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NEO Battery and Established South Korean Manufacturer, NainTech, to Co-Develop Drone & Stationary Energy Storage Batteries
Globenewswire· 2025-08-21 20:30
合作框架 - NEO Battery Materials与NainTech签署联合开发协议 共同开发钠离子电池技术和高性能锂离子电池 [1] - 合作涵盖无人机和固定式储能技术领域 重点开发人工智能数据中心和电网储能用钠离子电池 [2] - NainTech将钛基MXene添加剂集成至NEO硅阳极产品 提升导电性能以支持无人机长续航和高功率机动 [3] 技术细节 - 钠离子电池因资源丰富和成本低廉被视为锂离子电池的实际替代方案 [2] - MXene二维材料的导电性能比商用石墨烯高一个数量级 [3] - NEO将协助NainTech开发制造钠离子电池电极和完整电芯 从原型设计推进至商业级部署 [2] 合作伙伴背景 - NainTech是韩国上市公司 专注电池与燃料电池技术、半导体及显示精密设备领域 [5] - 公司过去两年实现三倍增长 2024财年市值和年收入均达2亿加元(2万亿韩元) [5] - 作为LG能源解决方案等全球头部可充电电池制造商的 Tier-1 供应商 提供锂离子电池先进生产设备 [5] - NainTech于2025年成立专注钠离子电池的子公司Energy11 加速下一代储能解决方案开发 [8] 战略意义 - 合作将钠离子电池技术应用于解决储能瓶颈 提供更具经济性和扩展性的解决方案 [7] - 双方技术互补:NEO的电池设计与先进阳极材料能力结合NainTech的纳米材料创新 [7] - 协同效应瞄准新兴领域终端解决方案 包括人工智能数据中心、电网存储和无人机市场 [7] 公司概况 - NEO Battery Materials是加拿大电池材料技术公司 专注于电动汽车、电子产品和储能系统的硅阳极材料开发 [9] - 公司拥有低成本专利制造工艺 可实现更长续航和超快充电电池 [9] - NainTech总部位于韩国 在电池燃料电池技术、半导体显示精密设备和先进功能材料领域具有竞争力 [8]
芯片产业的下一个颠覆性突破!
半导体芯闻· 2025-07-07 17:49
半导体材料革新 - 二维半导体材料将成为未来业界焦点,因硅基三维晶体管制造结构日趋复杂且成本指数级攀升,技术演进边际效益显著递减[2] - 二维材料凭借原子级厚度(0.3-10nm)与范德华异质结技术,可构建垂直场效应晶体管实现10倍于FinFET的密度突破,在1nm栅长下保持10⁶开关比[6] - 二维材料易于与其他材料集成,不受晶格常数匹配约束,能带范围涵盖半金属、半导体和绝缘体[8] 二维材料特性与优势 - 石墨烯作为首个被发现的二维材料,厚度仅0.335纳米,拥有高强度、高导电性、高导热性等优异物理性质[9] - 7纳米制程石墨烯芯片相比硅基芯片速度提升高达300%,但需解决零带隙特性问题[9] - 过渡金属二硫族化合物(TMDCs)如MoS₂、WS₂在单层状态下呈直接带隙半导体性质,能隙约1.8eV[14] - 黑磷为少有的本征直接带隙材料,能带结构对层数敏感,从单层2eV连续调谐至块体约0.3eV[14] 产业化进展与市场规模 - 2024年全球二维半导体材料市场规模达18亿美元,石墨烯占比45%,TMDs占比30%[16] - 预计2025-2030年市场规模以24%-26.5%复合增长率扩张,2030年有望突破45亿美元[16] - 原集微科技启动首条全国产二维半导体集成电路工程化示范线,计划三年内建设商业化量产线[17] - 原集微联合团队发布全球首款基于二维半导体的32位RISC-V架构微处理器"无极",集成5900个晶体管,性能提升51倍[17] 技术突破与创新 - 天津大学和佐治亚理工学院团队成功生产出外延半导体石墨烯单层,攻克石墨烯带隙难题[11] - 北京科技大学团队提出"二维Czochralski"方法,可在常压下快速生长厘米级、无晶界单晶MoS₂晶畴[32] - 上海微系统所开发单晶金属插层氧化技术,室温下制备出单晶氧化铝栅介质晶圆,界面态密度低至8.4×10⁹ cm⁻² eV⁻¹[38] - 宾夕法尼亚州立大学开发基于CMOS技术的二维单指令集计算机,首次完全由二维材料构建[39] 应用领域拓展 - 二维材料在AI、大数据时代被广泛应用于存储器件、神经形态器件、量子器件、离子晶体管等领域[9] - 东南大学团队基于二维极性半导体实现门控可调极化梯度机制,模拟生物突触功能,记忆保持时间约331秒[27] - 中科院物理所展示基于MoS₂的中等规模柔性集成电路,集成112个薄膜晶体管[48] - 南京大学团队通过设计-工艺协同优化,实现GHz频率二维半导体环形振荡器电路,性能比原有记录提升200倍[51] 未来发展趋势 - IMEC预计到2039年基于二维材料的第二代2DFET将成为主流[53] - 短期(3-5年)二维材料将在低功耗边缘计算芯片、高性能光电器件及柔性显示领域率先商业化[63] - 中期(5-10年)二维材料有望在3纳米以下逻辑芯片及存算一体架构中大规模替代硅基材料[63] - 长期(10年以上)二维材料可能成为量子计算、光量子通信及生物电子等颠覆性技术的核心载体[63]