公司融资与战略布局 - 拓荆科技拟与多家外部投资者对控股子公司拓荆键科增资 其中国投集新出资不超过4.5亿元并将在增资完成后成为拓荆键科第二大股东持股比例约12.71% [1][2][3] - 拓荆键科投前估值为25亿元 较净资产账面价值5521.98万元增值率达4427.36% [3] - 拓荆科技同步披露46亿元定增预案 募投项目包括高端半导体设备产业化基地建设（拟投入17.68亿元）和前沿技术研发中心建设（拟投入20亿元） [1][4][5] 业务与技术发展 - 拓荆键科聚焦三维集成设备研发与产业化应用 先进键合设备是三维集成技术领域的核心设备 [2] - 公司薄膜沉积设备业务受益于人工智能 高性能计算等领域需求增长 当前产能预计无法满足未来订单需求 [5] - 国内半导体设备企业在高端薄膜沉积领域与国际先进水平仍存在差距 需持续进行工艺优化和技术突破 [5] 财务与经营表现 - 拓荆科技2025年上半年整体营收约19.54亿元 子公司拓荆键科同期营收仅114.55万元且净亏损3746.76万元 [2] - 三维集成技术是"后摩尔时代"关键驱动力 技术路径转向芯片堆叠方式与新的架构设计 [2] - 半导体设备需超前于晶圆制造开发新一代设备 不同薄膜材料与沉积工序催生大量前沿设备需求 [6]

文章核心观点 - 光子芯片技术是解决后摩尔时代计算瓶颈的关键方案 提供指数级算力提升 推动人工智能 无人驾驶 生物医药等领域发展[3] - 上海交通大学无锡光子芯片研究院（CHIPX）实现国内首条光子芯片中试线投产 完成首片6寸薄膜铌酸锂光子芯片晶圆下线 实现超低损耗超高带宽调制器芯片规模化量产[4] - 中国在高端光电子核心器件领域实现从技术跟跑到产业领跑的历史性跨越 预计年底开启对外规模化流片服务[4] 光子芯片技术优势 - 光子芯片以光为载体 相比电子芯片具备更高带宽 更高并行性 更低能耗 能带来指数级算力提升[3] - 铌酸锂薄膜光子芯片技术兼容CMOS 具备超大规模 超快调制 超宽光谱 超低损耗优势[6] - 飞秒激光三维直写技术实现自主可控全国产化替代 加工能力超越欧美技术 具备智能化超大规模超精密微纳加工能力[6] CHIPX技术突破 - 突破飞秒激光超分辨直写技术 实现玻璃基存储介质超高密度超大容量永久存储[4] - 自主开发DUV光刻工艺 干法刻蚀工艺 制备高品质低损耗薄膜铌酸锂光波导 实现光子芯片规模集成与全流程工艺自主可控[5] - 拥有完全自主的技术和工艺 突破卡脖子难题 是唯一具备芯片制备+量子计算+人工智能+光连接技术的团队[5] 生产工艺能力 - 光刻工艺拥有国际TOP级光刻机 年产能达120,000片晶圆 ASML深紫外光刻机最高分辨率110纳米 套刻精度≤15纳米[12] - 薄膜沉积工艺年产能达30,000片晶圆 金属薄膜沉积设备沉积速率>1.5纳米/秒 方阻厚度非均一性≤2%[11] - 刻蚀工艺支持6吋8吋多种材料刻蚀 深硅刻蚀机硅刻蚀深度>300微米 与光刻胶选择比>100[10] 测试与加工能力 - 拥有领先的光电高带宽测试系统 前沿的光电集成晶圆自动测试系统 高频测试带宽达110GHz[7] - 激光隐形切割工艺支持6吋8吋晶圆级量产 切割直线度<3微米 单边切割道崩边<3微米[8] - SEM分辨率达0.7纳米 AFM精度达0.03纳米 支持倾斜45°加工[9] 产业生态建设 - 建设光子芯谷创新中心 打造以光子芯片底层技术驱动的量子计算 人工智能 光通信等光子科技产业集群[12] - 已孵化近10个硬科技团队 部分企业获得多轮融资 如途深智合获3轮融资 观原科技获得市级产研院基金[13] - 致力于打造全球最大规模光子芯片产业基地 拓展多材料体系 突破多材料异质集成技术 为通用小型化量子计算机研发量产奠定基础[13] 行业会议规划 - 势银联合甬江实验室计划于2025年11月17-19日举办异质异构集成年会 聚焦多材料异质异构集成 光电融合等核心技术[14] - 会议将围绕三维异构集成 光电共封装 晶圆级键合等前沿技术开展深度交流 推动技术创新与产业应用深度融合[14]

半导体封装技术演进 - 半导体封装的核心作用是实现芯片与外部系统的电连接，通过密封保护、热稳定性增强和机械支撑等功能确保芯片性能 [4][7] - 封装工艺分为0-3级：0级为晶圆切割，1级为芯片级封装，2级为模块/电路卡安装，3级为系统板集成 [5][7] - 后摩尔时代封装技术向高速信号传输、多芯片堆叠、小型化方向发展，满足AI、5G及移动设备需求 [8][10] 传统与先进封装分类 - 传统封装依赖引线框架，以通孔插装(THP)和表面贴装(SMP)为主，引脚数≤1000，封装面积比达1:1.14 [14][15][18] - 先进封装采用凸块、硅通孔等技术，省略引线连接，关键要素包括RDL、TSV、Bump和Wafer [12][19][21] - 先进封装发展历程：20世纪90年代BGA兴起，21世纪初WLP、SiP、TSV等技术实现高密度集成 [13] 先进封装核心技术 - 凸块技术：金凸块用于显示驱动芯片(成本高)，铜柱凸块用于处理器/存储器(电性能优)，锡凸块用于图像传感器(可焊性强) [22][23][24] - 倒装芯片(FC)：通过焊球直接连接基板，I/O朝下提升封装密度，处理速度较引线键合显著提高 [28][29] - 晶圆级封装(WLP)：在晶圆阶段完成封装，扇入型(Fan-in)经济性好，扇出型(Fan-out)支持高I/O数量 [30][31] - RDL技术：重分布IO端口至宽松区域，支持2.5D/3D封装中的电气互联，关键工艺包括光刻、电镀和刻蚀 [33][34][35] - TSV技术：垂直穿透硅片连接芯片层级，2.5D需中介层(如CoWoS)，3D直接堆叠(如HBM) [38][42] 封装设备市场分析 - 封装设备占半导体设备价值量5%，2025年全球市场规模预计59.5亿美元(430.8亿元人民币) [46][49] - 核心设备占比：固晶机(30%)、划片机(28%)、键合机(23%)、塑封机(18%)、电镀机(1%) [47][48] - 中国封测厂商全球占比25%(长电11%、通富7%、华天4%)，但设备国产化率不足5% [51][52] 关键封装设备技术 - 减薄机：日本DISCO/东京精密占85%份额，超薄晶圆(<100μm)需叠加抛光工艺消除损伤 [55][60][76][80][87] - 划片机：砂轮切割为主流，激光切割兴起(占比38%)，DISCO市占率70%，国产化率<5% [89][92][105][113] - 固晶机：全球市场规模10亿美元，ASM/BESI占60%份额，IC贴片机国产化率低，LED贴片机超90% [119][123][124] - 键合机：引线键合为主流，K&S/ASM占80%份额，临时键合(TBDB)技术支持超薄晶圆处理 [125][127][136][138] 工艺与材料创新 - 减薄工艺：硅片旋转磨削实现TTV≤0.2μm，金刚石磨轮粒度与结合剂弹性影响表面质量 [64][68][72][75] - 划片工艺：刀片金刚石密度/粒度平衡切割质量与寿命，激光隐形切割提升晶圆利用率 [96][99][102] - 键合工艺：热超声键合支持100-150°C低温操作，混合键合满足高密度互联需求 [130][131]

硅光技术优势与产业化前景 - 硅光技术结合集成电路超大规模、超高精度、低制造成本特性与光子技术超高速率、超低功耗、高抗干扰优势 [1] - 微环光电互连技术可利用CMOS工艺提高芯片带宽密度和效率 [4] - 硅光技术被视为"后摩尔时代"颠覆性技术路线和全球战略发展重点 [5] 上海硅光产业生态建设 - 上海于6月28日启动硅光未来产业集聚区建设 8家企业签约落地张江高科 [5] - 集聚区包含实验室、公司、流片厂、投资机构 形成设计创新到产业落地闭环 [5] - 上海提供基金支持、工艺平台协同、应用侧联合研发等产业化要素 [3] 创新创业大赛成果 - 大赛设置"光互连+光计算"和"光传感+开放"两赛道 共19个项目进入决赛 [3] - 光互连赛道一等奖:上海澜昆微电子"微环光电集成互连芯片" [3] - 光传感赛道一等奖:上海交通大学"集成化光学相干断层扫描系统" [3] - 10个项目获得直通"创在上海"国际创新创业大赛复赛资格 [6] 应用方向与产业化进展 - 重点应用方向包括光互连、光计算、光传感 特别是人工智能算力基础设施和卫星通信领域 [3][4][5] - 中科院微系统所开发面向卫星通信的硅光互联技术 响应空天信息网络建设需求 [5] - 投资机构重点关注商业化前景 提供市场化融资、流片测试资源对接、产业落地支持 [6] 产业支持体系 - 大赛由覆盖70余家科技企业、高校、科研机构的硅光创新联盟联合张江实验室主办 [6] - 未来产业基金联合8家市场化基金发布硅光未来产业基金矩阵 [5] - 上海同步启动硅光概念验证平台建设 [5]

评级结论 - 中诚信国际维持甬矽电子主体信用等级为A+，评级展望稳定，维持"甬矽转债"信用等级为A [2][30][31] 业务运营 - 公司专注于半导体先进封装测试，产品包括FC类、SiP、WLP、QFN/DFN及MEMS，应用领域覆盖射频前端芯片、AP类SoC芯片、物联网芯片、电源管理芯片等多元化市场 [13] - 2024年非晶圆级封装产能达57.57亿颗，晶圆级产品产能48.95万片，非晶圆级封装产能利用率提升至90%，产销率保持99.76% [15][16][17] - 客户以境内集成电路设计企业为主，前五大客户销售额占比37.65%，与翱捷科技、晶晨股份等建立长期合作，2024年通过车载MCU、5G射频模组等终端认证 [13] 财务表现 - 营业收入从2022年21.77亿元增长至2024年36.09亿元，2025年一季度达9.45亿元 [8][20] - 净利润2022年为1.37亿元，2023年亏损1.35亿元，2024年扭亏为盈利0.09亿元，2025年一季度净利润0.40亿元 [8] - 毛利率2022年21.91%，2023年降至13.90%，2024年回升至17.33%，晶圆级产品毛利率为负46.72% [8][20][21] - 总债务从2022年41.65亿元增至2025年3月末77.05亿元，资产负债率从64.61%升至71.03% [6][8][23] 研发与投资 - 研发投入从2022年1.22亿元增至2024年2.17亿元，研发费用率保持在6%左右，研发人员数量从438人增至1,025人 [17][18] - 截至2024年末拥有400项有效专利，其中发明专利158项，在SiP、FC、WLP等先进封装领域具有技术优势 [17] - 二期工厂规划总投资111亿元，多维异构先进封装项目投资14.64亿元，其中使用可转债募集资金9亿元 [18][19] 行业环境 - 全球封装测试市场集中于亚太地区，占比超80%，前三大厂商市占率合计超50%，先进封装成为行业主要增长引擎 [10][11] - 2024年全球委外封测营收3,032亿元人民币，先进封装市场规模约472.5亿美元，预计2028年增至786亿美元 [11] - 人工智能、高性能算力需求推动先进封装技术发展，晶圆级封装、2.5D/3D集成成为重要方向 [9][11] 流动性与偿债 - 货币资金从2022年9.86亿元增至2025年3月末19.83亿元，经营活动现金流净额2024年达16.36亿元 [8][22][23] - 截至2025年3月末获得银行授信85.65亿元，未使用授信24.98亿元，备用流动性充足 [22] - EBITDA利息保障倍数2022年6.12倍，2023年降至3.17倍，2024年回升至4.50倍 [8][23]

金属材料 - 轻量化、智能化与功能化是未来发展方向，突破传统合金性能极限，向多功能集成与可持续制造进化[3] - 先进高强轻合金（镁/铝/钛合金）通过纳米析出、织构调控实现航空航天、新能源汽车的"减重增效"，2040年后拓扑优化+3D打印定制合金构件将成为主流[5] - 高熵合金（HEAs）兼具高强度、耐腐蚀、抗辐照特性，在核反应堆、深海装备领域不可替代，机器学习加速成分设计是核心突破点[5] - 智能金属如形状记忆合金（SMA）、磁致伸缩材料推动机器人柔性化[5] - 可持续冶金技术如氢冶金、金属闭环回收率2050年将超90%，重塑钢铁行业碳中和路径[5] 高分子材料 - 生物基与精准性能是未来焦点，解决塑料污染，实现分子级精准设计[7] - 可降解高分子如聚乳酸（PLA）、聚羟基烷酸酯（PHA）性能逼近工程塑料，2040年替代50%包装材料，酶促降解技术突破将实现可控降解周期[9] - 高性能工程塑料如耐高温聚酰亚胺（PI）、聚醚醚酮（PEEK）支撑新能源汽车电机、半导体封装，自修复高分子延长器件寿命[9] - 智能响应聚合物如温敏/光敏水凝胶用于药物靶向释放，压电高分子赋能可穿戴设备[9] - 生物基单体合成利用CO₂、纤维素合成高分子，碳足迹降低70%[9] 陶瓷材料 - 结构陶瓷如碳化硅（SiC）、氮化硅（Si₃N₄）陶瓷基复合材料（CMC）成为航空发动机涡轮叶片首选，耐温≥1600℃[13] - 功能陶瓷如固态电池氧化物电解质（LLZO）、核聚变堆第一壁防护陶瓷（SiCₓ）、超导陶瓷（YBCO）是清洁能源关键[13] - 增材制造技术如光固化3D打印实现复杂陶瓷构件，2050年成本降低至当前的1/5[13] - 多孔陶瓷用于高温过滤、催化载体支撑化工减排[13] 碳材料 - 石墨烯2030年后实现低成本量产，应用于超快传感器、柔性电极、海水淡化膜，掺杂改性解决零带隙瓶颈[17] - 碳纳米管（CNTs）构建轻质导电复合材料，替代铜线，是场发射显示器、太空电梯缆绳的候选材料[17] - 碳纤维（CFRP）如新一代国产T1100级碳纤维支撑大飞机、氢能储罐[17] - 碳基芯片如纳米碳管晶体管突破硅基物理极限，2070年或成计算主力[17] 复合材料 - 纤维增强树脂基（FRP）是汽车轻量化核心，碳纤维成本2050年降至$10/kg[21] - 陶瓷基（CMC）/金属基（MMC）是高推重比航空发动机、刹车盘革命性材料[21] - 智能复合材料嵌入光纤传感器、压电元件，实现结构健康自监测（如桥梁、风机叶片）[21] - 仿生复合材料如贝壳结构启发的抗冲击材料用于防弹装甲[21] 先进材料 - 超材料如负折射率材料实现光学隐身，声学超材料降噪，机械超材料抗地震冲击[25] - 量子材料如拓扑绝缘体、二维磁性材料催生量子计算机与超低功耗芯片[25] - 液态金属如镓基合金用于柔性电路、可变形机器人，生物相容性版本适配神经接口[25] - 智能凝胶是环境响应型软体机器人核心驱动材料[25] 信息材料 - 半导体材料从硅基→三代半导体（SiC/GaN）→二维半导体（MoS₂）→拓扑材料迭代[29] - 光子晶体控制光路，实现光计算芯片替代电子芯片[29] - 磁存储材料如自旋电子学材料（CoFeB）突破存储密度极限[29] - 量子点材料是QLED显示、量子通信单光子源核心[29] 能源材料 - 光伏材料如钙钛矿电池效率突破30%，与硅叠层降低成本，有机光伏实现建筑一体化（BIPV）[33] - 电池材料如固态电解质（硫化物/聚合物）解决安全性，锂硫电池、钠离子电池降低资源依赖[33] - 储氢材料如金属有机框架（MOFs）、镁基合金实现安全高密度储运[33] - 热电材料利用废热发电，ZT值2050年≥3[33] 生物医用材料 - 可降解植入物如镁合金/聚乳酸骨钉实现"无需二次手术"[37] - 组织工程支架如3D生物打印血管、器官雏形，材料引导细胞定向分化[37] - 靶向药物载体如智能水凝胶、介孔二氧化硅纳米球实现精准治疗[37] - 神经接口材料如导电聚合物、石墨烯电极解码脑电信号，助力瘫痪治疗[37] 环境材料 - 吸附材料如MOFs、COFs高效捕获CO₂（≥5mmol/g），功能化硅胶去除重金属[41] - 催化材料如光催化分解VOCs（TiO₂改性），电催化还原CO₂制燃料[41] - 生态建材如固废再生骨料混凝土、相变储能墙体降低建筑碳排放[41] - 微塑料处理如磁性纳米材料靶向吸附水体微塑料[41] 建筑材料 - 低碳水泥如富贝利水泥、碳固化技术降低60%碳排放[45] - 自修复混凝土如微生物矿化/微胶囊技术自动填补裂缝[45] - 智能玻璃如电致变色调光+钙钛矿发电一体化窗体[45] - 3D打印建筑如地聚物材料快速成型应急住房[45] 材料表面工程 - 防护涂层如石墨烯防腐涂料、MAX相抗高温氧化涂层延长设备寿命[49] - 功能涂层如超疏水自清洁表面（仿荷叶）、防冰涂层（航空）、辐射制冷涂层（建筑）[49] - 表面织构化如激光微纳加工提升材料摩擦学/生物学性能[49] - 智能响应涂层如温度/pH值变化触发颜色或润湿性改变[49] 材料分析评价 - 原位表征技术如透射电镜（TEM）结合人工智能实时解析材料变形机制[55] - 材料信息学如机器学习预测未知材料性能，研发周期缩短70%[55] - 数字孪生构建材料服役全过程虚拟模型，预警失效风险[55] - 标准化数据库跨机构共享材料基因工程数据，避免重复研发[55]

光计算芯片行业 - 光计算芯片具有单元尺寸小、系统能耗低的优势，更适合大规模AI计算场景 [1] - 在AI算力需求暴涨背景下，光计算作为AI计算新范式备受投资机构追捧 [1] - 光计算是突破后摩尔时代传统算力瓶颈的重要技术路线，有望重构算力市场竞争格局 [7][9] - 光计算芯片直击当前AI产业痛点，能显著提升推理速度并大幅降低功耗 [8] 光本位科技公司概况 - 公司成立于2022年，是全球首家采用硅光+相变材料（PCM）异质集成并实现光芯片存算一体的商业化公司 [4] - 公司技术路径能将128*128、256*256甚至更大矩阵集成到单颗晶粒上，集成度比其他方案提升10倍以上 [4] - 2024年6月完成首颗商用标准光计算芯片（128*128矩阵），打破行业3年天花板（64*64） [4] - 正在进行256*256芯片流片和第一代光电融合计算卡封测，512*512芯片已在设计中 [4] 融资与商业化进展 - 2024年12月完成锦秋基金领投的融资，老股东超额跟投 [2] - 2024年6月完成敦鸿资产领投的新融资，多家国资基金跟投 [2] - 2024年12月与国内一线互联网大厂建立AI算力硬件战略合作 [6] 团队与技术优势 - 两位95后创始人分别毕业于牛津大学和芝加哥大学 [6] - 研发负责人师从光计算领域首位英国皇家工程院院士Harish Bhaskaran [6] - 商业化负责人具备大模型算法和AI agent工程化落地经验 [6] - 技术方案在封装难度、维持功耗、延迟、稳定性等方面均具竞争力 [10] 投资人观点 - 锦秋基金：光子计算对推动模型性能进步和推理成本下降有重要价值 [7] - 敦鸿资产：光本位技术路线展现最强落地潜力和可扩展性 [8] - 浦东创投：技术契合国家"算力基础设施"战略方向，稀缺性强 [8] - 苏创投：光计算有望重构算力市场竞争格局 [9] - 张江科投：光计算是实现"换道超车"的重要赛道 [10] - 中赢创投：公司有望重新定义AI芯片市场格局 [10]

行业概况 - 薄膜沉积设备与光刻设备、刻蚀设备并列为芯片制造三大核心设备 长期占据晶圆制造设备市场20%以上份额 但市场长期被国际巨头垄断[2] - 2024年中国大陆薄膜沉积设备市场规模推算为97亿美元 其中拓荆科技覆盖的产品市场规模约48.5亿美元[2] 公司市场表现 - 拓荆科技对应产品收入41亿元 在覆盖市场中占据约12%份额[2] - 公司产品已支撑逻辑芯片、存储芯片所需的全部介质薄膜材料约100多种工艺应用[2] - 晶圆对晶圆混合键合设备获得重复订单并扩大产业化应用 芯片对晶圆混合键合设备实现出货 配套检测设备已产业化[3] 技术研发实力 - 主要研发PECVD、ALD、Gap Fill等薄膜沉积设备 70%产品服务于新工艺和先进工艺需求[2][4] - 累计承担11项国家重大专项或课题 申请专利1640项(含PCT) 获授权507项[3] - 量产设备性能指标达到国际同类设备先进水平 在三维集成领域形成新增长点[3] 发展潜力 - 国产厂商通过自主创新实现技术突破 在工艺覆盖度方面快速追赶国际龙头[2][3] - 董事长明确表示当前市场份额仍有较大提升空间[2] - 提前布局两代、三代后的产品技术 三维集成设备成为业绩新引擎[3][4]

行业概况 - 薄膜沉积设备与光刻设备、刻蚀设备共同构成芯片制造三大核心设备，长期占据晶圆制造设备市场20%以上份额 [2] - 行业呈现垄断竞争格局，市场长期由国际巨头主导 [2] - 2024年中国大陆薄膜沉积设备市场规模推算达97亿美元，其中公司覆盖产品市场规模约48.5亿美元 [2] 公司市场表现 - 公司对应产品收入41亿元，在覆盖市场中份额占比约12% [2] - 公司产品覆盖PECVD、ALD、Gap Fill等设备，可支持逻辑芯片、存储芯片中100多种介质薄膜工艺应用 [2] - 公司市场份额仍有较大提升空间 [2] 技术研发进展 - 公司工艺覆盖度持续提升，量产设备性能指标已达国际同类设备先进水平 [3] - 累计承担11项国家重大专项或课题，申请专利1640项（含PCT），授权507项 [3] - 通过自主研发形成系列独创性设计，积累多项核心研发及产业化技术 [3] 未来增长方向 - 三维集成领域产品（如晶圆对晶圆混合键合设备）已获重复订单并扩大产业化应用，成为业绩新增长点 [3] - 芯片对晶圆混合键合设备实现出货，配套检测设备完成产业化应用 [3] - 70%产品服务于新工艺/先进工艺需求，已提前布局未来两至三代产品技术 [4] 中外竞争格局 - 国产厂商在先进技术领域起步较晚，但通过自主创新持续实现技术突破 [2] - 与国际龙头相比仍存在差距，但展现出强劲发展潜力 [2]

摩尔定律与Chiplet技术 - 摩尔定律使单个芯片上晶体管数量从几千个增加到十几亿个，但逐渐遭遇瓶颈[4] - Chiplet技术通过模块化设计提供较大性能功耗优化空间，支持特定领域灵活定制[5] - 以AMD 32-core芯片为例，Chiplet方案面积852mm²，造价仅为传统SoC的0.59倍[5] - Chiplet有望从另一个维度延续摩尔定律的"经济效益"，器件将以多种方式集成[5] - 头部厂商晶体管密度对比显示台积电16nm工艺达125百万/平方毫米，而5nm工艺达530百万/平方毫米[6] Chiplet产业链变革 - Chiplet模式将改变IP产品模式，使IP硬核芯片化[7] - 半导体IP授权商可升级为Chiplet供应商，扩大IP价值[8] - Chiplet模式下只需购买供应商生产好的小芯片进行封装[8] - 该模式帮助缺乏芯片设计经验的企业发展芯片产品[8] - Chiplet已在FPGA、CPU、GPU等领域表现出独特优势[9] Chiplet市场前景 - 全球Chiplet市场规模预计从2018年6.5亿美元增长至2025年58亿美元，CAGR达46%[10] - 主要应用领域包括FPGA、CPU、GPU和数据中心[10] - 英特尔和AMD等国际芯片厂商已投入相关研发[10] - Chiplet标准化刚刚起步，但未来发展空间巨大[10] Chiplet技术挑战 - 异构芯片集成涉及互连和性能优化两大难点[11] - 先进封装技术是解决性能优化的关键[11] - Intel等行业巨头成立Chiplet标准联盟制定通用互连标准UCle[12] - 芯片堆叠测试是重要挑战，需保证系统正常工作[12] 先进封装技术 - 主要先进封装工艺包括倒装封装、晶圆级封装、2.5D/3D封装及SiP系统级封装[13] - 2.5D/3D封装可实现芯片多层堆叠，显著提升性能带宽[14] - SiP技术将多功能芯片集成在一个封装内，实现完整功能[14] - 台积电CoWoS、Intel EMIB等先进封装技术快速发展[16] 第三代半导体SiC - SiC材料具备禁带宽度大、耐高温、高击穿电压等优势[21] - SiC器件工作结温可达200℃，工作频率超100kHz[23] - SiC功率器件可使系统效率提升1-3%，体积减小40-60%[23] - 全球SiC功率器件市场规模预计2026年达199.5亿元，CAGR 22.3%[29] SiC产业链格局 - SiC衬底占器件成本约50%，是产业链核心环节[30] - 全球SiC衬底市场被Wolfspeed(62%)、SiCrystal(14%)等国外巨头垄断[31] - 中国厂商规划投资超300亿元，但2021年实际产能不足30万片[32] - SiC器件主要应用于新能源汽车、光伏、轨道交通等领域[27]