公司业绩预测与指引 - 公司第三季收入指引中位数为4.75亿美元，同比增长11% [1] - 预测公司第三季将因约3.6亿元人民币一次性重组开支而录得约6900万元净亏损 [1] - 预测公司第四季收入可达36.46亿元，同比增长7%，并实现扭亏，录得净利润约1.26亿元 [1] 投资评级与盈利预测调整 - 给予公司"增持"评级，目标价由80港元上调至100港元 [1] - 将公司2026年及2027年每股盈利预测分别上调10%及23% [1] - 将公司今年全年盈利预测下调45% [1] 行业与公司增长动力 - 主流半导体需求正在复苏，先进封装市场持续增长 [1] - 公司长期增长动力包括CoWoS-L产能扩张、中国高频宽记忆体发展及混合键合进展 [1] - 预计公司第三季订单出货比将维持在1倍以上 [1]

市场总体展望 - 半导体后端设备市场正经历深刻技术变革，从成本敏感工艺转向由先进封装技术驱动 [1] - 预计市场规模将从2025年的69亿美元增长至2030年的98亿美元，年复合增长率高达7.1% [1] - 先进封装成为高性能计算、人工智能和汽车应用的关键，后端环节转变为半导体性能和系统级集成的核心推动力 [1] 细分市场增长前景 - 热压键合市场预计到2030年收入将达约11亿美元，复合年增长率高达13.4%，其在高端内存集成中的核心作用推动增长 [6] - 混合键合是当前最具颠覆性的后端技术，预计到2030年市场规模达约4.77亿美元，复合年增长率高达24.6% [7] - 芯片贴片机市场预计到2030年收入达9.12亿美元，受汽车、消费电子和工业电子产品应用推动 [7] - 倒装芯片键合机市场规模预计到2030年增长至6.62亿美元以上，创新技术正实现更高I/O密度和更佳电气性能 [8] - 引线键合市场预计到2030年收入小幅增长至约9.94亿美元，K&S将保持强劲的市场领先地位 [8] - 晶圆减薄市场规模预计到2030年增长至8.9亿美元以上，主要得益于超薄研磨等技术创新 [11] - 切割市场规模预计到2030年达约20亿美元，激光和等离子切割因精度高和碎屑少而日益受青睐 [11] - 计量与检测市场收入预计到2030年增长至约8.5亿美元，人工智能驱动分析技术进步是主要推动力 [11][12] 技术创新趋势 - 切割技术方面，刀片、激光和等离子切割可实现精细切口宽度和低应力切割，对易碎器件至关重要 [14] - 晶圆减薄技术中，等离子辅助技术和超薄研磨技术可提高电气和热性能，满足更小、更高效芯片需求 [14] - 芯片键合机正朝着高速贴装和精密对准方向发展 [14] - 倒装芯片键合创新包括无助焊剂互连和超细间距技术 [15] - 计量与检测领域，自动光学检测、人工智能驱动的缺陷检测和预测分析正在提升质量保证 [21] - 热压键合对于高带宽内存和细间距集成正变得不可或缺 [20] - 混合键合代表了终极互连方法，可为下一代设备提供卓越的密度和性能 [20] 行业参与者动态 - 领先的OSAT厂商如ASE、Amkor、JCET和SPIL正在建设产能以满足先进封装需求 [19] - 代工厂和IDM厂商包括台积电、英特尔、SK海力士、美光和三星正在大力投资高带宽内存、小芯片和混合键合技术 [19] - 设备供应商如K&S、BESI、ASMPT、DISCO和Hanmi持续推动技术变革，扩展产品组合，并推动精度、产量和工艺灵活性创新 [19] - BESI近期获得的热压键合Next订单凸显了市场对先进封装设备的信心 [6] - BESI与应用材料的战略合作伙伴关系使其处于混合键合设备创新的前沿 [7] - DISCO凭借先进的双主轴刀片系统和飞秒激光创新技术在切割领域处于领先地位 [11]

半导体封装技术进展 - 半导体封装的下一个重大飞跃需要新技术、新工艺和新材料，以实现性能数量级提升，对人工智能时代至关重要 [1] - AMD、台积电、三星、英特尔等公司在混合键合、玻璃芯基板、微通道冷却等方面取得显著进步 [1] - 人工智能对计算的需求将持续增长，芯片制造和封装创新将发挥核心作用 [2] 热管理与液体冷却技术 - 芯片级液体冷却技术正在兴起，以解决强制风冷技术的极限问题 [4] - 台积电的硅集成微冷却器 (IMEC-Si) 在10升/分钟水流条件下可实现超过3,000瓦的均匀功耗，功率密度高达2.5 W/mm² [6] - 佐治亚理工学院提出“芯片作为冷却剂”概念，采用5nm TSV的硅散热器冷却能力超过300W/cm² [9] - 三星在移动处理器中采用铜基散热块，散热性能提高20% [11][13] 混合键合技术 - 混合键合间距已从10µm微缩至1µm，英特尔展示了相关研究成果 [5][16] - 工研院和Brewer Science展示了五层堆叠结构，采用聚合物/铜RDL进行铜-铜混合键合，适用于高速数字应用 [14] - 晶圆间键合和芯片间键合各有优势，后者在贴装精度和翘曲控制方面面临挑战 [17] 背面供电技术 - 背面供电技术在晶圆背面构建供电网络，降低晶体管电压降，但加剧了热点问题 [19] - IBM开发了AI模型用于精确计算后端堆栈的传热，优化设计阶段的散热考虑 [21] - Imec模拟显示，背面供电网络在逻辑和存储器堆叠中的热影响显著，逻辑芯片位于顶层的配置受存储器温度限制 [23][24] 共封装光学器件 (CPO) - 共封装光学器件将光学引擎与GPU和HBM集成，传输速度从200 Gb/s提升到6.4Tb/s，带宽提高32倍 [26] - ASE展示了用于ASIC交换机和以太网/HBM的模块化CPO平台 [28] - 康宁和Fraunhofer IZM提出可扩展的平面二维波导电路，减少光纤电缆端接和手动组装需求 [28] 热模拟与封装设计 - 热模拟在多芯片组封装设计中发挥关键作用，用于选择最终设计并降低风险 [28] - Imec的3D堆栈模拟显示，层间冷却技术可将温度从500°C降至50°C左右 [24]