业绩表现 - 2025年第二季度营业收入约27.87亿元，同比增长约51.26% [1] - 2025年半年度营业收入约49.61亿元，同比增长约43.88% [1] - 2025年半年度归母净利润6.8亿元到7.3亿元，同比增加31.61%到41.28% [1] - 2024年实现营业收入约90.65亿元，同比增长约44.73% [3] - 2024年扣除非经常性损益的净利润约13.88亿元，同比增长约16.52% [3] - 2025年一季度营业收入21.73亿元，同比增长35.4% [3] - 2025年一季度归母净利润3.13亿元，同比增长25.67% [3] 收入结构 - 2025年上半年刻蚀设备收入增长约40.12%，达37.81亿元 [1] - 2025年上半年LPCVD薄膜设备收入增长约608.19%，达1.99亿元 [1] - 高端刻蚀产品新增付运量显著提升，在先进逻辑和存储器件中实现大规模量产 [1] 研发投入 - 2025年上半年研发投入约14.92亿元，同比增加5.21亿元(增长约53.70%) [2] - 研发投入占营收比例约30.07%，远高于科创板上市公司平均水平(10%—15%) [2] - 在研项目涵盖六类设备，超二十款新设备开发 [2] - 新产品开发周期从3-5年缩短至2年或更短 [2] 业务布局 - 为全球集成电路和LED芯片制造商提供加工设备和工艺技术解决方案 [3] - 等离子体刻蚀设备应用于65纳米到5纳米及更先进工艺 [3] - 正在布局光学和电子束量检测设备 [3] - 开发多种泛半导体微观加工设备 [3] 投资收益 - 2025年上半年公允价值变动收益和投资收益合计约1.72亿元，较2024年上半年亏损的0.08亿元增加约1.80亿元 [2]

半导体产业链发展 - 半导体产业链从设计到制造、设备到零部件缺一不可，技术进步使1TB储存芯片从60年前需800万栋5层大楼容纳到如今微型化[1] - 器件结构从2D到3D转换推动等离子体刻蚀和薄膜制程成为核心步骤，市场需求大幅增加[1] 中微公司产品与技术 - 主营产品等离子体刻蚀设备和薄膜设备是光刻设备外核心微观加工设备，制程复杂度与工艺开发难度业内领先[2] - 刻蚀设备通过"二重模板"和"四重模板"工艺技术加工先进微观结构，市场需求提升带动公司高速成长[2] - 量检测设备市场占半导体前道设备总市场13%，公司通过设立超微公司布局电子束量检测设备[2] - 刻蚀设备已覆盖国内绝大多数应用，薄膜设备覆盖度持续扩大，量检测设备全面布局[2] - 首创甚高频去耦合反应离子刻蚀技术(D-RIE)引领国际巨头跟随，奠定领先地位[3] - 独创"双反应台"设计，刻蚀速度精准至0.1-0.2纳米水平，设备应用于5纳米及更先进产线[3] 技术创新与差异化战略 - 坚持不抄袭国际标配设备，综合竞品优点开发更优产品，刻蚀设备近五年营收年均增速超50%[4] - 实施三维发展、有机生长和外延扩展战略，贯彻"五个十大"确保高质量发展[4] 知识产权与市场认可 - 国外主流厂商多次发起专利诉讼，公司在四次重大诉讼中两胜两和解[5] - 截至2025年3月，累计申请专利2941项(发明专利占比83%)，构建完整专利覆盖体系[5] - 2025年TechInsights评选中获六大奖项，WFE基础芯片制造商和薄膜沉积设备榜单位列第一[6] 市场目标 - 当前产品覆盖30%集成电路前道设备，计划5-10年内覆盖60%以上高端设备市场[6] - 2035年目标成为全球第一梯队半导体设备平台型公司[6]

战略布局 - 公司践行三维发展战略：深耕集成电路关键设备、扩展泛半导体设备应用、探索新兴领域机会[5] - 等离子体刻蚀设备已应用于65纳米至5纳米及更先进工艺，打入国内外一线客户生产线[5] - 泛半导体领域MOCVD设备在氮化镓基LED、Mini/Micro-LED及碳化硅/氮化镓功率器件市场占据重要地位[5] - 前瞻布局光学和电子束量检测设备等新兴领域[5] - 上市后累计投资20多亿元于40家产业链企业，获得超50亿元浮盈，8家参股公司已登陆A股[5] - 未来五到十年计划覆盖60%以上半导体高端设备，成为平台式集团公司[4] 研发进展 - 研发周期从3-5年缩短至18个月，量产周期缩短至半年到一年[6] - 2024年研发投入24.52亿元（同比+94.31%），占营收27%[6] - 2025年一季度研发投入6.87亿元（同比+90.53%）[6] - 超20款新设备在研，涵盖高能/低能等离子体刻蚀、晶圆边缘刻蚀、PECVD/LPCVD/ALD薄膜设备等[6] - 研发团队规模超千人，覆盖全面技术领域[6] 业务表现 - 刻蚀设备2024年收入72.77亿元（同比+54.72%），近四年年均增长超50%[7] - CCP高能等离子体和ICP低能等离子体刻蚀设备覆盖大多数应用场景[7] - 薄膜设备2024年销售额1.56亿元，LPCVD首台销售且累计出货150个反应台[7] - ALD等薄膜设备获重要客户重复订单，预计三到五年内收入快速增长[7][3] 行业机遇 - 国内半导体设备国产化提速，国产设备在性价比、售后服务等方面显现优势[9] - 全球半导体产能中心向中国内地转移，市场需求驱动行业发展[9] - 电子束检测设备为国内技术短板，公司计划攻克该领域[8] - 目标2035年成为全球第一梯队半导体设备公司，对标国际竞争对手[9]

公司业绩与财务表现 - 2024年实现营收90.65亿元，同比增长44.7%，扣非净利润13.88亿元，同比增长16.5% [2] - 2025年一季度营收21.73亿元，同比上升35.4%，归母净利润3.13亿元，同比上升25.67% [2] - 最近14年营业收入年均增长高于35%，最近几年年均增速超过40% [2] - 2024年研发费用24.5亿元，占销售额27%，2025年一季度研发投入占比增至31.6% [2][3] - 2025年一季度末净资产201.4亿元，在手现金84.7亿元，银行借款余额7.5亿元 [3] 市场地位与战略布局 - 已覆盖约30%集成电路高端设备市场，目标未来五到十年覆盖近60% [1][4] - 等离子体刻蚀设备2024年贡献营收超72亿元，同比增长54.7%，市场份额近20% [4] - 薄膜设备市场份额约5%，光学检测设备市场占比约5% [4] - 实施三维立体发展战略：集成电路设备、泛半导体设备、外延扩展培育产业链 [4][5] - 已投资40家公司，投资额超20亿元，8家已上市，投资浮盈近59亿元 [5] 研发能力与技术创新 - 研发团队近400人，新产品开发周期从3-5年缩短至18个月 [3] - 累计装机数年均增速高于37%，最近五年增长更快 [2] - 已完成开发9种薄膜设备，2024年计划再开发7种，6种已进入市场 [4] - 泛半导体设备领域开发多种MOCVD设备，市场销售形势良好 [5] 行业趋势与国际化 - 2024年中国大陆集成电路前道设备市场规模495亿美元，占全球42% [2] - 行业未来主流趋势是整合，预计最终形成3家左右龙头企业 [6] - 海外市场已有布局，如美国有几十个反应器进行5纳米生产 [6] - 未来五到十年国产设备有望打开国际市场，可能做出超越美国企业的设备 [7]

公司战略与业务布局 - 公司坚持三维发展战略：深耕集成电路关键设备领域、扩展泛半导体关键设备应用、探索新兴领域机会[1] - 上市以来累计投资20多亿元布局40家产业链企业，实现浮盈50多亿元，其中8家参股公司已完成A股上市[1] - 研发团队规模超千人，新产品开发周期从3-5年缩短至18-24个月，量产周期缩短至6-12个月[1] - 2024年研发投入24.52亿元（同比+94.31%），占营收27%，当前有超20款新设备在研[1] 产品与技术进展 - 重点开发新一代高能CCP/ICP刻蚀设备、晶圆边缘刻蚀设备、PECVD/LPCVD/ALD薄膜设备（LPCVD累计出货150台）、外延EPI及电子束检测设备[2] - 先进封装领域布局从CCP刻蚀/TSV深硅刻蚀扩展至PVD/CVD/量检测设备[2] - 泛半导体领域持续布局Mini/Micro-LED及碳化硅/氮化镓功率器件的MOCVD设备[2] - 刻蚀设备已覆盖65nm至5nm及更先进工艺，应用于国内外一线客户[2] 财务表现 - 2024年营收90.65亿元（同比+44.73%），近四年年均增速超40%，扣非净利润13.88亿元（同比+16.52%）[3] - 2025年Q1营收21.73亿元（同比+35.4%），归母净利润3.13亿元（同比+25.67%）[3] 行业竞争与前景 - 竞争策略聚焦差异化高端设备，重点突破电子束检测设备短板，子公司已引入国际顶尖专家团队[4] - 半导体设备国产化加速，国内企业凭借性价比、服务及贴近客户优势逐步替代海外厂商[4] - 全球产能向中国转移推动设备需求，国内成熟半导体设备公司约30家（其中10余家上市）[4][5] - 目标2035年成为全球第一梯队半导体设备公司，对标国际竞争对手[5]

公司概况 - 公司主要从事高端半导体设备及泛半导体设备的研发、生产和销售，产品包括刻蚀设备、MOCVD设备、薄膜沉积设备等，应用于集成电路制造、先进封装、LED外延片生产等领域[3] - 2024年营业收入达90.65亿元，同比增长44.73%[25] - 公司总股本622,363,735股，拟每10股派发现金红利3元（含税），合计派发186,080,238.60元[7] 主要业务与技术 - 等离子体刻蚀设备已应用于5纳米及以下集成电路生产线，CCP刻蚀设备在全球先进生产线实现批量销售[13] - MOCVD设备在氮化镓基LED市场占有率领先，并布局Micro-LED和功率器件领域[14] - 新开发的LPCVD薄膜设备累计出货突破150个反应台，2024年获4.76亿元批量订单[14] - 通过子公司布局量检测设备领域，引入国际顶尖专家团队[15] 行业发展趋势 - 刻蚀设备占晶圆制造设备价值量约22%，薄膜沉积设备占23%[9] - 3D NAND闪存向200层以上发展，对刻蚀技术提出更高深宽比要求[19] - 氮化镓功率器件市场规模预计从2023年2.6亿美元增长至2029年20.1亿美元，CAGR达41%[11] - 碳化硅功率器件市场规模预计2029年达104亿美元，CAGR超25%[12] 研发与生产模式 - 研发采取矩阵管理模式，不同产品团队独立运作机械设计和工艺开发，共享电气工程等支持资源[5] - 生产以订单式为主，结合少量库存式生产，实现定制化需求和快速响应[6] - 采购执行严格供应商审核制度，与全球供应商建立长期合作关系[5] 市场地位 - 在刻蚀设备领域，公司产品应用于全球最先进的5纳米生产线，CCP和ICP设备市占率大幅提升[13] - MOCVD设备自2017年起成为氮化镓基LED市场份额最大的供应商[14] - 子公司超微公司引入国际顶尖电子束检测设备专家团队，布局量检测设备[15] 财务与资本运作 - 2024年使用不超过550,000万元闲置募集资金进行现金管理[118] - 2021年向特定对象发行股票募集资金净额81.18亿元[115] - 作废处理2022年和2024年限制性股票激励计划部分股票共计106.7578万股[89]

文章核心观点 尹志尧从硅谷回国创办中微公司，带领公司在半导体刻蚀设备领域突破国际巨头技术封锁与专利诉讼，实现国产替代，推动中国半导体设备跻身全球第一梯队，其经历和中微公司的发展印证自主创新和全球化视野的成功范式，为中国科技企业突破“卡脖子”困境提供典范 [2][15] 分组1：铸剑二十年——硅谷熔炉中的技术觉醒与突围 - 1984年尹志尧加入英特尔，解决刻蚀机等离子体分布不均问题，将刻蚀均匀性从±15%提升至±5%，改进被写入英特尔技术白皮书 [5] - 1986年尹志尧跳槽至泛林半导体，重启“多频射频耦合”研发方向，提出“Rainbow”计划，采用双频射频技术和多区气体喷淋系统，解决腔体热膨胀问题，使热稳定性提升300% [7] - 1988年“Rainbow 4500”刻蚀机量产，良率比竞品高12%，晶圆吞吐量快20%，成本降低30%，助泛林市占率飙升至60%，反超应用材料，尹志尧获泛林“终身技术成就奖” [7] - “彩虹计划”项目组15名核心成员中，华人占比超60%，打破硅谷半导体设备领域白人主导隐性壁垒 [8] 分组2：从技术专家到战略家的蜕变 - 1991年尹志尧加入应用材料，率团队走访客户，发现痛点后砍掉三条落后产品线，将60%研发预算投向客户定制化开发，推动业务向“工艺 - 设备 - 材料”三位一体转型 [10][11] - 尹志尧团队开发脉冲等离子体调制技术，助三星将DRAM良率提升至92%，拿下韩国70%刻蚀设备订单；开发“真空传输模块（VTM）”，被台积电副总裁称为“Fab效率革命” [11] - 尹志尧将全球化重心转向韩国与中国大陆，在韩国设立“战情室”，金融危机时逆势扩大投资；推动应用材料与中芯国际签署战略协议，免费开放刻蚀工艺数据库 [12] - 至2004年尹志尧离职时，应用材料刻蚀设备占据全球42%市场份额，亚洲市场营收占比从1991年的18%跃升至65%，催生韩国半导体设备产业集群崛起 [12] 分组3：中微公司突破封锁与发展 - 2004年尹志尧回国创办中微公司，2005年中微推出首台国产干法刻蚀机，引发美国商务部技术封锁 [15] - 干法刻蚀机技术门槛高，全球市场长期被美日企业垄断，市占率超90%，中微突破使中国在刻蚀精度等核心指标达全球第一梯队 [16] - 2007年美国应用材料以“窃取商业机密”为由起诉中微，中微预先布局“去美国化”供应链，覆盖90%零部件，2015年美国商务部解除对中微的“瓦森纳协议”限制 [17] - 2017年中微交付首台5纳米刻蚀机，推动国内企业制程工艺跃进两代，助力中国存储芯片自给率从2016年的5%跃升至2023年的20% [18] - 中微自主研发的CCP与ICP双技术路线，构建全制程设备矩阵，打破“三巨头”市场垄断格局，催化中国半导体产业链垂直整合 [18] 分组4：结语 - 尹志尧断言体现对客观规律深刻认知与对主观信念执着坚守，中微突围在西方技术座架之外开辟新解蔽路径 [20] - 中国用“微米级的改进，纳米级的执着”构建创新叙事，量子效应主导芯片设计时，相关较量刚揭开新篇章 [21]