SiC市场现状与挑战 - 全球SiC市场规模约35亿美元（250亿元人民币），汽车应用占比72%，光伏储能等占21.5%，年复合增长率20%，预计2030年达103亿美元[3] - 国内厂商全球材料份额超30%，但整体产值仅4亿美元，远低于海外36亿美元，呈现"热闹但内卷"局面[3] - 价格战主因：产能过剩（国内重资产扩产但质量不足）、零和博弈（厂商囚徒困境）、资本短视（劣币驱逐良币）及高沉没成本[3][5][7][8] 价格战深层原因 - 产能过剩：SiC衬底生产周期长达3周/10厘米晶体，国内厂商以规模弥补技术短板导致低质产能堆积[3] - 零和博弈：厂商为生存被迫降价，陷入"杀敌一千自损八百"恶性循环，类似孤岛资源争夺[5] - 资本透支：互联网资本涌入催生虚报产能、低价倾销乱象，优质企业反被挤出市场[7] 破局五条路径 - **差异化竞争**：学习日本"不争第一只做唯一"策略，聚焦车载充电器、光伏定制器件等细分领域[13][14] - **产品升级**：从单一器件转向系统整合（如功率模块、芯片电路一体化设计），提升附加值[15][17] - **技术前瞻**：布局氧化镓（Ga2O3）等下一代材料，同时优化SiC晶体生长技术缩短周期[18] - **标准制定**：联合上下游制定衬底尺寸、缺陷率等规范，建立类似"米其林指南"的认证体系[19] - **政策引导**：通过关税控制低价进口、严惩倾销、退补等措施促进行业有序竞争[26] 行业终局展望 - 技术为王：意法半导体（ST）以27.5%份额（11亿美元产值）示范技术壁垒价值，国内需提升衬底质量与集成能力[22] - 运营造血：优化供应链降本，通过品牌与差异化产品提升议价能力，摆脱烧钱模式[23] - 淘汰投机：历史将淘汰低价倾销企业，具备技术硬实力与运营软实力的"长跑者"将主导103亿美元市场[24][35] 关键数据 - 头部厂商动态：英飞凌（Infineon）2024年营收增长25.1%至7.34亿美元，博世（Bosch）增长58.9%至1.91亿美元，而ST、安森美（onsemi）分别下滑3.5%、3%[31] - 新兴力量：中国厂商三安集成（Sanan IC）增长55%至1.23亿美元，UNT暴涨188%至1.4亿美元[31]

行业现状与公司战略 - 功率半导体行业正处于深度调整期，中国高端市场仍有90%待攻克 [2] - 公司坚持技术驱动战略，以硬核技术实力锚定长期价值，应对短期价格战冲击 [2] - 公司技术迭代节奏稳健，市场布局清晰，在本土化浪潮中稳步前行 [2] 技术发展与产品布局 - 公司从2006年创业起专注功率半导体，初期以FRD为切入点，2007年推出M1dF系列芯片 [3] - 在IGBT、FRD等功率半导体的芯片设计、单管制造、模块封装及测试等核心环节实现关键技术突破 [3] - 2024年完成12英寸晶圆量产工艺革新，通过沟槽栅场阻断结构、超微沟槽技术等工艺创新提升产品性能 [3] - 第七代IGBT模块已规模化生产并进入国内头部车企供应链 [3] - 产品广泛应用于工业控制、新能源汽车、光伏储能、家电等多个领域 [4] 市场拓展与业务规划 - 2024年车规模块装车量同比翻倍增长，光伏模块稳定批量供应市场 [4] - 与汇川技术、台达集团等工业领域头部客户建立深度合作关系 [4] - 数据中心、服务器电源等新兴领域成为重点开拓方向，已与多家国际客户达成长期合作 [4] - 产品已打入日立能源、西门子等国际供应链，将加大欧洲市场开拓力度 [7] 第三代半导体布局 - 公司逆周期加大研发投入，突破SiC/GaN等前沿技术瓶颈 [6] - 首款1200V 40mohm SiC MOSFET芯片已通过可靠性验证，SiC SBD芯片通过多家终端客户验证 [6] - 控股子公司宏微爱赛专注SiC/GaN赛道，650V 75毫欧SiC器件已成功流片 [6] - 1200V SiC MOSFET车规级模块是重点战略产品，正在推进可靠性验证和头部车企评估 [6] 核心竞争力与未来展望 - 公司通过第七代M7i IGBT模块和SiC模块等高端产品实现技术溢价，维持定价优势 [7] - 以"硅基+碳化硅"技术为支撑，"灌封+塑封"先进封装工艺为依托，持续提升竞争力 [7] - 技术卡位与市场深耕双轮驱动是公司抢占行业复苏先机的核心策略 [7]

公司股价表现 - 公司股价从最高位179.27元跌至38.63元，跌幅近八成[1] 公司业务及下游应用 - 公司业务涵盖高压超级结MOSFET及中低压屏蔽栅MOSFET产品，应用于5G基站电源、数据中心、新能源汽车充电桩、光伏逆变及储能等领域[1] 业绩表现 - 2022年公司营业收入11.16亿元，净利润2.84亿元，分别同比增长42.72%、93.57%[4] - 2023年营业收入9.73亿元，同比减少12.86%，高压超级结MOSFET和中低压屏蔽栅MOSFET产品收入分别减少11.87%、17.72%[7] - 2024年营业收入小幅增长3.12%至10.03亿元，净利润暴跌70%至4023.51万元[7] 毛利率及竞争力 - 公司毛利率从2022年33.96%跌至2024年14.29%，显著低于行业平均水平[8][9] - 可比公司华润微、士兰微、新洁能等毛利率表现相对稳健[9] 存货及现金流 - 存货周转天数从2021年56.31天增至2024年146.74天[11] - 2024年计提存货跌价准备2209.56万元，经营活动现金流净额由2023年7054.72万元转为-8831.32万元[11] 新业务发展 - 新业务超级硅MOSFET、Tri-gate IGBT、SiC器件收入占比合计仅4%左右[14][16] - SiC器件2023年收入不足100万元，面临技术积累不足和产能劣势[19] 行业竞争格局 - SiC行业面临产能过剩，预计2025年过剩超40%，6英寸衬底价格从1000美元/片暴跌至400美元[19] - 中国SiC企业如天岳先进、天科合达良率突破80%，市场份额或提升至30%以上[18] - 国际厂商Wolfspeed因债务和竞争申请破产，市场份额或腾挪超30%[19]

公司转型与市场地位 - Wolfspeed正在重组公司以提高运营效率和改善财务状况，而非申请破产[1] - 公司自90年代以来一直是SiC领域创新领导者，推出了首批1英寸至6英寸SiC衬底，并于2022年开设首家8英寸晶圆厂MHV[1] - 截至2025年，Wolfspeed是唯一一家在8英寸平台上大批量生产SiC器件的公司[1] - 过去5年功率SiC器件业务增长近4倍，从2020年占收入的20%（约1亿美元）提升至2024年的50%以上（近4亿美元），位居全球第四[3] 业务转型挑战 - 公司通过数十亿美元投资（包括与博格华纳、采埃孚、瑞萨电子的协议及《芯片法案》支持）推动业务转型，但2024年电动汽车市场放缓冲击了收入增长[5] - 8英寸平台MHV的生产复杂性导致创新落地时间超出预期，2024年SiC器件收入未能实现增长[5] - 中国SiC衬底厂商崛起，市场份额从2021年的10%增至2025年的近40%，导致SiC晶圆价格2024年下跌30%[6] - Wolfspeed的“高质量SiC材料护城河”因市场竞争加剧而失效[6] 战略调整与潜在合作 - 公司已剥离LED和射频器件业务，专注于功率SiC，未来可能进一步拆分业务[9] - Wolfspeed在n型和半绝缘SiC衬底市场仍居全球第一，其8英寸晶圆厂因美国供应链战略价值而具吸引力[9] - 潜在合作方可能包括美国公司如安森美半导体、Microchip Technology或Vishay Intertechnology，亦或美国晶圆代工企业[9]

交易概述 - 闻泰科技拟以43 89亿元现金向立讯精密及立讯通讯转让昆明闻讯等5家子公司100%股权及无锡闻泰等3家子公司业务资产包 [2] - 此前1月已转让嘉兴永瑞等3家公司股权及关联债权总计约17亿元 工商变更已完成 [2] - 交易完成后公司将剥离产品集成业务 聚焦半导体业务 主营业务结构发生根本变化 [2] 业务财务表现 - 产品集成业务2023年收入443 15亿元（占营收72 39%） 2024年增至584 31亿元（占79 39%）但毛利率仅2 73% [4] - 2024年公司总营收735 98亿元（同比+20 23%） 但归属净利润亏损28 33亿元（同比-339 83%） 主因产品集成业务亏损及被列入实体清单 [4] - 半导体业务2024年营收147 15亿元（占比<20%） 但毛利率达37 52% [8] 战略转型动因 - 被列入实体清单后客户负面反应加剧 法律优化和客户沟通难以规避冲击 促使公司决定整体剥离 [6] - 剥离后预计负债总额减少85 45亿元 资产负债率下降5 95个百分点 增强偿债能力与现金流 [7] - 半导体业务全球功率分立器件厂商排名第三 中国市场份额连续四年第一 [8] 半导体业务前景 - 功率半导体在新能源汽车 AI服务器等领域需求增长 Yole预计2029年SiC器件市场达100亿美元 GaN市场24 5亿美元 [8] - 公司预计2025Q2半导体业务同比环比增长 产能近满产 增长动能来自产品结构调整 国产替代等 [8] - 需突破80V-1200V功率MOSFET技术壁垒 当前英飞凌等国际巨头占据车规芯片60%以上份额 [9] 潜在挑战 - 印度子公司收到税务违规通知 可能面临罚款 具体金额待定 [9] - 半导体业务未被列入实体清单 目前经营正常 但需持续关注地缘政治风险 [10]

会议概述 - 5月15日将在上海举办"电动交通&数字能源SiC技术应用及供应链升级大会"，聚焦8英寸SiC量产技术及车规级芯片与模块制造难题，探讨技术降本与未来机遇 [2] - 会议吸引近20家SiC企业参与，包括三菱电机、意法半导体、Wolfspeed等国际厂商及三安半导体、天科合达等国内企业 [13] - 活动包含主题演讲、圆桌论坛、产品展示及白皮书调研启动仪式，覆盖衬底-器件-系统全产业链 [26][28] 技术焦点 - **8英寸SiC量产**：天科合达将分享8英寸导电型SiC衬底产业化进展及外延工艺突破，大族半导体展示激光剥离技术助力大尺寸衬底高效量产 [15][25] - **器件模块创新**：三菱电机展示高压快充与电驱系统解决方案，意法半导体解析8英寸晶圆技术及重庆工厂本土化布局 [13][23][24] - **封装技术**：三安半导体探讨顶部散热封装对高密度电力系统的革新，香港大学提出铜基烧结技术破解高压平台封装瓶颈 [23][24] 应用场景 - **数字能源**：Wolfspeed展示第四代SiC MOSFET在工业自动化与航空航天的应用，元山电子揭秘超低杂感模块技术推动光伏逆变升级 [23] - **电动交通**：中电国基南方分享SiC MOSFET应用案例，宏微科技等企业讨论车规模块降本路径与光储充场景渗透率 [24][28] 产业链协同 - 圆桌论坛聚集三菱电机、士兰微等企业，讨论新能源市场应用现状与2025年全球趋势 [18] - 展示区呈现瀚天天成、芯长征等企业最新技术，覆盖衬底、外延、器件全环节 [20][26] - 启动《2025碳化硅衬底与外延产业调研白皮书》及《2025碳化硅器件与模块产业调研白皮书》，联合天科合达、三安半导体等构建产业共识 [28] 企业动态 - 意法半导体重点解析重庆晶圆厂布局，加速车规器件普惠化 [23] - 天科合达与同光半导体等展示材料端降本路径，优化量产效率 [15] - 国瓷功能材料、季华恒一等企业参与全产业链精品展示 [27]

行业背景与机遇 - 全球能源转型与智能化浪潮推动功率半导体行业变革 碳化硅(SiC)、IGBT、MOSFET等关键产品成为各行业转型升级的核心动力 [1] - "双碳"目标、可再生能源、新能源汽车爆发(年增长率未披露)、工业自动化及大数据中心快速发展催生对高效低功耗功率半导体的迫切需求 [1] 公司战略定位 - 瑞能半导体定位为全球功率半导体领域佼佼者 聚焦消费电子/工业大数据/可再生能源/汽车电子四大场景 技术布局覆盖智能物联/绿色能源/可靠创新三大领域 [1][5] - 公司以创新驱动产业升级为目标 通过优化客户体验/提升运营效率/强化核心技术迭代助力制造业智能化与碳中和 [4][7] 核心技术突破 - SiC器件实现98%充放电效率(业界领先) 顶部散热封装设计使散热效率较传统方案提升10℃ [7] - IGBT技术通过优化设计提升开关速度与可靠性 降低能耗形成独特竞争力 [7] - 重点发展车规级SiC产品(二极管/MOSFET)、工业用AI服务器碳化硅器件及超结MOSFET等方向 [7] 产品矩阵与应用 - 产品组合包括SiC器件/可控硅整流器/快恢复二极管/TVS/ESD/IGBT模块等 覆盖消费电子/工业制造/新能源/汽车领域 [5] - 可再生能源领域：IGBT与SiC器件提升太阳能/风能转换效率 [7] - 汽车电子领域：MOSFET与SiC模块为新能源汽车电机驱动/电池管理提供保障 [7] 市场布局与产能 - 中国市场份额从50%-60%提升至70% 仓库从香港迁至东莞缩短交付周期 [9] - 北京新建6英寸晶圆厂(高压高功率二极管)与吉林5英寸厂协同 总产能提升一倍以上 [9] - 采用"全球视野+本地深耕"模式 欧洲及亚太市场持续拓展 [8][9] 2025年发展规划 - 新能源汽车领域目标进入全球SiC MOS管供应商前十 重点扩大车载充电桩/逆变器市场份额 [10] - 可再生能源领域深化光伏逆变器/储能系统解决方案 推动SiC与IGBT复合模块规模化应用 [10] - 数据中心领域开发低损耗高频化器件适配AI计算需求 [10]