光刻材料概述 - 光刻材料是半导体制造的关键拼图，性能直接影响芯片集成度、性能、功耗及生产成本 [2] - 光刻材料包括SOC、抗反射涂层(BARC/TARC/SiARC)、光刻胶、增粘材料等，决定晶圆工艺图形精密程度与良率 [3] - 光刻工艺占晶圆制造成本13%-15%，耗时占比40%-50%，单芯片需20-90次光刻 [5] SOC材料 - SOC是光刻工艺基石，由聚酰胺酸树脂等组成，用于衬底表面平坦化，解决薄胶膜抗刻蚀难题 [7][9] - 三层结构(光刻胶+SiARC+SOC)广泛应用于先进NAND/DRAM及45nm以下逻辑芯片，提升图形解析度 [9] - 厦门恒坤SOC产品耐温达400-450℃，填隙能力达20nm以下，缺陷率低于5个/ml [10] 抗反射涂层 - BARC位于衬底与光刻胶间，消除反射光驻波效应，KrF/ArF光刻必备材料 [12][14] - TARC涂覆于光刻胶表面，减少曝光系统光线反射，提升图案精度 [17][18] - 抗反射涂层市场规模2023年29.4亿元，预计2028年达96.9亿元，年复合增长率26.9% [45] 光刻胶 - 半导体光刻胶分g/i-Line、KrF、ArF、EUV五类，国产化率仅1-10%，EUV处于研发阶段 [19][20] - 光刻胶参数包括分辨率、对比度、灵敏度等，直接影响芯片良率 [21][22] - 2023年市场规模64.2亿元，预计2028年达150.3亿元，KrF/ArF占比将超71% [50][52] 市场格局 - 全球市场由日美企业主导，信越/JSR/东京应化等占据95%份额 [54][60] - 国内恒坤新材占SOC市场90%，北京科华/KrF胶逐步替代进口 [58][62] - 原材料(树脂/单体/溶剂)80%依赖进口，徐州博康/圣泉集团局部突破 [65] 技术趋势 - 未来聚焦高分辨率(10nm以下)、强抗刻蚀性及原材料国产化 [70][71] - 5G/AI/IoT驱动需求，2028年中国光刻材料市场规模预计达319.2亿元 [39][72] - 浸没式光刻+多重曝光技术推动材料升级，14/7nm节点需三重曝光 [38][53]

光刻产业大会概况 - 2025势银（第五届）光刻产业大会于7月9-10日在合肥新站利港喜来登酒店举行，聚焦极紫外光刻（EUV）、电子束光刻、纳米压印等前沿技术，以及光刻胶、湿电子化学品、掩膜版等材料的国产化现状与技术瓶颈[1] - 会议涵盖光刻设备国产化进程的关键议题，包括设备研发、制造工艺、性能提升及市场情况[2] - 7月10日上午举行材料与装备专场讨论[10] 光刻技术与设备发展 - 国产光刻机需突破精密运动控制、高精度对准系统、整机控制等技术，同时构建生态协同并通过设备贸易积累经验[12] - 数字光刻机（如激光直写光刻机）已在IC先进封装和FPD低世代产线中应用，未来三年内有望在先进封装领域成熟并占据市场份额[20] - 准分子激光气体技术具备高分辨率成像和定位精度，但面临气体混配、杂质脱除、包装容器处理等技术难点[22] 光刻材料国产化进展 - 久日半导体化学已构建从光敏剂/光引发剂、单体到光刻胶的全产业链，年产能包括面板光刻胶4000吨、半导体光刻胶500吨、光敏剂600吨等，填补半导体成熟制程和显示面板领域原材料空缺[14] - 华显光电开发约200种产品（涵盖树脂单体、PAG、BARC等），其中15种通过客户端验证并量产，金杂控制能力达10~1ppb[18] - 痕量杂质（阴阳离子、有机杂质、水分等）对光刻胶性能影响显著，需控制原材料引入、生产工艺迁移及环境污染[24] 前沿技术研究挑战 - 痕量气体在DUV下的光化学反应研究需建立ng/L级检测方法，并开发专用反应装置与监测装备[16] 会议组织与参与方 - 主办单位为势银（TrendBank），协办单位为SICA深芯盟，赞助企业包括Agilent、智奥格、普利凯等[27] - 势银定位为中国领先的产业研究与数据公司，提供数据、研究、咨询及会议服务[31]