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半导体专利
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中芯国际申请半导体结构的形成方法专利,提升产品的良率
搜狐财经· 2025-07-04 12:40
公司专利技术 - 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司和中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请了一项名为"半导体结构的形成方法"的专利,公开号CN120261287A,申请日期为2024年01月 [1] - 专利涉及一种半导体结构的形成方法,包括提供衬底、形成硅层、金属层、热处理和酸洗处理等步骤,旨在提升金属硅化物的生长质量和产品良率 [1] - 该技术通过优化工艺流程,减少对环境指标的依赖,解决了当前金属硅化物工艺对杂质污染敏感的问题 [1] 公司基本信息 - 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司成立于2002年,注册资本100000万美元,主要从事计算机、通信和其他电子设备制造业 [2] - 该公司对外投资1家企业,参与招投标52次,拥有专利信息5000条,行政许可226个 [2] - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司成立于2000年,注册资本244000万美元,同样从事计算机、通信和其他电子设备制造业 [2] - 该公司对外投资4家企业,参与招投标127次,拥有商标信息150条,专利信息5000条,行政许可442个 [2]
中芯国际申请反熔丝结构相关专利,提升反熔丝结构的编程效果和可靠性
搜狐财经· 2025-07-04 11:30
公司专利技术 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请了一项名为"反熔丝结构及其形成方法、反熔丝结构的工作方法"的专利,公开号CN120261440A,申请日期为2024年01月 [1] - 专利技术涉及反熔丝结构,包括第一晶体管结构、第二晶体管结构和电容结构,通过控制第二晶体管结构工作在饱和区,提升反熔丝结构的编程效果和可靠性 [1] - 专利摘要详细描述了反熔丝结构的具体组成和工作原理,包括第一栅极、第一源极、第一漏极、第二栅极、第二源极、第二漏极等关键部件 [1] 公司基本情况 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司成立于2000年,位于上海市,主要从事计算机、通信和其他电子设备制造业 [2] - 公司注册资本为244000万美元 [2] - 公司对外投资了4家企业,参与招投标项目127次 [2] - 公司拥有商标信息150条,专利信息5000条,行政许可442个 [2]
华润润安申请半导体结构的料盒专利,调节相邻限位板高度距离
金融界· 2025-06-28 16:19
专利技术 - 华润润安科技与华润微电子联合申请"半导体结构的料盒"专利,公开号CN120221473A,该专利涉及料盒本体、限位板及调节结构的设计,用于优化半导体材料容纳腔的空间利用率 [1] - 专利技术特点包括:容纳腔设置双向限位板(第一限位板与第二限位板)、凹槽对位设计,以及可调节相邻限位板间距的调节结构 [1] 公司背景 - 华润润安科技成立于2021年,注册资本242089.92万人民币,主营计算机及电子设备制造,参与招投标1555次,拥有30项专利及19项行政许可 [2] - 华润微电子成立于2017年,注册资本141126.4485万美元,主营商务服务,对外投资27家企业,拥有142项专利及3项行政许可 [2] 业务活动 - 华润润安科技在电子设备制造领域活跃度高,招投标参与量达1555次,专利布局涵盖30项技术 [2] - 华润微电子通过27家子公司扩展业务,专利储备显著(142项),但招投标参与较少(46次) [2]
美光拒绝向长江存储提供机密文件!
国芯网· 2025-06-10 18:42
美光与长江存储专利诉讼新进展 - 美国存储芯片大厂美光与中国存储芯片大厂长江存储的专利诉讼出现新转折 法院先前裁决允许长江存储访问美光73页机密3D NAND技术文档 但美光现要求法院撤销该决定 [2] - 美光主张这些文件涉及国家安全问题 不应提供给被列入美国商务部实体清单的中国企业 [3] - 长江存储从美光"150系列Traveler Presentation"中请求了73页打印页面 包含美光最新及即将推出的3D NAND设备信息 [3] 诉讼背景与争议焦点 - 纠纷始于2023年11月 长江存储在美国起诉美光侵犯其8项3D NAND相关美国专利 [3] - 根据双方保护令协议 高度敏感材料访问权限仅限于外部律师和专家 打印副本总数不超过1500页 且不超过30页连续打印 [3] - 美光声明指出 长江存储要求最新一代芯片源代码打印页数是早期一代芯片的10倍 [4] 双方立场与后续发展 - 尽管法院裁定长江存储可获取73页文件 美光仍坚持该决定错误 认为考虑到长江存储与政府联系 该请求存在危险 [4] - 美光希望最高法院推翻该裁决 [4]
中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利,在增加ESD结构的鲁棒性的同时,具有双向ESD保护特性
搜狐财经· 2025-05-24 14:42
公司专利动态 - 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司和中芯国际集成电路制造(上海)有限公司联合申请了一项名为"半导体结构及其形成方法"的专利,公开号为CN120035224A,申请日期为2023年11月 [1] - 专利涉及一种半导体结构,包括衬底、栅极结构、源区、漏区和体区,该设计在增加ESD结构鲁棒性的同时具备双向ESD保护特性 [1] 公司基本信息 - 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司成立于2002年,注册资本10亿美元,主要从事计算机、通信和其他电子设备制造业,对外投资1家企业,参与招投标51次,拥有专利5000条和行政许可226个 [2] - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司成立于2000年,注册资本24.4亿美元,主要从事计算机、通信和其他电子设备制造业,对外投资4家企业,参与招投标127次,拥有专利5000条和行政许可443个 [2] 公司业务活动 - 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司拥有商标信息149条 [2] - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司在财产线索方面有商标信息149条 [2]
中芯国际申请测试装置及测试方法专利,提高对 IGBT 晶圆的测试效率
搜狐财经· 2025-05-14 11:54
专利技术 - 中芯国际旗下天津、北京、上海三家公司联合申请名为"测试装置及测试方法"的专利,公开号CN119959588A,申请日期为2023年11月 [1] - 专利技术涉及IGBT晶圆测试装置,包含卡盘、接地模块和绝缘探针卡,可直接进行晶圆级测试 [1] - 该技术能提高测试效率,减少泄露电流概率,提升测试准确度和IGBT晶圆可靠性 [1] 公司背景 - 中芯国际天津公司成立于2003年,注册资本12.9亿美元,拥有385项专利、287个行政许可,参与104次招投标 [2] - 中芯北方北京公司成立于2013年,注册资本48亿美元,拥有133项专利、450个行政许可,参与45次招投标 [2] - 中芯国际上海公司成立于2000年,注册资本24.4亿美元,拥有5000项专利、443个行政许可,参与127次招投标并对外投资4家企业 [2] 行业动态 - 三家中芯国际子公司均专注于计算机、通信及电子设备制造领域 [2] - 专利技术聚焦半导体制造中的IGBT测试环节,反映公司在功率半导体领域的研发投入 [1]
中芯国际申请存储器及其形成方法专利,便于区分浮栅结构在写入时的状态
搜狐财经· 2025-05-06 09:53
公司专利技术 - 公司申请了一项名为"存储器及其形成方法"的专利,公开号CN119922914A,申请日期为2023年10月 [1] - 专利涉及存储器结构,包括基底、浮栅结构、选择栅结构、第一漏区、第一源区、第二漏区和第二源区等组件 [1] - 技术特点在于多个选择晶体管并联设计,可提高写入时输入至第二漏区的电流值总和,便于区分浮栅结构在写入时的状态 [1] 公司基本信息 - 公司成立于2000年,位于上海市,主要从事计算机、通信和其他电子设备制造业 [2] - 公司注册资本达244000万美元 [2] - 公司对外投资了4家企业,参与招投标项目120次 [2] 公司知识产权 - 公司拥有商标信息149条,专利信息5000条 [2] - 公司拥有行政许可443个 [2]
中芯国际取得治具组件专利,提高晶圆拿取以及放置时的精准度
金融界· 2025-04-29 09:44
文章核心观点 中芯国际旗下天津和上海公司取得“治具组件”专利,该组件可提高晶圆拿取及放置精准度 [1] 公司信息 - 中芯国际集成电路制造(天津)有限公司成立于2003年,位于天津,从事计算机等电子设备制造业,注册资本1.29亿美元,参与招投标104次,有专利信息384条、行政许可287个 [2] - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司成立于2000年,位于上海,从事计算机等电子设备制造业,注册资本2.44亿美元,对外投资4家企业,参与招投标117次,有商标信息148条、专利信息5000条、行政许可443个 [2] 专利信息 - 中芯国际集成电路制造(天津)有限公司、中芯国际集成电路制造(上海)有限公司取得“治具组件”专利,授权公告号CN222801772U,申请日期为2024年6月 [1] - 治具组件包括第一治具和第二治具,可提高晶圆拿取以及放置时的精准度 [1]
中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利,保证肖特基二极管的反向击穿电压
搜狐财经· 2025-04-23 11:54
文章核心观点 中芯国际旗下北京和上海公司申请“半导体结构及其形成方法”专利,该方法有保证肖特基二极管反向击穿电压等优势,还介绍了两家公司的基本信息 [1][2] 专利信息 - 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司、中芯国际集成电路制造(上海)有限公司于2023年10月申请“半导体结构及其形成方法”专利,公开号CN119815896A [1] - 该专利方法包括提供含二极管区的衬底、在第二区表面形成第一栅介质层等步骤,能保证肖特基二极管反向击穿电压,降低半导体结构结电容并为工艺提供更多选择 [1] 公司信息 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 - 成立于2002年,位于北京市,从事计算机、通信和其他电子设备制造业,注册资本100000万美元 [1] - 共对外投资1家企业,参与招投标项目51次,有专利信息5000条,行政许可226个 [1] 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 - 成立于2000年,位于上海市,从事计算机、通信和其他电子设备制造业,注册资本244000万美元 [2] - 共对外投资4家企业,参与招投标项目117次,有商标信息147条,专利信息5000条,行政许可443个 [2]