公司专利动态 - 中芯国际上海及北京公司于2025年8月15日共同获得"半导体结构及其形成方法"专利 授权公告号CN113707599B 申请日期为2020年5月 [1] 上海公司经营概况 - 公司成立于2000年 注册资本24.4亿美元 专注于计算机、通信和其他电子设备制造业 [1] - 对外投资4家企业 参与招投标127次 持有商标150条 专利5000条 行政许可452项 [1] 北京公司经营概况 - 公司成立于2002年 注册资本10亿美元 同属计算机、通信和其他电子设备制造业 [1] - 对外投资1家企业 参与招投标52次 持有专利5000条 行政许可226项 [1] 知识产权布局 - 两家公司累计持有专利总数达10000条 体现持续的技术研发投入 [1]

专利技术 - 公司申请了一项名为"半导体结构及其形成方法"的专利，公开号CN120456589A，申请日期为2024年02月 [1] - 专利涉及半导体结构包括衬底、鳍部、隔离层、栅介质层和栅极层等关键组件 [1] - 技术特点包括第一区和第二区不同工作电压设计，以及不同高度的有效鳍部结构 [1] - 第二栅介质层的厚度小于第一栅介质层的厚度，显示公司在半导体制造工艺上的创新 [1] 公司概况 - 公司成立于2000年，位于上海市，主要从事计算机、通信和其他电子设备制造业 [2] - 企业注册资本达244000万美元 [2] - 公司对外投资了4家企业，参与招投标项目127次 [2] - 公司拥有商标信息150条，专利信息5000条，行政许可451个 [2]

专利技术 - 中芯国际北京和上海公司联合申请名为"半导体结构及其形成方法"的专利 公开号CN120413548A 申请日期为2024年01月 [1] - 专利技术涉及半导体结构的两部分同步制作工艺 包括第一部(含第一金属层/介质层/第一电互连结构)和第二部(含器件结构/第二金属层/第二电互连结构)的键合连接 [1] - 技术优势包括：通过分离制作释放介质层热应力 避免影响器件结构 同时允许加厚电容隔离器节点层以提升耐压性能 [1] 公司概况 - 中芯国际北京公司成立于2002年 注册资本10亿美元 对外投资1家企业 参与招投标52次 持有专利5000项 行政许可226项 [2] - 中芯国际上海公司成立于2000年 注册资本24.4亿美元 对外投资4家企业 参与招投标127次 持有专利5000项 商标150个 行政许可451项 [2] 研发能力 - 两家公司合计持有专利数量达10000项 显示强大的技术积累 [2] - 新专利技术聚焦半导体制造工艺优化 体现公司在先进制程领域的持续创新 [1]

中芯国际新专利技术 - 公司申请名为"半导体结构及其形成方法"的专利，公开号CN120417514A，申请日期为2024年01月 [1] - 专利技术涉及半导体结构，包括第一衬底、隔离沟槽和电容结构，电容结构包含反射电极层和介电层 [1] - 该技术通过将电容结构置于隔离沟槽内，减小了垂直于衬底方向的尺寸，提高了光电传感器的集成度 [1] - 反射电极层实现了相邻感光区之间的光学隔离，增强了传感器性能 [1] 中芯国际公司概况 - 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司成立于2002年，注册资本10亿美元，主要从事计算机、通信和其他电子设备制造业 [2] - 北京公司对外投资1家企业，参与招投标52次，拥有专利5000条，行政许可226个 [2] - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司成立于2000年，注册资本24.4亿美元，同属电子设备制造业 [2] - 上海公司对外投资4家企业，参与招投标127次，拥有专利5000条，商标150条，行政许可451个 [2]

公司技术发展 - 公司于2024年1月申请半导体结构及其形成方法专利 公开号CN120388891A 涉及硅层与硅锗层在半导体衬底上的集成技术 实现表面平齐及鳍片高度统一的结构设计 [1] - 公司专利技术覆盖第一区域硅层与第二区域硅锗层的协同构造 鳍片由部分半导体衬底与对应材料层共同构成 提升器件结构一致性 [1] - 公司累计拥有专利信息5000条 反映持续的技术储备与创新能力 [1] 公司经营概况 - 公司成立于2000年 注册资本达244000万美元 专注于计算机、通信及其他电子设备制造领域 [1] - 公司通过对外投资4家企业 参与招投标项目127次 拓展业务生态与市场机会 [1] - 公司拥有行政许可451个及商标信息150条 体现合规经营与品牌建设成果 [1]

专利技术突破 - 中芯国际及其关联公司申请了一项名为"半导体结构及其形成方法"的专利，公开号CN120237113A，申请日期为2023年12月 [1] - 该专利技术通过优化半导体结构设计，包括衬底、互连通孔、电极层和隔离层等，缩小了互连通孔内隔离层的形成空间，从而减少了隔离层的形成厚度，提升了加工效率 [1] - 专利技术还通过在第二面和导电层表面形成钝化层，避免了导电层开裂的风险，极大提升了半导体结构的良率 [1] 公司基本情况 - 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司成立于2002年，注册资本10亿美元，主要从事计算机、通信和其他电子设备制造业，对外投资1家企业，参与招投标52次，拥有专利5000条，行政许可226个 [2] - 中芯京城集成电路制造（北京）有限公司成立于2020年，注册资本50亿美元，主要从事计算机、通信和其他电子设备制造业，参与招投标34次，拥有专利14条，行政许可248个 [2] - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司成立于2000年，注册资本24.4亿美元，主要从事计算机、通信和其他电子设备制造业，对外投资4家企业，参与招投标127次，拥有商标150条，专利5000条，行政许可442个 [2] 研发实力 - 中芯国际及其关联公司在半导体制造领域展现出强大的研发实力，仅中芯国际(北京)和(上海)两家公司就各自拥有5000条专利信息 [2] - 中芯京城虽然成立时间较短(2020年)，但已拥有14条专利信息，显示出快速发展的研发能力 [2]

公司专利动态 - 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司和中芯国际集成电路制造(上海)有限公司联合申请了一项名为"半导体结构及其形成方法"的专利，公开号为CN120035224A，申请日期为2023年11月 [1] - 专利涉及一种半导体结构，包括衬底、栅极结构、源区、漏区和体区，该设计在增加ESD结构鲁棒性的同时具备双向ESD保护特性 [1] 公司基本信息 - 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司成立于2002年，注册资本10亿美元，主要从事计算机、通信和其他电子设备制造业，对外投资1家企业，参与招投标51次，拥有专利5000条和行政许可226个 [2] - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司成立于2000年，注册资本24.4亿美元，主要从事计算机、通信和其他电子设备制造业，对外投资4家企业，参与招投标127次，拥有专利5000条和行政许可443个 [2] 公司业务活动 - 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司拥有商标信息149条 [2] - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司在财产线索方面有商标信息149条 [2]

公司专利技术进展 - 中芯国际北京及上海公司联合申请"半导体结构及其形成方法"专利 公开号CN120018501A 申请日期2023年11月 [1] - 专利通过引入高介电常数盖帽层优化电荷分布 降低悬浮栅层顶部拐角处电荷聚集概率 [1] - 该技术方案使半导体结构可靠性得到提高 进而提升半导体结构性能 [1] 公司基本情况 - 中芯国际北京公司成立于2002年 注册资本100000万美元 从事计算机、通信和其他电子设备制造业 [2] - 中芯国际上海公司成立于2000年 注册资本244000万美元 同属计算机、通信和其他电子设备制造业 [2] 公司经营数据 - 北京公司对外投资1家企业 参与招投标51次 拥有专利5000条 行政许可226个 [2] - 上海公司对外投资4家企业 参与招投标127次 拥有专利5000条 商标149条 行政许可443个 [2]

文章核心观点 中芯国际旗下北京和上海公司申请“半导体结构及其形成方法”专利，该方法有保证肖特基二极管反向击穿电压等优势，还介绍了两家公司的基本信息 [1][2] 专利信息 - 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司、中芯国际集成电路制造(上海)有限公司于2023年10月申请“半导体结构及其形成方法”专利，公开号CN119815896A [1] - 该专利方法包括提供含二极管区的衬底、在第二区表面形成第一栅介质层等步骤，能保证肖特基二极管反向击穿电压，降低半导体结构结电容并为工艺提供更多选择 [1] 公司信息 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 - 成立于2002年，位于北京市，从事计算机、通信和其他电子设备制造业，注册资本100000万美元 [1] - 共对外投资1家企业，参与招投标项目51次，有专利信息5000条，行政许可226个 [1] 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 - 成立于2000年，位于上海市，从事计算机、通信和其他电子设备制造业，注册资本244000万美元 [2] - 共对外投资4家企业，参与招投标项目117次，有商标信息147条，专利信息5000条，行政许可443个 [2]