如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ SK海力士宣布，将应用于高带宽存储器（HBM）的混合键合良率已有所改善。与使用凸块的方法 不同，或与竖立铜（Cu）柱并在顶部放置凸块的方法不同，混合键合指的是将Cu与Cu焊盘直接接 触的终极演进封装技术。 SK海力士技术负责人（TL）金钟勋于28日在首尔江南区浦项塔驿三举办的"超越HBM——先进封 装核心技术：从下一代基板到模块"会议上表示，"12层HBM通过混合键合堆叠的验证已完成。"他 补充道，"我们目前正努力将良率提升到适合大规模生产应用的水平。我们无法披露具体的良率数 据，但准备工作比过去推进得更远。" 由于混合键合可以在无需凸块的情况下连接芯片，因此它可以减少发热，同时显著提高数据传输速 度。通过将Cu焊盘直接接触，还能将堆叠芯片高度与使用凸块或Cu柱凸块的设计相比大幅降低。 业界预计混合键合将从HBM4开始采用。随着16层产品的商业化，从今年下半年或明年开始逐步 部署。TL金解释道，"HCB是一种能够在更窄间距下实现键合的技术。" 然而，以当前技术水平应用混合键合需要解决经济性挑战。迄今为止最大限度利用Mass Reflow- Molded Underfi ...

文章核心观点 - 先进封装技术已成为驱动系统性能的关键因素，但封装尺寸增大、结构复杂化导致机械和工艺控制问题凸显，成为行业持续规模化的主要瓶颈 [2][3] - 封装行业正进入新阶段，翘曲、玻璃脆性、混合键合良率、临时键合偏差和基板限制等相互关联的机械与工艺问题，使得规模化生产变得复杂 [2][3][22] - 行业挑战从单一的电气或密度问题，转变为材料、机械性能、热历史和良率管理等工艺整合问题，需要更全面的视角和流程协同优化来实现稳定量产 [22] 先进封装面临的机械与工艺挑战 - **翘曲成为核心问题**：翘曲是许多封装问题的根源，由叠层中热机械膨胀系数不匹配、刚度不平衡、聚合物固化收缩及高铜密度等因素导致，封装尺寸增大和对准精度要求提高使问题更显著 [4][5][6] - **玻璃载体的双刃剑效应**：玻璃载体因平整、尺寸稳定且热膨胀系数与硅接近，能显著减少工艺翘曲并提高对准精度，但其脆性引入了边缘损伤、碎裂、微裂纹等新的可靠性问题 [9][10][11] - **混合键合良率驱动因素转变**：当互连间距大于5微米时，良率主要由缺陷决定；当间距缩小至小于2到3微米时，良率主要由应力驱动，因高铜密度和介电约束导致机械应力增加 [12] - **背面处理精度要求提升**：随着芯片减薄至更薄（如HBM DRAM芯片），临时粘合材料的总厚度变化直接影响减薄质量和均匀性，背面处理成为精度预算的关键部分 [15][16] - **基板短缺反映技术局限**：基板短缺不仅是供应链问题，更是传统基板平台在机械、电气和经济性上难以满足先进AI封装对更大尺寸、更高集成度及更严苛散热供电要求的体现 [18][19] 技术发展趋势与行业应对 - **从晶圆级向面板级工艺演进**：随着组件尺寸增大，晶圆级工艺的经济性和良率优势减弱，行业更加关注面板级工艺以应对市场需求，但面板级工艺会加剧翘曲和累积应力 [7][19] - **仿真与工艺协同优化重要性上升**：企业需要在制造前对翘曲和应力进行建模，尤其在混合键合中，微小的几何或机械偏差都可能引发下游集成问题 [14][22] - **解决方案的行业差异性**：新平台（如玻璃载体）的采用在不同应用领域不会一致，例如在汽车行业，成熟的封装类型和长期可靠性比新型基板平台的前景更重要 [20] - **先进封装成为系统架构核心**：封装不再是下游被动外壳，其电源传输、散热、互连密度、基板特性及工艺流程直接影响系统构建方式及经济高效的生产方式 [2][3]

投资事件概览 - 拓荆科技于12月5日发布公告，拟与关联方丰泉创投共同投资芯丰精密 [1] - 拓荆科技拟以不超过人民币2.7亿元受让芯丰精密9,983,765元注册资本，占其本轮融资后注册资本的16.4154% [1] - 关联方丰泉创投拟以3000万元受让1,109,307元注册资本，占比1.8239% [1] - 本次投资旨在强化公司在三维集成（3DIC）与先进封装关键工艺环节的产业协同与战略布局 [1] 投资标的公司情况 - 芯丰精密是一家专注于三维集成及先进封装核心工艺设备与耗材的研发制造企业 [3] - 公司具备核心软件、核心零部件的自主研发与制造能力 [3] - 产品线覆盖减薄、环切、划片等设备及耗材，并已成功推出混合键合、熔融键合等先进键合设备及配套量检测设备 [3] - 相关产品已在先进存储、图像传感器等领域实现量产应用 [3] - 公司致力于为三维集成领域提供全面的工艺解决方案 [3] 投资战略与交易细节 - 投资是基于拓荆科技整体发展战略，为进一步完善产业布局、增强技术协同效应而实施的战略性举措 [3] - 在三维集成工艺流程中，减薄、环切与键合环节技术协同性高 [3] - 拓荆科技受让的股权分别来自景德镇城丰、丽水江丰、宁波裕玺等九名原股东 [3] - 包括中芯聚源、建投投资、海邦数瑞、联和基金等在内的多家知名产业投资机构也将参与本轮融资 [3] - 本轮融资包括股权转让与增资两部分，增资完成后，芯丰精密注册资本将由57,891,044元增加至60,819,616元 [3] - 交易完成后，芯丰精密创始人万先进先生仍为公司实际控制人，合计控制公司31.4273%的股权 [3] - 拓荆科技明确本次投资不构成对芯丰精密的控制，且短期内无取得其控制权的计划 [3] 行业背景与影响 - 随着半导体行业向三维集成与先进封装持续演进，相关核心设备的需求与战略价值日益凸显 [4] - 拓荆科技此次战略投资，有助于其整合产业链上游关键技术能力，完善产品组合 [4] - 此举将提升拓荆科技在高端半导体设备市场的整体竞争力 [4]

公司业绩预测与指引 - 公司第三季收入指引中位数为4.75亿美元，同比增长11% [1] - 预测公司第三季将因约3.6亿元人民币一次性重组开支而录得约6900万元净亏损 [1] - 预测公司第四季收入可达36.46亿元，同比增长7%，并实现扭亏，录得净利润约1.26亿元 [1] 投资评级与盈利预测调整 - 给予公司"增持"评级，目标价由80港元上调至100港元 [1] - 将公司2026年及2027年每股盈利预测分别上调10%及23% [1] - 将公司今年全年盈利预测下调45% [1] 行业与公司增长动力 - 主流半导体需求正在复苏，先进封装市场持续增长 [1] - 公司长期增长动力包括CoWoS-L产能扩张、中国高频宽记忆体发展及混合键合进展 [1] - 预计公司第三季订单出货比将维持在1倍以上 [1]

市场总体展望 - 半导体后端设备市场正经历深刻技术变革，从成本敏感工艺转向由先进封装技术驱动 [1] - 预计市场规模将从2025年的69亿美元增长至2030年的98亿美元，年复合增长率高达7.1% [1] - 先进封装成为高性能计算、人工智能和汽车应用的关键，后端环节转变为半导体性能和系统级集成的核心推动力 [1] 细分市场增长前景 - 热压键合市场预计到2030年收入将达约11亿美元，复合年增长率高达13.4%，其在高端内存集成中的核心作用推动增长 [6] - 混合键合是当前最具颠覆性的后端技术，预计到2030年市场规模达约4.77亿美元，复合年增长率高达24.6% [7] - 芯片贴片机市场预计到2030年收入达9.12亿美元，受汽车、消费电子和工业电子产品应用推动 [7] - 倒装芯片键合机市场规模预计到2030年增长至6.62亿美元以上，创新技术正实现更高I/O密度和更佳电气性能 [8] - 引线键合市场预计到2030年收入小幅增长至约9.94亿美元，K&S将保持强劲的市场领先地位 [8] - 晶圆减薄市场规模预计到2030年增长至8.9亿美元以上，主要得益于超薄研磨等技术创新 [11] - 切割市场规模预计到2030年达约20亿美元，激光和等离子切割因精度高和碎屑少而日益受青睐 [11] - 计量与检测市场收入预计到2030年增长至约8.5亿美元，人工智能驱动分析技术进步是主要推动力 [11][12] 技术创新趋势 - 切割技术方面，刀片、激光和等离子切割可实现精细切口宽度和低应力切割，对易碎器件至关重要 [14] - 晶圆减薄技术中，等离子辅助技术和超薄研磨技术可提高电气和热性能，满足更小、更高效芯片需求 [14] - 芯片键合机正朝着高速贴装和精密对准方向发展 [14] - 倒装芯片键合创新包括无助焊剂互连和超细间距技术 [15] - 计量与检测领域，自动光学检测、人工智能驱动的缺陷检测和预测分析正在提升质量保证 [21] - 热压键合对于高带宽内存和细间距集成正变得不可或缺 [20] - 混合键合代表了终极互连方法，可为下一代设备提供卓越的密度和性能 [20] 行业参与者动态 - 领先的OSAT厂商如ASE、Amkor、JCET和SPIL正在建设产能以满足先进封装需求 [19] - 代工厂和IDM厂商包括台积电、英特尔、SK海力士、美光和三星正在大力投资高带宽内存、小芯片和混合键合技术 [19] - 设备供应商如K&S、BESI、ASMPT、DISCO和Hanmi持续推动技术变革，扩展产品组合，并推动精度、产量和工艺灵活性创新 [19] - BESI近期获得的热压键合Next订单凸显了市场对先进封装设备的信心 [6] - BESI与应用材料的战略合作伙伴关系使其处于混合键合设备创新的前沿 [7] - DISCO凭借先进的双主轴刀片系统和飞秒激光创新技术在切割领域处于领先地位 [11]

半导体封装技术进展 - 半导体封装的下一个重大飞跃需要新技术、新工艺和新材料，以实现性能数量级提升，对人工智能时代至关重要 [1] - AMD、台积电、三星、英特尔等公司在混合键合、玻璃芯基板、微通道冷却等方面取得显著进步 [1] - 人工智能对计算的需求将持续增长，芯片制造和封装创新将发挥核心作用 [2] 热管理与液体冷却技术 - 芯片级液体冷却技术正在兴起，以解决强制风冷技术的极限问题 [4] - 台积电的硅集成微冷却器 (IMEC-Si) 在10升/分钟水流条件下可实现超过3,000瓦的均匀功耗，功率密度高达2.5 W/mm² [6] - 佐治亚理工学院提出“芯片作为冷却剂”概念，采用5nm TSV的硅散热器冷却能力超过300W/cm² [9] - 三星在移动处理器中采用铜基散热块，散热性能提高20% [11][13] 混合键合技术 - 混合键合间距已从10µm微缩至1µm，英特尔展示了相关研究成果 [5][16] - 工研院和Brewer Science展示了五层堆叠结构，采用聚合物/铜RDL进行铜-铜混合键合，适用于高速数字应用 [14] - 晶圆间键合和芯片间键合各有优势，后者在贴装精度和翘曲控制方面面临挑战 [17] 背面供电技术 - 背面供电技术在晶圆背面构建供电网络，降低晶体管电压降，但加剧了热点问题 [19] - IBM开发了AI模型用于精确计算后端堆栈的传热，优化设计阶段的散热考虑 [21] - Imec模拟显示，背面供电网络在逻辑和存储器堆叠中的热影响显著，逻辑芯片位于顶层的配置受存储器温度限制 [23][24] 共封装光学器件 (CPO) - 共封装光学器件将光学引擎与GPU和HBM集成，传输速度从200 Gb/s提升到6.4Tb/s，带宽提高32倍 [26] - ASE展示了用于ASIC交换机和以太网/HBM的模块化CPO平台 [28] - 康宁和Fraunhofer IZM提出可扩展的平面二维波导电路，减少光纤电缆端接和手动组装需求 [28] 热模拟与封装设计 - 热模拟在多芯片组封装设计中发挥关键作用，用于选择最终设计并降低风险 [28] - Imec的3D堆栈模拟显示，层间冷却技术可将温度从500°C降至50°C左右 [24]