专利技术突破 - 中芯国际及其关联公司申请了一项名为"半导体结构及其形成方法"的专利，公开号CN120237113A，申请日期为2023年12月 [1] - 该专利技术通过优化半导体结构设计，包括衬底、互连通孔、电极层和隔离层等，缩小了互连通孔内隔离层的形成空间，从而减少了隔离层的形成厚度，提升了加工效率 [1] - 专利技术还通过在第二面和导电层表面形成钝化层，避免了导电层开裂的风险，极大提升了半导体结构的良率 [1] 公司基本情况 - 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司成立于2002年，注册资本10亿美元，主要从事计算机、通信和其他电子设备制造业，对外投资1家企业，参与招投标52次，拥有专利5000条，行政许可226个 [2] - 中芯京城集成电路制造（北京）有限公司成立于2020年，注册资本50亿美元，主要从事计算机、通信和其他电子设备制造业，参与招投标34次，拥有专利14条，行政许可248个 [2] - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司成立于2000年，注册资本24.4亿美元，主要从事计算机、通信和其他电子设备制造业，对外投资4家企业，参与招投标127次，拥有商标150条，专利5000条，行政许可442个 [2] 研发实力 - 中芯国际及其关联公司在半导体制造领域展现出强大的研发实力，仅中芯国际(北京)和(上海)两家公司就各自拥有5000条专利信息 [2] - 中芯京城虽然成立时间较短(2020年)，但已拥有14条专利信息，显示出快速发展的研发能力 [2]

公司专利技术 - 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司和中芯国际集成电路制造(上海)有限公司联合申请了一项名为"半导体结构及其形成方法"的专利，公开号为CN120184119A，申请日期为2023年12月 [1] - 专利技术涉及一种半导体结构及其形成方法，通过在改性区进行改性处理以增强导电性，并在引出结构两侧施加相同电位，从而降低漏电可能性 [1] - 专利技术的关键步骤包括：提供第一衬底、形成第一器件层、在引出区内形成第一开口、以及在各第一开口底部形成引出结构 [1] 公司基本信息 - 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司成立于2002年，注册资本为100000万美元，主要从事计算机、通信和其他电子设备制造业 [2] - 该公司对外投资了1家企业，参与招投标项目51次，拥有专利信息5000条和行政许可226个 [2] - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司成立于2000年，注册资本为244000万美元，主要从事专用设备制造业 [2] - 该公司对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，拥有商标信息150条、专利信息5000条和行政许可442个 [2]

公司专利动态 - 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司和中芯国际集成电路制造(上海)有限公司联合申请了一项名为"半导体结构及其形成方法"的专利，公开号为CN120035224A，申请日期为2023年11月 [1] - 专利涉及一种半导体结构，包括衬底、栅极结构、源区、漏区和体区，该设计在增加ESD结构鲁棒性的同时具备双向ESD保护特性 [1] 公司基本信息 - 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司成立于2002年，注册资本10亿美元，主要从事计算机、通信和其他电子设备制造业，对外投资1家企业，参与招投标51次，拥有专利5000条和行政许可226个 [2] - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司成立于2000年，注册资本24.4亿美元，主要从事计算机、通信和其他电子设备制造业，对外投资4家企业，参与招投标127次，拥有专利5000条和行政许可443个 [2] 公司业务活动 - 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司拥有商标信息149条 [2] - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司在财产线索方面有商标信息149条 [2]

文章核心观点 中芯国际旗下北京和上海公司申请“半导体结构及其形成方法”专利，该专利利于实现更多器件功能、提高电路多样性，同时介绍了两家公司的基本信息[1][2] 专利信息 - 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司和中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN119920780A，申请日期为2023年10月 [1] - 该专利方法包括提供含器件区和互连区的基底、在器件区基底上形成器件、形成覆盖器件和基底的介质层、形成通孔互连结构、对基底背向介质层一面进行减薄处理直至露出通孔互连结构，有利于实现更多器件功能，提高半导体结构的电路多样性 [1] 公司信息 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 - 成立于2002年，位于北京市，从事计算机、通信和其他电子设备制造业，注册资本100000万美元 [1] - 共对外投资1家企业，参与招投标项目51次，有专利信息5000条，拥有行政许可226个 [1] 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 - 成立于2000年，位于上海市，从事计算机、通信和其他电子设备制造业，注册资本244000万美元 [2] - 共对外投资4家企业，参与招投标项目117次，有商标信息149条、专利信息5000条，拥有行政许可443个 [2]

文章核心观点 中芯国际旗下北京和上海公司申请“半导体结构及其形成方法”专利，该方法有保证肖特基二极管反向击穿电压等优势，还介绍了两家公司的基本信息 [1][2] 专利信息 - 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司、中芯国际集成电路制造(上海)有限公司于2023年10月申请“半导体结构及其形成方法”专利，公开号CN119815896A [1] - 该专利方法包括提供含二极管区的衬底、在第二区表面形成第一栅介质层等步骤，能保证肖特基二极管反向击穿电压，降低半导体结构结电容并为工艺提供更多选择 [1] 公司信息 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 - 成立于2002年，位于北京市，从事计算机、通信和其他电子设备制造业，注册资本100000万美元 [1] - 共对外投资1家企业，参与招投标项目51次，有专利信息5000条，行政许可226个 [1] 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 - 成立于2000年，位于上海市，从事计算机、通信和其他电子设备制造业，注册资本244000万美元 [2] - 共对外投资4家企业，参与招投标项目117次，有商标信息147条，专利信息5000条，行政许可443个 [2]

文章核心观点 中芯国际旗下三家公司申请“半导体结构及其形成方法”专利，该方法可提高器件集成度，同时介绍了中芯国际集成电路制造(北京)有限公司的基本情况 [1][2] 专利申请情况 - 中芯国际集成电路制造(北京)、中芯京城集成电路制造（北京）、中芯国际集成电路制造(上海)申请“半导体结构及其形成方法”专利，公开号CN 119833523 A，申请日期为2023年10月 [1] - 专利方法包括提供存储晶圆和第一衬底、形成第一器件层、键合、形成阱区、导电插塞和互连结构等步骤，可使各晶圆竖直电连接，减小水平芯片面积，提高器件集成度 [1] 公司基本情况 - 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司成立于2002年，位于北京，从事计算机、通信和其他电子设备制造业 [2] - 企业注册资本100000万美元，对外投资1家企业，参与招投标项目51次，有专利信息5000条，拥有行政许可226个 [2]