行业概况 - 薄膜沉积设备与光刻设备、刻蚀设备并列为芯片制造三大核心设备 长期占据晶圆制造设备市场20%以上份额 但市场长期被国际巨头垄断[2] - 2024年中国大陆薄膜沉积设备市场规模推算为97亿美元 其中拓荆科技覆盖的产品市场规模约48.5亿美元[2] 公司市场表现 - 拓荆科技对应产品收入41亿元 在覆盖市场中占据约12%份额[2] - 公司产品已支撑逻辑芯片、存储芯片所需的全部介质薄膜材料约100多种工艺应用[2] - 晶圆对晶圆混合键合设备获得重复订单并扩大产业化应用 芯片对晶圆混合键合设备实现出货 配套检测设备已产业化[3] 技术研发实力 - 主要研发PECVD、ALD、Gap Fill等薄膜沉积设备 70%产品服务于新工艺和先进工艺需求[2][4] - 累计承担11项国家重大专项或课题 申请专利1640项(含PCT) 获授权507项[3] - 量产设备性能指标达到国际同类设备先进水平 在三维集成领域形成新增长点[3] 发展潜力 - 国产厂商通过自主创新实现技术突破 在工艺覆盖度方面快速追赶国际龙头[2][3] - 董事长明确表示当前市场份额仍有较大提升空间[2] - 提前布局两代、三代后的产品技术 三维集成设备成为业绩新引擎[3][4]

行业概况 - 薄膜沉积设备与光刻设备、刻蚀设备共同构成芯片制造三大核心设备，长期占据晶圆制造设备市场20%以上份额 [2] - 行业呈现垄断竞争格局，市场长期由国际巨头主导 [2] - 2024年中国大陆薄膜沉积设备市场规模推算达97亿美元，其中公司覆盖产品市场规模约48.5亿美元 [2] 公司市场表现 - 公司对应产品收入41亿元，在覆盖市场中份额占比约12% [2] - 公司产品覆盖PECVD、ALD、Gap Fill等设备，可支持逻辑芯片、存储芯片中100多种介质薄膜工艺应用 [2] - 公司市场份额仍有较大提升空间 [2] 技术研发进展 - 公司工艺覆盖度持续提升，量产设备性能指标已达国际同类设备先进水平 [3] - 累计承担11项国家重大专项或课题，申请专利1640项（含PCT），授权507项 [3] - 通过自主研发形成系列独创性设计，积累多项核心研发及产业化技术 [3] 未来增长方向 - 三维集成领域产品（如晶圆对晶圆混合键合设备）已获重复订单并扩大产业化应用，成为业绩新增长点 [3] - 芯片对晶圆混合键合设备实现出货，配套检测设备完成产业化应用 [3] - 70%产品服务于新工艺/先进工艺需求，已提前布局未来两至三代产品技术 [4] 中外竞争格局 - 国产厂商在先进技术领域起步较晚，但通过自主创新持续实现技术突破 [2] - 与国际龙头相比仍存在差距，但展现出强劲发展潜力 [2]

显示行业投资项目进展 - 川奇光电投资30.2亿元建设的扬州高端显示产业园二期项目预计5月投产 [1] - 合肥新站高新区两项半导体显示材料项目同步落地 总投资额达11.4亿元 [1] 川奇光电扬州高端显示产业园项目 - 项目总投资30.2亿元 主体项目已封顶 预计5月投产 第三季度实现满产 [2] - 项目于2023年4月开工建设 建设周期约2年 用地226亩 建设厂房及附属设施72605平方米 [2] - 项目包括4栋主体厂房 1栋全自动仓库 1栋水池泵房 [2] - 将购置255台套设备 建设21条生产线 包括光学膜 电子纸母片及电子纸生产线 [2] - 建成后新增年产7000吨光学膜 720万片电子纸母片 4320万片电子纸的生产能力 [2] - 将成为世界首座能生产大于42英寸电子纸的模组厂 [2] - 公司由元太科技独资设立 注册资本24230万美元 经营范围包括新型平板显示屏及材料 [4] 合肥半导体显示材料项目 - 正帆科技投资8.4亿元 建设ALD先进涂层材料及研发中心 超高纯大宗气体项目 [5] - ALD涂层材料可用于新型显示 汽车 光伏等领域 [5] - 正帆科技业务覆盖集成电路 太阳能光伏 平板显示等领域 [5] - 芯越微电子投资3亿元 建设功能性微电子材料生产基地 占地32.5亩 [5] - 项目达产后预计年产值约5亿元 生产显影液 刻蚀液 光刻胶剥离液等产品 [5] - 芯越微电子产品应用于高端半导体及面板行业关键工艺 [5]

文章核心观点 尹志尧从硅谷回国创办中微公司，带领公司在半导体刻蚀设备领域突破国际巨头技术封锁与专利诉讼，实现国产替代，推动中国半导体设备跻身全球第一梯队，其经历和中微公司的发展印证自主创新和全球化视野的成功范式，为中国科技企业突破“卡脖子”困境提供典范 [2][15] 分组1：铸剑二十年——硅谷熔炉中的技术觉醒与突围 - 1984年尹志尧加入英特尔，解决刻蚀机等离子体分布不均问题，将刻蚀均匀性从±15%提升至±5%，改进被写入英特尔技术白皮书 [5] - 1986年尹志尧跳槽至泛林半导体，重启“多频射频耦合”研发方向，提出“Rainbow”计划，采用双频射频技术和多区气体喷淋系统，解决腔体热膨胀问题，使热稳定性提升300% [7] - 1988年“Rainbow 4500”刻蚀机量产，良率比竞品高12%，晶圆吞吐量快20%，成本降低30%，助泛林市占率飙升至60%，反超应用材料，尹志尧获泛林“终身技术成就奖” [7] - “彩虹计划”项目组15名核心成员中，华人占比超60%，打破硅谷半导体设备领域白人主导隐性壁垒 [8] 分组2：从技术专家到战略家的蜕变 - 1991年尹志尧加入应用材料，率团队走访客户，发现痛点后砍掉三条落后产品线，将60%研发预算投向客户定制化开发，推动业务向“工艺 - 设备 - 材料”三位一体转型 [10][11] - 尹志尧团队开发脉冲等离子体调制技术，助三星将DRAM良率提升至92%，拿下韩国70%刻蚀设备订单；开发“真空传输模块（VTM）”，被台积电副总裁称为“Fab效率革命” [11] - 尹志尧将全球化重心转向韩国与中国大陆，在韩国设立“战情室”，金融危机时逆势扩大投资；推动应用材料与中芯国际签署战略协议，免费开放刻蚀工艺数据库 [12] - 至2004年尹志尧离职时，应用材料刻蚀设备占据全球42%市场份额，亚洲市场营收占比从1991年的18%跃升至65%，催生韩国半导体设备产业集群崛起 [12] 分组3：中微公司突破封锁与发展 - 2004年尹志尧回国创办中微公司，2005年中微推出首台国产干法刻蚀机，引发美国商务部技术封锁 [15] - 干法刻蚀机技术门槛高，全球市场长期被美日企业垄断，市占率超90%，中微突破使中国在刻蚀精度等核心指标达全球第一梯队 [16] - 2007年美国应用材料以“窃取商业机密”为由起诉中微，中微预先布局“去美国化”供应链，覆盖90%零部件，2015年美国商务部解除对中微的“瓦森纳协议”限制 [17] - 2017年中微交付首台5纳米刻蚀机，推动国内企业制程工艺跃进两代，助力中国存储芯片自给率从2016年的5%跃升至2023年的20% [18] - 中微自主研发的CCP与ICP双技术路线，构建全制程设备矩阵，打破“三巨头”市场垄断格局，催化中国半导体产业链垂直整合 [18] 分组4：结语 - 尹志尧断言体现对客观规律深刻认知与对主观信念执着坚守，中微突围在西方技术座架之外开辟新解蔽路径 [20] - 中国用“微米级的改进，纳米级的执着”构建创新叙事，量子效应主导芯片设计时，相关较量刚揭开新篇章 [21]