台积电2纳米技术泄露事件 - 台积电发现2纳米先进制程芯片制造技术存在商业机密泄露 已解雇多名涉案员工 其中3人因拍摄资料流向东京电子被直接开除 另6人因提供资料被调离原单位 [4] - 涉案人员包括2纳米试产人员和研发中心人员 共9人涉案 案件目前处于司法审查阶段 [4] - 台积电表示对破坏商业机密行为采取零容忍政策 凭借严密监控机制在早期发现问题并迅速展开调查 [5] 2纳米芯片技术竞争格局 - 目前全球仅台积电 三星 英特尔和Rapidus仍在积极开发2纳米芯片技术 其他厂商已陆续退出该领域竞争 [4] - 2纳米工艺将于2023年下半年进入量产阶段 将应用于智能手机和人工智能加速器等设备 [4] - 芯片制造领域投资达历史最高水平 台积电和三星每年资本支出超过300亿美元 [4] 东京电子市场地位 - 东京电子是世界第四大半导体设备制造商 2023年营收排在阿斯麦(2171.78亿元)和应用材料(1930.79亿元)之后 [5] - 在涂布显影 气体化学蚀刻等四类设备上全球市占第一 在清洗 等离子蚀刻等四类设备上市占第二 [5] - 在高导向性电浆蚀刻设备和探针台等先进封装关键设备上具有垄断或领先地位 [5] 行业技术发展趋势 - 人工智能时代竞争使得先进芯片和存储器成为宝贵资源 科技巨头竞相开发最先进技术 [4] - Rapidus作为东京电子股东已启动2纳米制程芯片试产 加入尖端技术竞争 [4]

储能行业人事风波 - 海辰储能正值港股IPO关键时期，美国第三大储能集成商Powin突然申请破产，直接冲击其海外战略布局，2024年海外营收37亿元中美国市场占比高达60.5%，Powin作为最大合作方贡献销售额22.39亿元 [3] - 宁德时代在福建省宁德市中级人民法院起诉海辰储能，要求停止侵权并赔偿1.5亿元损失，案件焦点直指海辰储能587Ah电芯与宁德时代专利产品参数高度重叠 [3] - 海辰储能总裁办主任冯登科因涉嫌侵犯商业秘密被批捕，冯登科曾在宁德时代担任设备工程师，负责海辰储能工厂建设和技术落地 [3] - 海辰储能创始人吴祖钰曾为宁德时代技术骨干，2019年离职后10个月便创立海辰储能，公司四大执行董事中三人来自宁德时代，被业内称为"小宁德时代" [3] 半导体设备行业战略调整 - 东京电子宣布2025至2029财年投资1.5万亿日元，新招募一万名员工，投资额是上个五年周期的1.8倍，目标成为全球最大半导体设备制造商 [4] - 东京电子在涂布显影、气体化学蚀刻、扩散炉和批量沉积设备领域排名全球第一，清洗、等离子蚀刻等设备位居第二，生成式AI相关设备营收占公司总销售额三成 [4] - 东京电子通过扩大向中国销售"不太先进制程"半导体设备，中国市场营收占比从去年同期的24%提升至今年第三季度的43% [4] - 东京电子计划在印度建立芯片工程师团队，预计2026年左右招聘和培训当地工程师，为Tata Electronics提供技术服务支持 [4]