公司专利技术突破 - 公司申请薄膜太阳能电池专利公开号CN120529652A 采用沟槽设计贯穿背电极层并部分划断光吸收层 划断深度与总厚度比例为0.2-0.8:1 [1] - 该技术能阻止划线残留颗粒与电极层接触导致的局部短通 避免层压封装时沟槽卷边现象引发的金属接触短通 [1] - 专利设计降低工艺难度并扩大工艺窗口 将划刻工艺对电池转换效率的影响大幅削弱 [1] 公司基础信息 - 公司成立于1998年 位于嘉兴市 主营业务为非金属矿物制品业 注册资本达5.86亿人民币 [2] - 公司对外投资24家企业 参与招投标56次 持有57条商标信息与187条专利信息 [2] - 公司拥有58项行政许可 体现其在行业内的合规经营与技术积累优势 [2]