DRAM(消费级)颗粒

搜索文档
5月6日早餐 | 假期间海外普涨;人民币创阶段新高
选股宝· 2025-05-06 08:00
海外市场表现 - 美股三大指数集体收跌,纳指跌0.74%,标普500指数跌0.63%,道指跌0.24% [1] - Meta收涨0.38%、微软收涨0.2%、谷歌A收涨0.11%、英伟达收跌0.59%、亚马逊收跌1.91%、苹果收跌3.15% [1] - COMEX黄金期货涨3.04%,报3342美元/盎司 [6] A股市场展望 - 券商普遍认为节后A股"开门红"值得期待,5月市场可能呈现"权重指数稳定,科技成长活跃"格局 [3][4] - 中美经贸缓和预期促使全球风险偏好回暖,人民币汇率快速升值带动中国权益资产大幅反弹 [3] - AI+有望成为5月重要主线,海外厂商AI资本开支维持高增,国内科技产业处于向上突破关键节点 [3] - 5月A股可能继续呈现风偏回暖、主题轮动特征,以低机构持仓的主题型交易机会为主 [3] 行业热点 东数西算/算力 - 微软Azure云计算业务需求强劲,近三个交易日股价大涨超10% [5] - 鸿海4月营收同比增长25.5%至6413.7亿元新台币,创历年同期新高 [5] - 英伟达正调整AI芯片设计,寻求继续向中国供应产品 [5] DRAM内存 - 海力士DRAM颗粒价格已上涨约10%+ [5] - 通用DRAM DDR4 8Gb产品价格较3月上涨22.22% [5] - 2025年AI手机和PC渗透率将分别增长至约30%和30-40% [7] 稀土磁材 - 欧洲镝价自4月初以来上涨两倍至每公斤850美元,铽价从每公斤965美元上涨至3000美元 [7] - 两者均录得最大月度涨幅和最高价格 [7] 卫星互联网 - 七部门联合发布《终端设备直连卫星服务管理规定》,自2025年6月1日起施行 [8] - 全球手机卫星直连市场未来十年累计规模预计达668亿美元 [8] 公司动态 - 紫金矿业拟分拆黄金业务至香港上市 [10] - 比亚迪前4月新能源汽车销量同比增长46.98% [12] - 北汽蓝谷子公司今年累计销量同比增长192.53% [12] - 上汽集团4月新能源汽车销量同比增长71.74% [12] - 寒武纪拟定增募资不超过49.8亿元用于大模型相关项目 [12] - 华达科技获得客户项目定点,预计生命周期总销售金额63.5亿元 [12] 市场数据 - 五一假期全球风险资产延续修复,中国资产领涨,恒生科技指数上涨3.1% [6] - 离岸人民币兑美元升穿7.20关口,为去年11月以来首次 [6] - 一季度全球黄金投资需求量暴增170% [6] - 淘宝闪购上线6天外卖单日订单量已破1000万 [6]
赛道Hyper | 海力士消费级存储颗粒价上调约10%
华尔街见闻· 2025-05-05 10:07
存储器价格趋势 - 存储器价格在2025年一季度和第二季度企稳反弹 [1] - 海力士DRAM颗粒价格上涨约12% [2] - SanDisk闪存价格从4月1日起上调超过10% [2] - 通用DRAM DDR4 8Gb产品固定交易价格较3月上涨22.22% [2] DRAM与闪存定义及应用 - DRAM颗粒是存储设备核心组件,用于存储二进制数据,广泛应用于计算机、手机、SSD等设备 [4] - DRAM模块包含多个颗粒、控制电路等,通过总线与CPU通信 [5] - DRAM在PC和手机中用于内存条、显存及运行内存,特点是断电后数据丢失 [6] - 闪存用于长期存储静态数据,如SSD、U盘、手机存储等 [9] - 计算机同时依赖DRAM(运行程序)和闪存(保存文件) [10] 消费级存储器涨价 - 此次涨价主要为消费级品类,面向手机、PC等个人电子设备 [11][12] DRAM相关公司 - 北京君正和深科技主营DRAM,深科技为DRAM封测龙头 [13] - 澜起科技主营DDR5内存接口芯片 [17] - 香农芯创代理SK海力士产品,DRAM占存储器收入70% [19] - 万润科技布局DRAM和SSD,但营收占比低于5% [18] 闪存相关公司 - 兆易创新闪存营收占比60%+,NOR Flash全球市占率15% [14][23] - 东芯股份闪存营收占比61.75% [14][15] - 普冉股份主营NOR Flash+EEPROM [15] - 江波龙为存储器模组龙头,产品包括SSD、内存卡 [17][20] - 德明利闪存主控芯片设计业务占比超90% [17][21] - 佰维存储以NAND Flash模组为核心产品 [17] 其他公司动态 - 城邦股份拟将存储芯片业务作为第二主业 [19] - 兆易创新存储芯片业务收入51.94亿元,占总营收70.6% [23] - 北京君正存储芯片为第一大营收板块 [24] 技术对比 - EEPROM、NOR Flash、NAND Flash和DRAM在擦写单位、次数、速度、容量及应用场景上存在差异 [16]