HBM价格预测与市场格局 - 高盛预测2026年HBM价格或将下跌10%，主要因供过于求导致[1][3] - HBM定价权将从制造商转移至英伟达等客户，SK海力士垄断80%-90%英伟达订单的局面可能被打破[2] - 高盛将2026年HBM总目标市场预测下调13%至450亿美元，增长预期从45%下调至25%[3] 产能扩张与供需分析 - SK海力士计划2025年底HBM月产能达15万片晶圆，2026年继续扩建[5] - 三星2025年底HBM月产能预计15万片，2026年出货量或年增20%[5] - 美光2026年底月产能预计达9万片，加码2000亿美元投资涵盖HBM封装设施[5] - Exane BNP Paribas预测2025年底HBM月需求仅16.8万片，但ASIC市场需求未被全面考虑[5][6] 市场竞争格局 - SK海力士当前HBM市占率约50%，三星30%，美光20%[8] - 在HBM3E产品中SK海力士市占率高达70%，2024年出货量占比将超整体HBM50%[9] - 三星HBM3E产品未获英伟达验证，主要客户为AMD，已将12Hi产品晶圆投片量从7-8万片降至3-4万片[9][10] - SK海力士2025年HBM产品已售罄，订单能见度达2026年一季度[9] 产品迭代与技术发展 - 2026年超80%HBM需求将集中于HBM3e产品，12hi占比将过半[12] - SK海力士计划2024年下半年量产HBM4，三星准备向AMD和英伟达提供HBM4样品[15] - 美光已向主要客户送样12层堆叠36GB HBM4内存，计划2026年产能爬坡[15] - HBM4将采用16层堆叠，数据传输速率8Gbps，单堆栈带宽2.0TB/s[19] 长期技术路线图 - HBM5预计2029年推出，支持16层堆叠，单堆容量80GB，带宽4TB/s[19] - HBM6预计2032年推出，最大堆叠层数增至20层，容量96-120GB[20] - HBM7预计2035年推出，支持24层堆叠，容量160-192GB，带宽24TB/s[20] - HBM8预计2038年推出，容量200-240GB，带宽64TB/s，可能采用双面中介层设计[20]

核心观点 - 美国对HBM及相关半导体设备的出口管制迫使国内存储厂商转向3D DRAM技术研发 [1] - 3D DRAM被视为突破DRAM物理极限和替代HBM的关键技术方向 [10][21] - 全球主要存储厂商已投入3D DRAM研发并取得阶段性成果 [11][13][16][17] - 国内厂商在3D DRAM领域加速布局以应对供应链限制 [17][18][19] HBM限制背景 - 美国商务部对带宽密度超过2GB/s/mm²的HBM实施出口管制 覆盖所有量产型号 [1] - 禁令直接影响国内AI行业对高性能存储的需求 [1] - GDDR内存(800-960GB/s带宽)和SRAM方案可作为HBM替代方案 [3] 3D DRAM技术原理 - 传统DRAM采用8F²/6F²平面结构 面临物理极限瓶颈 [7][8] - 4F²结构通过垂直堆叠晶体管使单元面积缩小33% [9] - 3D DRAM采用类似3D NAND的垂直堆叠技术 [10] - 关键技术包括晶圆键合和混合键合工艺 [10] 国际厂商进展 - 三星计划2030年前量产VCT架构3D DRAM 已制定第八代产品路线图 [11] - SK海力士展示5层堆叠3D DRAM原型 良率达56.1% [13] - 美光持有30余项3D DRAM专利 数量领先韩国厂商 [16] - Neo Semiconductor推出300层3D X-DRAM 理论吞吐达10TB/s [17] 国内厂商动态 - 长鑫存储和长江存储被报道布局3D DRAM [17] - 北京君正计划年内提供3D DRAM样品 重点解决堆叠工艺难题 [18] - 中国台湾团队开发出无电容IGZO晶体管3D DRAM结构 [19] 行业影响 - 3D DRAM可优化功耗表现并突破带宽瓶颈 [21] - 技术适用于AI PC/手机终端/AIoT等新兴场景 [21] - 全球供应链变化为国产DRAM创造替代空间 [21]