财务数据和关键指标变化 - **2025年全年业绩**：公司实现创纪录的年收入8.806亿美元，同比增长31% [3] 全年GAAP摊薄后每股收益为7.96美元，非GAAP摊薄后每股收益为8.62美元 [15] - **2025年第四季度业绩**：第四季度收入为2.226亿美元，同比增长14%，超过2.2亿美元指导中值 [3] 第四季度GAAP摊薄后每股收益为1.94美元，非GAAP摊薄后每股收益为2.14美元，超过2.11美元的指导中值 [14] - **盈利能力指标**：第四季度GAAP毛利率为57.6%，非GAAP毛利率为59.6%，处于公司57%-60%的目标模型区间上限 [12] 2025年全年GAAP毛利率为57.4%，非GAAP毛利率为59% [15] 第四季度GAAP营业利润率为27%，非GAAP营业利润率为32% [13] 2025年全年GAAP营业利润率为29%，非GAAP营业利润率为33%，处于28%-33%目标模型区间上限 [15] - **运营费用与税收**：第四季度GAAP运营费用为6750万美元，非GAAP运营费用为6200万美元 [13] 第四季度GAAP有效税率约为11%，非GAAP有效税率约为16% [13] - **资产负债表与现金流**：截至2025年底，公司拥有超过16亿美元的现金、现金等价物、银行存款和有价证券 [16] 2025年公司产生了2.18亿美元的自由现金流 [16] - **2026年第一季度指引**：预计收入在2.22亿至2.32亿美元之间 [16] 预计GAAP摊薄后每股收益在1.90-2.02美元，非GAAP摊薄后每股收益在2.13-2.25美元 [16] 预计GAAP毛利率约为56%，非GAAP毛利率约为58% [17] 预计GAAP运营费用将降至约6500万美元，非GAAP运营费用将降至约6000万美元 [17] 预计非GAAP财务收入约为1600万美元，有效税率约为16% [17] 各条业务线数据和关键指标变化 - **先进封装业务**：2025年收入同比增长超过60%，约占产品收入的20% [8] 预计2026年仍将保持两位数增长 [37] - **内存业务**：2025年DRAM应用推动内存业务创下纪录 [8] 公司看到DRAM的健康复苏和高带宽内存（HBM）产能的持续建设 [27] - **材料与化学计量平台**：Elipson材料计量解决方案被一家领先的代工厂选为先进GAA生产的记录工具 [9] Metrion平台近期被GAA逻辑客户和领先的内存制造商采用 [9][32] - **集成计量**：一家全球领先的逻辑客户为其环绕栅极（GAA）CMP工艺采用了公司的集成计量产品组合 [5] 该客户已为2026年下达了多个订单 [6] - **服务业务**：服务部门在第四季度和全年均实现了创纪录的收入 [6] 收入增长由产能安装、采用增值服务以支持良率提升以及从按时间和材料计费转向年度服务合同所驱动 [6] 各个市场数据和关键指标变化 - **区域收入分布（2025年）**：中国占33%，台湾占29%，韩国占16%，美国占9%，其他地区占13% [15] 中国收入占比从2024年的39%正常化至2025年的33% [40] 预计中国未来将稳定在总收入约30%的水平 [40][57] - **产品收入构成（第四季度）**：约75%来自逻辑和代工，25%来自内存 [12] - **市场地位**：根据Gartner 2024年最新报告，公司在CD和薄膜市场的整体市场份额增长至约25%，成为市场第二，市场份额整体增长约25% [30] 公司战略和发展方向和行业竞争 - **战略重点（2026年）**：继续扩大在先进节点的领导地位，推广材料计量平台，深化在先进封装生态系统的份额，并扩大运营规模以支持日益增长的客户需求 [10] - **技术投资与创新**：公司持续投资研发，研发投入超过收入的15% [14] 正在开发一种结合光学和材料计量核心能力的新型计量解决方案，以应对GAA、CFET和先进存储器等技术转折带来的挑战 [9] 该解决方案将融合物理和AI驱动建模的优势，实现对单个纳米结构的精确测量 [10] - **产能与运营扩张**：公司正在亚洲建设新的生产能力，以扩大全球制造足迹，提高成本效率，并更接近关键客户和供应链合作伙伴 [11][23] 公司正在推出新的ERP系统，以提高业务处理效率和可扩展性 [11] - **行业趋势与机遇**：行业正处于强劲的投资周期，对领先节点和成熟节点的需求都在加速 [4] 设计复杂性的增加推动了工艺步骤数量的上升，并加速了背面供电、混合键合等新集成方法的采用，这扩大了对精确计量的需求 [4] 人工智能时代催生的硅光子学新兴领域为公司带来了新的机遇 [5] - **竞争与市场定位**：公司在环绕栅极（GAA）工艺中已成为行业向下一代架构转型的基础合作伙伴 [8] 公司的先进计量解决方案在领先的全球制造商中获得了多项战略认证，巩固了其作为下一代技术选择可信赖合作伙伴的地位 [8] 管理层对经营环境和未来前景的评论 - **市场前景**：公司对2026年的市场环境信心增强，在逻辑、先进封装和内存应用领域均看到有利趋势 [10] 当前的订单模式预示着公司又一个增长年，预计增长势头将在上半年积聚，并在下半年加速 [10] - **行业资本支出（CapEx）与WFE展望**：一些制造商已宣布增加资本支出计划，这有助于形成积极的前景 [4] 管理层预计2026年半导体设备（WFE）市场将呈现低两位数增长 [21] 公司目标继续跑赢WFE市场 [11][38] - **中国业务展望**：公司看到中国业务出现改善迹象 [41] 尽管中国市场的交货期缩短降低了能见度，但当前趋势使公司相信中国在2026年将继续保持稳定投资，以维持其在总收入中约30%的份额 [40] 随着先进节点和DRAM投资增加，而中国专注于成熟节点，即使名义销售额保持平稳，中国收入的相对比例也会下降 [41] - **供应链与交付**：存在交货期压力，这影响了能见度 [64] 公司正通过提高运营敏捷性、与供应商合作以及确保材料和产能来应对，以支持预期增长 [64] 交货期压力来自客户将资本支出转化为设备订单和晶圆厂交付的需求，这影响了公司所有产品组合 [66] 其他重要信息 - **客户认可**：公司在亚洲的团队从领先客户那里获得了多项服务卓越奖 [7] - **产品里程碑**：公司刚刚出货了第300台XPS工具 [33] - **GAA累计收入目标**：公司有望实现2024-2026年累计5亿美元的GAA相关收入目标 [53] 总结问答环节所有的提问和回答 问题: 关于2026年全年展望和WFE表现 [19] - 公司预计2026年WFE市场将呈现低两位数增长 [21] 增长势头正在积聚，预计下半年将加速，且2026年上半年表现将高于2025年同期 [21] 公司拥有正确的增长引擎，目标继续跑赢WFE市场 [20][38] 问题: 如果WFE加速，公司是否存在生产瓶颈 [23] - 公司过去一年已进行重大投资以扩大制造产能，拥有足够的产能（特别是先进封装的洁净室产能）来支持增长展望 [23] 2026年将继续投资基础设施，包括在亚洲建设新产能和IT基础设施（如ERP），以提高效率、可扩展性，并更贴近客户 [23] 问题: 客户对话的演变和订单转化情况 [26] - 2026年的主要增长动力包括：先进逻辑和GAA在所有领先制造商中的普及、DRAM和HBM的健康复苏与产能建设、先进封装中混合键合的贡献增长 [27] 客户增加的资本投资公告令人鼓舞，但转化为设备订单和公司收入需要时间 [28] 问题: 尺寸计量业务的市场份额和集成CD机会，以及Prism系统的定位 [29] - 根据Gartner 2024年报告，公司在CD和薄膜市场的份额增长至约25%，成为市场第二，份额整体增长约25% [30] 在集成计量方面，一家全球领先的逻辑客户采用了其GAA CMP工艺的集成计量产品组合 [30] Elipson和Metrion在2025年表现出色，成为重要增长引擎 [31] Elipson是一家顶级代工厂用于先进GAA生产的记录工具，并获得了其他领先逻辑和内存客户的订单 [31] Metrion近期在GAA逻辑客户和领先内存制造商处获得认证 [32] 公司目标是在这两个平台实现类似历史上XPS的规模化部署（每座晶圆厂多台工具） [33] 公司在先进封装的独立OCD解决方案以及前道铜双大马士革工艺的化学产品组合上也看到份额增长势头 [33] 问题: 2026年DRAM、代工/逻辑业务的增长预期以及跑赢WFE的幅度 [36] - 2026年的主要增长载体是先进逻辑、DRAM以及先进封装 [37] 先进封装在2025年增长60%后，预计2026年仍将保持两位数增长 [37] 在NAND方面看到一些改善迹象，但仍在等待类似DRAM和HBM的拐点 [38] 公司目标跑赢WFE，但目前确定具体幅度为时尚早 [38] 问题: 中国市场的展望 [39] - 中国收入占比从2024年的39%正常化至2025年的33% [40] 预计中国未来将稳定在总收入约30%的水平 [40][57] 中国交货期缩短降低了能见度，但公司看到趋势使其相信中国在2026年将继续保持稳定投资 [40] 随着先进节点和DRAM投资增加，即使名义销售额保持平稳，中国收入的相对比例也会下降 [41] 公司看到中国业务出现改善迹象 [41] 尽管外部数据显示中国的过程控制市场在下降，但公司的名义收入在增长 [57] 当前能见度有所增加，使公司对2026年中国业务的名义水平更有信心 [58] 问题: 在领先逻辑节点的份额，特别是最大客户增加3纳米产能的影响 [45] - 在GAA方面，公司在所有四家主要参与者中都处于有利地位，预计今年的增长势头将比去年更强 [46] 对于3纳米，虽然计量强度不如2纳米GAA，但仍然非常显著，任何先进节点的投资对公司都非常有利 [46] 问题: 先进封装收入增长从60%放缓至低两位数的原因 [47] - 先进封装对公司来说是相对较新的业务，公司正在渗透更多产品并获取份额 [48] 在占产品收入20%的先进封装业务中，约四分之一到三分之一是HBM，其余是逻辑 [48] 公司预计今年仍将保持强劲的两位数增长，并随着引入更多解决方案和能力，增长将持续 [48] 问题: 第一季度毛利率指引为58%，环比略有下降的原因 [51] - 第四季度非GAAP毛利率为59.6%，第一季度指引为58% ± 1个百分点，这反映了当前季度特定的产品组合 [51] 毛利率可能季度波动，应从年度角度看待利润率状况，结构上并无变化 [51] 问题: 2024-2026年GAA累计收入5亿美元的目标进展 [53] - 公司看到增长势头，在所有参与者中都处于有利地位，有望实现2024-2026年累计5亿美元GAA收入的目标，2026年预计将高于2025年 [53] 问题: 中国下半年收入是否会随整体趋势回升，以及能否维持去年约11%的增长 [56] - 公司预计中国收入占比将稳定在30%左右，将继续是公司关键且重要的区域 [57] 当前能见度有所增加，使公司对2026年中国业务的名义水平更有信心 [58] 问题: 内存价格上涨是否对毛利率造成压力 [59] - 公司没有看到内存价格与毛利率之间存在相关性 [60] 问题: 交货期的变化以及光学组件短缺是否产生影响 [64] - 存在交货期压力，这影响了能见度 [64] 公司正通过提高运营敏捷性、与供应商合作以及确保材料和产能来应对 [64] 交货期压力来自客户将资本支出转化为设备订单和晶圆厂交付的需求，这影响了公司所有产品组合，光学组件并非主要驱动因素 [65][66]

High NA EUV光刻技术发展现状 - ASML确认高数值孔径EUV光刻机已实现收入 虽拉低毛利率但整体毛利率仍达53.7% [1] - 英特尔使用High NA EUV设备单季度曝光超3万片晶圆 工艺步骤从40个缩减至10个以下 [1] - 三星通过该技术使特定层周期时间缩短60% 技术成熟速度远超早期低数值孔径EUV设备 [1] 三星对High NA EUV的布局 - 三星为提升2nm GAA制程良率采购High NA EUV设备 目标将Exynos 2600芯片良率从30%提升至70%量产门槛 [2][3] - 三星计划将设备用于1.4nm工艺开发 目标2027年实现量产 [3] - 受ASML年产量限制（仅5-6台）及政府出口管制 采购数量受限 [3] SK海力士率先引入High NA EUV - 与ASML合作组装业界首台Twinscan NXE:5200B光刻机 用于DRAM原型开发及未来量产 [6] - 设备将加速下一代DRAM研发 简化现有EUV工艺并提升产品性能与成本竞争力 [6] - 此举使SK海力士超越美光、三星等竞争对手 成为行业首批采用0.55数值孔径光学系统的企业 [7] 存储行业技术路线分化 - 三星可能延迟在DRAM生产中使用High NA EUV 因成本高昂且DRAM架构将向3D DRAM演进（6F²→4F²→3D）[4] - 3D DRAM通过垂直堆叠提升密度 可使用ArF光刻技术无需EUV设备 [4] - SK海力士计划2030年代全面过渡至High NA EUV生产 设备将用于测试图案化极限及新材料开发 [8] 台积电与美光的技术选择 - 台积电明确A16（1.6nm）及A14（1.4nm）工艺无需High NA EUV设备 将通过创新延长现有EUV寿命 [11] - 台积电技术团队实现1.4nm节点无需High NA EUV（分辨率8nm vs 低NA EUV的13.5nm） 强调投资回报最大化 [11][12] - 美光2025年才首次引入EUV生产DRAM 对High NA EUV采用持更谨慎态度 [12] 其他潜在参与者 - 日本Rapidus计划2027年起使用10台EUV设备（NXE:3800E型号）生产2nm芯片 未来可能采购High NA EUV [13] - 英特尔作为首家High NA EUV客户 采购量取决于晶圆制造进展 短期可能无重大变化 [9] 行业技术演进争议 - High NA EUV设备成本高达4亿美元 厂商采用犹豫 [14] - 新兴晶体管架构（GAAFET、CFET）通过垂直堆叠减少对光刻依赖 转向侧重蚀刻技术 [14][15] - 环栅场效应晶体管（GAAFET）和互补场效应晶体管（CFET）需精确横向材料去除 推动行业关注点从光刻转向蚀刻 [15]

High NA EUV光刻技术发展现状 - ASML确认High NA EUV为未来重点 二季度财报显示一台设备收入确认导致毛利率拉低 但整体毛利率仍达53.7% [2] - 英特尔使用High NA EUV设备在一个季度内曝光超过3万片晶圆 使特定工艺步骤从40个减少到10个以下 三星同期层周期时间缩短60% 技术成熟速度远超早期低数值孔径EUV设备 [2] 三星对High NA EUV的布局 - 三星为提升2nm GAA制程良率采购High NA EUV光刻机 目前Exynos 2600芯片测试良率达30% 距离量产所需70%良率仍有差距 [4] - 三星计划在2027年实现1.4nm节点量产 正评估在该工艺中使用High NA EUV的可能性 [5] - ASML年产能仅5-6台High NA EUV设备 且受政府出口管制限制 三星采购数量受限 [5] SK海力士率先引入High NA EUV - SK海力士在M16晶圆厂组装业界首台Twinscan NXE:5200B高数值孔径EUV系统 用于DRAM原型开发及未来量产 [8] - 该设备可简化EUV工艺 加速下一代存储器开发 提升产品性能和成本竞争力 [9] - SK海力士计划在2030年代将DRAM生产过渡到High NA EUV技术 目前主要用于加速原型设计而非直接生产 [10] 台积电与美光的技术路线 - 台积电明确A16（1.6nm）和A14（1.4nm）工艺无需使用High NA EUV设备 技术团队通过创新将低数值孔径EUV分辨率提升至接近High NA水平（13.5nm vs 8nm） [12][13] - 台积电预计2027-2028年才可能引入High NA EUV 重点考量投资回报率而非技术先进性 [13] - 美光2025年才首次将EUV引入DRAM生产 High NA EUV采用时间未定 [14] 其他厂商动态与技术趋势 - 日本Rapidus计划2027年起在2nm工艺中使用最多10台EUV光刻机（型号NXE:3800E） 未来可能采购High NA EUV [14] - 行业出现技术路径分歧：新型晶体管架构（如GAAFET和CFET）通过垂直堆叠减少对光刻依赖 转向更注重蚀刻技术 [16][17] - High NA EUV设备单价高达4亿美元 成本高昂导致厂商采购犹豫 [16]