LG Display OLED产能扩张计划 - 公司已开始为其韩国坡州市AP4工厂的6代OLED面板产线订购新设备，目标是在2024年下半年将月产能从当前的4.5万片提升至6万片 [1] - 此次设备采购旨在新增1.5万片月产能，是继2023年底将月产能从3万片提升至4.5万片后，时隔两年再次启动的OLED生产线投资 [1] - 为支持此次产能扩张，公司已于2024年6月获得董事会批准，投资规模达1.26万亿韩元 [2] 设备供应商及合作领域 - DMS公司已获得OLED湿法工艺设备订单，包括清洗、剥离和显影设备 [2] - ICD公司将提供用于去除OLED基板多余部分的干法刻蚀设备 [2] - Toprun AP Solution公司获得了显示检测和补偿设备的订单 [2][3] - Juseong Engineering公司预计将在封装设备领域展开合作，该设备用于保护OLED基板免受潮气影响 [3] - Avaco公司在OLED基板的运输、分拣和存储等工艺自动化设备领域表现突出 [3] - Narae Nanotech公司预计将获得用于在基板上涂覆光刻胶的光刻胶涂覆设备订单 [3] 投资背景与行业驱动 - 行业投资呈现重启态势，主要驱动因素是公司向美国苹果公司供应的OLED产品数量增加 [2] - 随着公司为扩建后的工厂引进新设备，其设备供应商对通过供应合同提升业绩充满期待 [2]

项目设备采购进展 - 多家日韩设备企业中标合肥国显8.6代OLED产线设备采购项目，包括韩国Advanced Process Systems供应激光剥离机（LLO）、韩国SYNUS Tech供应阵列及蒸镀港湾式存储搬送装置、日本小坂研究所供应台阶仪、日本Tokyo Electron与韩国INNOVATION供应干法刻蚀机、韩国ULVAC供应磁控溅射机 [1] - 维信诺同时推进熔炉、聚酰亚胺（PI）固化设备、低温平板烘箱的招标工作，韩国企业Viatron、Hanwha Momentum、Wonik IPS等参与竞标，三种设备的供应或将被两家韩国企业包揽 [1] - LLO设备和PI固化设备是柔性OLED制造的核心设备，LLO设备用于将玻璃基板上形成的PI基板与有机发光层从玻璃上剥离，PI固化设备则通过固化液态PI清漆制作柔性基板 [1] 项目基本情况 - 合肥国显8.6代AMOLED生产线项目由维信诺与合肥市投资平台出资建设，是全球首条搭载无FMM技术（ViP）的高世代AMOLED生产线，总投资550亿元，设计产能为每月3.2万片玻璃基板 [2] - 该项目生产厂区已于今年10月17日全面封顶，产线计划在2027年第一季度实现放量 [2] 产品与技术应用 - 因柔性OLED主要应用于智能手机等移动设备面板，市场推测维信诺在建的8.6代产线不仅将量产IT用OLED面板，还将量产手机OLED面板 [1]

文章核心观点 尹志尧从硅谷回国创办中微公司，带领公司在半导体刻蚀设备领域突破国际巨头技术封锁与专利诉讼，实现国产替代，推动中国半导体设备跻身全球第一梯队，其经历和中微公司的发展印证自主创新和全球化视野的成功范式，为中国科技企业突破“卡脖子”困境提供典范 [2][15] 分组1：铸剑二十年——硅谷熔炉中的技术觉醒与突围 - 1984年尹志尧加入英特尔，解决刻蚀机等离子体分布不均问题，将刻蚀均匀性从±15%提升至±5%，改进被写入英特尔技术白皮书 [5] - 1986年尹志尧跳槽至泛林半导体，重启“多频射频耦合”研发方向，提出“Rainbow”计划，采用双频射频技术和多区气体喷淋系统，解决腔体热膨胀问题，使热稳定性提升300% [7] - 1988年“Rainbow 4500”刻蚀机量产，良率比竞品高12%，晶圆吞吐量快20%，成本降低30%，助泛林市占率飙升至60%，反超应用材料，尹志尧获泛林“终身技术成就奖” [7] - “彩虹计划”项目组15名核心成员中，华人占比超60%，打破硅谷半导体设备领域白人主导隐性壁垒 [8] 分组2：从技术专家到战略家的蜕变 - 1991年尹志尧加入应用材料，率团队走访客户，发现痛点后砍掉三条落后产品线，将60%研发预算投向客户定制化开发，推动业务向“工艺 - 设备 - 材料”三位一体转型 [10][11] - 尹志尧团队开发脉冲等离子体调制技术，助三星将DRAM良率提升至92%，拿下韩国70%刻蚀设备订单；开发“真空传输模块（VTM）”，被台积电副总裁称为“Fab效率革命” [11] - 尹志尧将全球化重心转向韩国与中国大陆，在韩国设立“战情室”，金融危机时逆势扩大投资；推动应用材料与中芯国际签署战略协议，免费开放刻蚀工艺数据库 [12] - 至2004年尹志尧离职时，应用材料刻蚀设备占据全球42%市场份额，亚洲市场营收占比从1991年的18%跃升至65%，催生韩国半导体设备产业集群崛起 [12] 分组3：中微公司突破封锁与发展 - 2004年尹志尧回国创办中微公司，2005年中微推出首台国产干法刻蚀机，引发美国商务部技术封锁 [15] - 干法刻蚀机技术门槛高，全球市场长期被美日企业垄断，市占率超90%，中微突破使中国在刻蚀精度等核心指标达全球第一梯队 [16] - 2007年美国应用材料以“窃取商业机密”为由起诉中微，中微预先布局“去美国化”供应链，覆盖90%零部件，2015年美国商务部解除对中微的“瓦森纳协议”限制 [17] - 2017年中微交付首台5纳米刻蚀机，推动国内企业制程工艺跃进两代，助力中国存储芯片自给率从2016年的5%跃升至2023年的20% [18] - 中微自主研发的CCP与ICP双技术路线，构建全制程设备矩阵，打破“三巨头”市场垄断格局，催化中国半导体产业链垂直整合 [18] 分组4：结语 - 尹志尧断言体现对客观规律深刻认知与对主观信念执着坚守，中微突围在西方技术座架之外开辟新解蔽路径 [20] - 中国用“微米级的改进，纳米级的执着”构建创新叙事，量子效应主导芯片设计时，相关较量刚揭开新篇章 [21]