兆易创新业务表现与展望 - 2024年二季度NOR Flash实现高个位数增长 利基型DRAM增长超50% MCU增长接近20% 传感器芯片增长约10% [1] - 预计第三季度环比增长 全年需求上涨 利基型DRAM供应偏紧缺将持续至全年 下半年该业务营收显著增长且合约价格继续上涨 [1] - 公司毛利率整体平稳 Flash未来温和涨价 DRAM毛利率提升 整体毛利率保持稳定 [1] - NOR Flash需求端因电子产品代码量上升而增长 供应端受晶圆制造产能紧张影响 供给短缺将持续较长时间 [1] - MCU增长重点在工业控制、光储充、白电等高门槛国产化替代方向 新产品收入贡献持续提升 [1] - DDR4 8Gb产品全年收入贡献有望达DRAM总收入三分之一 LPDDR4小容量产品全年收入占比可能提升至两位数 [1] - 45nm NOR Flash产能持续爬坡 预计年底收入贡献达15% 2026年补齐产品线后芯片面积缩减20%且成本优势显著 [1] 兆易创新技术布局与竞争优势 - 定制化存储技术在产品性能方面具备优势 预计更多行业和客户将选择该方案 公司拥有先发优势和技术迭代能力 [1] - 研发投入规模较大 市场空间弹性显著 目标实现与标准接口利基存储可比的营收规模 [1] - 凭借先发优势及与战略供应商的良好关系 确保产能和制程优势 [1] - 利基市场稳定 头部厂商减产带来增长机会 公司规划LPDDR5产品线并预计两年内推出 [1] - 看好汽车MCU市场 推出多核产品 AI MCU应用于AI场景及算法搭载 内部集成NPU [1] 艾森股份产品与技术进展 - 28nm制程镀铜添加剂已实现量产 5-14nm制程产品测试进展顺利 [2] - 负性光刻胶在玻璃基封装领域获得量产订单 OLED阵列用光刻胶通过验证 [2] - Tenting快速填孔镀铜产品成功导入HDI和SLP供应链 [2] - TSV电镀添加剂实现快速且无空洞的铜填充 满足TSV工艺对高精度电镀的需求 [2] - 公司自研光刻胶树脂涵盖多种类型 形成完整研发体系 [2] 艾森股份市场机遇与布局 - IC载板市场规模预计到2030年达310亿美元 [2] - 电镀铜产品逐步推向HDI、SLP及IC载板应用领域 国产化率持续提升 [2]

江苏省新材料认定结果 - 江苏省2025年首批次新材料认定共评选出33项新材料产品 [1] - 苏州市有7个产品入选 数量位列全省第一 [1] - 认定产品广泛应用于半导体 高端装备 新能源等领域 [1] 首批次新材料定义与意义 - 首批次新材料指在行业内实现原始创新或显著技术突破 拥有自主知识产权 进入市场初期尚未形成规模化应用的新材料产品 [1] - 开展认定可破解新材料产业"无材可用 有材不好用 好材不敢用"的发展瓶颈 [1] - 加速创新产品从生产线走向市场应用 [1] 企业产品案例 - 昆山艾森股份生产的负性光刻胶入选认定产品 [1] - 产品直接瞄准芯片制造关键环节 [1] - 企业研发的铜凸块用高性能厚膜负性光刻胶突破了此前产品均一性差 形貌不良 耐受性差等技术难题 [1]

有机液体光刻胶行业概述 - 行业产品类型分为正性光刻胶和负性光刻胶，2021-2031年市场规模增长趋势显著[1] - 主要应用领域包括半导体、液晶显示器、印刷电路板及其他，其中半导体领域占比最高[1] - 行业发展特点包括技术密集度高、下游需求驱动明显，进入壁垒涉及技术专利和原材料供应[4] 全球供需现状与预测 - 2021-2031年全球产能、产量及需求量均呈上升趋势，产能利用率保持稳定[4] - 中国产能和产量占全球比重逐年提升，2031年预计占比超30%[4] - 全球市场收入规模2021年为百万美元级，2031年预计达十亿美元级，年复合增长率超15%[4][11] 区域市场分析 - 亚太地区为最大产销市场，占全球销量份额超50%，中国为核心增长引擎[5][16] - 北美和欧洲市场增速平稳，2025年收入规模分别达百万美元和百万美元[5][16] - 拉美及中东非洲市场基数较小但增速较快，2031年销量预计翻倍[5][17] 竞争格局 - 全球头部厂商包括杜邦、Fujifilm、东京应化、默克等，Top 5厂商市占率超60%[9][12] - 中国厂商如永光化学、长春集团加速布局，2025年本土品牌收入占比预计达20%[9][14] - 产品价格区间为美元/吨至美元/吨，高端光刻胶溢价显著[11][12] 技术与供应链 - 行业技术趋势指向更高分辨率和更低缺陷率，EUV光刻胶为研发重点[7][12] - 供应链上游依赖丙烯酸酯等特种化学品，下游客户集中为晶圆厂和面板制造商[8][12] - 主流销售模式为直销+代理商，头部厂商均建立全球化生产基地[8][9] 中国市场动态 - 2025年中国产量预计突破吨，进出口贸易以高端产品进口为主[10][15] - 消费区域集中在长三角、珠三角等电子产业聚集地，本土化替代进程加速[11][15] - 政策支持包括"十五五"新材料专项规划，推动产业链自主可控[7][15]

光刻胶分类与特性 - 光刻胶按化学反应原理分为正性光刻胶和负性光刻胶 [3] - 正性光刻胶受光照射后发生分解反应，可溶于显影液，具有分辨率高、对比度好的优点，但粘附性差、抗刻蚀能力差且成本高 [3] - 负性光刻胶曝光后形成交联网格结构，在显影液中不可溶，具有良好粘附能力和抗刻蚀能力，感光速度快，但显影时易发生变形影响分辨率 [3] - 按显示效果分类，正性光刻胶形成的图形与掩膜版相同，负性光刻胶形成的图形与光罩相反 [7] - 正胶曝光后溶解度是未曝光时的10倍，在IC制造中应用更普遍 [8] 光刻胶成分与反应机理 - 正胶主要成分包括树脂、光引发剂等 [11] - 树脂成分为酚醛树脂，由对甲酚与甲醛缩合而成 [12] - 光引发反应中重氮萘醌(DQ)在光照下分解生成茚羧酸(ICA) [21] - DQ与树脂反应后改变溶解性，曝光区域在碱性显影液中溶解度提高 [24] - 负胶按感光性树脂化学结构分为聚肉桂酸酯类和聚烃类-双叠氮类 [40] - 聚肉桂酸酯类通过侧链肉桂酰基团二聚反应交联 [43] - 聚烃类-双叠氮类需交联剂参与形成三维不溶结构 [48] 光刻胶工艺流程 - 光刻胶工艺步骤包括基底清洗、表面处理、旋涂、对准曝光、显影等 [54] - 预处理阶段使用HMDS作为粘附促进剂，需正确使用蒸汽沉积方法 [66][67] - 旋涂工艺中转速与膜厚关系密切，4000rpm是薄胶常用参考点 [77] - 前烘温度和时间对正胶和负胶的显影效果有显著影响 [88][90] - 显影液选择需考虑与光刻胶兼容性、金属离子含量等因素 [102][105] 半导体光刻胶市场格局 - 光刻胶占晶圆制造成本约12% [161] - 全球市场被JSR、东京应化、杜邦等海外企业垄断 [164] - 国内企业如彤程新材、晶瑞电材等在g/i线和KrF胶有所突破，但高端ArF和EUV胶仍依赖进口 [165] - 发展痛点包括光刻机限售、原材料垄断和上下游强绑定等 [171][174][176]