并购交易核心信息 - 紫光国微正在筹划以发行股份及支付现金的方式，购买南昌建恩、北京广盟、天津瑞芯等交易对方持有的瑞能半导体控股权或全部股权 [1] 交易双方概况 - 紫光国微是国内主要的综合性集成电路上市公司之一，主业涵盖特种集成电路、智能安全芯片等 [4] - 瑞能半导体系出“名门”恩智浦，其前身最早可追溯到1969年飞利浦旗下的半导体功率器件部门，2015年由恩智浦与北京建广资产管理有限公司旗下基金共同出资成立，继承了55年的功率半导体发展历程 [5] - 2019年，恩智浦完全退出所持股份，瑞能半导体成为中资100%控股企业 [5] 瑞能半导体业务与技术实力 - 公司产品线扩展至碳化硅器件、可控硅整流器、功率二极管、TVS/ESD、IGBT及模块等，广泛应用于消费电子、工业和大数据、可再生能源和汽车电子领域 [5] - 据Omdia 2021年报告，瑞能半导体在可控硅中国品牌排名第一，全球排名第二；在碳化硅整流器国内排名第一，全球排名第五 [8] - 公司第六代碳化硅二极管在高温150度下能降低约25%的导通损耗，系统效率改善约0.2%，一个采用该技术的20KW充电桩一年较上代产品能省约350度电 [7] - 公司采用自有晶圆制造与封测能力的IDM垂直整合模式，已实现完全国产化，旗下吉林、北京两大晶圆厂以及封装模块工厂全部位于中国境内 [11] 市场地位与客户网络 - 瑞能半导体在全球建立了15个销售办事处，为全球8000多家客户提供服务 [6] - 消费电子领域客户包括戴森、惠尔浦、伊莱克斯、格力、美的、海尔；工业领域客户包括台达、施耐德等 [6] 战略协同与产业意义 - 瑞能半导体“中国造”的身份，使其成为构建半导体自主可控产业链的关键一环 [4] - 紫光国微近年来将汽车电子作为重点拓展领域，成功并表瑞能半导体将获得业内为数不多的稀缺资产 [10] - 2023年7月，瑞能半导体投资约2亿元建立了全资控股的金山模块厂在上海投入运营，主要生产应用于新能源及汽车领域的各类型功率模块产品 [10] - 此次并购是强强联合与业务版图的互补 [11] 行业背景与未来展望 - 2024年9月证监会“并购六条”出台后，2025年全年A股首次披露发行股份购买资产交易达到134单，较上年增加近一倍 [12] - 智路建广投资的其他半导体领域非上市资产（如安谱隆半导体、日月新集团、新加坡联合科技、先进封装材料公司等）未来也有望并入紫光国微或其他上市公司 [12]

紫光国微收购瑞能半导体交易概述 - 紫光国微于2025年12月30日起停牌，筹划收购瑞能半导体控股权或全部股权，已与三大股东签署《收购意向协议》[2] - 交易方式为发行股份及支付现金，并募集配套资金，交易对方为持股24.18%、24.18%、22.75%的前三大股东南昌建恩、北京广盟、天津瑞芯[3] - 因涉及关联方，交易预计构成关联交易，不构成重大资产重组[3] - 公司预计在不超过10个交易日内披露方案，最晚于2026年1月15日复牌[4] 交易双方基本情况 - **紫光国微**：国内主要综合性集成电路上市公司，主业为特种集成电路和智能安全芯片，2024年收入55.11亿元，归母净利润11.79亿元，停牌前市值669.59亿元[4] - **瑞能半导体**：成立于2015年，产品包括碳化硅器件、可控硅、快恢复二极管、IGBT等，应用于消费电子、工业制造、新能源及汽车等领域[4][5] 收购动因与协同效应 - 收购旨在补齐紫光国微在功率半导体领域的短板，瑞能半导体的碳化硅等产品能与公司原有业务形成产品与客户协同[6] - 有助于紫光国微把握新能源、光伏等领域发展机遇，提升产品布局能力[6] - 通过关联交易有望实现低成本快速整合，使紫光国微直接获得瑞能半导体在可控硅领域全球第一、碳化硅二极管国内领先的市场地位[6] 瑞能半导体背景与现状 - 瑞能半导体多次尝试上市未果：2020年科创板申请主动撤回，2021年借壳空港股份一周后终止，2023年启动北交所辅导但最终未递交申请[7] - 公司最初由恩智浦（持股49%）与建广资产旗下基金共同出资成立，恩智浦已于四年后完全退出[7] - 2024年业绩下滑：营收7.86亿元，同比下滑5.64%；归母净利润2036万元，同比大幅下滑79.93%，此业绩下滑被认为是其未能登陆北交所的原因之一[7] 国内半导体行业并购趋势 - 紫光国微此次收购是当前国内半导体并购潮的缩影[8] - 自证监会“并购六条”政策（2024年9月24日公布）以来，半导体行业并购活跃，去年A股半导体行业并购重组计划近50起[8] - 2025年并购潮持续，中芯国际、北方华创、海光信息、芯原股份等头部企业均宣布并购，例如中芯国际拟以406.01亿元收购中芯北方49%股权[8] - 并购是半导体行业整合资源、突破技术瓶颈、提升市场占有率的重要路径，行业已进入通过并购做大做强的阶段[9][17] - 全球半导体设备市场高度集中，2024年前五大厂商（应用材料、ASML等）合计收入占全球市场的85%，这些巨头均通过并购发展壮大[8]

紫光国微筹划收购瑞能半导体控股权 - 紫光国微于2025年12月30日起停牌，筹划以发行股份及支付现金方式收购瑞能半导体科技股份有限公司的控股权或全部股权，并已与瑞能半导体的前三大股东签署《收购意向协议》[2] - 瑞能半导体前三大股东南昌建恩、北京广盟、天津瑞芯分别持股24.18%、24.18%、22.75%，均为私募基金，因交易涉及关联方，预计不构成重大资产重组而构成关联交易[3] - 紫光国微预计在不超过10个交易日内披露交易方案，若未能如期披露，公司证券最晚将于2026年1月15日复牌并终止筹划[4] 交易双方基本情况 - 紫光国微是国内主要的综合性集成电路上市公司，2024年收入为55.11亿元，归母净利润为11.79亿元，停牌前市值为669.59亿元[4][5] - 瑞能半导体成立于2015年，主要产品包括碳化硅器件、可控硅整流器、晶闸管、快恢复二极管、IGBT等，产品应用于消费电子、工业制造、新能源及汽车等领域[5] - 2024年，瑞能半导体实现营收7.86亿元，同比下滑5.64%，归属于挂牌公司股东的净利润为2036万元，同比大幅下滑79.93%[7] 收购动因与协同效应 - 分析认为，紫光国微此次收购旨在补齐功率半导体短板，瑞能半导体在碳化硅等产品上的布局能与紫光国微原有的特种集成电路、安全芯片形成产品与客户层面的协同[6] - 收购有望帮助紫光国微把握新能源、光伏等领域的发展机遇，显著提升其产品布局能力[6] - 借助关联交易降低并购成本，紫光国微可直接获得瑞能半导体在可控硅领域全球第一、碳化硅二极管国内领先的市场地位，实现低成本快速整合并快速切入相关赛道[6] 瑞能半导体的资本路径 - 瑞能半导体曾多次尝试上市未果，包括2020年主动撤回科创板申请，2021年借壳空港股份计划一周后叫停，以及2023年启动北交所上市辅导但最终未递交申请[7] - 此前未能成功登陆科创板与其复杂的股权架构有关，公司最初由恩智浦与建广资产旗下基金共同出资成立，但恩智浦已在四年后完全退出[7] - 未能获得北交所入场券被认为与其下滑的业绩有关[7] 国内半导体行业并购背景 - 自2024年9月24日中国证监会公布“并购六条”政策以来，资本市场并购重组活跃，半导体行业尤为明显，据不完全统计，2024年A股涉及半导体行业的并购重组计划近50起[8] - 2025年半导体行业并购潮持续，包括中芯国际、北方华创、海光信息、芯原股份等头部企业都宣布了相关并购事项，例如中芯国际拟以406.01亿元收购中芯北方49%股权[8] - 并购是半导体行业整合资源、追求协同效应、扩展新领域的常用手段，全球前5大半导体设备厂商合计收入约占全球市场的85%，这些企业均通过并购发展壮大[8] 行业发展趋势 - 在外部制裁加码与内部国产化率亟待提速的背景下，并购重组成为国内半导体行业整合资源、突破技术瓶颈的重要路径[9] - 行业发展成熟后通过并购整合资源、提升市场占有率是半导体产业发展的必然趋势，也是中国半导体企业走向世界必不可少的步骤[9] - 中国半导体行业并购潮的出现，代表行业已进入做大做强的阶段，未来有可能在不同领域出现更多大型和超大型的半导体集团[10]

紫光国微重大资产重组与子公司注销 - 紫光国微于12月29日发布公告，正筹划以发行股份及支付现金相结合的方式，收购南昌建恩半导体产业投资中心、北京广盟半导体产业投资中心、天津瑞芯半导体产业投资中心等交易对方所持有的瑞能半导体科技股份有限公司控股权或全部股权，同时拟募集配套资金 [1][2] - 根据深圳证券交易所相关规定，经公司申请，紫光国微股票及可转换公司债券均自2025年12月30日开市起停牌，其中国微转债同步暂停转股 [1][2] 标的公司瑞能半导体概况 - 瑞能半导体是一家全球领先的功率半导体企业，前身为恩智浦标准产品事业部，于2015年8月成立，聚焦功率半导体器件研发、生产与销售 [1][3] - 公司采用“设计+制造”一体化经营模式，核心产品涵盖晶闸管、碳化硅器件、功率二极管、IGBT等，广泛应用于消费电子、工业制造、新能源及汽车等领域 [1][3] - 公司在细分市场地位突出，晶闸管市场位居全球领先，碳化硅器件在全球及国内市场均处于前列，并以“五横四纵”战略深耕相关市场 [1][3] 紫光国微子公司注销事项 - 紫光国微同日披露另一则公告，确认其全资子公司捷准芯测已完成注销登记，注销完成后，捷准芯测将不再纳入公司合并报表范围 [2][3] - 公司明确表示，本次子公司清算注销事项，不会对公司正常生产经营、整体业务发展及盈利能力产生重大不利影响，亦不存在损害公司及全体股东合法权益的情形 [2][3]

交易方案概览 - 紫光国微正筹划以发行股份及支付现金方式收购瑞能半导体控股权或全部股权，并同步募集配套资金，公司股票及可转债自2025年12月30日起停牌，预计不超过10个交易日内披露交易方案 [2] - 交易标的瑞能半导体成立于2015年8月，是一家中外合资的未上市股份有限公司，注册资本为36163.3396万元 [2] - 交易主要对手方为南昌建恩、北京广盟、天津瑞芯三家半导体产业投资中心，紫光国微已与其签署《收购意向协议》，并拟后续收购其他股东股份，最终交易价格将以评估报告为依据协商确定 [2] 交易性质与关联关系 - 本次交易构成关联交易，但不构成重大资产重组，也不会导致公司控制权变更或重组上市 [3] - 关联关系源于标的公司前任董事长李滨同时担任上市公司间接控股股东新紫光集团的董事长并间接持有瑞能半导体股权，且紫光国微董事长陈杰通过交易对方天津瑞芯间接持有标的公司股权 [3] 收购战略与协同效应 - 瑞能半导体深耕半导体领域十余年，业务覆盖半导体全产业链环节，与紫光国微主营业务高度契合 [3] - 通过收购，紫光国微可快速扩充半导体产品线，完善产业链布局，增强在设计、生产及技术服务等领域的综合竞争力 [3] - 借助瑞能半导体的进出口业务渠道及技术研发能力，紫光国微有望进一步拓展国内外市场，提升技术创新水平，实现规模效应与协同发展 [3] - 标的公司所处的半导体产业属于国家重点支持的战略性新兴产业，本次收购符合行业发展趋势，将为公司长期可持续发展奠定基础 [3] 标的公司业务背景 - 瑞能半导体为全球功率半导体行业的佼佼者，专注于研发广泛的功率半导体产品组合，主要产品包括碳化硅器件、可控硅整流器和晶闸管、快恢二极管、TVS、ESD、IGBT、模块等 [4] - 公司产品广泛应用于消费电子、工业制造、新能源及汽车等领域 [4] - 公司前身为恩智浦半导体的标准产品事业部，业务和技术主要承继自恩智浦的双极功率半导体业务 [4] - 公司成立于2015年，由恩智浦与香港建恩、南昌建恩共同出资1.3亿美元设立，恩智浦当时以6370万美元出资额持有49%股权，并于2019年1月将其全部股权转让退出 [4]

公司与研发合作 - 公司与中国科学院微电子研究所、西安电子科技大学合作研发以碳化硅和氮化镓为代表的第三代半导体材料器件 [1] - 公司目前拥有氮化镓和碳化硅相关发明专利5件以及实用新型专利6件 [1] - 公司另有8个发明专利尚在申请受理中 [1] 产品进展与业务现状 - 公司目前有少量碳化硅器件的封测业务 [1] - 该系列产品仍在持续研究推进过程中，尚未进入量产阶段 [1]

碳化硅市场概况与驱动因素 - 功率碳化硅市场的增长主要由汽车应用驱动，尤其是电池电动汽车的逆变器 [1] - 800V快速电动汽车充电技术的出现是推动市场增长的近期趋势之一，快速充电速度成为汽车制造商的根本性竞争优势 [3] - 尽管纯电动汽车市场在2024-2025年增速放缓，但预计未来五年内，功率型碳化硅市场规模将达到100亿美元 [3] - 中国电动汽车制造商比亚迪在2025年3月推出超级电能平台，实现1兆瓦充电功率，峰值充电5分钟可提供400公里续航，其半导体事业部自主研发和生产碳化硅器件 [3] 碳化硅市场格局变化 - 近期电动汽车市场放缓以及来自中国碳化硅器件制造商的竞争加剧，对2025年中期左右的市场格局产生重大影响 [3] - 美国碳化硅晶圆生产商Wolfspeed于2025年6月申请破产保护，导致其客户瑞萨电子退出碳化硅市场，截至2025年9月已完成破产重组 [3] - 日本碳化硅厂商JS Foundry于2025年7月申请破产保护 [3] 碳化硅晶圆尺寸过渡 - 全球碳化硅产业正从150毫米晶圆过渡到200毫米晶圆 [4] - Wolfspeed宣布将于2025年9月推出其200毫米碳化硅晶圆 [5] - 英飞凌科技已于2025年第一季度从其奥地利菲拉赫工厂向客户发布首批基于200毫米碳化硅技术的产品 [5] - 三菱电机于2025年10月宣布其位于日本熊本县菊池市的8英寸碳化硅工厂竣工 [5] - 博世将在其收购的加利福尼亚州罗斯维尔市工厂进行200毫米碳化硅生产 [5] 碳化硅新入局者与地缘动态 - 碳化硅的战略重要性及对供应链中断的担忧，促使世界各国通过私人创业或公共补贴进入市场 [5] - 印度公司LTSCT与台湾鸿永半导体建立长期合作伙伴关系，共同开发和供应高压碳化硅晶圆 [5] - 另一家印度企业SiCSem于2025年11月在印度奥里萨邦破土动工，建设该国首个端到端碳化硅制造工厂 [6] - 新加坡科技研究局于2025年5月推出了一条工业级的200毫米碳化硅开放式研发生产线 [6] - 韩国EYEQ Lab于2025年9月建成了该国首个8英寸碳化硅功率半导体生产设施 [6] - 欧洲新晋玩家包括总部位于苏格兰的晶圆代工厂Clas-SiC [6] 碳化硅器件架构发展 - 碳化硅技术仍在不断发展，包括器件架构 [7] - 博世的器件采用了其专为汽车应用开发的“双通道沟槽栅技术” [8] - 纳维塔斯半导体公司开发了其GeneSiC“沟槽辅助”平面碳化硅MOSFET技术 [8] 氮化镓市场概况与驱动因素 - 转向氮化镓功率应用，市场增长主要由移动充电器等消费应用驱动 [10] - 近期消费趋势包括充电器功率提升至300瓦，以及家用电器电源和电机驱动器对更高效率和更小体积的追求 [12] - 除了消费领域，氮化镓技术预计也将在汽车和数据中心应用领域得到更广泛应用，到2030年，该器件市场规模预计将超过25亿美元 [12] 氮化镓市场竞争格局 - 据TrendForce称，总部位于中国的Innoscience在2024年以29.9%的市场份额引领全球氮化镓功率器件市场，领先于Navitas、EPC、Infineon和Power Integrations [12] - 功率氮化镓行业目前更倾向于集成器件制造商商业模式，这与过去占据主导地位的无晶圆厂及纯晶圆代工模式不同 [12] - 台积电近期退出氮化镓市场，促使其他代工厂加大业务投入以抢占市场份额 [12] 氮化镓代工模式与数据中心应用 - 格罗方德于2025年11月宣布与台积电达成一项650V和800V氮化镓技术的授权许可协议，将在其佛蒙特州伯灵顿工厂对该技术进行认证 [13] - 人们对氮化镓市场增长的重大预期寄托于英伟达率先推出的800V直流配电架构的过渡 [13] - 大多数主要的氮化镓功率器件厂商都在为这一转型做准备，并推出了更高电压的器件 [13] - 英伟达已批准的氮化镓供应商包括英飞凌、Innoscience和Power Integrations [13] 氮化镓晶圆尺寸发展 - 功率型氮化镓器件在向更大尺寸晶圆发展，新型晶圆直径已达300毫米 [14][15] - 英飞凌于2025年7月宣布其300毫米晶圆上的可扩展氮化镓制造工艺进展顺利，首批样品将于2025年第四季度提供 [16] - 比利时研究中心Imec于2025年10月启动了其300毫米氮化镓开放式创新计划，合作伙伴包括Aixtron、GF、KLA Corporation、Synopsys和Veeco [16] - Imec在由美国Qromis公司开发的信越化学300毫米QST基板上实现了超过650V的击穿电压 [16] 近期氮化镓市场交易 - 意法半导体和Innoscience于2025年3月签署关于氮化镓技术开发和制造的协议，允许双方利用彼此在中国境内外的前端制造能力 [16] - 美国晶圆代工厂Polar Semiconductor于2025年4月与瑞萨电子签署战略协议，获得瑞萨电子的GaN-on-Si耗尽型技术授权，将在其明尼苏达州200毫米工厂生产650V级器件 [17] - 比利时晶圆代工厂X-FAB于2025年9月宣布在其XG035技术平台中新增GaN-on-Si晶圆代工服务，用于生产耗尽型器件 [17] - 无晶圆厂厂商剑桥氮化镓器件公司和纳维塔斯公司分别于2025年10月和11月宣布与格芯展开合作，这两家公司都曾是台积电的客户 [17] 氮化镓新入局者与地缘动态 - 与碳化硅类似，地缘政治紧张局势和各国对半导体自给自足的追求影响氮化镓功率格局 [18] - 荷兰公司Nexperia在2025年10月成为新闻焦点，当时荷兰政府以安全担忧为由接管了该公司，随后中国政府禁止Nexperia出口在中国封装的产品，导致多家欧盟汽车制造商面临芯片短缺，2025年11月荷兰政府暂停了对Nexperia的控制 [19] - 新进入者包括印度的Agnit Semiconductors，这是该国第一家致力于推进氮化镓半导体技术的集成器件制造商初创公司 [19] - 新加坡成立了氮化镓国家半导体转化与创新中心，与科技研究局合作 [19] 氮化镓垂直架构趋势 - 功率氮化镓器件的一个重要趋势是垂直架构的出现，与传统的平面结构相比具有诸多优势 [19] - 安森美半导体于2025年10月推出了基于其氮化镓上氮化镓工艺的垂直氮化镓高压功率半导体 [19] - 目前市面上大多数商用氮化镓器件是在非氮化镓衬底上制造，主要是硅或蓝宝石衬底 [22] - 安森美半导体的垂直氮化镓芯片采用GaN-on-GaN技术，允许电流垂直流经芯片内部，提供更高的功率密度、更佳的热稳定性及在极端条件下的稳定性能 [22] - 从麻省理工学院分拆出来的Vertical Semiconductor公司于2025年10月宣布获得1100万美元的种子资金，以加速垂直氮化镓晶体管的开发 [22]

公司研发与合作进展 - 公司与中科院微电子研究所、西安电子科技大学合作研发以碳化硅和氮化镓为代表的第三代半导体器件 [1] - 公司目前已拥有氮化镓和碳化硅相关发明专利5件及实用新型专利6件 [1] - 公司另有8个相关发明专利尚在申请受理中 [1] 产品开发现状 - 公司目前有少量碳化硅器件的封测业务 [1] - 该系列产品仍在持续研究推进过程中，尚未进入量产阶段 [1]

文章核心观点 - 宽禁带化合物半导体碳化硅和氮化镓在汽车电气化、人工智能数据中心等新兴应用中至关重要，其市场格局正经历快速演变，主要驱动力包括技术升级、新进入者涌现、供应链地缘政治变化以及商业模式的转变 [1][27] 碳化硅市场 - 功率碳化硅市场增长主要由汽车应用驱动，尤其是电池电动汽车的逆变器 [3] - 800V快速电动汽车充电技术的出现是推动市场增长的近期趋势之一，Yole预计未来五年内功率碳化硅市场规模将达到100亿美元 [3] - 中国电动汽车制造商比亚迪于2025年3月推出超级电能平台，实现1兆瓦充电功率，峰值充电5分钟可提供400公里续航，其半导体事业部自研自产碳化硅器件 [3] - 近期电动汽车市场放缓及中国碳化硅器件制造商竞争加剧，对2025年中期市场格局产生重大影响，美国碳化硅晶圆生产商Wolfspeed于6月申请破产保护，其客户瑞萨电子退出碳化硅市场，日本厂商JS Foundry也于7月申请破产，截至2025年9月Wolfspeed已完成破产重组 [3] 200毫米碳化硅 - 全球碳化硅产业正从150毫米晶圆过渡到200毫米晶圆 [5] - Wolfspeed宣布将于2025年9月推出其200毫米碳化硅晶圆 [5] - 英飞凌科技已于2025年第一季度从其奥地利菲拉赫工厂向客户发布首批基于200毫米碳化硅技术的产品，其马来西亚居林制造基地的转型工作按计划进行 [5] - 2025年10月，三菱电机宣布其位于日本熊本县菊池市的8英寸碳化硅工厂竣工 [5] - 博世等其他公司也在应对向200毫米的过渡，将在其收购的加利福尼亚州罗斯维尔市工厂进行200毫米碳化硅生产 [5] 碳化硅新入局者 - 碳化硅的战略重要性及对地缘政治供应链中断的担忧，促使世界各国通过私人创业或公共补贴研发计划进入市场 [7] - 印度是活跃国家之一，2025年10月印度无晶圆半导体供应商LTSCT与台湾鸿永半导体宣布建立长期合作伙伴关系，共同开发和供应高压碳化硅晶圆 [7] - 另一家印度企业SiCSem于2025年11月在印度奥里萨邦破土动工，建设该国首个端到端碳化硅制造工厂 [7] - 新加坡科技研究局于2025年5月推出了一条工业级的200毫米碳化硅开放式研发生产线 [7] - 2025年9月，EYEQ Lab在韩国建成该国首个8英寸碳化硅功率半导体生产设施，该设施由公共资金支持建设 [7] - 欧洲新晋玩家包括总部位于苏格兰的晶圆代工厂Clas-SiC [7] 碳化硅器件架构 - 碳化硅技术仍在不断发展，包括器件架构 [9] - 博世的器件采用了其专为汽车应用开发的“双通道沟槽栅技术” [9] - 纳维塔斯半导体公司开发了其GeneSiC“沟槽辅助”平面碳化硅MOSFET技术 [9] 氮化镓市场 - 功率氮化镓市场增长主要由移动充电器等消费应用驱动 [11] - 近期消费趋势包括充电器功率提升至300瓦，以及家用电器电源和电机驱动器对更高效率和更小体积的追求 [13] - 除了消费领域，氮化镓技术预计也将在汽车和数据中心应用领域得到更广泛应用，到2030年该器件市场规模预计将超过25亿美元 [13] - 市场分析公司TrendForce称，总部位于中国的Innoscience在2024年以29.9%的市场份额引领全球氮化镓功率器件市场，领先于Navitas、EPC、Infineon和Power Integrations [13] - 功率氮化镓行业目前更倾向于IDM商业模式，这与过去占据主导地位的无晶圆厂半导体公司以及纯晶圆代工模式截然不同 [13] - 台积电近期退出氮化镓市场促使其他代工厂加大氮化镓业务投入以抢占更大市场份额 [13] - 格罗方德于2025年11月宣布与台积电达成一项650V和800V氮化镓技术的授权许可协议，将在其佛蒙特州伯灵顿工厂对该技术进行认证 [14] - 对于数据中心应用，市场增长的重大预期寄托于英伟达率先推出的800V直流配电架构的过渡，大多数主要氮化镓功率器件厂商都在为此做准备并推出更高电压器件，英伟达已批准的氮化镓供应商包括英飞凌、Innoscience和Power Integrations [14] 300毫米氮化镓 - 功率型氮化镓器件也在向更大尺寸晶圆发展，新型晶圆直径已达300毫米 [16] - 2025年7月，英飞凌宣布其300毫米晶圆上的可扩展氮化镓制造工艺进展顺利，首批样品将于2025年第四季度提供给客户 [16] - 2025年10月，比利时研究中心Imec启动了其300毫米氮化镓开放式创新计划，合作伙伴包括Aixtron、GF、KLA Corporation、Synopsys和Veeco [16][17] - 在该计划早期成果中，Imec在由美国Qromis公司开发的信越化学300毫米QST基板上实现了超过650V的击穿电压 [17] 近期氮化镓交易 - 功率氮化镓市场格局受到IDM和代工厂之间多项交易影响 [19] - 2025年3月，意法半导体和Innoscience签署了关于氮化镓技术开发和制造的协议，允许双方互相利用对方在中国境内外的前端制造能力 [19] - 2025年4月，美国晶圆代工厂Polar Semiconductor与瑞萨电子签署战略协议，获得瑞萨电子的GaN-on-Si耗尽型技术授权，将在其明尼苏达州200毫米工厂生产650V级GaN-on-Si器件 [19] - 2025年9月，比利时晶圆代工厂X-FAB宣布在其XG035技术平台中新增GaN-on-Si晶圆代工服务，用于生产d模器件，在德国德累斯顿的8英寸晶圆厂提供该技术 [19] - 2025年10月和11月，无晶圆厂半导体厂商剑桥氮化镓器件公司和纳维塔斯公司分别宣布与格芯展开合作，这两家公司都曾是台积电的客户 [20] 氮化镓新入局者 - 与碳化硅类似，影响氮化镓功率格局的因素包括地缘政治紧张局势和各国对半导体自给自足的追求 [22] - 供应链中断的严重案例涉及荷兰公司Nexperia，该公司在2025年10月因荷兰政府以安全担忧为由接管而成为新闻焦点，随后中国政府禁止Nexperia出口在中国封装的产品，导致多家欧盟汽车制造商面临芯片短缺，2025年11月荷兰政府暂停了对Nexperia的控制 [22] - 新进入者和研发投资包括印度第一家致力于推进氮化镓半导体技术的IDM初创公司Agnit Semiconductors，以及新加坡与A*STAR合作成立的氮化镓国家半导体转化与创新中心 [22] 氮化镓垂直架构 - 功率氮化镓器件的一个重要趋势是垂直架构的出现，与传统的平面结构相比具有诸多优势 [24] - 安森美半导体于2025年10月推出了基于其氮化镓上氮化镓工艺的垂直氮化镓高压功率半导体 [24] - 安森美半导体称，目前市面上大多数商用氮化镓器件是在非氮化镓衬底上制造，而其vGaN芯片采用GaN-on-GaN技术，允许电流垂直流经芯片内部，提供更高功率密度、更佳热稳定性及在极端条件下的稳定性能 [27] - 2025年10月，从麻省理工学院分拆出来的Vertical Semiconductor公司宣布获得1100万美元种子资金，以加速vGaN晶体管的开发 [27]

产业投资布局 - 在人工智能与具身智能领域投资孵化了一系列企业，覆盖碳化硅器件、医疗诊断大模型、空间AI生成、具身智能机器人、端侧具身智能芯片等多个细分赛道 [2] - 在商业航天与低空经济领域投资孵化了代表性企业，业务涵盖卫星系统设计运营与对地观测大数据、微波毫米波核心前端技术研发、电动垂直起落飞行器(eVTOL)的研制等 [2][3] 核心优势与赋能策略 - 核心优势在于具备优质科技创新资源的聚集、挖掘与孵化能力，拥有广泛的科技成果来源 [4] - 通过与创始团队建立深度互信，提供长期体系化赋能，包括资源对接、融资支持、大客户拓展、商业辅导等，系统性降低创业风险 [4] - 依托深圳清华大学研究院，积累了深厚的科技资源聚集优势，并打造了具备“产业+金融”复合背景的专业团队 [5] - 项目筛选综合考量技术、团队、财务、法律及产业等多个关键维度，形成了“有创新资源，懂前沿科技，会转化成果，可赋能企业，能培育产业”的独特优势 [5] 未来增长驱动 - 未来将持续深化产学研融合，构建要素聚合、价值共创的创新共同体，巩固核心优势 [5] - 聚焦新质生产力，积极探索产业培育新路径 [5] - 推动已投优质项目的退出，为公司的可持续发展注入持久动能 [5]