市场整体规模与增长 - 全球3D IC市场规模预计从2025年的168.5亿美元增长至2033年的501.9亿美元，复合年增长率为14.64% [1][7] - 美国3D IC市场规模预计从2025年的47.5亿美元增长至2033年的138.6亿美元，复合年增长率为14.33% [2] 市场驱动因素与应用 - 市场由对高性能、高能效芯片的需求驱动，主要应用领域包括人工智能、5G、高性能计算和智能手机 [1] - 数据中心和自动驾驶汽车的普及推动了3D IC的渗透率提升 [1] - 人工智能加速器、物联网和自动驾驶汽车等领域不断扩大的应用场景带来了强劲机遇 [1] 关键技术细分分析 - 按3D技术划分，晶圆级封装在2025年预计以68.23%的份额占据主导，系统集成技术将以14.79%的复合年增长率成为增长最快的领域 [8] - 按产品划分，传感器在2025年预计以33.14%的份额领先，存储器则以15.33%的复合年增长率成为增长最快的产品类别 [9] - 按应用划分，信息通信技术/电信领域在2025年预计以34.65%的份额主导市场，消费电子领域将以15.92%的复合年增长率成为增长最快的应用领域 [10] - 按组件划分，硅通孔在2025年预计以46.32%的份额占据最大市场份额，玻璃通孔则以15.16%的复合年增长率成为增长最快的组件 [11][12] 区域市场洞察 - 北美地区在2025年以39.12%的收入份额主导3D IC市场，主要由其在人工智能、高性能计算和云计算领域的研发投入所驱动 [13] - 亚太地区预计在2026年至2033年间以15.45%的复合年增长率成为增长最快的区域，得益于台湾、韩国和日本强大的半导体制造基础 [13] 主要市场参与者 - 行业主要参与者包括IBM、三星、英特尔、台积电、美光科技等全球领先的半导体公司 [5] 近期行业动态 - 2025年5月，IBM与Deca Technologies达成协议，将在IBM的布罗蒙先进封装工厂实施Deca的M系列扇出型中介层生产 [16] - 2025年2月，日月光预计其先进封装和测试收入将因全球对人工智能芯片的需求激增而增长超过一倍，达到16亿美元 [16]

公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 来源：内容 编译自西门子 。 3D IC 技术是指将多个硅片或晶圆以垂直堆叠的方式集成，从而形成一个可作为单个器件运行的三维 结构。与传统的二维集成电路（将元件分布在平面上）不同，3D IC 利用垂直方向的空间来堆叠和互 连多层有源电子元件。这种先进的方法显著缩短了元件之间的物理距离，从而提高了性能，降低了功 耗，并缩小了尺寸。 3D IC 的基本架构依赖于几项关键技术创新： 3D集成的演变 半导体行业迈向 3D 集成的进程反映了追求更高性能和更强大功能的自然进程。传统的 2D 集成虽然 已经成功了几十年，但随着对更复杂、更强大的电子系统的需求不断增长，开始显露出局限性。这导 致了中间解决方案的发展，例如 2.5D 集成，即将多个芯片并排放置在中介层上。 先进的基板集成工具 促成了这一发展，支持日益复杂的集成方法。从二维到三维集成的转变标志着 制造工艺、材料科学和设计方法的显著改进。 这一演变过程中的关键里程碑包括： 市场格局和行业趋势 全球 3D IC 市场正经历前所未有的增长，这得益于多个领域日益增长的需求。持续的技术进步以及 各种应用对更复杂电子系统的需求 ...

半导体先进封装技术发展 - 混合键合技术是从焊料凸块转向铜-铜直接键合的先进互连工艺，通过无凸点键合实现纳米级精度互联，解决传统微凸点技术在高密度封装中的瓶颈问题 [2] - 2020年全球混合键合设备市场规模达3.2亿美元，预计2027年CoW(D2W)/WoW(W2W)市场规模将分别攀升至2.3亿/5.1亿美元，CAGR高达69%/16% [2] 中国半导体设备产业突破 - 艾科瑞思(ACCURACY)成为Yole报告中首个被收录的中国D2W设备供应商，拓荆科技(Piotech)的W2W设备亦被同步收录，标志中国企业在高端封装领域实现技术突破 [4] - 中国封装设备企业的技术突破为全球半导体封装产业链提供了多元化设备选项，推动行业技术竞争格局向更开放方向演进 [9] AI算力驱动混合键合渗透 - AI算力需求爆发推动混合键合在HBM、3D IC等高端封装场景渗透率提升，预计2028年混合键合在HBM市场渗透率将从2025年的1%跃升至36% [6] 国际巨头技术布局 - 三星计划2025年下半年量产采用长江存储W2W混合键合技术的V10 NAND闪存，实现420-430层堆叠 [8] - 美光加速推进HBM4量产计划，预计2026年推出采用混合键合技术的HBM4产品，2027-2028年量产带宽提高60%以上的HBM4E [8] - SK海力士计划2026年将混合键合技术引入HBM4生产流程，针对20层以上的HBM5明确采用该技术 [8] - 台积电N2节点支持12层HBM4集成，N2P节点互连密度达1000万/mm²；英特尔在CoW领域实现3μm间距突破 [8] - 应用材料收购混合键合D2W领头羊Besi 9%股份以强化合作 [8]