半导体制造

搜索文档
【光大研究每日速递】20250414
光大证券研究· 2025-04-13 21:50
农林牧渔行业 - 4月11日全国外三元生猪均价为14.66元/kg,周环比+0.41%,15公斤仔猪均价37.2元/公斤,周环比上涨0.32% [4] - 商品猪出栏均重为128.81kg,周环比下降0.08kg,全国冻品库容率为14.94%,环比上升0.11pct [4] - 涌益出栏均重结束了2月初以来的持续上行,对应行业库存拐点初步显现 [4] 半导体行业 - 中美持续性高关税推动半导体国产替代,模拟、射频、存储、CPU等芯片厂商将获得结构性机会 [5] - 中国关税反制将抬升美系IDM厂商成本,国产厂商市场份额有望提升 [5] - 晶圆代工厂国产替代加速,成熟制程需求提升,华虹半导体和中芯国际将受益 [5] 银行业 - 杭州银行2024年营业收入、PPOP、归母净利润同比增速分别为9.6%、9.5%、18.1% [6] - 2024年扩表速度高于行业,2025年一季度信贷投放实现"开门红",资产质量保持稳健 [6] - 2025年一季度盈利增速在17%以上,基本面韧性较强 [6] 房地产行业 - 万科2024年实现营业收入3431.8亿元,同比下降26.3%,归母净利润亏损494.8亿元,同比下降506.8% [7] - 2024年销售额2460亿元,同比下降34.6%,新获取13个项目,其中存量盘活项目达11个,权益地价55.6亿元 [7] 有色金属行业 - 紫金矿业2025年一季度实现营收789.3亿元,同比增长5.6%,归母净利润101.7亿元,同比增加62.4% [8] - 归母扣非净利润98.8亿元,同比增加58.8%,矿产铜金量价齐升推动业绩增长 [8] 家电行业 - 小熊电器2024年实现营收48亿元(YoY+1%),归母净利润/扣非归母净利润2.9/2.5亿元,同比-35%/-36% [9] - 24Q4营收16亿元(YOY+16%),归母净利润/扣非归母净利润1.1/1.2亿元,同比-17%/+6% [9] - 2024年度现金分红比例达54%,每10股派现10元(含税) [9] 纺织服装行业 - 华利集团2024年收入/归母净利润分别同比增长19.4%/20.0%,分红率约70% [10] - 运动鞋销量/单价同比+17.5%/+1.7%,前五大客户收入占比79.1%、收入+14.7% [10] - 其他客户收入占比20.9%,收入+41.3% [10] 其他行业观点 - 策略:政策组合拳多维发力缓解外部压力 [11] - 金工:大市值风格占优,市场现反转效应 [11] - 固收:更多关注高红利、绩优属性转债 [11] - 石油化工:"三桶油"是不确定环境下的最大确定性 [11] - 基础化工:中国对美实施关税反制,坚定看好国产替代主线 [11] - 煤炭开采:秦港煤炭库存继续回落,煤价具备强韧性 [11] - 医药生物:北京深圳发布支持创新文件,看好创新药械投资机会 [11]
ST或大规模裁员!
国芯网· 2025-04-11 12:33
国芯网[原:中国半导体论坛] 振兴国产半导体产业! 不拘中国、 放眼世界 ! 关注 世界半导体论坛 ↓ ↓ ↓ 4月11日消息,意法半导体宣布 "重塑制造布局和调整全球成本基础" 计划,根据该 计划,包括先前披 露的成本基础调整和制造布局重塑,意法半导体预计将在三年内导致全球范围内最多 2800 名员工自愿 离职。 据悉,意法半导体计划在 2025、2026 和 2027 财年重点投资于 300mm 硅片和 200mm 碳化硅的先进制 造基础设施与技术研发。该公司还计划继续投资升级运营中使用的技术,部署更多人工智能和自动化技 术。 意法半导体总裁兼首席执行官 Jean-Marc Chery 表示:"今天宣布的制造布局重塑计划,将利用我们在欧 洲的战略资产,为我们集成设备制造商 (IDM) 模式的未来发展提供保障,并提升我们更快的创新能 力,使所有利益相关者受益。 我们专注于先进的制造基础设施和主流技术,将继续充分利用所有现有工厂,并为其中一些工厂重新定 义使命,以支持它们的长期成功。我们致力于以负责任的方式管理该计划,秉承我们长期以来秉持的价 值观,并完全通过自愿措施进行。意大利和法国的技术研发、设计和量产活 ...
DRAM,将涨价?
半导体芯闻· 2025-04-10 18:10
行业动态 - 川普政府关税变局已同意针对75个国家将对等关税延后90天 行业悲观情绪有所缓解 [1] - 受中国大陆刺激内需措施激励 DRAM库存持续消化 整体市况朝正面发展 [1] - 若无关税战干扰 DRAM涨势会更大 目前仍存在基准关税因素 但本季价格将缓升 [1] - DRAM产业未来需密切观察美中及美国与各国贸易谈判结果 若经济变数淡化 行业有望重返景气上升期 [2] 公司运营 - 南亚科第2季毛利率为负15% 但DRAM价格涨势确立后有望转正 [1] - 公司正在进行1B制程转换 第2季投片量将达总产能三分之一 初期良率不佳但后期产品价值将显著提升 [1] - 1B制程生产16Gb 5600 DDR5产品 符合云端服务器和边缘AI运算需求 产品售价提升有助于改善获利并降低库存压力 [1] - 1B制程转换的甜蜜点预计落在第2季末 第2季单月毛利率可能转正 但整体季度仍亏损 第3季有望单季转盈 [2] 市场策略 - 南亚科已通知客户调涨DRAM报价 直接输美占比不高 受美国关税调整影响较小 对外报价未因税率变化而更动 [2]
DRAM,史上首次!
半导体行业观察· 2025-04-10 09:17
全球DRAM市场格局变化 - SK海力士首次超越三星电子成为全球DRAM市场冠军,占据36%的市场份额,三星电子以34%位居第二,美光科技以25%排名第三 [1][2][4] - SK海力士的成功主要归功于其在HBM领域的主导地位,占据70%的市场份额 [2][4][6] - 这是SK海力士自1983年成立以来首次在全球存储器市场占据主导地位,打破了三星电子长达30多年的统治 [4] HBM技术驱动增长 - HBM产品占SK海力士第四季度DRAM总销售额的40%以上 [7] - SK海力士独家供应12层HBM3E芯片给英伟达的AI加速器 [7] - 公司预计到2027年HBM内存芯片需求将以每年82%的速度增长 [7] - SK海力士计划在2025年将HBM销量翻一番 [7] - 公司预计HBM3E将在2024年上半年占HBM产品的一半以上,并计划在2026年推出12层HBM4作为旗舰产品 [8] 技术研发与制程优势 - SK海力士新的1c DRAM良率达到80%,开发出全球首款基于1c工艺的16GB DDR5 DRAM [10] - 1c工艺约等于11-12纳米,是目前最先进的DRAM技术 [10] - SK海力士在DRAM技术领域暂时超越三星电子 [11] - 三星电子在1c DRAM模块开发中遇到良率问题,正在重新评估以提高良率 [11][12] - SK海力士计划将1c技术应用于HBM4,可能推出性能更强大的HBM4E [10] 行业技术发展趋势 - 三星和SK海力士已将D1a和D1b单元设计产品商业化 [13] - 两家公司在采用EUV光刻技术方面处于领先地位 [13] - 高K金属栅极(HKMG)技术正在普及,三星、美光和SK海力士都在不同产品中集成该技术 [13] - 预计2026-2027年将推出10纳米级DRAM器件(D1d或D1δ节点) [14] - 到2030年DRAM技术预计将缩小到个位数纳米节点 [14] 市场竞争格局 - 中国厂商如长鑫存储、长江存储等正在技术进步,竞争格局可能发生变化 [16] - 传统DRAM需求减弱,价格下降,推动SK海力士凭借HBM优势进一步领先 [8] - 地缘政治和人工智能崛起加剧了行业竞争 [16] - DRAM技术正处于变革关键期,可能催生新的行业巨头 [16]
英特尔18A良率,新进展
半导体芯闻· 2025-04-09 18:46
如果您希望可以时常见面,欢迎标星收藏哦~ 来源:内容编译自 cnyes ,谢谢。 知名投资机构KeyBanc Capital Markets 分析师John Vinh 发布报告指出,英特尔在最新的尖端制 程工艺Intel 18A 技术取得了积极的进展,并有望获得任天堂(Nintendo)的GPU 订单。 John Vinh 表示,Intel 18A 预计在2025 年下半年由Panther Lake 率先采用,其包括良率和缺陷 密度在内的KPI 正朝着正确的方向发展,并且处于可接受的水平。 今年2 月下旬,英特尔透过官网正式上线了对于其最尖端的Intel 18A 制程工艺的介绍,并称其已 经「准备就绪」。 参考链接 https://news.cnyes.com/news/id/5930537 点这里加关注,锁定更多原创内容 *免责声明:文章内容系作者个人观点,半导体芯闻转载仅为了传达一种不同的观点,不代表半导体芯闻对该 观点赞同或支持,如果有任何异议,欢迎联系我们。 根据官网的介绍,Intel 18A 采用了RibbonFET 环栅(GAA) 晶体管技术,可实现电流的精确控 制,同时还率先采用了业界首创的Po ...
MCU,新王登场
半导体行业观察· 2025-04-08 09:36
文章核心观点 英飞凌在微控制器市场和汽车半导体领域取得领先地位,通过收购Marvell汽车以太网业务巩固MCU业务,并大力下注RISC - V以争取未来MCU市场更多筹码 [1][3][10] 分组1:英飞凌在微控制器市场的地位 - 英飞凌在全球微控制器市场占据第一位置,2024年市场份额增至21.3%(2023年为17.8%),同比增长率3.5个百分点在竞争对手中位居前列 [1] - 自2015年以来,英飞凌微控制器业务平均每年增长13.0%,而整体市场每年仅增长4.0%;2023年首次攀升至汽车微控制器市场全球第一 [1] 分组2:英飞凌在汽车半导体领域的表现 - 2024年英飞凌在全球汽车半导体市场份额为13.5%;在欧洲以14.1%份额攀升至榜首,在北美成为第二大市场参与者,份额为10.4% [3] - 英飞凌在汽车半导体最大市场中国(份额13.9%)和韩国(份额17.7%)保持领先,在日本以13.2%份额稳居第二;2024年全球汽车半导体市场规模为684亿美元,较2023年下降1.2% [3] - 英飞凌连续五年成为全球汽车半导体领域领军企业,有史以来首次跻身各地区前两名汽车半导体公司之列 [4] - TechInsights连续五次确认英飞凌领先地位,微控制器是成功功臣;英飞凌汽车微控制器市场份额增加3.6个百分点达32.0%,领先第二名2.7个百分点,而该市场与去年同期相比下降8.2% [5] 分组3:收购Marvell汽车以太网业务 - 英飞凌宣布以25亿美元现金收购Marvell Technology汽车以太网业务,交易需获监管部门批准,预计2025年内完成 [6][8] - Marvell汽车以太网业务客户包括50多家汽车制造商,有2030年前约40亿美元设计订单,预计2025日历年创造2.25亿 - 2.5亿美元收入,毛利率约60% [7] - 收购旨在补充和扩展英飞凌市场领先的微控制器业务,加速软件定义汽车系统能力建设,巩固其在微控制器领域领先地位 [6][7] 分组4:英飞凌下注RISC - V - 英飞凌将推出基于RISC - V的全新汽车微控制器系列,扩展现有AURIX产品组合,致力于让RISC - V成为汽车开放标准 [10] - 通过合资企业Quintauris,英飞凌等公司加速基于RISC - V产品工业化;Quintauris推出RT - Europa,是首个为实时、安全关键型汽车应用量身定制的RISC - V配置文件 [10][11]
台积电熔断!
国芯网· 2025-04-07 21:18
国芯网[原:中国半导体论坛] 振兴国产半导体产业! 不拘中国、 放眼世界 ! 关注 世界半导体论坛 ↓ ↓ ↓ 4月7日消息,受特朗普抛出的"对等关税"政策影响,中国台湾地区股票交易市场出现 "跳水式暴 跌", 台积电 开盘近下跌10%, 触发台股熔断机制! 今日是台湾地区清明连假结束后的首个台股交易日,据台媒报道,开盘后台股便出现"跳水式暴 跌"。大盘一开盘便狂泻2000点,不仅失守具有象征意义的2万点重要关卡,还创下了台股史上"最 大开盘跌点纪录"。 台积电开盘跳空跌停价848元,为去年8月初以来低位,也是 16 年 4 个月以来首次开盘即跳空跌 停。台积电上一次盘中触及跌停是2024年8月 5 日,因美股收黑走低。上一次开盘即跳空跌停是 16 年 4 个月前的 2008 年 12 月 2 日,当时次级房贷危机引发全球金融海啸。 据报道,岛内"三大权值股"台积电、鸿海、联发科同步亮灯跌停,电子、AI、金融等板块全面溃 散,盘面血流成河。 岛内有机构表示,美国政府4月2日公布关税政策不仅冲击全球股市、引发多个经济体表态反制,全 球贸易战升温,市场担忧美国经济未来发展打击美股与台股投资人信心,不利台股近期表现 ...
HBM,占半壁江山了
半导体芯闻· 2025-04-07 19:07
SK海力士HBM技术规划 - 公司计划通过及时供应HBM4E等下一代产品保持HBM市场的技术领先地位 [1] - 将于2024年开始量产第六代HBM4 12层产品 并计划下半年全面量产 [1] - 已提前数月向主要客户提供全球首批HBM4 12层样品 [1] - 第七代HBM4E产品开发将加速以满足AI市场需求 [2] HBM业务进展 - HBM占公司DRAM销售比重快速提升 2023年Q4超40% 预计2024年将突破50% [2] - 2024年HBM产能已全部售罄 2025年上半年产能极可能提前售罄 [2] - 2025年出货产品将包括第五代HBM3E 12层和第六代HBM4 12层 [2] 业务战略与团队 - 将通过定制化HBM解决方案响应客户特殊需求 [1] - 强调团队精神和挑战精神是HBM市场成功的关键因素 [1] - HBM业务负责人崔俊勇为SK海力士最年轻高管 主导技术路线图与客户战略合作 [1]
美国SiC,难兄难弟
半导体行业观察· 2025-04-04 11:46
碳化硅行业现状 - 碳化硅(SiC)在高压高温环境下性能超越传统硅材料,广泛应用于新能源汽车电驱系统、充电桩、工业自动化和AI服务器电源领域,被认为是未来十年最具潜力的材料革新方向 [2] - 随着市场需求放缓、资本开支压力上升以及中资企业迅猛追赶,美国SiC巨头安森美与Wolfspeed正陷入生存与转型的十字路口 [2] 安森美的困境与转型 - 2024年第四季度营收17.2亿美元,同比下降近15%,电源解决方案和模拟信号领域收入分别下降16%和18% [4] - 预计2025年第一季度营收将下降至13.5亿至14.5亿美元,低于市场预期的16.9亿美元,股价年内暴跌超过37% [4] - 面临中国和欧洲SiC厂商的激烈竞争,特别是在电动汽车销量疲软的情况下增长动能大减 [7] - 采取战略收缩和并购进攻策略:裁员9%以削减成本,预计产生5000万至6000万美元费用;以1.15亿美元收购Qorvo的SiC JFET业务;计划以69亿美元现金收购Allegro Microsystems [7][8] - 制造布局转向Fab-lite模式,整合9座工厂、关闭低效产能、购入纽约DeWitt工厂,实现"有选择性的垂直整合" [8] Wolfspeed的生存危机 - 2024年全年营收不到9亿美元,净亏损超过6亿美元,净债务超过50亿美元,市值不足10亿美元 [10] - 2024年11月罢免CEO Gregg Lowe,2025年3月底任命Robert Feurle为新任CEO [13] - 大幅削减2026年资本支出预期,从12亿美元降至3亿美元,叫停德国30亿美元工厂项目 [13] - 与Apollo签署利率近10%的20亿美元融资安排,2025年1月以每股7美元发行2800万股,筹集2亿美元但导致股本稀释超过22% [18] - 最新股价跌至2.7美元,暴跌逾52%,创27年最低点 [18] 美国SiC行业的结构性挑战 - 安森美和Wolfspeed在2021-2023年高涨期进行激进投资,但2024年电动汽车需求下滑导致资本规划严重错配 [16] - 中国厂商如天科合达、斯达半导、比亚迪半导正快速赶上技术差距并以成本优势进行价格压制 [16] - 《芯片法案》政策不确定性高,拨款效率低,配套设施分布松散,商务部芯片计划办公室约80%员工被解雇或辞职 [17] - 两家公司在晶圆材料上仍依赖日欧设备与材料,缺乏"自主安全"完整保障 [17]
下一代HBM:三大技术,定生死!
半导体行业观察· 2025-04-03 09:23
HBM技术发展趋势 - SK海力士强调下一代HBM商业化需多领域技术进步,尤其电源效率需与代工企业紧密合作[1] - HBM4的I/O数量相比HBM3E翻倍至2048个,客户需求最高达4000个I/O[3] - 功耗优化依赖逻辑工艺,HBM4开始逻辑芯片将由代工厂生产[3] - 容量扩展通过DRAM堆叠实现,当前12层将增至16层和20层[3] - 堆叠技术面临间距缩小挑战,16层堆叠需将DRAM间距减半[4] - 混合键合技术可减小芯片厚度并提升功率效率,但商业化存在技术难度[4][5] 三星HBM战略 - 已成功开发16层堆叠HBM3样品,计划用于HBM4量产[6] - 混合键合技术可提高信号传输速率30%,更适合AI计算需求[8] - 推行双重键合战略,同步开发混合键合和传统TC-NCF工艺[8] - HBM4模块高度限制增至775微米,TC-NCF工艺目标缩小晶圆间隙至7微米以内[10] - 计划采用4nm代工工艺量产逻辑芯片,核心芯片使用10nm第六代(1c)DRAM[16] 美光HBM布局 - HBM4按计划开发中,预计2026年量产,HBM4E同步推进[12] - HBM4采用1β DRAM技术,16层堆栈单芯片32GB容量,峰值带宽1.64TB/s[12] - HBM3E 12-Hi堆栈功耗比竞品8-Hi版本低20%,内存容量高50%[13] - HBM4E与台积电合作开发,提供定制基片增强数据传输速度[12][14] 行业竞争格局 - 韩国双雄均转向代工工艺,SK海力士拟采用台积电3nm工艺替代原5nm方案[16][17] - HBM4性能提升显著,SK海力士48GB堆栈速度8Gbps,三星目标9.2Gbps[19] - 美光称HBM4性能比HBM3E提升50%以上[19] - 下一代HBM4e瞄准更高密度,三星规划单层32Gb容量,SK海力士探索20层以上堆栈[20] - NVIDIA Rubin Ultra将采用16个HBM4e堆栈,单GPU内存达1TB[20] 技术演进方向 - HBM4成为下一代标准,在密度和带宽实现重大突破[19] - 混合键合技术可提升功率效率30%,但面临成熟度和成本挑战[8][5] - 三巨头均聚焦16层堆叠方案,12层36GB堆栈或成2026年主流[19] - 行业积极推动密度和带宽路线图,以支撑AI工作负载需求[22]