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GaNSafe技术
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英诺赛科,跃居全球第一
半导体行业观察· 2025-10-30 09:07
市场前景与增长驱动力 - 氮化镓(GaN)半导体技术预计到2030年市场规模将达到30亿美元 [2] - 消费和移动应用领域是主要驱动力,预计到2030年将占功率型GaN器件市场总额的50%以上 [2] - 汽车和出行市场将成为下一波扩张浪潮,2024年至2030年复合年增长率(CAGR)预计高达73% [2] - 数据中心和电信市场对节能解决方案需求强劲,2024年至2030年GaN技术复合年增长率预计为53% [3] 关键应用领域 - 消费应用中的快速充电器率先采用GaN技术,推动了销量增长和生态系统成熟 [2] - 在汽车市场,GaN器件已广泛应用于激光雷达(LiDAR)系统,车载充电器(OBC)有望成为下一个销量增长点 [2] - 车载直流充电器和牵引逆变器技术也日趋成熟 [2] - 超大规模数据中心寻求GaN等节能方案,NVIDIA正与领先宽禁带芯片制造商合作,将GaN技术集成到其800V高压直流电源系统中 [3] - 对于人工智能服务器和网络设备,采用GaN技术正成为保持竞争力的必要条件 [3] 行业竞争格局与主要参与者 - 功率GaN生态系统进入整合和扩张阶段,英飞凌以8.3亿美元收购GaN Systems,瑞萨电子以3.39亿美元收购Transphorm [6] - Innoscience预计在2024年市场份额将达到30%,在中国市场保持强劲竞争力,并通过与意法半导体的合作拓展海外业务 [6] - 瑞萨电子通过子公司Transphorm提供广泛产品组合,有望在2026年实现GaN收入超过1亿美元 [9] - 英飞凌通过CoolGaN™产品和对GaN Systems的收购巩固市场地位,正与NVIDIA合作开发12英寸GaN-on-Si试点生产线 [9] - Navitas凭借GaNSafe技术将业务拓展至高功率市场,已与Enphase和NVIDIA达成合作,并在启元SUV E07中实现GaN车载芯片首次应用 [9] - Power Integrations利用蓝宝石上GaN PowiGaN®技术扩展到更高电压(1250V和1700V),实现收入快速增长 [9] - EPC拥有广泛的e-mode产品组合以及用于机器人和航天领域的新设计,巩固其作为关键低压氮化镓供应商的地位 [10] - 晶圆代工厂如Polar Semi、PSMC、GlobalFoundries、X-FAB和Vanguard正在扩展其氮化镓产品组合,三星准备在2026年发布氮化镓产品 [10] - 安森美半导体基于2024年发布的氮化镓技术论文以及在硅和碳化硅领域的强大地位,预计将很快进入氮化镓市场 [10]
台积电终止GaN代工
半导体芯闻· 2025-07-02 18:21
战略合作与生产计划 - 纳微半导体与力晶半导体建立战略合作伙伴关系,开始生产并开发200毫米硅基氮化镓技术,以应对台积电2027年终止氮化镓代工业务的影响 [1] - 纳微的GaN IC产品组合将使用力晶位于台湾竹南科学园区的8B晶圆厂的200毫米晶圆,该厂自2019年运营,支持多种GaN生产工艺 [1] - 力晶的技术能力包括改进的180nm CMOS工艺,可提升性能、功率效率、集成度和成本 [1] - 首批器件预计2025年第四季度完成认证,100V系列2026年上半年投产,650V器件将在未来12-24个月内从台积电过渡到力晶 [1] 技术优势与市场应用 - 在180nm工艺节点上进行200mm硅基氮化镓生产有助于开发更高功率密度、更快速度和更高效的器件,同时降低成本、扩大规模并提高产量 [1] - 力晶将生产纳微100V至650V的GaN产品组合,以满足48V基础设施、超大规模AI数据中心和电动汽车对GaN的需求 [1] - 纳微近期在AI数据中心、电动汽车和太阳能市场发布多项公告,包括与NVIDIA合作提供GaN和SiC技术支持,以及为Enphase和长安汽车提供解决方案 [2] 合作展望与行业影响 - 纳微CEO表示与力晶合作将推进200毫米硅基氮化镓量产,并在产品性能、技术革新和成本效率方面持续进步 [2] - 力晶总经理表示双方在硅基氮化镓技术方面合作多年,产品认证接近完成,即将进入量产阶段,力晶将持续支持纳微探索和发展氮化镓市场 [2]
台积电终止GaN代工,纳微宣布:与他合作
是说芯语· 2025-07-02 16:52
战略合作与生产计划 - 纳微半导体宣布与力晶半导体建立战略合作伙伴关系 开始生产并开发200毫米硅基氮化镓技术 以应对台积电2027年终止氮化镓代工业务的影响 [1] - 合作将利用力晶竹南科学园区8B晶圆厂的200毫米晶圆生产线 该厂自2019年运营 支持Micro-LED和射频GaN器件等大批量生产工艺 [2] - 力晶将采用改进的180nm CMOS工艺生产纳微的GaN产品 提升性能 功率效率和集成度 同时降低成本 [2] 技术细节与产品规划 - 纳微的GaN产品组合电压覆盖100V至650V 目标应用包括48V基础设施 AI数据中心和电动汽车 [2] - 首批器件预计2025年Q4完成认证 100V系列计划2026年上半年量产 650V器件将在未来12-24个月内从台积电过渡至力晶生产 [2] - 180nm工艺节点的200毫米硅基氮化镓生产将推动更高功率密度 更快速度和更低成本的器件开发 [2] 市场应用与近期动态 - 纳微近期在AI数据中心 电动汽车和太阳能市场取得进展 包括与NVIDIA合作开发1MW以上高压直流输电架构的GaN/SiC技术支持 [3] - Enphase下一代IQ9采用纳微650V双向GaNFast IC 长安汽车推出首款商用GaN基车载充电器 采用纳微GaNSafe技术 [3] - 公司CEO强调与力晶合作将推动200毫米硅基氮化镓量产 持续提升产品性能和技术革新 [3] 合作伙伴表态 - 力晶总经理表示双方在硅基氮化镓技术合作多年 产品认证接近完成 即将进入量产阶段 [3] - 力晶承诺拓展合作并支持纳微探索氮化镓市场 凸显长期合作伙伴关系 [3]