答：目前主要有瑞鼎、云英谷、集创北方、联咏、昇显微、芯颖、奕斯伟、禹创等客户。 问：铜镍金凸块应用非显示驱动芯片和显示驱动芯片的优势？ 答：铜镍金凸块是对传统引线键合（Wirebonding）封装方式的优化方案。具体而言，铜镍金凸块可以通 过大幅增加芯片表面凸块的面积，在不改变芯片内部原有线路结构的基础之上，对原有芯片进行重新布线 （RDL），大大提高了引线键合的灵活性。此外，铜镍金凸块中铜的占比相对较高，因而具有天然的成本 优势。由于电源管理芯片需要具备高可靠、高电流等特性，且常常需要在高温的环境下使用，而铜镍金凸 块可以满足上述要求并大幅降低导通电阻，因此铜镍金凸块目前主要应用于电源管理类芯片。 显示驱动芯片方面，因对性能要求高，主要使用金凸块，但是金材料带来了高成本，铜镍金凸块制造技术 不断突破创新，公司扩展了铜镍金凸块在显示驱动芯片的应用，实现了高精度、高可靠性、微细间距的技 术水平，同时大幅降低了材料成本。 证券之星消息，2025年11月3日颀中科技（688352）发布公告称公司于2025年10月31日接受机构调研，国 海证券、汇添富基金参与。 具体内容如下： 问：公司OLED的客户结构？ 答：目前 ...

据港交所10月31日披露，江苏芯德半导体科技股份有限公司(简称：芯德半导体)向港交所主板提交上市 申请书，华泰国际为独家保荐人。 据招股书，芯德半导体是一家半导体封测技术解决方案提供商，主要从事开发封装设计、提供定制封装 产品以及封装产品测试服务。 根据弗若斯特沙利文的资料，在晶体管密度增长接近其规模极限的后摩尔时代，依靠新型半导体封装架 构(例如小型化、薄型化、高效率、异质集成等先进封装技术)作为连接芯片设计与应用的关键环节成为 了提升芯片性能、效率及功能灵活性的关键驱动力。该公司是中国率先具备先进封装技术能力的企业之 一，能够于后摩尔时代推动半导体创新技术的突破，并支撑AI+时代的发展浪潮。 自2020年9月成立以来，该公司积极拓展先进封装领域，累积丰富的封装技术经验，并具备先进封装的 量产能力，涵盖QFN、BGA、LGA、WLP及2.5D/3D等。该公司是国内少数率先集齐上述全部技术能力 的先进封装产品提供商之一。依托高级管理层的经验及研发部的技术实力，该公司搭建起覆盖先进封装 领域所有技术分支的晶粒及先进封装技术平台(CAPiC)，以推进技术知识，并持续研发前沿技术，包括 同质异质芯粒集成、光感光电类 ...

智通财经APP获悉，据港交所10月31日披露，江苏芯德半导体科技股份有限公司(简称：芯德半导体)向 港交所主板提交上市申请书，华泰国际为独家保荐人。 根据弗若斯特沙利文的资料，在晶体管密度增长接近其规模极限的后摩尔时代，依靠新型半导体封装架 构(例如小型化、薄型化、高效率、异质集成等先进封装技术)作为连接芯片设计与应用的关键环节成为 了提升芯片性能、效率及功能灵活性的关键驱动力。该公司是中国率先具备先进封装技术能力的企业之 一，能够于后摩尔时代推动半导体创新技术的突破，并支撑AI+时代的发展浪潮。 自2020年9月成立以来，该公司积极拓展先进封装领域，累积丰富的封装技术经验，并具备先进封装的 量产能力，涵盖QFN、BGA、LGA、WLP及2.5D/3D等。该公司是国内少数率先集齐上述全部技术能力 的先进封装产品提供商之一。依托高级管理层的经验及研发部的技术实力，该公司搭建起覆盖先进封装 领域所有技术分支的晶粒及先进封装技术平台(CAPiC)，以推进技术知识，并持续研发前沿技术，包括 同质异质芯粒集成、光感光电类封装产品及TGV玻璃基板产品。 该公司在封装行业的领先地位乃得益于持续的技术创新投入及进步。该公司已 ...

当前半导体产业链面临的新变局 - 半导体产业格局经历了多次演变和转移，从美国转移到日本和欧洲，再到韩国和中国台湾，最终形成美国、欧洲、日本、韩国、中国台湾、中国大陆等全球化产业链布局，呈现垂直分工和区域分工特征 [5] - 2020年以来，受新冠疫情、地缘政治风险等因素影响，半导体产业链安全性和韧性遭遇挑战，全球化遭到破坏，未来呈现多元化、本地化、友岸化、区域化等新特点 [6] - 全球产业链重整，本地化生产提升，美国、欧洲、韩国、日本等通过产业政策、补贴、技术壁垒、出口管制等方式加大半导体领域投资，争夺产业链控制权 [7] - 欧盟出台"芯片法案"，目标到2030年将全球市场份额从10%提升至20%，并实现2纳米及以下先进制程本土生产 [7] - 国际半导体产业协会和波士顿咨询预测，产业链区域分布将更加分散，美国在10纳米以下先进制程芯片市场份额有望从0%提升到28% [8][9] - 2024年全球半导体产业销售达到6305.48亿美元，同比增长19.7%，其中存储芯片增长79.3%，逻辑芯片增长20.8% [9] - 2025年半导体市场销售预计7289亿美元，同比增长15.4%，2030年全球市场销售将超过1万亿美元，年均复合增长率达到8% [9] - 技术进步加快，晶体管架构从FinFET向NanoSheet演变，台积电、三星已量产3纳米，2纳米进入试产阶段 [10] - 光刻技术革新，High NA EUV将逐步取代标准EUV，Chiplet实现模块化设计，先进封装技术创新实现高密度集成和成本降低 [11] - 碳化硅和氮化镓等新材料比传统硅材料节能，碳排放量至少低30%，氧化镓、金刚石半导体超宽禁带材料处于实验室阶段 [11] 新变局下中国半导体行业发展特征 - 半导体是我国信息产业的核心和基石，行业确立了设计、制造和封测分立又相互协作的产业模式，成为新质生产力的典型代表 [13] - 新型举国体制优势明显，政府通过国家01专项、02专项、税收补贴、大基金等政策推动半导体行业发展，基本完成产业链布局 [13] - 2009年我国半导体销售超过日本和美国，成为全球最大单一市场，2016年销售突破1000亿美元，占全球市场份额超过30% [14] - 2024年我国半导体销售1823.8亿美元，占全球市场份额29.45%，仅次于美国，预计未来受人工智能、新能源汽车等需求拉动将保持稳定增长 [14] - 国产替代加速，在刻蚀设备、薄膜沉积设备、清洗设备等细分领域快速缩小与国际先进水平差距，国产化率超过20% [15] - 光刻机、量测设备、涂胶显影设备、光刻胶等国产化率不到10%，未来国产替代空间广阔，"设计—制造—封测—设备—材料"全链条将逐步形成 [15]

近日，聚时科技（上海）有限公司宣布完成数亿元人民币的B轮股权融资。本轮投资方为上 海国投旗下上海科创集团、松江国投、绍兴越城区集成电路产业基金等，之前公司还完成由 北京集成电路尖端芯片基金、老股东华成创投、华源投资为投资方的股权融资。聚时科技创 始人CEO郑军博士表示，本轮最新融资资金主要用于加速公司产品技术迭代，扩充半导体设 备制造产线、扩大设备制造产能，加大市场拓展力度。 聚时科技是国家级专精特新小巨人企业，公司定位于用尖端AI技术赋能集成电路制造，聚焦于半 导体缺陷检测设备产品研发。产品包括AI驱动的半导体缺陷检测量测设备、AI良率分析与管理系 统等。聚时科技建立了端对端能力的产品体系，制程领域覆盖前道Fab、先进封装、硅片制造与后 道等，交付众多半导体标杆客户与世界五百强客户。 聚时科技核心团队来自全球一流研发机构和半导体设备公司，在大规模深度学习、高精度光学系 统、微纳精密机构平台、半导体设备整机系统等领域有跨界能力和技术积累。聚时科技在上海松 江、上海张江、浙江绍兴建有半导体设备生产无尘车间。 公开资料显示，聚时科技在集成电路与AI细分领域获得众多荣誉称号，包括"国家级专精特新小巨 人企业"、"国 ...

《科创板日报》10月17日讯（记者 陈俊清） 为期三天的2025湾区半导体产业生态博览会（下称："2025湾芯展"）于今日（10月17日）落下帷 幕。 在2025湾芯展期间举行的多场配套论坛上，多数半导体产业人士认为，受AI算力服务相关硬件投入的强劲驱动，2025年半导体市场整体发展 迅速，对全年行业扩张持乐观态度。 与此同时，技术演进路径的博弈关乎未来格局。面对芯片制程发展趋近物理极限的"后摩尔时代"，产业界正积极探索破局之道。 正如多位行业领袖所言，短期成本阵痛难以避免，但庞大的内需市场、强体制的研发投入以及核心零部件与智能化技术的攻坚，正为中国半导 体产业从"突围"走向"生态重塑"提供关键的战略窗口期。 ▍预计2025年全年同比增长16.3%** 聚焦到国内，何小龙表示，加征关税后，美国半导体产品及设备的进口成本将上升，短期内可能加剧国内企业的成本压力，甚至影响下游制造 的竞争力。长期来看，国有厂商技术与服务的不断成熟，中国相关产品的市场占有率有望显著提升。 要从"突围"到"生态重塑"，何小龙认为，中国半导体产业短期通过成熟工艺优化等实现局部领先，长期则需攻克高端制程与基础工具短板。尽 管外部压力持续， ...

项目投资概况 - 湖北省2025年四季度计划开工重大科技创新类及产业类项目 产业类项目投资占比高达62.5% [1] - 项目涵盖光电子信息 汽车制造 高端装备等多个领域 呈现体量大 结构优的特点 [1] 光电子与先进封装产业 - 武汉市先进封装综合实验平台二期及产业化基地重点建设中高密度先进封装中试平台及高端芯片先进封装量产线 [1] - 项目旨在打造覆盖设计 制造 装备 材料 终端应用 企业孵化的完整创新和产业生态 [1] - 项目将与区域内人工智能芯片 光芯片 化合物半导体等创新载体联动 推动超50家产业链上下游创新团队落户湖北 [1] - 全球集成电路产业迈入"后摩尔时代" 先进封装成为驱动芯片性能突破关键动力 [2] - 武汉先进封装产业集群未来有望形成500亿元产值 [2] 新能源汽车与固态电池产业 - 潜江太蓝新能源固态电池研发及产业化项目总投资15亿元 规划建设电芯车间 PACK车间等设施 [2] - 项目将开展固态电池研发和规模化生产 助力打造固态电池技术 生产和市场应用高地 [2] - 潜江已形成完备的石油化工 盐化工 光电子信息产业集群 为项目提供优越平台条件 [2] - 十堰驭新智能汽车底盘制造项目总投资20亿元 建设年产30万套线控制动系统和年产90万套线控转向系统生产线 [2] - 项目将突破新能源汽车运动控制 底盘域控等关键技术 助力十堰打造"国际商用车之都" [2] - 项目预计2026年2月投产 预计带动本地500余家上下游零部件企业协同发展 [2] 物流与基础设施 - 鄂州中通快递华中基地项目总投资26亿元 总用地面积213亩 为中通集团二期工程 [3] - 项目建成后将成为中通快递在华中地区核心运营枢纽与战略总部 辐射武汉及周边地区 [3] - 项目助力鄂州加快建设全球物流枢纽及跨境电商综合试验区 [3]

文章核心观点 - 半导体行业进入“后摩尔时代”，先进封装技术成为实现系统级性能跃升的关键载体，替代单纯依赖制程突破的发展模式 [1] - 全球先进封装市场增长强劲，2030年市场规模预计突破794亿美元，2024-2030年复合年增长率达9.5%，AI与高性能计算是主要驱动力 [1] - 国际巨头（台积电、英特尔、三星）与国内厂商（长电科技、通富微电、华天科技等）在先进封装领域展开激烈竞争，技术路径各具特色 [1][17] - 国内封测企业通过技术攻坚和产业链协同加速发展，在2.5D/3D封装、Chiplet等关键领域持续发力，旨在为产业链自主可控提供关键支撑 [17][32] 行业背景与市场前景 - 传统芯片制程迭代受物理极限和成本激增挑战，先进封装技术凭借灵活性强、集成密度高、尺寸小、性能好等优势成为破局方向 [1] - 先进封装技术包括倒装芯片封装、晶圆级封装、系统级封装和2.5D、3D封装等 [1] - 2025年全球先进封装市场规模预计达569亿美元，首次超越传统封装，2028年或达786亿美元 [32] 国际厂商技术布局 台积电 - 以CoWoS、InFO和SoIC三大核心技术构建覆盖全场景的“3D Fabric”先进封装平台，在全球高端封装产能中占主导地位 [2] - CoWoS-S5技术支持8颗HBM3内存与2颗SoC芯片集成，中介层面积达2400mm²，为NVIDIA H100 GPU提供5.3TB/s内存带宽，性能较前代提升3倍 [5] - CoWoS-S5采用混合键合技术，键合间距缩小至1μm，I/O密度达120万/平方毫米，较传统微凸块技术提升70倍 [5] - InFO技术通过高密度RDL直接互连实现低成本、薄型化封装，为独占苹果A系列处理器打下基础 [5] - SoIC技术采用晶圆对晶圆混合键合方案，实现真正3D芯片堆叠，凸块密度更高，传输速度更快，功耗更低 [5][6] 英特尔 - 以EMIB和Foveros为核心构建异构集成能力，瞄准高性能计算与AI芯片市场 [7] - EMIB技术通过硅桥连接裸片，避免使用硅中介层，其EMIB-T技术引入TSV通孔供电，信号传输速度达32Gb/s，兼容UCIe 2.0协议 [7][10] - Foveros技术实现不同工艺、功能芯片的垂直堆叠，关注互连密度、功率效率和可扩展性 [10] - 积极布局玻璃封装和CPO（共封装光学）领域，首款玻璃封装测试芯片已于2023年展示，计划2025-2030年量产 [10] 三星 - 构建以I-Cube和X-Cube为核心的技术体系，覆盖2.5D和3D IC封装领域 [11] - I-Cube技术细分为I-Cube S、I-Cube E及H-Cube方案，满足多样化需求 [11][12] - X-Cube技术通过TSV实现芯片垂直连接，分为凸点连接和混合键合两种方案 [12] - 推出SAINT技术体系聚焦存储与逻辑芯片协同封装，其中SAINT-D技术通过热压键合工艺实现HBM的12层垂直堆叠，消除对硅中介层依赖 [13][15] - 推进SoP（面板级系统）技术商业化，采用415mm×510mm超大尺寸面板作为封装载体，直接对标台积电SoW和英特尔EMIB工艺 [14] 国内厂商发展现状 整体态势 - 2024年中国先进封装市场规模达698亿元，同比增长18.7% [17] - 国内封测企业通过技术突破和产能扩张，在2.5D/3D封装、Chiplet集成等关键领域持续发力 [17] 长电科技 - 2025年上半年营业收入186.05亿元，同比增长20.14% [18] - 以自主开发“XDFOI Chiplet平台”为核心，构建覆盖2.5D、3D等多维异构集成场景的先进封装体系 [18] - 平台可实现50μm以下厚度中介层与40μm微凸点间距，目前已进入稳定量产阶段 [18] - 2025年上半年汽车电子业务同比增长34.2%，工业及医疗领域同比增长38.6% [19] 通富微电 - 2025年上半年营业收入130.38亿元，同比增长17.67%，归母净利润4.12亿元，同比增长27.72% [20] - 在大尺寸FCBGA开发方面取得重要进展，大尺寸FCBGA已进入量产阶段 [20] - 获得“扇出型封装方法”发明专利授权，新获专利授权18个，较去年同期增加28.57% [20] - 基于玻璃基板的先进芯片封装技术已通过阶段性可靠性测试 [21] 华天科技 - 2025年上半年开发完成ePoP/PoPt高密度存储器及车规级FCBGA封装技术，2.5D/3D封装产线完成通线 [21] - 2025年8月设立子公司南京华天先进封装有限公司，主营2.5D/3D等先进封装测试业务 [21] - CPO封装技术关键单元工艺开发进行中，FOPLP封装已通过客户可靠性认证 [22] 其他国内企业 - 云天半导体聚焦晶圆级三维封装、扇出型封装及TGV转接板等工艺 [22] - 越摩半导体提供SiP、fcBGA、Chiplet等先进封装解决方案 [22] - 矽迈微电子建成国内首条基板扇出型封装产线 [22] 行业活动与展望 - 2025湾区半导体产业生态博览会（湾芯展）将于10月15-17日在深圳举办，聚焦先进封装赛道，成为洞察全球趋势的重要窗口 [24][25] - 国内产业链相关厂商通过全面布局、深度绑定和技术专注，正逐步缩小与国际头部的差距，为中国半导体产业赢得下一个十年提供关键支撑 [32]

公司融资与战略布局 - 拓荆科技拟与多家外部投资者对控股子公司拓荆键科增资 其中国投集新出资不超过4.5亿元并将在增资完成后成为拓荆键科第二大股东持股比例约12.71% [1][2][3] - 拓荆键科投前估值为25亿元 较净资产账面价值5521.98万元增值率达4427.36% [3] - 拓荆科技同步披露46亿元定增预案 募投项目包括高端半导体设备产业化基地建设（拟投入17.68亿元）和前沿技术研发中心建设（拟投入20亿元） [1][4][5] 业务与技术发展 - 拓荆键科聚焦三维集成设备研发与产业化应用 先进键合设备是三维集成技术领域的核心设备 [2] - 公司薄膜沉积设备业务受益于人工智能 高性能计算等领域需求增长 当前产能预计无法满足未来订单需求 [5] - 国内半导体设备企业在高端薄膜沉积领域与国际先进水平仍存在差距 需持续进行工艺优化和技术突破 [5] 财务与经营表现 - 拓荆科技2025年上半年整体营收约19.54亿元 子公司拓荆键科同期营收仅114.55万元且净亏损3746.76万元 [2] - 三维集成技术是"后摩尔时代"关键驱动力 技术路径转向芯片堆叠方式与新的架构设计 [2] - 半导体设备需超前于晶圆制造开发新一代设备 不同薄膜材料与沉积工序催生大量前沿设备需求 [6]

文章核心观点 - 光子芯片技术是解决后摩尔时代计算瓶颈的关键方案 提供指数级算力提升 推动人工智能 无人驾驶 生物医药等领域发展[3] - 上海交通大学无锡光子芯片研究院（CHIPX）实现国内首条光子芯片中试线投产 完成首片6寸薄膜铌酸锂光子芯片晶圆下线 实现超低损耗超高带宽调制器芯片规模化量产[4] - 中国在高端光电子核心器件领域实现从技术跟跑到产业领跑的历史性跨越 预计年底开启对外规模化流片服务[4] 光子芯片技术优势 - 光子芯片以光为载体 相比电子芯片具备更高带宽 更高并行性 更低能耗 能带来指数级算力提升[3] - 铌酸锂薄膜光子芯片技术兼容CMOS 具备超大规模 超快调制 超宽光谱 超低损耗优势[6] - 飞秒激光三维直写技术实现自主可控全国产化替代 加工能力超越欧美技术 具备智能化超大规模超精密微纳加工能力[6] CHIPX技术突破 - 突破飞秒激光超分辨直写技术 实现玻璃基存储介质超高密度超大容量永久存储[4] - 自主开发DUV光刻工艺 干法刻蚀工艺 制备高品质低损耗薄膜铌酸锂光波导 实现光子芯片规模集成与全流程工艺自主可控[5] - 拥有完全自主的技术和工艺 突破卡脖子难题 是唯一具备芯片制备+量子计算+人工智能+光连接技术的团队[5] 生产工艺能力 - 光刻工艺拥有国际TOP级光刻机 年产能达120,000片晶圆 ASML深紫外光刻机最高分辨率110纳米 套刻精度≤15纳米[12] - 薄膜沉积工艺年产能达30,000片晶圆 金属薄膜沉积设备沉积速率>1.5纳米/秒 方阻厚度非均一性≤2%[11] - 刻蚀工艺支持6吋8吋多种材料刻蚀 深硅刻蚀机硅刻蚀深度>300微米 与光刻胶选择比>100[10] 测试与加工能力 - 拥有领先的光电高带宽测试系统 前沿的光电集成晶圆自动测试系统 高频测试带宽达110GHz[7] - 激光隐形切割工艺支持6吋8吋晶圆级量产 切割直线度<3微米 单边切割道崩边<3微米[8] - SEM分辨率达0.7纳米 AFM精度达0.03纳米 支持倾斜45°加工[9] 产业生态建设 - 建设光子芯谷创新中心 打造以光子芯片底层技术驱动的量子计算 人工智能 光通信等光子科技产业集群[12] - 已孵化近10个硬科技团队 部分企业获得多轮融资 如途深智合获3轮融资 观原科技获得市级产研院基金[13] - 致力于打造全球最大规模光子芯片产业基地 拓展多材料体系 突破多材料异质集成技术 为通用小型化量子计算机研发量产奠定基础[13] 行业会议规划 - 势银联合甬江实验室计划于2025年11月17-19日举办异质异构集成年会 聚焦多材料异质异构集成 光电融合等核心技术[14] - 会议将围绕三维异构集成 光电共封装 晶圆级键合等前沿技术开展深度交流 推动技术创新与产业应用深度融合[14]