近日，证监会官网披露了中图半导体的科创板IPO辅导工作完成报告。 报告显示，2022年11月，辅导机构与辅导对象签署了辅导协议，并自2022年11月至2025年11月开展了10 期辅导工作。 经系统辅导，辅导机构认为，中图半导体已具备成为上市公司应有的公司治理结构、会计基础工作、内 部控制制度，充分了解多层次资本市场各板块的特点和属性；辅导对象及相关人员已全面掌握发行上 市、规范运作等方面的法律法规和规则、知悉信息披露和履行承诺等方面的责任和义务，树立了进入证 券市场的诚信意识、自律意识和法治意识。 据观察，这已非中图半导体首次筹备科创板IPO。上交所官网显示，2021年3月，公司科创板IPO申请曾 获受理，原定计划募集资金10.03亿元，拟投建Mini/Micro LED用图形化衬底产业化项目、第三代半导 体衬底材料工程研究中心建设项目。中图科技彼时表示，在Mini/Micro LED技术的推动作用下，图形化 蓝宝石衬底需求量将持续提升。 据官网，中图半导体于2013年12月创立，是一家面向蓝宝石上氮化镓(GaN on Sapphire)技术的半导体衬 底材料制造商，主要从事图形化衬底的研发、生产和销售业务 ...

文章核心观点 - 第二代半导体衬底材料（III-V族化合物，主要是磷化铟和砷化镓）凭借其高电子迁移率、优良的光电性能等物理特性，在5G通信、数据中心、新一代显示、人工智能、无人驾驶等高频、高功耗、高压、高温的特殊应用场景中具有独特优势，市场前景广阔 [2][14][17] - 磷化铟衬底市场预计快速增长，2026年全球市场规模达2.02亿美元，2019-2026年复合增长率为12.42%；砷化镓衬底市场预计到2025年规模达3.48亿美元，2019-2025年复合增长率为9.67% [4][6] - 全球第二代半导体衬底材料市场呈现高度集中态势，日本、德国企业占据主导，中国企业如北京通美等正加速追赶，国产替代进程加快 [7][8][101] 半导体衬底材料简介 - 半导体衬底材料分为三代：第一代以硅（Si）为主，应用最广；第二代是III-V族化合物（如GaAs, InP），光电性能好；第三代是宽禁带半导体（如GaN, SiC），耐高压大功率 [13][14] - 不同代际材料无绝对替代关系，而是在特定应用场景中各有优势，III-V族化合物在硅基性能难以满足的高频、发光、高功率等特殊场景中需求增长 [15][16] 第二代半导体衬底材料的生产工艺路线 - III-V族化合物半导体衬底生产核心工艺为多晶合成和单晶晶体生长，后续经过切割、磨边、抛光等多道工序 [19][21] - 垂直梯度冷凝法（VGF）是主流高效方法，能生长直径最大达8英寸的晶体，且晶体均匀、位错密度低、生产成本相对较低 [22][23] - 各龙头企业采用不同技术：北京通美和Sumitomo分别用VGF和VB技术生长6英寸磷化铟单晶；Sumitomo以VB法为主生产砷化镓，Freiberger以VGF和LEC法为主，北京通美以VGF法为主 [25] 磷化铟衬底材料 市场概况与格局 - 磷化铟衬底具备饱和电子漂移速度高、发光波长适宜光纤通信等特性，广泛应用于光模块、传感器、高端射频器件 [3][27] - 市场规模相对较小，但受益于AI、下一代通信等技术发展，前景良好；2026年全球市场规模预计为2.02亿美元，2019-2026年复合增长率12.42% [4][30] - 市场高度集中，2020年前三大厂商占90%以上份额，Sumitomo占比42%，北京通美占比36% [8][28] 主要应用领域 - **光模块器件**：磷化铟是高速光纤通信系统的关键材料，用于DFB激光器、EML、APD等核心器件；全球光模块市场收入预计从2023年109亿美元增长至2029年224亿美元，复合年增长率11% [34][35][39] - **传感器件**：用于可穿戴设备监测心率、血氧等，以及VR眼镜、汽车雷达；2026年该领域磷化铟衬底市场规模预计达3200万美元，2019-2026年复合增长率30.37% [45] - **射频器件**：在高频、低噪、高功率射频器件中占优，适用于5G/6G、卫星通信、雷达系统；2026年应用于射频器件的磷化铟衬底销量预计达7.63万片 [47][48] - **新兴领域**：在量子计算（作为量子点载体）、AI加速芯片（突破性能瓶颈）、6G太赫兹通信等前沿技术中成为关键材料 [53][54] 未来发展趋势 - 发展围绕大尺寸化（向6英寸推进）、成本优化（提升良率、回收原料）、异质集成（与硅、氮化镓等平台集成）三大方向 [5][57][58] 砷化镓衬底材料 市场概况与格局 - 砷化镓衬底具有高频率、高电子迁移率、低噪音等特性，广泛用于LED、射频器件、激光器 [6][61] - 市场规模相对较小但持续扩大，预计2025年全球市场规模达3.48亿美元，2019-2025年复合增长率9.67% [6][65] - 市场集中度高，2019年Freiberger占28%，Sumitomo占21%，北京通美占13% [8][62] 主要应用领域 - **射频器件**：是制造射频功率放大器的主流材料之一，5G基站建设和手机推广带来需求增长；2025年全球射频器件砷化镓衬底市场规模预计超9800万美元 [68][70][71] - **LED**：应用于常规照明及新一代显示（MiniLED, MicroLED）；2025年全球LED器件砷化镓衬底市场规模预计超9600万美元 [72][74] - **激光器**：未来五年最大增长点之一，主要由VCSEL需求拉动，用于面容识别、3D传感等；2025年全球激光器砷化镓衬底市场规模预计达6100万美元 [82][83][86] - **新兴领域**：在AI边缘计算、6G通信、柔性电子等前沿领域成为关键材料 [87][88][90] 未来发展趋势 - 呈现技术升级推动国产替代、产业链协同创新加速、新兴应用领域持续拓展三大趋势 [7][91][92] 全球第二代半导体衬底材料龙头企业 - **日本住友（Sumitomo）**：产品涵盖2-8英寸砷化镓衬底和2-6英寸磷化铟衬底，技术领先 [95][96] - **德国Freiberger**：被Soitec收购，拥有VGF和LEC工艺，提供2-6英寸砷化镓和磷化铟晶圆 [97] - **日本JX**：投资扩大磷化铟产能，月产量计划提升约20%，专注于高速光通信领域 [98][99] - **北京通美**：全球核心供应商之一，磷化铟市占率36%（2020年），砷化镓市占率13%（2019年），掌握8英寸砷化镓和6英寸磷化铟生产技术 [101][103] - **其他中国公司**：云南锗业、大庆溢泰、广东先导、珠海鼎泰芯源等均在积极布局，推动国产化进程 [104][106][108][109]

哈勃投资天岳先进案例 - 2019年哈勃投资以1.11亿元战略入股天岳先进，获得10%股权 [1][3] - 2025年9月哈勃投资计划减持部分股份，按86.33元/股收盘价计算可套现约3.35亿元，减持后持股比例降至4.83% [1][3] - 此次减持后，哈勃投资在该项目上账面浮盈仍超过20亿元，投资回报高达20倍 [1][3] 天岳先进公司概况与业绩 - 天岳先进是中国碳化硅半导体衬底材料领域的领军企业，实现了从4英寸至8英寸衬底的产业化突破，并首批推出12英寸碳化硅衬底 [4] - 2024年公司营业收入同比增长41.37%，归母净利润同比增长491.56% [4] - 2025年上半年公司营业收入7.94亿元，同比下降12.98%，归母净利润1088.02万元，同比大幅下降89.32% [4] - 2025年8月天岳先进H股在香港成功上市，成为公司推进全球化战略的关键一步 [6] 碳化硅行业前景与市场 - 碳化硅作为第三代半导体核心材料，在高压、高温场景下具有显著性能优势 [7] - 新能源汽车是核心驱动力，全球新能源车销量攀升，国内800V高压车型渗透率预计突破30% [7] - 光伏储能与电力电网领域成为新增长曲线，AI数据中心与AR眼镜领域潜力巨大 [7] - 2024-2030年碳化硅功率半导体器件市场规模预计以35.2%的复合增速从32.4亿美元增长至197.45亿美元 [7] - 在碳化硅器件成本结构中衬底占比高达47%，天岳先进2024年导电型碳化硅衬底全球市占率22.8%，排名第二 [7] 哈勃投资整体布局与业绩 - 哈勃投资成立于2019年，是华为旗下专注于对外投资的平台，承担构建华为半导体产业链的战略任务 [8] - 截至统计时，哈勃投资累计投资项目112个，超过10家被投公司成功上市 [8][11] - 截至上半年末，哈勃投资出现在8家A股上市公司前十大股东中，合计持股市值约44.15亿元 [8] - 若三季度未减持，截至9月26日其持股市值将达64.82亿元，单季度浮盈约20.67亿元 [9] - 哈勃投资已退出思瑞浦、中科飞测等7家A股上市公司的前十大流通股东行列 [10] - 华为投资的赛美特、强一半导体、锐石创芯等公司正在排队上市 [11]