三星1c DRAM进展 - 公司在第六代10纳米级DRAM（1c DRAM）晶圆测试中实现50%至70%良率，较去年不足30%大幅提升[1] - 与SK海力士和美光坚持使用HBM4 1b DRAM不同，三星押注下一代1c DRAM技术[1] - 计划在华城和平泽工厂提高1c DRAM产量，投资预计年底启动[1] - 重新设计芯片导致量产延迟一年，新DRAM将在平泽4号线生产，供应移动和服务器应用[3] HBM4市场动态 - 三星HBM4量产计划预计今年晚些时候启动，DRAM作为核心组件进展是关键[1] - TrendForce指出HBM4产品周期尚未开始，验证仍处早期阶段[1] - 2026年HBM总出货量预计超300亿千兆位，HBM4市场份额将在2026年下半年超越HBM3e[6] 竞争对手策略差异 - SK海力士采取谨慎立场，HBM4继续采用1b DRAM工艺，HBM4E量产后才扩大1c DRAM产量[5] - SK海力士1c DRAM测试良率超80%，最高达90%，已于2024年8月完成开发[6] - 三星可能利用规模经济和产量优势在HBM4时代超越竞争对手[3]

DRAM市场动态 - DDR4现货价单日暴涨近8%，本季以来报价已翻涨一倍以上 其中DDR4 8Gb（1G×8）3200大涨7 8%至3 775美元 DDR4 16Gb（1G×16）3200涨7 9%至8 2美元 行业人士称十年未见如此涨幅 [1] - 美光宣布停产DDR4 同时加速推进DDR5技术 其1γ工艺DDR5速度达9200MT/s 较前代提升15% 功耗降低20% 计划2026年用于旗舰智能手机 [2] 美光科技战略布局 - 公司12层堆叠36GB HBM4样品已交付客户 采用1β工艺 预计2026年量产 目标HBM市场份额达20%-25% [2] - 获英伟达SOCAMM模块独家供应权 该方案采用16个LPDDR5X芯片铜线键合技术 用于Rubin AI加速器平台 [4] - 计划投资2000亿美元扩大美国DRAM制造和研发 台湾 日本产能扩张中 爱达荷州新厂2027年投产 [4][5] 三星电子技术进展 - HBM3E认证多次延迟 最新进展是向AMD供应12层HBM3E芯片 用于MI350加速器 这是其首次官方确认HBM3E供货 [7][8] - 加速1c DRAM量产线建设 平泽P4工厂产能将扩至每月4万片 华城工厂计划年底投产 该技术将用于HBM4开发 [9][10] SK海力士市场表现 - 2025年Q1以36%份额首超三星(34%)成为DRAM市场第一 美光占25% [11] - 推迟M15X工厂设备投资计划 月产能从1 5万片下调至不足1万片 转向2024年全面投资策略 [12][13] - 公布4F² VG平台和3D DRAM技术路线图 计划通过材料创新突破制程限制 [14] 技术演进趋势 - 各厂商加速10nm级工艺竞赛 美光1γ将引入EUV 三星 SK已商业化12nm级D1a/b产品 [16] - HKMG技术普及加速 三星用于D1y DDR5 美光从1β代全面推广 SK在D1b DDR5集成 [17] - HBM技术迭代明确 2026年HBM4带宽达2TB/s 2038年HBM8将实现64TB/s 堆叠层数从12Hi增至24Hi [20][21] - 行业共识2030年后转向3D DRAM架构 平面DRAM预计持续至2033-2034年0c/0d节点 [19]