公告称，瑞能半导体深耕半导体领域十余年，在产品研发、生产制造及市场渠道方面积累了丰富资源， 其业务覆盖半导体全产业链环节，与紫光国微的主营业务高度契合。通过收购瑞能半导体控股权，紫光 国微可快速扩充半导体产品线，完善产业链布局，增强在半导体设计、生产及技术服务等领域的综合竞 争力。同时，借助瑞能半导体的进出口业务渠道及技术研发能力，紫光国微有望进一步拓展国内外市 场，提升技术创新水平，实现规模效应与协同发展。此外，标的公司所处的半导体产业属于国家重点支 持的战略性新兴产业，本次收购符合行业发展趋势，将为紫光国微长期可持续发展奠定坚实基础。 公告未披露拟并购资产的具体业务和经营数据。瑞能半导体网站显示，公司为全球功率半导体行业的佼 佼者，始终专注于研发行业领先、广泛且深入的功率半导体产品组合，公司主要产品主要包括碳化硅器 件，可控硅整流器和晶闸管，快恢二极管，TVS,ESD，IGBT,模块等。产品广泛应用于以家电为代表的 消费电子、以通信电源为代表的工业制造、新能源及汽车等领域。 资料显示，瑞能半导体前身为恩智浦半导体的标准产品事业部，其业务和技术主要承继自恩智浦的双极 功率半导体业务。恩智浦最初参与了瑞能半导 ...

行业背景与机遇 - 全球能源转型与智能化浪潮推动功率半导体行业变革 碳化硅(SiC)、IGBT、MOSFET等关键产品成为各行业转型升级的核心动力 [1] - "双碳"目标、可再生能源、新能源汽车爆发(年增长率未披露)、工业自动化及大数据中心快速发展催生对高效低功耗功率半导体的迫切需求 [1] 公司战略定位 - 瑞能半导体定位为全球功率半导体领域佼佼者 聚焦消费电子/工业大数据/可再生能源/汽车电子四大场景 技术布局覆盖智能物联/绿色能源/可靠创新三大领域 [1][5] - 公司以创新驱动产业升级为目标 通过优化客户体验/提升运营效率/强化核心技术迭代助力制造业智能化与碳中和 [4][7] 核心技术突破 - SiC器件实现98%充放电效率(业界领先) 顶部散热封装设计使散热效率较传统方案提升10℃ [7] - IGBT技术通过优化设计提升开关速度与可靠性 降低能耗形成独特竞争力 [7] - 重点发展车规级SiC产品(二极管/MOSFET)、工业用AI服务器碳化硅器件及超结MOSFET等方向 [7] 产品矩阵与应用 - 产品组合包括SiC器件/可控硅整流器/快恢复二极管/TVS/ESD/IGBT模块等 覆盖消费电子/工业制造/新能源/汽车领域 [5] - 可再生能源领域：IGBT与SiC器件提升太阳能/风能转换效率 [7] - 汽车电子领域：MOSFET与SiC模块为新能源汽车电机驱动/电池管理提供保障 [7] 市场布局与产能 - 中国市场份额从50%-60%提升至70% 仓库从香港迁至东莞缩短交付周期 [9] - 北京新建6英寸晶圆厂(高压高功率二极管)与吉林5英寸厂协同 总产能提升一倍以上 [9] - 采用"全球视野+本地深耕"模式 欧洲及亚太市场持续拓展 [8][9] 2025年发展规划 - 新能源汽车领域目标进入全球SiC MOS管供应商前十 重点扩大车载充电桩/逆变器市场份额 [10] - 可再生能源领域深化光伏逆变器/储能系统解决方案 推动SiC与IGBT复合模块规模化应用 [10] - 数据中心领域开发低损耗高频化器件适配AI计算需求 [10]