专利技术突破 - 公司获得"光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质"专利授权 授权公告号CN115993753B 申请日期为2021年10月 [1] - 专利涉及半导体制造关键环节的光学邻近修正技术 涵盖方法、系统、掩膜版及存储介质等多维度创新 [1] 企业资本结构 - 上海公司注册资本达244,000万美元 北京公司注册资本为100,000万美元 [1] - 上海公司对外投资4家企业 北京公司对外投资1家企业 [1] 知识产权储备 - 上海公司累计拥有专利信息5,000条 商标信息150条 行政许可450项 [1] - 北京公司同样持有专利信息5,000条 行政许可225项 [1] 商业活动表现 - 上海公司参与招投标项目127次 显示活跃的市场参与度 [1] - 北京公司参与招投标项目52次 体现业务拓展力度 [1] 行业地位特征 - 两家公司均专注于计算机、通信和其他电子设备制造业 上海公司成立于2000年 北京公司成立于2002年 [1] - 通过对外投资和知识产权布局 强化半导体制造领域的技术壁垒和产业协同效应 [1]

公司专利动态 - 中芯国际上海及北京公司于2025年8月15日共同获得"半导体结构及其形成方法"专利 授权公告号CN113707599B 申请日期为2020年5月 [1] 上海公司经营概况 - 公司成立于2000年 注册资本24.4亿美元 专注于计算机、通信和其他电子设备制造业 [1] - 对外投资4家企业 参与招投标127次 持有商标150条 专利5000条 行政许可452项 [1] 北京公司经营概况 - 公司成立于2002年 注册资本10亿美元 同属计算机、通信和其他电子设备制造业 [1] - 对外投资1家企业 参与招投标52次 持有专利5000条 行政许可226项 [1] 知识产权布局 - 两家公司累计持有专利总数达10000条 体现持续的技术研发投入 [1]

中芯国际新专利技术 - 公司申请名为"半导体结构及其形成方法"的专利，公开号CN120417514A，申请日期为2024年01月 [1] - 专利技术涉及半导体结构，包括第一衬底、隔离沟槽和电容结构，电容结构包含反射电极层和介电层 [1] - 该技术通过将电容结构置于隔离沟槽内，减小了垂直于衬底方向的尺寸，提高了光电传感器的集成度 [1] - 反射电极层实现了相邻感光区之间的光学隔离，增强了传感器性能 [1] 中芯国际公司概况 - 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司成立于2002年，注册资本10亿美元，主要从事计算机、通信和其他电子设备制造业 [2] - 北京公司对外投资1家企业，参与招投标52次，拥有专利5000条，行政许可226个 [2] - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司成立于2000年，注册资本24.4亿美元，同属电子设备制造业 [2] - 上海公司对外投资4家企业，参与招投标127次，拥有专利5000条，商标150条，行政许可451个 [2]

公司专利动态 - 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司和中芯国际集成电路制造(上海)有限公司联合申请了一项名为"半导体结构及其形成方法"的专利，公开号为CN120035224A，申请日期为2023年11月 [1] - 专利涉及一种半导体结构，包括衬底、栅极结构、源区、漏区和体区，该设计在增加ESD结构鲁棒性的同时具备双向ESD保护特性 [1] 公司基本信息 - 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司成立于2002年，注册资本10亿美元，主要从事计算机、通信和其他电子设备制造业，对外投资1家企业，参与招投标51次，拥有专利5000条和行政许可226个 [2] - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司成立于2000年，注册资本24.4亿美元，主要从事计算机、通信和其他电子设备制造业，对外投资4家企业，参与招投标127次，拥有专利5000条和行政许可443个 [2] 公司业务活动 - 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司拥有商标信息149条 [2] - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司在财产线索方面有商标信息149条 [2]