台积电A14制程技术进展 - 台积电A14（1.4nm级，正面供电）制程计划于2028年推出，相比前代N2（2nm级，正面供电）工艺，在相同功耗和复杂度下性能提升16%，在相同时钟频率和复杂度下功耗降低27% [3] - 此前公司预期A14相比N2的性能提升为10%至15%，功耗降低为25%至30%，混合芯片晶体管密度提升约20%，实际公布数据表明性能略超预期，功耗降低处于预期中等水平 [6] - 从N7（2018年节点）到A14（2028年节点），在相同功耗水平下性能提升1.83倍，能效提升4.2倍，时间跨度达十年 [8] 台积电工艺技术发展路径与特点 - 公司展示工艺技术可扩展性，旨在表明摩尔定律尽管增速放缓但仍有效，但幻灯片主要列出主流节点，省略了N3B、N3P、N2P等节点间升级，未能完全突出多年来的全部进展 [8] - 每一代新的主要工艺节点相比上一代节点能降低约30%的功耗，而主要节点的性能提升幅度为15%至18%，表明公司在设计制造工艺时更关注功耗控制 [8] 电子设计自动化（EDA）工具的作用 - 除了制程节点进步，使用更智能的EDA工具（如Cadence Cerebrus AI Studio和Synopsys DSO.ai）是充分发挥下一代制造技术潜力的关键，这些工具利用强化学习优化布局布线，可提升性能、降低功耗并缩小面积 [9] - 通过优化自动化布局布线流程可节省5%的功耗，通过优化金属层方案可额外提升2%的性能，总功耗节省达7%，此效果与台积电通过节点间优化所能达到的节能效果相当 [12] - EDA工具，尤其是更智能的自动化布局布线工具，在利用现代制造技术实现更高性能和更低功耗方面扮演着越来越重要的角色 [12]

台积电1.4纳米制程布局与投资 - 台积电中科1.4纳米制程新厂预计10月动工，总投资金额达1.2兆至1.5兆新台币（约2338亿至3508亿人民币）[2] - 新厂规划四座厂房，首座厂2027年底风险性试产，2028年下半年正式量产，预估年营业额超5000亿新台币（约1169亿人民币）[2] - 中科厂第一期两座厂房为1.4纳米制程，第二期两座厂房可能推进至1纳米制程[2][3] - 台积电同步规划南沙仑园区1纳米制程基地，土地面积500公顷，可兴建10座晶圆厂[3] 先进制程技术突破 - A14制程基于第二代纳米片环栅晶体管（GAA）和NanoFlex Pro架构，较N2制程同功耗下速度提升10%~15%，同速度下功耗降低25%~30%，逻辑密度提升约1.23倍[5][7][8] - A14计划2028年投产，2029年推出具背面供电的A14P版本，后续还将推出A14X（效能版）和A14C（成本优化版）[8][9][11] - NanoFlex Pro架构允许芯片设计人员微调晶体管配置，实现功耗、效能和面积（PPA）的最佳化[9][11] 2纳米制程领先优势 - 台积电2纳米制程将于2025年第四季量产，代工报价达3万美元/片，月产能规划2025年底达4.5万~5万片，2026年超10万片，2028年扩至20万片[13][14] - 主要客户包括苹果、超微、高通、联发科、博通与英特尔，2027年新增NVIDIA、亚马逊、Google等逾10家客户[13][14] - 2纳米良率达65%，显著高于英特尔18A制程的55%和三星SF2制程的40%[15] 行业竞争格局 - 台积电在2纳米良率、客户结构、量产规模及市占率方面遥遥领先，全球客户超500家，生产产品逾万种[15][16] - 竞争对手三星2纳米制程仅用于自家手机，日本Rapidus虽试产成功但产能规模与商业模式差距较大[15][16] - 公司持续投资研发，聚焦A14后节点、3D晶体管、新型存储器及先进封装技术，以维持技术领先地位[18]

英特尔18A工艺的市场反响 - 英特尔18A工艺引起科技巨头极大兴趣 正在与NVIDIA 微软和谷歌洽谈合作[1] - 18A工艺被英特尔称为"美国制造的最先进工艺" 在Direct Connect 2025展会上展示[1] - 18A工艺被视为台积电N2工艺的直接竞争对手 两者SRAM密度和性能/效率指标相近[1] - 相比英特尔3代工艺 18A工艺在代际优势上实现显著突破[1] 英特尔战略调整与行业竞争格局 - 新任CEO陈立武推动公司战略转向 重点发展半导体设计自动化 封装和代工业务[2] - 可能放弃"IDM 2.0"战略 加强消费业务特别是CPU产品线发展[2] - 台积电生产线过于拥挤促使企业寻求替代方案 英特尔在2纳米节点竞争中占据有利地位[2] - 三星等竞争对手尚未在先进制程领域取得明显优势[2] 行业背景与市场动态 - 美国市场格局受政治因素影响 台积电在美工厂被视作台湾地区的替代选择[1] - 英特尔需通过技术突破改变台积电主导的市场局面[1]