香港聯合交易所有限公司與證券及期貨事務監察委員會對本聆訊後資料集的內容概不負責，對其準確性或 完整性亦不作任何陳述，並明確表示對因本聆訊後資料集的全部或任何部分內容而引致或因依賴本聆訊後 資料集的全部或任何部分內容而引致的任何損失不負任何責任。 GigaDevice Semiconductor Inc. 兆易創新科技集團股份有限公司 （於中華人民共和國註冊成立的股份有限公司） 的聆訊後資料集 警告 本聆訊後資料集乃根據香港聯合交易所有限公司（「聯交所」）與證券及期貨事務監察委員會（「證監會」）的 要求而刊發，僅用作提供資訊予香港公眾人士。 本聆訊後資料集為草擬本，其所載資料並不完整，亦可能會作出重大變動。 閣下閱覽本文件，即代 表 閣下知悉、接納並向本公司、其聯席保薦人、整體協調人、顧問或包銷團成員表示同意： 本公司招股章程根據香港法例第32章公司（清盤及雜項條文）條例呈交香港公司註冊處處長註冊前，本公 司不會向香港公眾人士提出要約或邀請。倘於適當時候向香港公眾人士提出要約或邀請，有意投資者務請 僅依據呈交香港公司註冊處處長註冊的本公司招股章程作出投資決定；招股章程的文本將於發售期內向公 眾派發。 (a) 本 ...

近日，兆易创新科技集团股份有限公司（下称："兆易创新"）通过港交所聆讯。中金公司、华泰国际为其联席保荐人。这也意味着，兆易创新即将成为一 家"A+H"公司。 招股书显示，兆易创新是一家多元芯片设计公司，为客户提供包括Flash、利基型DRAM、MCU、模拟芯片及传感器芯片等多样化芯片产品，以及包括相 应算法、软件在内的一整套系统及解决方案。 截至今日（12月18日）收盘，兆易创新A股股价为214.45元/股，总市值为1432亿元。 前三季度营收68.32亿元 该公司通过港股聆讯后发布的招股书（下称："招股书港股聆讯后版本"）显示，其2022年度至2024年度及2025年上半年的营收分别为81.3亿 元、57.61亿元、73.56亿元、41.5亿元；毛利分别为37亿元、17.46亿元、26.23亿元、15.33亿元；上述同期的营业利润分别为22.74亿元、1.36亿 元、11.5亿元、6.2亿元。 | | | | 截至12月31日止年度 | | | | | 截至6月30日止六個月 | | | | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- ...

公司资本运作与上市进展 - 兆易创新赴港IPO获中国证监会备案，拟发行不超过51,796,900股境外上市普通股并在香港联合交易所上市 [1] - 中国证监会已向公司出具《境外发行上市备案通知书》，文号为国合网〔2025〕2206号 [3] 公司业务与商业模式 - 公司是一家多元芯片设计公司，采用无晶圆业务模式，聚焦于集成电路的设计和研发 [5] - 公司产品线包括Flash、利基型DRAM、MCU、模拟芯片及传感器芯片等多样化芯片产品，并提供包括算法、软件在内的整套系统解决方案 [5] 历史财务表现 (2022-2024) - 2022年至2024年，公司收入分别为81.30亿元、57.61亿元、73.56亿元，呈现波动 [5] - 同期，公司权益股东应占年度利润分别为20.53亿元、1.61亿元、11.03亿元，2023年利润大幅下滑后于2024年显著回升 [5] - 2022年至2024年，公司毛利率分别为45.5%、30.3%、35.7%，2023年毛利率承压后有所恢复 [6] - 同期，研发开支占收入比例分别为11.5%、17.2%、15.3%，研发投入强度较高 [6] - 2023年公司计提商誉减值损失3.73亿元，对当年利润造成显著影响 [6] 近期经营业绩 (2025年前三季度) - 2025年前三季度，公司实现营业收入68.32亿元，同比增长20.92% [7] - 同期，归属于上市公司股东的净利润为10.83亿元，同比增长30.18% [7] - 2025年前三季度，扣除非经常性损益的净利润为10.42亿元，经营活动产生的现金流量净额为17.96亿元 [8] - 2025年第三季度单季，营业收入同比增长31.40%，归属于上市公司股东的净利润同比增长61.13% [8] 股东结构变动 - 截至2025年三季度末，报告期末普通股股东总数为157,465户 [9] - 公司创始人朱一明为第一大股东，持股6.86% [9] - 私募投资人葛卫东在2025年第三季度减持约169.53万股，期末持股比例降至2.55% [8][9]

公司上市备案与基本信息 - 中国证监会国际合作司于2025年12月9日发布关于兆易创新科技集团股份有限公司境外发行上市备案通知书（国合函[2025]2206号）[2] - 根据备案，公司可发行不超过5179.69万股境外上市普通股，并在香港联合交易所上市流通[2] - 公司已于2025年6月19日向港交所递交招股书，联席保荐人为中金公司与华泰国际[2] 公司业务与市场地位 - 兆易创新成立于2005年，是一家全球领先的多元芯片设计公司[2] - 公司产品线包括Flash、利基型DRAM、MCU、模拟芯片及传感器芯片，并提供完整的系统、解决方案、算法及软件[2] - 产品已实现消费电子、工业应用、通讯、汽车电子等领域的全品类覆盖[2] - 根据弗若斯特沙利文资料，按2024年收入计，公司在多个领域为市场领导者，并且是唯一一家在NOR Flash、SLC NAND Flash、利基型DRAM及MCU方面均位列全球前十的集成电路设计公司[2] 公司历史与股权结构 - 兆易创新（603986.SH）于2016年8月18日在A股上市[2] - 本次拟发行的H股面值为每股人民币1.00元[5]

公司资本运作 - 中国证监会国际合作司已批准兆易创新境外发行上市备案 公司拟发行不超过51,796,900股境外上市普通股并在香港联合交易所上市 [1] 公司业务与市场地位 - 公司是一家全球领先的多元芯片设计公司 采用无晶圆业务模式 聚焦于集成电路的设计和研发 [3] - 公司产品组合包括Flash、利基型DRAM、MCU、模拟芯片及传感器芯片等多样化芯片产品 并提供相应算法、软件在内的系统及解决方案 [3] - 以2024年销售额计 公司是全球唯一一家在NOR Flash、SLC NAND Flash、利基型DRAM和MCU领域排名均全球前十的集成电路设计公司 [3]

公司资本运作 - 中国证监会国际合作司已向兆易创新科技集团股份有限公司出具境外发行上市备案通知书 允许其发行不超过51,796,900股境外上市普通股并在香港联合交易所上市 [1] 公司业务与市场地位 - 公司是一家全球领先的多元芯片设计公司 采用无晶圆业务模式 聚焦于集成电路的设计和研发 [3] - 公司产品组合包括Flash、利基型DRAM、MCU、模拟芯片及传感器芯片等多样化芯片产品 并提供包括相应算法、软件在内的整套系统及解决方案 [3] - 以2024年销售额计 公司是全球唯一一家在NOR Flash、SLC NAND Flash、利基型DRAM和MCU领域排名均位列全球前十的集成电路设计公司 [3]

公司业绩表现 - 2025年第三季度扣非净利润环比增长55% [1] - 预计2025年至2027年归母净利润分别为17.27亿元、24.52亿元、33.50亿元 [1] - 对应2025年至2027年市盈率分别为74倍、52倍、38倍 [1] 业务驱动因素 - 存储周期上行带动业绩持续向好 [1] - 存储是公司主要营收板块，DRAM产品量价齐升贡献主要业绩增量 [1] 行业与公司地位 - AI技术发展推动存储行业进入上行周期 [1] - 公司在NOR Flash、SLC NAND Flash、利基型DRAM及MCU领域均位居全球前列 [1] - 公司是国内领先的存储器、微控制器和传感器芯片设计公司 [1]

公司业绩表现 - 2025年第三季度扣除非经常性损益后的净利润环比增长55% [1] - 预计2025年至2027年归属于母公司股东的净利润分别为17.27亿元、24.52亿元、33.50亿元 [1] - 对应2025年至2027年的市盈率分别为74倍、52倍、38倍 [1] 业务板块与市场地位 - 存储业务是公司主要营收板块，DRAM产品呈现量价齐升态势 [1] - 公司在NOR Flash、SLC NAND Flash、利基型DRAM及微控制器领域均位居全球前列 [1] - 公司是国内领先的存储器、微控制器和传感器芯片设计公司 [1] 行业趋势与增长动力 - 人工智能技术发展推动存储行业进入上行周期 [1] - 存储周期上行带动公司业绩持续向好 [1] - 行业前景广阔，公司成长空间大 [1]

公司第三季度财务表现 - 第三季度营业收入同比增长31.4%至26.8亿元，归母净利润同比增长61.1%至5.08亿元，环比增长49% [2] - 第三季度单季毛利率环比提升3.7个百分点至40.72%，主要得益于存储产品涨价拉动 [2] 主要产品线业务进展 - 利基型DRAM产品一季度末价格回暖，下半年收入有明显增长，有望超越MCU业务成为公司第二大产品线 [3] - Flash业务受益于存储周期改善，NOR Flash处于温和涨价周期，SLC NAND产品开始涨价 [3] - MCU收入环比持平略增，保持较好水平 [3] - 定制化存储解决方案部分项目进入客户送样、小批量试产阶段，明年有望在汽车座舱、AIPC、机器人等领域实现芯片量产 [3] 存储市场周期与价格展望 - 利基型DRAM市场呈现明显供不应求，预计涨价趋势在未来两个季度延续，并在明年后续几个季度维持较高价格水平 [2][4] - 美国科技巨头推动AI基建，算力增长对存储需求量显著提升，预期未来2年利基型DRAM市场将处于供应紧张环境 [4] - NOR Flash和SLC NAND Flash处于温和涨价周期，预计第四季度价格进一步上行 [3][4] 产品毛利率展望 - 预计第四季度NOR Flash和SLC NAND Flash毛利率有望小幅提升，利基型DRAM毛利率有望在当前较好水平上进一步提升，MCU产品毛利率预计维持相对稳定 [3] - 展望明年，预计NOR Flash和SLC NAND Flash毛利率温和提升，利基型DRAM毛利率有望维持在相对健康中枢，MCU毛利率保持平稳 [4] 产能合作与产品规划 - 公司与DRAM核心供应商积极协商，争取得到产能支持 [2][4] - 公司对长鑫科技累计总投资金额23亿元，长鑫科技的良好发展为利基DRAM产品提供较好产能支持 [4] - 公司利基型DRAM产品量价齐升，今年新量产的DDR4 8Gb销量已与DDR4 4Gb基本相当 [4] - 明年公司将实现自研LPDDR4X系列产品量产，并着手规划LPDDR5X小容量产品研发 [4] 产品布局与研发方向 - 公司布局的标准接口存储产品包括利基型DRAM、NOR Flash、SLC NAND Flash [5] - 未来公司将积极把握行业供给格局变化机遇，在2D NAND领域研发更高存储密度产品，但无3D NAND或DDR5产品相关规划 [5]

公司产品与战略 - 公司NAND Flash产品为SLC NAND，已实现消费电子、工业、汽车电子、通讯等全品类覆盖 [1] - 公司计划在2D NAND领域研发更高存储密度的产品，但无3D NAND产品规划 [1] 行业市场动态 - 部分海外大厂将经营重心转向3D NAND并淡出2D NAND，导致2D NAND供给短缺 [1] - 利基型DRAM市场呈现明显供不应求现象 [1] 价格趋势展望 - 利基型DRAM涨价趋势预计在未来两个季度有望延续 [1] - 利基型DRAM价格预计在明年后续几个季度维持相对较高水平 [1]