Key Takeaways Micron's NAND revenues hit $2.2B in Q3 FY25, up 16% QoQ, led by a 20%+ rise in bit shipments.Record SSD market share in client and data center segments boosted MU's NAND performance.New G9 QLC SSDs and tight NAND supply are expected to support pricing and margins in FY25.Micron Technology’s (MU) NAND revenues grew 16% quarter over quarter to $2.2 billion in the third quarter of fiscal 2025. The strong sequential growth in NAND revenues was mainly driven by a mid-20% increase in bit shipments. ...

存储现货市场行情 - NAND Wafer现货行情多数呈现上涨趋势 [1] - 存储成品端整体价格本周基本保持持平 [1] 存储市场动态 - 传统消费类DRAM成品价格在高位横盘整理 [1] - 行业SSD和嵌入式eMMC市场采购询价积极性普遍不高 [1] - 存储现货市场经过近一个季度的上涨后逐渐回归冷静 [1]

报告核心观点 - 全球电子设备出货和数据中心建设规模提升带动存储器市场上行，报告研究的具体公司作为存储行业引领者且背靠韶关国资委，有望受益于行业回暖及“东数西算”工程，预计 2025 - 2027 年收入 8.51/10.46/13.01 亿元，归母净利润为 -0.31/+1.46/+2.17 亿元，首次覆盖给予“增持”评级 [4][6] 公司概况 - 公司是闪存盘发明者，1999 年成立，2010 年创业板上市，产品覆盖多品类，远销 60 多个国家及地区，应用于多个下游领域 [3] - 2022 年 4 月韶关城投司法拍卖获公司 4987.5 万股，截至 2024 年年报，韶关城投持股 24.89%为控股股东，韶关国资委为实控人，高管多为韶关城投出身 [3] - 2022 - 2024 年营业收入分别为 17.72/10.88/8.29 亿元，同比 -7.36%/-38.63%/-23.73%，业绩承压因终端需求疲软致产品价格下跌 [3] 行业趋势 - 存储器利用磁性或半导体材料存储信息，2021 年存储芯片市场以 NAND Flash 和 DRAM 为主，中国市场 NAND Flash 占比约 36%，DRAM 占比约 62% [4] - NAND Flash 用于大容量存储需求电子设备，DRAM 下游需求市场稳定，2022 年移动端电子产品需求为首，服务器次之且占比上升 [4] - 2024 年全球智能手机出货量 12.2 亿部，同比增长 7%，截至 2024Q4，PC 市场连续 5 个季度增长，2023 年全球数据中心市场规模约 822 亿美元，同比增长 10.04%，预计 2025 年达 968 亿美元 [4] 地区优势 - 2022 年 2 月“东数西算”工程全面启动，韶关是华南唯一数据中心集群，截至 2024 年底，入驻 22 个智算中心项目，总投资 621 亿元，建成 6.74 万架标准机架，形成 5.06 万 P 智算承载能力 [5] - 2025 年韶关数据中心集群计划建成 50 万架标准机架、500 万台服务器规模，投资超 500 亿元，届时粤港澳大湾区算力规模达 38EFLOPS，智能算力占比 50%，建成 10 个智能计算中心 [5] - 韶关城投为公司第一大股东，公司有望成“东数西算”战略要地，公司保持传统存储产品基本盘，存储设备制造项目已在韶关落地投产，布局多产品矩阵并探索新商业模式 [5]

业绩表现 - 公司第三财季营收达93亿美元 同比增长37% 超出预期 调整后每股收益为1.91美元 显著高于1.60美元的市场共识 [2] - 第四财季营收指引约为107亿美元 预示同比38%的增长 [2] - 数据中心收入同比翻倍 创下季度新纪录 [5] AI与HBM驱动增长 - HBM收入环比增长近50% 年化收入达60亿美元 [3] - 生成式AI模型快速普及推动HBM需求 因其提供传统DRAM无法实现的高带宽和低延迟 [3] - 新一代AI系统内存容量提升33% 多模态应用将进一步增加内存使用强度 [3] - HBM当前占公司总营收约15% 且毛利率显著高于标准DRAM [6] 供应与技术优势 - HBM生产复杂度是标准DRAM的3倍 因低比特密度和3D堆叠结构导致供应持续紧张 [4] - 2025年HBM产能已售罄 2026年需求依然强劲 [4] - 2025年6月开始向重要客户(含英伟达)交付36GB 12层堆叠的HBM4样品 [5] - 1-gamma DRAM节点采用EUV技术 能效提升20% 比特密度增加30% [7] 盈利能力提升 - 第三财季毛利率39% 环比提升110个基点 较指引中值高250个基点 [6] - 第四财季毛利率预计升至42% 高毛利HBM产品是主要推动力 [6] - 标准DRAM供应受限对价格形成支撑 [6] 市场地位 - 成为数据中心SSD第二大供应商 [7] - 在NAND和SSD领域市场份额持续扩大 [7] - 是数据中心低功耗DRAM的唯一量产供应商 [5]

纪要涉及的行业和公司 - **行业**：存储行业 - **公司**：三星、海力士、美光、江波龙、佰维存储、德明利、兆易创新、长鑫、长存、腾讯、字节、阿里、华为、OPPO、荣耀、闪迪 纪要提到的核心观点和论据 1. **存储行业现状与趋势** - 国产化替代推动中国存储产业增长，上游原厂技术提升和下游国产品牌崛起带动产业链国产升级[1][5] - 存储行业强周期性，产品类似大宗商品，价格可追踪，周期上涨时可量价齐升获利[3] - 当前行业处于健康复苏状态，NAND和DRAM价格预计延续温和复苏态势[1][7] - 2025年全年存储市场预计温和复苏，NAND受供给端收缩影响，消费类需求温和补库、国产客户增长和企业级需求拉动[12] 2. **价格波动情况** - 2022 - 2024年价格波动：2022年巨亏，2023年原厂减产推动价格上涨，2024年二季度需求疲软价格回落，2023年底再次减产，2024年3月价格回暖[1][6] - 2025年第二季度价格表现：市场价格超出预期，DRAM涨幅显著，NAND Flash受益于原厂谨慎生产和CSP厂商拉动SSD需求，DDR4涨价明显，DDR5相对稳定，HBM需求良好[1][2][9] - 各细分产品价格走势：NAND Wafer价格修复，DDR现货市场拉涨，手机嵌入式存储健康上涨，服务器DRAM市场两极分化，SSD模组价格自3月开始复苏且平稳[4][9][10] 3. **产业升级机会** - 端侧手机市场：占据存储约30%份额，中高端品牌打开供应链窗口，模组厂商可通过技术研发撬动市场[8] - 服务器端企业级存储市场：自2023年四季度起需求逐月攀升，受益于AI驱动和国产化[8] 4. **存储模组厂商情况** - 毛利率弹性差异与客户结构和下游应用需求相关，现货市场为主的厂商毛利率涨幅更明显，服务品牌大客户的厂商毛利率体现滞后[4][11] - 企业级市场增量窗口打开，订单加速，但收入弹性领先于利润弹性，规模效应预计2027年左右释放[4][13] 5. **成本控制和效率提升措施**：企业在企业级业务投入时，对传统业务人员精简调整，部分企业提高人效优化利润表现[14] 其他重要但可能被忽略的内容 1. **存储产业链构成**：上游原厂负责原材料制造，中游模组厂加工成模组，下游应用于消费类和服务器场景，部分产品迭代为利基存储[3] 2. **中高端手机存储市场** - 发展方向：封装技术、嵌入式主控芯片投入，规模和人效是关键竞争要素[16] - 对公司贡献：收入弹性大于利润弹性，未来一到两年逐步实现利润释放[17] 3. **2025年第二季度存储模组行业业绩**：整体业绩良好，预计环比增长，得益于产业价格复苏、上游崛起和下游需求增加[18] 4. **重点关注公司**：德明利、江波龙、百维、兆易创新，德明利和百维增长幅度可能更显著[19]

公司业绩与股价表现 - 公司股价年内涨幅达60%，远超标普500指数的4%涨幅 [2] - 公司市值自2022财年以来翻倍，主要受益于业务结构改善和HAMR等先进技术的专注执行 [2][3] - 公司2025财年前九个月营收同比增长42%至67亿美元，数据中心和云客户需求强劲 [3] - 公司股价从2022年11月的48.49美元恢复至2025年6月的136.31美元，完全收复通胀抛售期间的58.2%跌幅 [8] 营收与市场动态 - 公司营收从2022财年的116.6亿美元骤降至2024财年的65.5亿美元，跌幅44%，主要因消费级PC和外部HDD需求疲软、亚洲疫情中断及组件短缺 [3] - 尽管SSD抢占市场份额，但HDD因每TB成本优势仍是大规模存储的关键，公司策略性聚焦企业级高容量HDD并减少低容量消费级产品 [4] - AI应用爆发推动高容量硬盘需求，HAMR技术驱动的Mozaic驱动器（单盘3TB，计划提升至10TB乃至100TB）开始量产 [11] 估值与财务指标 - 公司市销率（P/S）从2022财年的1.2倍升至当前的3.2倍，超过四年均值2.2倍及西部数据的1.15倍历史均值 [5] - 公司市销率倍数增长176%，从2022财年的1.16倍升至2024财年的2.30倍，当前约3.20倍 [6] - 公司2025财年第三季度调整后每股收益1.90美元（同比从0.33美元提升），营收21.6亿美元（同比增长31%） [11] 技术战略与行业定位 - HAMR（热辅助磁记录）技术成为公司差异化优势，支撑其在数据存储市场的复苏 [2] - 公司避免NAND垂直整合，从铠侠等合作伙伴采购以专注高性价比大容量存储方案 [4] - AI和云需求推动近线HDD销售，HAMR技术提升单盘容量至3TB，未来目标10TB-100TB [11] 股东回报与运营效率 - 公司自2022财年以来投入约22亿美元回购股票，流通股减少5% [6] - 公司启动50亿美元股票回购计划，显示对EPS提升的信心 [11] - 2025财年前三季度运营利润率提升至20%（去年同期仅3%），AI和HAMR技术驱动单盘收入增长带来运营杠杆 [11]

报告公司投资评级 未提及 报告的核心观点 美光科技 FY25Q3 业绩超预期，营收和毛利率增长显著，各业务表现良好，HBM 带动数据中心业务强劲增长，预计 FY25Q4 营收和毛利率将继续提升，行业需求增长态势良好 [2] 根据相关目录分别进行总结 FY2025Q3 业绩情况 - 业绩总览：FY2025Q3 营收 93.01 亿美元，QoQ+15.5%，YoY+36.6%，Non - gaap 毛利率 39.0%，QoQ+1.1pct，YoY+10.9pct，DRAM 收入创新高，HBM 收入环比近 50%增长 [2][13] - DDR4/LPDDR4 停产问题：D4 和 LP4 用 1 - alpha 节点生产，已通知高容量细分市场客户停产，两到三季度后停止发货，为长期低容量需求客户供应多年，2025 财年下半年 D4 收入占比个位数低段，LP4 短缺或加剧 [5][12] - 全年需求展望：2025 年行业 DRAM 位元需求增长约 10%，NAND 两位数增长，美光非 HBM DRAM 和 NAND 供应增长低于行业需求，中期 DRAM 和 NAND 需求增长约 10%，2025 财年末 NAND 晶圆产能较 2024 财年末降 10% [5][15] 营收拆分 - 按产品营收拆分：DRAM 营收 71 亿美元，占 76%，QoQ+15%，YoY+51%，位元出货量 QoQ+20%，价格 QoQ 下滑低个位数%；NAND 营收 22 亿美元，占 23%，QoQ+16%，YoY+4%，位元出货量 QoQ 增长 25%左右，价格 QoQ 下降高个位数% [18] - 按业务部门营收拆分：计算和网络产品部（CNBU）营收 51 亿美元，QoQ+11%；存储产品部（SBU）营收 15 亿美元，QoQ+4%；移动产品部（MBU）营收 16 亿美元，QoQ+45%；嵌入式产品部（EBU）收入 12 亿美元，QoQ+20% [25] - 按终端市场营收拆分：数据中心市场预计 FY2025 服务器出货量中等个位数增长，HBM3E 预计 FY25Q4 出货量跨越式增长，HBM4 2026 年量产，高容量 DIMM 和低功耗服务器 DRAM 营收创新高，SSD 市场份额连续三季新高；PC 市场预计 2025 年出货量低个位数增长，美光发布新 SSD 产品；手机市场预计 2025 年出货量低个位数增长，美光出货 LP5X 样品，赢得 NAND 设计订单；汽车市场预计相关功能采用增长推动内存和存储需求，美光推出新产品；工业市场增长复苏，推动价格改善 [3][4][26] 公司业绩指引 - 营收：预计 FY25Q4 营收 107 亿美元，QoQ+15%，YoY+38.1%，上下浮动 3 亿美元，增长来自 DRAM 业务 [6][29] - 毛利率：预计 FY25Q4 Non - GAAP 毛利率约 42%，QoQ+3pct，上下浮动 100 个基点 [6][29] - 运营支出：预计 FY25Q4 约 12 亿美元，环比增长因研发投入 [29] - 资本支出：2025 财年约 140 亿美元，用于 HBM 及相关投资 [29] - 出货量：预计 FY25Q4 出货量增长，2025 财年结束时 DRAM 库存紧张，NAND 库存大幅减少 [6][29] Q&A 环节 - HBM 相关：预计 2025 年 HBM 收入从约 180 亿美元增至约 350 亿美元，2026 年比特需求增长超 DRAM 行业，2026 年 HBM 升级且过渡到 HBM4；公司 2026 年下半年可实现目标，关注投资回报率和盈利能力，投资扩大后端产能 [33][38][39] - 毛利率相关：第三财季价格下降推动利润率超预期，第四财季产品组合提升业绩，DRAM 增长超 NAND，数据中心产品占比高，推动毛利率到 42% [35][36] - 未来预期：看好 DRAM 和 NAND 业务，关注定价，供应前沿、高价值产品提升毛利率 [37] - 2026 年 HBM 增长驱动：产能超 60 亿美元，提升产量并转向 12 英寸，预计市场份额与 DRAM 持平 [38] - NAND 利用率：25 年末 NAND 总产能较 24 年末降约 10%，产能利用率不足改善，部分闪存产能未充分利用，前沿技术充分利用 [40] - 2026 年 HBM 供应及价格谈判：2025 年 HBM 售罄，与客户合作优化产品组合，2026 年 HBM 需求增长超 DRAM，推进 HBM4 样品测试 [41][42] - 长期资本支出计划：维持约 140 亿美元目标，第四财季资本支出增加，预计产生自由现金流，优化资产负债表，净债务降至 30 亿美元 [43] - HBM4 产能转换率和利润率差异：HBM4 预期产能转换率大于 3，GPU 和 ASIC 加速器上 HBM 价值优势显著 [44] - 客户库存和需求：终端客户库存总体健康，关税影响小，今年剩余时间需求积极，需求驱动有人工智能等领域增长 [45] - HBM4 认证进展：已向多家客户提供样品，2026 年前准备好满足需求，产量提升契合客户时间线，对满足市场需求自信 [47] - SSD 方面：2025 下半年表现或优于 2024 上半年，数据中心 SSD 与加速器平台适配推动增长，稳居市场占有率第二，转移产品组合到高价值部分 [48]

财务数据和关键指标变化 - 第三财季总营收93亿美元，环比增长15%，同比增长37%，创季度营收纪录 [27] - 第三财季DRAM营收71亿美元，同比增长51%，占总营收76%；环比增长15%，比特出货量增长超20%，价格下降低个位数百分比 [27] - 第三财季NAND营收22亿美元，同比增长4%，占总营收23%；环比增长16%，比特出货量增长20%多，价格下降高个位数百分比 [28] - 第三财季综合毛利率39%，环比上升110个基点，较指引中点上升250个基点 [30] - 第三财季运营费用11亿美元，环比增加8700万美元，符合指引范围 [30] - 第三财季运营收入25亿美元，运营利润率26.8%，环比上升约190个基点，同比上升13个百分点 [32] - 第三财季税收3.06亿美元，有效税率12.3%，低于指引 [32] - 第三财季非GAAP摊薄后每股收益1.91美元，高于指引范围上限，环比增长22%，同比增长超200% [32] - 第三财季运营现金流超46亿美元，资本支出27亿美元，自由现金流超19亿美元，为超六年来季度最高 [32] - 第三财季末库存87亿美元，库存天数139天，环比分别下降2.8亿美元和19天 [32] - 第三财季末持有现金和投资122亿美元创纪录，加上未使用信贷工具后流动性为157亿美元 [33] - 第四财季预计营收107亿美元±3亿美元，毛利率42%±100个基点，运营费用约1.2亿美元±2000万美元，税率约13%，每股收益2.5美元±0.15美元 [35] 各条业务线数据和关键指标变化 - 计算和网络业务部门第三财季营收51亿美元，环比增长11%，创季度纪录，受HBM近50%环比增长及高容量DRAM和低功耗服务器DRAM增长推动 [28][29] - 存储业务部门第三财季营收15亿美元，环比增长4%，主要受面向消费者的营收增长推动 [29] - 移动业务部门第三财季营收16亿美元，环比增长45%，因客户库存减少和DRAM内容增长带来的强劲需求 [29] - 嵌入式业务部门第三财季营收12亿美元，环比增长20%，受工业和消费嵌入式市场增长支持 [29] 各个市场数据和关键指标变化 - 数据中心方面，预计2025年服务器市场单位增长中个位数百分比，主要受AI服务器显著增长驱动；第三财季数据中心DRAM营收连续四个季度创新高；预计2025年下半年HBM份额达到整体DRAM份额水平；预计2025年下半年HBM份额达到整体DRAM份额水平；预计2025年下半年HBM份额达到整体DRAM份额水平 [13][14] - PC方面，预计2025年PC市场单位增长低个位数百分比，未来增长的关键催化剂包括AI PC的采用增加和Windows 11升级周期 [18] - 移动方面，预计2025年智能手机单位增长低个位数百分比，AI采用是智能手机DRAM内容增长的关键驱动因素 [19] - 汽车、工业和消费嵌入式市场方面，预计L2和L3 ADAS功能及AI车载信息娱乐系统的采用增加将推动内存和存储内容增长及更高带宽需求 [21] 公司战略和发展方向和行业竞争 - 6月完成业务部门围绕关键市场细分的战略重组，以利用AI增长机会，将更多资源转向AI相关机会 [8] - 计划未来二十多年在美国投资约2000亿美元，包括1500亿美元制造和500亿美元研发，还将额外投资300亿美元，如在爱达荷州建造第二座前沿内存工厂等 [10] - 高效节点转换将使2025财年末NAND晶圆产能较2024财年末降低10%，并将按与需求相符的节奏管理节点转换 [23] - 预计2025年行业DRAM比特需求增长高个位数百分比，NAND比特需求增长低两位数百分比；中期预计DRAM和NAND行业比特需求复合年增长率为中个位数百分比 [22][23] 管理层对经营环境和未来前景的评论 - 客户库存水平总体健康，部分客户可能有与关税相关的提前采购，客户仍表明今年剩余时间需求环境积极，公司将灵活应对需求变化 [22] - 公司在技术、产品和投资计划上获得客户和生态系统合作伙伴的大力支持，对利用AI时代需求、实现持续增长有信心 [25][26] 其他重要信息 - 公司在一伽马DRAM技术节点取得良好进展，产量提升速度快于一贝塔节点，本季度完成多个关键产品里程碑，包括基于一伽马的LP5 DRAM首批合格样品发货 [8] - NAND本季度QLC比特占比创历史新高，开始基于G9 2TB QLC NAND的高性能SSD产品资格认证，G9节点按需求节奏提升产量 [9] - 爱达荷州第一座工厂预计2027年下半年开始产出首批DRAM晶圆，随后进行客户认证；第二座工厂将在纽约第一座工厂之前投产 [12] - 计划今年晚些时候在纽约开始场地准备工作，需完成州和联邦环境审查 [13] 总结问答环节所有的提问和回答 问题1：HBM总可寻址市场（TAM）与加速器TAM的规模关系及HPM附着于GPU和ASIC的上限 - 回答：2025年HBM营收从去年约180亿美元增长到约350亿美元，2026年HBM比特需求增长将显著超过整体DRAM行业需求增长，HBM在加速器中的价值和需求前景良好，公司对HBM发展感到兴奋，认为其是业务的强劲增长和价值驱动因素 [39][40][41] 问题2：第三财季毛利率上升的驱动因素、是否为新基线及未来几个季度的影响因素 - 回答：第三财季毛利率上升是因价格好于预期和成本表现良好；第四财季因市场环境改善、执行良好及有利的产品组合（DRAM增长多于NAND、数据中心多于面向消费者的业务）推动毛利率上升至42%；未提供第一财季指引，对业务发展轨迹持积极态度，市场环境积极，尤其DRAM优于NAND，将关注定价和产品组合，预计毛利率可上升 [45][47][48] 问题3：HBM市场份额及2026年增长贡献因素 - 回答：基于第三财季表现，HBM运行率已超60亿美元，预计可能比之前预期更早达到与DRAM份额一致的HBM份额，这得益于强劲执行，包括产出、良率提升和产能扩张；对HBM未来发展和路线图感到满意 [56][57][58] 问题4：HBM明年的常态化份额、增加产能后的份额情况及NAND当前利用率和明年计划 - 回答：HBM方面，公司对产品和执行满意，HBM使用成熟的一贝塔技术，具有成本效益和产能灵活性，公司在新加坡投资扩大HBM后端产能；NAND方面，2025财年末整体NAND产能较2024财年末下降约10%，部分NAND仍未充分利用，但前沿NAND已完全利用 [63][64][65] 问题5：去年称HPM供应到2025年售罄且多数定价锁定，现在2026年HPM供应和定价谈判情况及客户预测需求与公司供应能力对比 - 回答：2025年HBM供应已售罄，正与客户紧密合作，2026年HBM比特需求增长将显著超过DRAM需求增长，公司有强大产品路线图，已向客户提供HBM4样品，专注于产品认证和满足客户2026年需求 [70][71] 问题6：2026财年长期资本支出计划是否以营收的35%为合理参考或需提前投资 - 回答：公司面临代际技术转型机遇，需建设绿地产能，第四财季资本支出将增加，全年约140亿美元；预计第四财季产生自由现金流，将继续建设产能；本季度进一步改善资产负债表，净债务降至30亿美元，短期到期债务减少，资产负债表灵活，可投资业务、保持技术领先并向股东返还资本 [75][76][77] 问题7：HBM4的贸易比率及销售给GPU和ASIC客户的HBM比特和利润率差异 - 回答：HBM4贸易比率大于3，HBM3E约为3，HBM4E比率更高，从HBM3E到4到4E贸易比率从约3向4发展；HBM在GPU和ASIC加速器中都具有高价值且价值不断增长，未区分两者利润率差异 [81][82][83] 问题8：关于客户可能因关税提前采购的评论及对客户库存水平和下半年比特需求的影响 - 回答：客户库存水平总体健康，部分客户的关税相关提前采购影响相对较小，客户仍表明今年剩余时间需求环境积极，公司第三财季增长和第四财季指引创纪录得益于在AI市场的强劲执行 [87][88][89] 问题9：HBM4资格认证进展及是否能延续HBM3E的功率性能领先地位，以及AI服务器端SSD是否有加速拉动 - 回答：HBM4方面，已向客户提供早期产品，对执行和规格满意，计划继续关注功率性能，资格认证待完成，2026年将满足客户需求；SSD方面，2025年下半年数据中心SSD情况将好于上半年，公司数据中心SSD在近期宣布的加速器平台上定位良好，计划将产品组合转向NAND市场高价值部分 [93][94][96]

业绩总结 - Micron在2025财年第三季度实现创纪录的收入，收入、毛利率和每股收益均超出指导范围的高端[8] - FQ3-25的总收入为93亿美元，环比增长15%，同比增长37%[49][50] - DRAM收入为71亿美元，占总收入的76%，同比增长51%，环比增长15%[53] - NAND收入为22亿美元，占总收入的23%，同比增长4%，环比增长16%[53] - 计算与网络业务单元收入为51亿美元，环比增长11%，创季度新高[55] - 移动业务单元收入为16亿美元，环比增长45%[55] - FQ3-25的非GAAP毛利率为39.0%，运营收入为25亿美元，净收入为22亿美元[56] - FQ3-25的现金流来自运营活动为46亿美元，占总收入的50%[61] 用户数据与市场展望 - 数据中心收入同比增长超过100%，达到创纪录水平，消费者市场也实现强劲的环比增长[8] - Micron预计2025财年第四季度收入将环比增长15%，达到107亿美元的创纪录水平[10] - Micron预计2025年行业DRAM位需求增长将在高十几个百分点范围内，NAND位需求增长将在低双位数范围内[39] - 公司预计FQ4-25的收入为107亿美元，误差范围为3亿美元[80] - 公司预计FQ4-25的毛利率为41.0%，误差范围为1.0%[80] 新产品与技术研发 - Micron的HBM3E 36GB 12H已被AMD的Instinct MI355X GPU平台设计采用，预计在2025年下半年达到与整体DRAM市场份额相似的HBM市场份额[20][21] - Micron的高容量DIMM和低功耗服务器DRAM产品在2025财年已产生数十亿美元的收入，同比增长五倍[25] - Micron的1-gamma DRAM技术节点提供30%的位密度提升，功耗降低20%以上，性能提高15%[13] 资本支出与投资计划 - Micron计划在未来20多年内在美国投资约2000亿美元，其中包括1500亿美元用于制造和500亿美元用于研发[15] - 2025财年的资本支出计划为140亿美元，主要用于支持HBM和研发投资[63] - 截至FQ3-25，公司流动性为157亿美元[61] 负面信息与其他策略 - FQ3-25的D4产品收入占比为低个位数，预计随着产品生命周期结束，LP4产品短缺将增加[44] - 指导中未考虑潜在的业务合并、剥离、重组活动等影响[81]

存储行业价格动态 - DDR5价格温和上涨 5月现货环比+2% 6月至今低个位数涨幅 4-5月DDR5 8Gb合约价上涨约2% DDR5 16Gb现货价上涨约7% [1] - DDR4价格超预期上涨 5月现货环比+9%~+37% 6月至今涨幅达17%~37% 5月DDR4 8/16Gb颗粒现货价格平均涨幅超30% 原厂加速退出DDR4供应 TrendForce预计最后出货时间为2026年初 [1] - NAND Flash价格温和上涨 5月TLC价格环比涨幅低个位数 6月价格基本稳定 3月TLC价格涨幅6%~14% 原厂减产10%~15%并迁移产能至200层以上产品 [2] 细分产品表现 - 内存条：DDR5合约价格持平 现货高个位数上涨 DDR4行业/渠道市场价格上涨20%~64% [2] - SSD：5-6月行业/渠道市场价格小幅回落(-3%~0%) 企业级SSD需求受北美CSP厂商投入带动 [2] - 移动存储：UFS/eMMC价格温和上涨0%~14% 消费市场需求稳定 [2] 价格展望 - DDR5预计25Q3保持温和上涨 DDR4预计涨幅8%~13% TrendForce预测25Q3 DDR4 PC/Server内存模组合约价格分别上涨18%~23%/8%~13% [3] - NAND Flash预计25Q2/Q3 Wafer价格分别上涨3%~8%/5%~10% 原厂减产效果持续 [3] - 利基存储：25Q3 SLC NAND Flash有望双位数上涨 NOR Flash价格平稳 [3] 投资机会 - DDR4内存条涨价逻辑下 存储芯片设计厂商受重点关注 存储模组分销商及模组厂商亦值得关注 [1] - DDR5渗透率有望加速提升 因部分DDR4价格已超过DDR5且原厂逐步退出DDR4 [1]