上市表现与募资用途 - 公司于2025年11月18日在上交所科创板上市，发行6739.7940万股，发行价14.99元/股，开盘大涨287%，盘中最高涨超333%至65元/股，市值一度超过280亿元 [2] - 上市首日收盘涨幅310.61%，报收61.55元/股，最新市值276.56亿元，成为厦门今年最大IPO [2] - 募资总额10.07亿元，扣除发行费用后，将投资于新建集成电路用先进材料项目、前驱体二期项目和SiARC开发与产业化等项目，涉及500吨KrF/ArF光刻胶及760吨TEOS等前驱体材料产能 [2] 公司发展历程与业务转型 - 公司成立于2004年，注册资金3.82亿元，股东结构未见大机构，但与久日新材、八亿时空合资成立大晶信息化学品（徐州）有限公司及上海八亿时空先进材料有限公司 [4] - 公司2014年开始从主营光电膜器件及视窗镜片业务转型，瞄准12英寸集成电路晶圆制造所需的光刻材料和前驱体材料 [5] - 截至2024年末，公司已实现SOC、BARC、i-Line光刻胶、KrF光刻胶等光刻材料及TEOS等前驱体材料的量产供货，ArF光刻胶、SiARC等产品进入客户验证流程，其中ArF浸没式光刻胶已通过验证并小规模销售 [5] - 公司自产产品实现对日产化学、信越化学、杜邦等境外厂商同类产品替代，打破了12英寸集成电路关键材料的垄断 [5] 行业市场与公司地位 - 在12英寸集成电路领域，i-Line光刻胶、SOC国产化率约10%，BARC、KrF光刻胶国产化率1%-2%，ArF光刻胶国产化率不足1% [9] - 预计到2028年，境内光刻材料整体市场规模将增长至319.2亿元，年复合增长率达21.2% [9] - 2023年度，公司SOC与BARC销售规模排名境内市场国产厂商第一位，2024年度SOC销售规模达2.32亿元，预计境内市占率超过10% [10] 产能与产量数据 - 光刻材料SOC产能从2022年的24,888加仑增至2024年的26,928加仑，产能利用率从20.87%提升至57.42% [11] - 光刻材料BARC产能从2022年的8,376加仑增至2024年的20,796加仑，产能利用率从9.47%提升至21.43% [11] - 前驱体材料TEOS产能维持在720,000千克至840,000千克，产能利用率从2022年的1.68%大幅提升至2024年的46.47% [11] 财务业绩表现 - 公司营业收入从2022年的3.22亿元增长至2024年的5.48亿元，归属净利润从2022年的1.01亿元略降至2024年的9691.92万元 [13] - 自产产品销售收入占比持续提升，从2022年的38.94%增长至2024年的63.77%，金额从1.24亿元增长至3.44亿元 [13] - 2025年1-6月，公司营业收入2.94亿元，同比增长23.74%，自产业务收入大幅增长72.60%，净利润4158万元，同比下降5.71% [14] - 公司资产总额从2022年的16.33亿元增长至2024年的26.45亿元，资产负债率从22.19%上升至43.26% [15]

光刻材料概述 - 光刻材料是半导体制造的关键拼图，性能直接影响芯片集成度、性能、功耗及生产成本 [2] - 光刻材料包括SOC、抗反射涂层(BARC/TARC/SiARC)、光刻胶、增粘材料等，决定晶圆工艺图形精密程度与良率 [3] - 光刻工艺占晶圆制造成本13%-15%，耗时占比40%-50%，单芯片需20-90次光刻 [5] SOC材料 - SOC是光刻工艺基石，由聚酰胺酸树脂等组成，用于衬底表面平坦化，解决薄胶膜抗刻蚀难题 [7][9] - 三层结构(光刻胶+SiARC+SOC)广泛应用于先进NAND/DRAM及45nm以下逻辑芯片，提升图形解析度 [9] - 厦门恒坤SOC产品耐温达400-450℃，填隙能力达20nm以下，缺陷率低于5个/ml [10] 抗反射涂层 - BARC位于衬底与光刻胶间，消除反射光驻波效应，KrF/ArF光刻必备材料 [12][14] - TARC涂覆于光刻胶表面，减少曝光系统光线反射，提升图案精度 [17][18] - 抗反射涂层市场规模2023年29.4亿元，预计2028年达96.9亿元，年复合增长率26.9% [45] 光刻胶 - 半导体光刻胶分g/i-Line、KrF、ArF、EUV五类，国产化率仅1-10%，EUV处于研发阶段 [19][20] - 光刻胶参数包括分辨率、对比度、灵敏度等，直接影响芯片良率 [21][22] - 2023年市场规模64.2亿元，预计2028年达150.3亿元，KrF/ArF占比将超71% [50][52] 市场格局 - 全球市场由日美企业主导，信越/JSR/东京应化等占据95%份额 [54][60] - 国内恒坤新材占SOC市场90%，北京科华/KrF胶逐步替代进口 [58][62] - 原材料(树脂/单体/溶剂)80%依赖进口，徐州博康/圣泉集团局部突破 [65] 技术趋势 - 未来聚焦高分辨率(10nm以下)、强抗刻蚀性及原材料国产化 [70][71] - 5G/AI/IoT驱动需求，2028年中国光刻材料市场规模预计达319.2亿元 [39][72] - 浸没式光刻+多重曝光技术推动材料升级，14/7nm节点需三重曝光 [38][53]

光刻产业大会概况 - 2025势银（第五届）光刻产业大会于7月9-10日在合肥新站利港喜来登酒店举行，聚焦极紫外光刻（EUV）、电子束光刻、纳米压印等前沿技术，以及光刻胶、湿电子化学品、掩膜版等材料的国产化现状与技术瓶颈[1] - 会议涵盖光刻设备国产化进程的关键议题，包括设备研发、制造工艺、性能提升及市场情况[2] - 7月10日上午举行材料与装备专场讨论[10] 光刻技术与设备发展 - 国产光刻机需突破精密运动控制、高精度对准系统、整机控制等技术，同时构建生态协同并通过设备贸易积累经验[12] - 数字光刻机（如激光直写光刻机）已在IC先进封装和FPD低世代产线中应用，未来三年内有望在先进封装领域成熟并占据市场份额[20] - 准分子激光气体技术具备高分辨率成像和定位精度，但面临气体混配、杂质脱除、包装容器处理等技术难点[22] 光刻材料国产化进展 - 久日半导体化学已构建从光敏剂/光引发剂、单体到光刻胶的全产业链，年产能包括面板光刻胶4000吨、半导体光刻胶500吨、光敏剂600吨等，填补半导体成熟制程和显示面板领域原材料空缺[14] - 华显光电开发约200种产品（涵盖树脂单体、PAG、BARC等），其中15种通过客户端验证并量产，金杂控制能力达10~1ppb[18] - 痕量杂质（阴阳离子、有机杂质、水分等）对光刻胶性能影响显著，需控制原材料引入、生产工艺迁移及环境污染[24] 前沿技术研究挑战 - 痕量气体在DUV下的光化学反应研究需建立ng/L级检测方法，并开发专用反应装置与监测装备[16] 会议组织与参与方 - 主办单位为势银（TrendBank），协办单位为SICA深芯盟，赞助企业包括Agilent、智奥格、普利凯等[27] - 势银定位为中国领先的产业研究与数据公司，提供数据、研究、咨询及会议服务[31]