公司专利技术 - 公司申请了一项名为"存储器及其形成方法"的专利，公开号CN119922914A，申请日期为2023年10月 [1] - 专利涉及存储器结构，包括基底、浮栅结构、选择栅结构、第一漏区、第一源区、第二漏区和第二源区等组件 [1] - 技术特点在于多个选择晶体管并联设计，可提高写入时输入至第二漏区的电流值总和，便于区分浮栅结构在写入时的状态 [1] 公司基本信息 - 公司成立于2000年，位于上海市，主要从事计算机、通信和其他电子设备制造业 [2] - 公司注册资本达244000万美元 [2] - 公司对外投资了4家企业，参与招投标项目120次 [2] 公司知识产权 - 公司拥有商标信息149条，专利信息5000条 [2] - 公司拥有行政许可443个 [2]

文章核心观点 中芯国际旗下天津和上海公司取得“治具组件”专利，该组件可提高晶圆拿取及放置精准度 [1] 公司信息 - 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司成立于2003年，位于天津，从事计算机等电子设备制造业，注册资本1.29亿美元，参与招投标104次，有专利信息384条、行政许可287个 [2] - 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司成立于2000年，位于上海，从事计算机等电子设备制造业，注册资本2.44亿美元，对外投资4家企业，参与招投标117次，有商标信息148条、专利信息5000条、行政许可443个 [2] 专利信息 - 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司、中芯国际集成电路制造（上海）有限公司取得“治具组件”专利，授权公告号CN222801772U，申请日期为2024年6月 [1] - 治具组件包括第一治具和第二治具，可提高晶圆拿取以及放置时的精准度 [1]

文章核心观点 中芯国际旗下北京和上海公司申请“半导体结构及其形成方法”专利，该方法有保证肖特基二极管反向击穿电压等优势，还介绍了两家公司的基本信息 [1][2] 专利信息 - 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司、中芯国际集成电路制造(上海)有限公司于2023年10月申请“半导体结构及其形成方法”专利，公开号CN119815896A [1] - 该专利方法包括提供含二极管区的衬底、在第二区表面形成第一栅介质层等步骤，能保证肖特基二极管反向击穿电压，降低半导体结构结电容并为工艺提供更多选择 [1] 公司信息 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 - 成立于2002年，位于北京市，从事计算机、通信和其他电子设备制造业，注册资本100000万美元 [1] - 共对外投资1家企业，参与招投标项目51次，有专利信息5000条，行政许可226个 [1] 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 - 成立于2000年，位于上海市，从事计算机、通信和其他电子设备制造业，注册资本244000万美元 [2] - 共对外投资4家企业，参与招投标项目117次，有商标信息147条，专利信息5000条，行政许可443个 [2]