特斯拉将召回美国市场近2 1.9万辆汽车。 End 欢迎分享给你的朋友！ 出品 | 中国能源报（c n e n e rg y） 责编丨李慧颖 美国国家公路交通安全管理局当地时间6日发布的召回信息显示，特斯拉将召回在美国销 售 的 2 1 8 8 6 8 辆 汽 车 ， 原 因 是 部 分 车 辆 倒 车 时 后 视 摄 像 头 图 像 延 迟 显 示 ， 影 响 驾 驶 员 视 野，可能增加碰撞风险。 召回涉及部分Mo d e l 3、Mo de l Y、Mode l S和Mode l X车型。 美国国家公路交通安全管理局说，受影响车辆在挂入倒挡时，后视摄像头显示画面可能出 现延迟，从而降低驾驶员对车辆后方情况的可见度。 据召回信息，特斯拉已发布软件更新解决这一问题。 来源：央视新闻客户端 ...

以军空袭加沙多地致死5人，哈马斯高官之子重伤。 ▲ 5月6日，加沙地带北部遭袭地区 巴勒斯坦消息人士告诉新华社记者，以军6日对加沙地带发动一系列空袭，造成至少5人死 亡，巴勒斯坦伊斯兰抵抗运动（哈马斯）高级官员哈利勒·哈亚之子重伤。 加沙地带卫生部门消息人士说，6日晚间，在加沙地带北部加沙城附近的杰巴利耶地区， 一架以色列无人机对一座汽车站附近人群发动空袭，造成至少一人死亡、多人受伤，其 中，哈马斯首席谈判代表哈亚的儿子阿扎姆伤势危重。 哈马斯6日晚发表声明，谴责以军当天在加沙地带不断升级针对平民的袭击，公然违反停 火协议、国际法以及人道主义原则，延续对加沙人民的种族灭绝战争。声明呼吁美国、停 火协议担保国以及联合国有关机构立即采取行动，制止以军违反协议行径，保障巴勒斯坦 人民安全。 加沙地带卫生部门6日发布的数据显示，自去年10月停火协议生效以来，已有8 3 0多名巴 勒斯坦人在以军行动中死亡。 来源：新华社 End 欢迎分享给你的朋友！ 出品 | 中国能源报（c n e n e rg y） 责编丨李慧颖 加沙民防部门发言人马哈茂德·巴萨勒告诉新华社记者，以军还空袭加沙城东南部宰通居 民区内安置流离失所者的 ...

地缘政治与航运安全 - 伊朗伊斯兰革命卫队海军发布通告，感谢波斯湾和阿曼湾的船长和船东遵守霍尔木兹海峡相关规定并为区域海上安全做出贡献 [3] - 伊朗宣布随着侵略者威胁被消除，新的规程已经生效，将确保船只安全、稳定地通过霍尔木兹海峡 [3] - 伊朗伊斯兰议会议长表示，霍尔木兹海峡新格局正在形成，并指责美国及其盟友违反停火协议并实施封锁，危及航运和能源运输安全 [3]

公司核心事件 - 2026年4月30日，公司董事会薪酬委员会批准向一位新上任的副总裁授予了诱导性股权奖励，作为其接受雇佣的重要激励[1] - 该奖励是根据纳斯达克上市规则5635(c)(4)批准的[1] 股权奖励计划详情 - 奖励依据公司2015年修订的《诱导性奖励计划》授予，该计划于2015年3月通过，旨在通过股权授予吸引新员工加入[2] - 奖励包含两部分：1）以每股0.93美元的行权价购买125,000股公司普通股的股票期权；2）覆盖20,000股公司普通股的受限股票单位[3] - 0.93美元的行权价是公司普通股在2026年4月30日于纳斯达克报告的收盘价[3] 股权奖励授予与归属条款 - 股票期权的归属起始日为2026年4月13日，分四年归属，其中25%的期权对应股份在归属起始日一周年时归属，剩余股份在此后的36个月内按月等额归属[3] - 受限股票单位的归属起始日为2026年6月15日，分三次在三年内按年度等额归属[3] - 两项奖励的归属均以员工持续为公司服务为前提[3] 公司业务与研发管线 - 公司是一家专注于开发创新疗法以解决严重罕见疾病的生物技术公司[1] - 主要研发管线包括：用于治疗常染色体显性多囊肾病（ADPKD）的SCY-770，该药物已获得孤儿药认定[4] - 公司拥有专有的抗真菌平台“fungerps”，其首个获批代表药物是BREXAFEMME（ibrexafungerp片剂），该药物已授权给葛兰素史克，另一款药物SCY-247目前处于临床开发阶段[4]

在瞬息万变的内存芯片行业，利润从来都不是稳赚不赔的。在过去三年里，美光科技、Sandisk 、希捷以及西 部数据四家公司都至少出现过一次年度运营亏损。但随着人工智能热潮引发内存芯片和硬盘的抢购热潮，那些 日子似乎已成为遥远的过去。今年，这四家公司的销售额均大幅增长。 公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 利润飙升竟然也可能成为令人担忧的原因，这说明存储器行业存在一些问题。 闪迪和美光目前每1美元的收入能带来约80美分的毛利润。相比之下，历史上这两家公司的毛利润率差异很 大，从个位数到60美分不等。 对于从事芯片物理制造这一高成本行业的公司而言，这样的利润率似乎高得难以持续。但芯片制造的特殊性也 解释了为何推动如此高利润的市场环境短期内不会改变。目前存储器需求正急剧增长，但新建生产设施需要数 年时间。 人工智能领域的支出必须大幅下降，才能撼动该行业目前的定价权。而人工智能领域最大的几家投资方刚刚表 示，他们打算进一步加大投入。上周，微软将今年的资本支出预期提高了250亿美元，Meta Platforms也增加了 100亿美元的支出计划，两家公司都将增加支出的原因归咎于组件成本的上涨。 人工智能系统需要 ...

公司业务与产品 - 公司销售集装箱大小的紧凑型洁净室系统，售价在500万至1500万美元之间，该系统几乎能完成所有不太先进的晶圆厂的功能 [1] - 公司设备的核心创新在于使用更小的晶圆，从而使得设备尺寸更小、成本更低，最初设想为一英寸晶圆，后发展到两英寸，目前已达到四英寸（约100毫米） [1][3] - 公司的晶圆厂拥有与大型晶圆厂相同的核心工艺能力，包括光刻、计量、干法刻蚀、等离子体增强化学气相沉积、原子层沉积和湿法工艺 [6] 技术原理与优势 - 设备小型化的关键在于缩小等离子体处理腔等核心部件的尺寸，例如将传统50加仑油桶大小的真空室缩小到一升装汽水瓶大小，这改变了腔体表面积与体积的比例关系，影响了等离子体护套等物理特性 [2][4] - 缩小设备规模后，后端所需的真空泵、质量流量控制器、阀门等支持设备以及过程控制都变得更加容易 [5] - 公司设备在光刻技术上的主要限制在于特征尺寸和写入速度，使用光刻技术可实现半微米特征尺寸，使用电子束或压印光刻技术可达几十纳米，但写入速度较慢 [7] 市场定位与竞争力 - 公司服务的核心市场包括工业、传感、生物医学、航空航天和国防领域，并正在拓展化合物半导体（用于功率和高频射频应用）、量子及光子学等领域 [8] - 公司业务的一个重要部分是人才培养，为全球希望建立本土半导体制造能力的地区提供培训课程，帮助其在大型晶圆厂建成前快速培养运营人才 [1][8] - 公司的商业模式挑战了“晶圆尺寸越大、芯片成本越低”的传统观点，强调资本效率和产能利用率才是决定成本的关键，并声称其小晶圆方案在价格上可与当前的8英寸晶圆代工厂竞争 [7] 发展愿景与机遇 - 公司的长期愿景是推动制造技术的民主化，降低微加工的准入门槛，从而激发更广泛的微观领域创新 [9] - 公司设备为需要定制化工艺流程或产品产量本身不高的应用提供了理想的解决方案 [8] - 相较于需要五年时间建造的大型8英寸或12英寸晶圆厂，公司提供的解决方案能帮助客户更快（在五年内）启动生产 [8]

文章核心观点 - 人工智能，特别是智能体人工智能的普及，正在显著提升对服务器CPU的需求，改变了CPU与GPU的传统比例关系，并驱动服务器CPU市场以远超预期的速度增长 [1][3] - AMD正积极调整其数据中心CPU产品战略，从提供同质化产品转向开发高度细分、针对特定工作负载优化的产品组合，以抓住AI基础设施等领域的新机遇 [5][6] AI驱动CPU需求增长 - AI是公司本季度云计算业务增长的主要驱动力，所有主流云服务提供商都在扩展其Epic平台部署以支持各类AI工作负载 [1] - 智能体AI的普及增加了对服务器CPU的计算需求，因为这些工作负载需要额外的CPU处理能力来进行任务编排、数据移动和并行执行 [1] - 公司现在预测服务器CPU潜在市场规模将以每年35%的速度增长，到2030年达到1200亿美元，远高于此前预测的18%年增长率 [3] - 智能体AI正在改变CPU与GPU的比例，从过去主机节点常见的1:4或1:8，向1:1甚至CPU数量可能超过GPU数量的方向演变 [4] 产品战略与市场细分 - 公司不再将服务器CPU视为单一同质类别，而是将市场划分为通用计算、加速器CPU头节点以及针对智能AI工作负载优化的CPU等多个细分领域 [5] - 公司计划打造更加细分化的EPYC产品线，包括针对特定工作负载的SKU、采用不同核心/缓存/互连配置的产品，以及为推理集群、编排、低延迟AI任务和GPU密集型部署量身定制的CPU [5] - 产品线扩展将超越Venice架构，涵盖Zen 7以及可能还有Zen 8微架构，公司正与客户探讨Venice以外的架构风格 [5] - 基于Zen 6微架构的第六代EPYC处理器计划推出代号为Venice的CPU（最多256核，用于通用服务器）和代号为Verona的处理器（用于AI基础设施） [6] - Venice系列产品线旨在实现吞吐量优化、功耗优化、成本优化和人工智能基础设施优化等多种模型 [6] 竞争格局与行业趋势 - CPU在人工智能行业中被认为扮演着至关重要的角色，主要得益于智能体人工智能工作负载的增长，这一观点得到了行业主要参与者的认同 [1] - 行业最大的积极变化是，所有客户现在都在规划和考虑CPU的同时，也考虑加速器部署 [4] - 现代数据中心工作负载多样化导致几乎所有超大规模云服务提供商都拥有自己的定制芯片项目，为了保持竞争力，公司需要扩展其面向数据中心的CPU产品组合以满足不同需求 [4]

公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 硬件仿真技术的应运而生，源于上世纪八十年代的迫切需求。到了八十年代中期，半导体设计的复杂程度已经 远远超出了门级仿真的实际应用范围。门级仿真虽然精度高，但速度极其缓慢；硅原型虽然能够以实时速度运 行，但交付却为时已晚。业界亟需一种新的工具——一种验证引擎，它能够以合理的速度执行真实的硬件模 型，同时又能保持全面验证所需的可见性和控制力。硬件仿真技术应运而生，正是为了填补这一空白。 谁能想到，摩尔定律所描述的复杂性增长会在2020年代被人工智能模型复杂性的增长速度远远超越呢？当然， 事后诸葛亮总是容易的。让我们来看看半导体需求究竟发生了什么： 图 1 ：半导体需求加速增长 纵观个人电脑、互联网、移动、物联网和云计算这四代主要的电子系统发展历程，我们可以说，仿真技术的演 进是由不同的范式驱动的，它们通过不同的技术优势平衡来满足极其广泛的市场需求，从而争夺市场份额。如 今，市场主要投资于人工智能芯片，这些芯片必须能够执行复杂度呈爆炸式增长的人工智能模型。因此，在执 行这些长时间人工智能工作负载方面具有性能优势的仿真架构成为当今市场的赢家也就不足为奇了。 让我们回顾一下 ...

文章核心观点 随着AI大模型、高性能计算及数据中心需求的爆发，高带宽内存（HBM）已成为高端算力芯片不可或缺的核心技术，并引发了新一轮存储产业竞争[1]。然而，HBM在先进封装、散热、功耗及产能等方面面临挑战，这促使行业探索多种替代或补充性技术方案，包括英特尔与软银子公司Saimemory开发的ZAM/HB3DM、NEO Semiconductor的3D X-DRAM、以及SanDisk提出的HBF[1][11][17]。同时，HBM自身也在持续演进，从HBM4到HBM8的路线图规划了性能的显著提升[23][24]。行业竞争的本质是寻求更高带宽、更低功耗、更大容量和更低成本的终极平衡，这已演变为一场关于“后摩尔时代内存形态”的路线之争[30]。 英特尔与软银子公司Saimemory的ZAM/HB3DM技术 - **公司背景与目标**：Saimemory是软银于2024年12月成立的子公司，旨在将下一代内存技术商业化，并与英特尔合作，利用其“先进内存技术（AMT）”和“下一代DRAM键合（NGDB）”计划的技术专长[2]。目标是开发一种替代HBM的技术，为AI加速器提供更高的带宽和容量[1]。 - **技术特点**：其技术名为Z轴内存（ZAM），采用垂直堆叠结构[2]。基于ZAM的第一代HB3DM内存将采用九层结构（底层逻辑层+八层DRAM层），使用混合键合技术进行3D芯片布局，每层包含约13,700个TSV[5]。 - **性能参数**：HB3DM每层容量约1.125 GB，每个10 GB模块的带宽预计约为5.3 TB/s（基于每平方毫米0.25 Tb/s的带宽密度和171平方毫米芯片面积计算）[7]。其带宽显著高于预计的HBM4（约2 TB/s），但当前容量（10 GB）远低于HBM4（最高48 GB）[7][8]。NGDB技术旨在消除高带宽与容量之间的权衡，并显著提高能效[4]。 - **发展计划**：Saimemory计划在2026年6月的VLSI大会上发表关于HB3DM的论文，目标是在2028年初完成原型产品，2029年推出商用产品[5][10]。 NEO Semiconductor的3D X-DRAM技术 - **技术突破**：NEO Semiconductor于4月23日宣布，其3D X-DRAM技术已通过概念验证（POC），证明可利用现有的3D NAND制造基础设施（包括成熟设备、材料和工艺）来生产高密度DRAM[14]。该技术旨在通过垂直堆叠架构突破传统内存扩展限制[14]。 - **性能优势**：POC测试芯片展示了优异的电气性能和可靠性，读/写延迟低于10纳秒，数据保持时间在85°C下大于1秒（比JEDEC标准64毫秒好15倍），耐久性超过10¹⁴次循环[15]。其设计采用了基于铟镓锌氧化物（IGZO）的存储单元，可实现类似3D NAND的堆叠结构[15]。 - **行业意义**：该进展被视为一个重要里程碑，证明了3D DRAM超越传统微缩极限的实际可行性，与行业向垂直扩展存储器发展的路线图相契合[16]。 SanDisk的HBF（高带宽闪存）技术 - **定位与原理**：HBF是SanDisk于2025年2月提出的下一代闪存概念，并非旨在完全取代HBM，而是作为其补充，共同构建更高效的内存层次结构[17]。其核心是通过堆叠NAND闪存芯片来同时提升带宽和容量，并利用NAND的非易失性特性[17]。 - **架构特点**：HBF封装由多个垂直堆叠的3D-NAND芯片通过TSV连接到控制器基芯片[20]。它采用HBM型主机接口，可直接连接到加速器上现有的HBM控制器[20]。在芯片级别，通过双倍数据速率（DDR）同步接口实现高带宽传输[20]。 - **应用与市场前景**：在AI系统中，HBM可用于处理热数据，而HBF适用于存储大规模非易失性数据集，有望显著降低系统扩展成本，尤其在超大规模模型和边缘计算中具有优势[17]。业界预测，包括HBF在内的复杂内存解决方案需求将在2030年前后增长[20]。然而，有消息指出NVIDIA对HBF似乎不感兴趣，而谷歌已锁定采购渠道，样品测试将于今年开始[21]。 HBM技术自身的演进路线图 - **长期规划**：根据韩国KAIST机构发布的路线图，HBM技术将从HBM4（2026年）持续演进至HBM8（2038年），重点关注带宽、容量、I/O接口宽度和散热性能的提升[23]。 - **关键性能指标提升**：预计从2026年至2038年，单栈内存带宽将从2 TB/s提升至64 TB/s，数据传输速率从8 Gbps提升至32 Gbps，I/O宽度从2,048位提升至16,384位[24][25]。单栈容量将从HBM4的36/48 GB增长至HBM8的200/240 GB，同时功耗也从75 W增加至180 W[24][25]。 - **技术与架构演进**：路线图涵盖了堆叠技术（从微凸块到无凸块铜-铜直接键合）、散热方案（从直接芯片冷却到嵌入式冷却）以及架构创新（如定制基片、内存中心架构、与HBF/3D LPDDR的混合架构等）[24]。 下一代DRAM的技术路线分歧 - **三星电子的垂直方案**：三星电子正在研发16层垂直堆叠DRAM（16层VS-DRAM）工艺，并考虑将环栅（GAA）晶体管技术应用于DRAM，同时采用单元上层（POC）技术，将电容器水平放置并逐层堆叠[27]。 - **SK海力士的平面极致方案**：SK海力士的研究方向是“4F² Vertical Gate”DRAM，目标是将单个单元面积较现有的6F²结构减少30%以上，并应用了位线屏蔽（BLS）和核心共享背栅（Shared BG）等技术来应对挑战[28]。该公司还在考虑采用芯片减薄技术，并着眼于未来引入晶圆对晶圆（W2W）的混合键合方法[28]。 - **竞争意义**：在10纳米以下工艺节点，结构创新变得至关重要，两家公司的不同路径竞争将决定谁能掌握下一代DRAM的关键[29]。 GPU与HBM集成发展趋势 - **集成度与性能飙升**：根据下一代GPU-HBM路线图，GPU与HBM的集成将更加紧密，通过更大的中介层（Interposer）实现[26]。预计到2035年，下一代GPU-HBM模块的总带宽可达1,024 TB/s，总HBM容量达5,120/6,144 GB，但总功耗也高达15,360 W[26]。 - **硬件规格演进**：从2026年的Rubin架构到2035年的下一代架构，GPU芯片数量、HBM堆栈数量以及中介层尺寸均显著增加，以支撑指数级增长的算力需求[26]。

行业核心动态：AI驱动高性能PCB需求激增导致CCL供应紧张 - 文章核心观点：人工智能半导体应用的扩展推动了对高性能半导体印刷电路板的需求，进而导致其核心基础材料覆铜板的供应紧张，交货周期显著延长，并促使行业向高附加值产品转型 [1][2] CCL供应现状与交货周期 - 高性能半导体PCB需求激增，导致覆铜板的订单到交付时间增加了一倍以上，从约两周延长至最长六周 [1] - 供应紧张不仅限于高端材料，甚至波及通用型E玻璃产品，因为生产商将产能集中于高利润产品 [2] 需求驱动因素：AI半导体与T-玻璃应用 - CCL供应短缺的主要驱动力是人工智能半导体应用的日益广泛 [1] - 高性能半导体衬底采用低热膨胀系数的T-玻璃，其应用范围从高价值基板迅速扩展到服务器模块和存储器基板领域 [1][2] - T-玻璃能最大限度减少高温工艺中的衬底变形，利于微电路制造，随着电路集成密度提高和热管理重要性凸显，需求增长 [1][2] 供应链结构与竞争格局 - 在高端T-玻璃供应方面，日本日东宝株式会社凭借获得大型科技公司质量认证的产品，几乎垄断了供应 [2] - 尽管有供应商尝试将供应链多元化至台湾和中国大陆，但短期内转变预计不会一帆风顺 [2] - 包括斗山电子集团在内的主要材料公司正计划扩大生产规模，专注于高性能CCL的生产 [2] 对供应短缺的潜在不同看法 - 有观点认为当前情况不能被视为全面供应短缺，因为PCB制造商已确保了一定的安全库存，且材料供应商也在同步扩大产能，生产中断的可能性有限 [3]