备方面，青禾晶元2025年发布全球首台独立研发C2W&W2W双模式混合键合设备SAB82CWW系列，并完成交付验证 [16] - 拓荆科技开发Dione 300系列晶圆对晶圆键合设备，其Dione 300 eX用于W2W高精度混合键合已发货验证；还推出芯片对晶圆混合键合设备Pleione 300，应用于HBM领域 [16] - 迈为股份成功开发晶圆混合键合、晶圆临时键合、D2W TCB键合等设备 [16] - 热压键合设备方面，青禾晶元SAB6310已成功导入头部客户CIS产线 [17] - 引线键合设备厂商如奥特维、新益昌、微宸科技等占据国内中小封测厂主要市场 [17] - 芯源微的临时键合机及解键合机专为Chiplet技术打造，可适配60μm及以上超大膜厚涂胶需求 [17]

公司核心公告 - 董事长兼总经理尹志尧计划减持不超过29万股公司股份，占公司总股本比例为0.046% [1] - 减持原因为其已从外籍恢复为中国籍，为依法办理相关税务需要 [1] - 减持计划将在公告披露之日起15个交易日后的3个月内，通过集中竞价等方式进行 [1] 董事长背景与持股情况 - 尹志尧直接持有公司股份415.94万股，占公司总股本的0.664%，均为首次公开发行前持有的股份 [1] - 尹志尧于2024年年报中确认已恢复中国国籍，其2022年年报标注为美国公民 [3] - 尹志尧拥有丰富的半导体行业经验，曾任职于英特尔、泛林半导体和应用材料，2004年回国创立中微公司 [3] - 2024年尹志尧从公司获得的税前报酬总额为1485.14万元 [3] 公司财务与市场表现 - 截至1月9日收盘，公司股价为336.68元/股，总市值为2108亿元 [2] - 按此股价计算，尹志尧拟减持股票市值约为9764万元 [2] - 2025年前三季度，公司实现营业收入80.63亿元，同比增长46.40% [4] - 2025年前三季度，公司实现归属于上市公司股东净利润12.11亿元，同比增长32.66% [4] 公司业务与行业地位 - 公司是首批登陆科创板的“硬科技”企业之一 [4] - 公司营收已连续14年年均增长超过35% [4] - 公司开发的20种刻蚀设备，可覆盖95%以上的刻蚀应用需求 [4]