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路维光电:已实现180nm制程节点半导体掩膜版量产
证券时报网· 2025-11-03 20:04
人民财讯11月3日电,路维光电(688401)11月3日在互动平台称,目前公司已实现180nm制程节点半导体 掩膜版量产,150nm/130nm已通过客户验证并小批量量产。公司投资建设的路芯半导体项目定位130- 28nm掩膜版制作,制程节点布局居于国内厂商前列,目前90nm及以上半导体掩膜版已向客户陆续送样 并获部分客户验证通过,2025年下半年启动40nm半导体掩膜版试生产工作,目前项目进展顺利。 ...
盘前突发!商务部:对境外相关稀土物项实施出口管制!
证券时报· 2025-10-09 09:24
出口管制核心措施 - 境外组织和个人向中国以外地区出口特定物项前必须获得中国商务部颁发的两用物项出口许可证件 [1] - 管制范围涵盖含有中国原产关键物项价值比例达到0.1%及以上的境外制造物项、使用中国稀土技术生产的物项以及中国原产物项 [1] - 对向境外军事用户及管制名单内用户的出口申请原则上不予许可 [1] 特定最终用途审批规定 - 用于大规模杀伤性武器、恐怖主义或军事用途的出口申请原则上不予许可 [2] - 最终用途为研发生产14纳米及以下逻辑芯片或256层及以上存储芯片及相关设备材料的申请将逐案审批 [2] - 最终用途为研发具有潜在军事用途的人工智能的出口申请将逐案审批 [2] 特殊情形与合规流程 - 用于紧急医疗、公共卫生事件或人道主义救援的出口可免于申请许可证但需在出口后10个工作日内向商务部报告 [2] - 境外出口经营者可通过商务部指定审批系统提交申请文件也可委托中国境内机构代办 [3] - 境内出口经营者出口受管制物项时需在报关时填报最终目的国或地区并向境外方出具《合规告知书》 [3] 稀土技术出口管制细则 - 明确禁止未经许可出口稀土开采、冶炼分离、金属冶炼、磁材制造及二次资源回收利用相关技术及其载体 [4] - 禁止未经许可出口稀土相关生产线的装配、调试、维护、维修及升级等技术 [4] - 明确“磁材制造”技术指钐钴、钕铁硼、铈磁体制造技术其载体包括设计图纸、工艺参数等数据资料 [5] 管制适用范围与执行 - 出口经营者定义包括中国公民、法人、非法人组织及在中国境内的所有自然人和组织 [5] - 出口定义包括物项向境外转移及在境内外提供给外国组织或个人的各种方式如贸易、投资、技术许可等 [5] - 任何单位和个人不得为违反公告的行为提供中介、货运、报关、金融等服务 [6]
合肥晶合集成拟赴港上市!
国芯网· 2025-10-02 13:07
公司上市与业务概况 - 合肥晶合集成电路股份有限公司已于近日正式向香港联合交易所提交上市申请书,拟在主板挂牌上市,本次发行的独家保荐人为中国国际金融股份有限公司(中金公司)[1] - 公司是一家专注于半导体制造的企业,主要产品覆盖逻辑芯片、存储芯片及特色工艺芯片,广泛应用于智能终端、汽车电子、物联网等领域[1] - 公司是一家全球领先的12英寸纯晶圆代工企业,为客户提供覆盖150nm至40nm制程、多种应用的工艺平台晶圆代工业务[4] 市场地位与竞争力 - 根据弗若斯特沙利文的资料,2024年以营业收入计,公司是全球第九大、中国大陆第三大晶圆代工企业[4] - 2020年至2024年期间,在全球前十大晶圆代工企业中,公司的产能和营收增长速度为全球第一[4] - 公司在国内晶圆代工领域具备较强的市场竞争力,凭借持续的工艺研发和产能扩张,在先进制程和特色工艺方面逐步实现突破[3] 技术能力与工艺平台 - 公司已建立150nm至40nm技术节点的量产能力,并稳定推进28nm平台发展[4] - 公司具备DDIC、CIS、PMIC、Logic IC、MCU等工艺平台的技术能力,形成了全面且多元化的工艺组合[4] - 截至最后实际可行日期,公司已开始28nm Logic IC试产,启动40nm高压OLED DDIC风险生产,实现55nm中高阶背照式图像传感器及55nm全流程堆栈式CIS量产[4] 产能与细分市场地位 - 公司的核心生产基地位于合肥,并已形成12英寸晶圆生产能力[3] - 根据弗若斯特沙利文的资料,2024年按收入计,公司是全球最大的DDIC晶圆代工企业、全球第五大CIS晶圆代工企业及中国大陆第三大CIS晶圆代工企业[4] - 公司的多元化工艺平台能有效解决消费电子、汽车电子、智能家居、工业控制、AI及物联网等广泛应用领域的需求[4]
英特尔18A芯片在亚利桑那厂生产,预计2025年底前供货
经济日报· 2025-10-01 07:02
文章核心观点 - 美国政府积极推动本土芯片产能提升,亚利桑那州成为英特尔和台积电最先进制程的制造重镇 [1] - 英特尔亚利桑那新厂将激活其最先进的Intel 18A(1.8nm)制程,预计2025年底前开始供货,并应用于多代产品 [1][2] - 台积电在亚利桑那州的产能建设同步推进,从4nm向更先进的2nm及以下制程扩展 [2] 亚利桑那州半导体制造布局 - 英特尔与台积电的晶圆厂区均位于亚利桑那州凤凰城大都会区,使当地成为美国半导体制造重镇 [1] - 英特尔在当地设厂投资已进入第46年,是其在美国的芯片制造据点之一 [1] - 台积电亚利桑那州一厂已于2024年第四季采用4nm制程技术量产,二厂已完成建设预计采用3nm制程,三厂已动工规划采用2nm和A16(1.6nm)制程,并有四到六厂的规划 [2] 英特尔制程技术进展 - 英特尔亚利桑那新厂F52将激活,采用Intel 18A(1.8nm)制程生产 [1] - 相较于Intel 3(3nm)制程,Intel 18A制程每瓦性能提升15%,芯片密度提升30% [1] - Intel 18A制程采用RibbonFET环绕式栅极晶体管架构,并首度导入PowerVia背部供电技术 [2] - Intel 18A制程将运用在公司未来三代的处理器产品上 [2] 英特尔产品规划 - 首款采用Intel 18A制程生产的产品为AI PC处理器Panther Lake,预计2025年底前开始供货 [2] - Panther Lake将成为首颗利用PowerVia背部供电技术的产品 [2] - 服务器处理器Clearwater Forest也将采用Intel 18A制程,规划于2026年上半年推出,并将首度导入新一代Foveros Direct 3D先进封装技术 [2] 行业活动与象征意义 - 英特尔第4届ITT活动首次移师亚利桑那州举办,正值公司亚利桑那新厂的Intel 18A制程逐步到位之际,被解读为具有象征性意义 [1]
这类芯片材料,前景光明
半导体行业观察· 2025-09-19 09:29
文章核心观点 - 钼作为铜、钨等传统金属的替代品,在先进半导体节点互连和接触应用中的前景日益光明 [2][3][8] - 钼具有电阻率优势、无需阻挡层、成本较低以及与电介质附着力强等特性,使其在混合金属化方案和背面电源网络中展现出潜力 [3][7][8] - 尽管钼的集成性能受晶粒尺寸等工艺因素影响,但早期研究显示其在降低电阻、提高器件密度方面成果显著,是当前阶段有吸引力的选择 [5][8] 半导体金属化挑战与现有材料局限 - 先进节点制造中,铜面临缩放问题,而钌等替代品因价格昂贵、工艺废料量大及需要大规模工艺改造而受限 [2] - 钨在晶体管触点等应用中同样存在电阻率随尺寸缩小而增加、需要阻挡层以及电迁移问题,在3D NAND中其前驱体的氟残留还会侵蚀电介质 [2] 钼作为替代材料的优势 - 钼相比钨具有更高电阻率,且无需阻挡层,相比钌则成本更低、与电介质附着力更好 [3] - 在混合金属化方案中,采用钼作为无阻挡层接触金属可显著降低总电阻,Lam Research的研究显示其相比传统铜设计可降低总电阻约56% [3] - 钼比钌更易氧化,因此通过化学机械抛光更易去除,集成到现有工艺流程可能只需对金属沉积模块进行少量改动 [3] 钼集成工艺的关键因素 - 钼在实际器件中的电学、热学和电迁移性能高度依赖于沉积薄膜的晶粒尺寸和晶界结构,而非其本体特性 [4] - 通过循环沉积技术及混合热法与等离子法工艺可实现精确的晶粒尺寸控制,大晶粒钼薄膜在厚度低于约7纳米时,其电阻率性能优于钨、钌甚至铜 [5] - 在钼中掺杂钴等元素可在低浓度下减少散射从而降低电阻率,但高浓度掺杂会因杂质态导致电阻率急剧上升 [7] 钼在特定应用场景的潜力 - 在背面电源网络中,钼因其高机械稳定性、强附着力、良好导热性及潜在更优的抗电迁移性能,有助于应对高电流密度带来的挑战 [7] - 早期集成研究显示,Kioxia团队采用钼替代钨,在保持RC不变的前提下将字线间距减小7.3%,存储器孔间距缩小3.7%以上,总体比特密度提高16.3% [8] - 钼非常适合用于接触和字线应用,并能与现有集成方案良好契合,但从长远看,钌可能扩展到更小器件 [8]
押注印度市场?美国关税重压下 日本新干线5年后想要开进印度
第一财经· 2025-09-01 13:21
高铁项目合作 - 日印确认孟艾高铁引进东日本铁路公司研发的E10系新干线列车 预计2030年在印度运行[1] - 印度计划采购10辆24节编组列车 部分列车根据印度制造业振兴政策需在印度国内生产[2] - 项目全长约500公里 原计划2023年开通但因分歧多次延迟 目前信号系统存在技术争议[2][3] 双边经贸关系 - 日本承诺未来10年对印度投资680亿美元(约10万亿日元)涵盖半导体、关键矿产、高铁等领域[1] - 2024年日印双边贸易额达252亿美元 日本将引进5万名印度技术人才缓解劳动力短缺[1] - 双方达成"日印经济安全保障倡议" 重点合作半导体、关键矿产、医药品、清洁能源及信息通信[2] 半导体产业合作 - 印度总理参观东京电子宫城县工厂 该芯片设备商计划2026年在印度建立芯片工程师团队[3] - 东京电子将为塔塔电子提供技术服务 通过日本远程和现场支持进行技术培训[3] - 印度政府提供激励措施吸引国际芯片制造商设厂 以缩小与先进经济体的技术差距[3] 美国关税影响 - 美国对日本适用15%对等关税 但未兑现税率已达15%以上商品不再加征的承诺[4] - 美国以印度进口俄罗斯石油为由加征25%惩罚性关税 使印度输美商品累计税率达50%[5] - 凯投宏观评估美国关税将导致印度今明两年经济增速各下滑0.8个百分点[5] 应对措施 - 日美拟同时发布减轻对日关税负担的特例措施和降低汽车关税总统令[5] - 印度政府承诺提供财政援助 包括加大银行贷款补贴力度和支持产业多元化[5] - 印度将促进对近50个国家和地区出口 重点推动纺织品、食品加工品等产品出口[5]
半导体超高密度3D铜互连电镀液技术与市场发展
2025-09-01 00:21
**行业与公司** * 行业涉及半导体制造中的铜互连电镀液技术、大马士革工艺及先进封装(如TSV、混合键合)[1][17][19] * 公司包括国际厂商陶氏、乐思、安美特以及国内厂商上海新阳、安吉科技、创智新联、艾森科技等[32][33][34] **核心观点与论据** * 3D铜互连技术通过垂直互联实现芯片小型化与高集成度 满足移动电子产品对高效信号传输和紧凑设计的需求 前景广阔[1][2] * 大马士革工艺是7纳米及以下制程的关键技术 通过先构建金属层再研磨的方式 解决铜材料难以干法刻蚀的难题 提高晶圆良率[1][3][4] * 铜电镀液由硫酸铜主盐和添加剂组成 基于电解原理沉积铜层 成本效益优于CVD/PVD 适用于大规模集成电路制造[1][5] * 电镀前需沉积阻挡层(如碳/氮化碳复合层)防止铜扩散 以及PVD铜种子层形成导电基础[10] * 电镀过程关键参数包括电流密度(<10毫安)、温度和溶液流速 共同确保金属沉积均匀性与致密性[11] * 先进封装技术(如倒装芯片、TSV)通过电镀锡银/铜柱实现垂直堆叠 提升空间利用率和器件性能[18][19] * 铜因较低电阻率、抗电迁移能力和热膨胀系数匹配 优于银(成本高)和铝(电阻率高) 成为互联主流材料[15] * 混合键合技术通过铜点自扩散粘合实现300层以上堆叠 提升SSD性能并减少热膨胀风险[23] * 铜电镀液市场随先进制程和封装需求扩大 当前全球规模约70-80亿人民币 其中国内占比不到20% 但因单价高(如台积电售价10元/公斤) 前道晶圆厂份额占主导[24][42] * 国际厂商乐思在3D通互联电镀液市占率超80% 国内厂商如上海新阳正扩产(合肥基地产能从6,500吨增至14,000吨)以应对需求[32][34] **其他重要内容** * 湿电子化学品(电镀液、刻蚀液、清洗液)在3D封装中用量大 对工艺稳定性至关重要[28] * 国内晶圆厂集中于长三角(中芯国际、长江存储)和珠三角(粤芯) 封测厂长电科技为全球第三大专业封测厂[29][30][31] * 电镀液用量小于研磨液 因仅填充沟槽 而研磨液需覆盖整个晶圆表面及背面减薄工艺[41] * 高速电镀液研发聚焦特殊添加剂开发 以耐受高电流并防止结晶 国内企业(如信阳)服务响应快 加速国产替代[43][44] * 功能型材料(如蚀刻液、研磨液)需紧密结合应用端工艺 无序竞争易形成 深入了解需求是关键发展方向[45]
格罗方德:美国政府没要股权
半导体行业观察· 2025-08-28 09:14
美国政府资金与股权结构 - 美国政府收购英特尔10%股权 但格芯明确表示其《芯片法案》资金不涉及任何股权形式[2] - 格芯财务总监称政府资助将根据里程碑完成情况发放 与英特尔股权转换模式形成对比[2] - 特朗普政府通过芯片销售收入分成协议干预企业事务 要求英伟达和AMD将中国销售先进芯片收入的15%返还政府[2] 格芯资本支出与技术投资 - 公司2024年将投资计划增至160亿美元 其中10亿美元用于资本支出 30亿美元用于研究新兴芯片技术[3] - 该项投资将覆盖未来十多年的长期支出规划[4] - 与Cirrus Logic合作开发下一代BCD工艺技术 实现单芯片多功能集成以提升能效[5] 制造产能与地域布局 - 新技术将在纽约马耳他工厂投产 新增美国制造选项 与新加坡和德国产能形成互补[6] - 公司加速纽约马耳他工厂投资 专注无线连接技术和电源管理解决方案 支持下一代AI设备[6] - 2024年6月宣布160亿美元投资计划 用于扩大纽约和佛蒙特州工厂的制造与先进封装能力[7] 战略合作与行业影响 - 与苹果达成十年合作里程碑 共同制造AI设备关键部件 推动美国本土芯片制造[6][7] - 合作纳入苹果6000亿美元美国投资计划 强化地域多元化供应链[7] - 格芯股价因与苹果合作扩大上涨7% 体现市场对本土制造能力的积极预期[6]
长沙通报地下代孕机构处罚情况;多国邮政暂停向美国寄送包裹;王健林罕见现身;互联网平台价格行为规则征求意见丨每经早参
每日经济新闻· 2025-08-24 07:27
互联网平台价格监管 - 国家发展改革委、市场监管总局、国家网信办联合起草《互联网平台价格行为规则(征求意见稿)》,规范价格标示和竞争行为,禁止强制低价销售[3][4] - 规则针对低价倾销、价格歧视、价格欺诈等行为细化认定标准,防止无序竞争[4] 能源装机数据 - 截至7月底全国发电装机容量达36.7亿千瓦,同比增长18.2%,太阳能装机11.1亿千瓦(同比增50.8%),风电装机5.7亿千瓦(同比增22.1%)[5] - 1-7月全国发电设备平均利用1806小时,同比减少188小时[5] 半导体行业动态 - 英特尔获美国政府89亿美元股权投资,以每股20.47美元收购4.333亿股(占9.9%股份),涉及109亿美元联邦补贴转换[11] - 交易可能改变公司股权结构并影响行业格局[11] 光伏技术进展 - 中国华能全球首个5兆瓦商用级钙钛矿光伏实证基地在青海投产,推动钙钛矿技术规模化应用[12][13] 证券行业并购 - 证监会核准国信证券成为万和证券主要股东,通过换股取得96.0792%股份(约21.84亿股)[14] 企业财报与运营 - 东方甄选2025财年总营收43.92亿元(同比降32.7%),持续经营业务净溢利620万元,支付董宇辉1.4亿元计入行政开支[15] - 胖东来招聘900人,保安保洁要求本科学历及25岁以下,45分钟收满简历导致官网崩溃[16] - 万达集团王健林考察新疆克拉玛依文旅项目,探讨合作可能性[17] 汽车行业新品 - 吉利银河M9开启预售,价格19.38万-25.88万元,搭载雷神EM-P AI电混系统,CLTC续航最高1500km[17]
以军坦克推进至加沙城中心街区;三部门发文!规范互联网平台价格行为;国务院安委会挂牌督办黄河特大桥垮塌事故;王健林,罕见现身丨每经早参
每日经济新闻· 2025-08-24 06:40
互联网平台价格监管 - 三部门联合发布《互联网平台价格行为规则(征求意见稿)》 旨在规范平台经济领域价格行为 包括禁止低价倾销 价格歧视等不正当竞争 [2] - 规定平台不得强制或变相强制商家以低于成本价格销售商品 防止无序竞争扰乱市场秩序 [2] 电力工业数据 - 全国累计发电装机容量达36.7亿千瓦 同比增长18.2% 太阳能和风电装机分别达11.1亿千瓦和5.7亿千瓦 同比增50.8%和22.1% [3] - 1-7月全国发电设备平均利用1806小时 同比减少188小时 [3] 安全事故与应急响应 - 西成铁路尖扎黄河特大桥发生垮塌事故 致12死4失联 国务院安委会挂牌督办并成立现场督导组 [4] - 青海省政府成立事故调查组 由常务副省长任组长 全面展开调查 [4] - 美国纽约州大巴侧翻事故致6名中国公民受伤 其中1人重伤 驻纽约总领馆已提供领事协助 [4] 新能源技术进展 - 中国华能全球首个5兆瓦商用级钙钛矿光伏实证基地在青海投产 推动钙钛矿技术从实验室迈向规模化应用 [13][14] 证券行业动态 - 证监会核准国信证券成为万和证券主要股东 通过换股方式取得其96.0792%股份(约21.84亿股) [15] 企业财务与运营 - 东方甄选2025财年总营收43.92亿元 同比下滑32.7% 持续经营业务净溢利620万元 同比大幅下降 [16] - 公司支付董宇辉1.4亿元"分手费" 计入行政开支 该费用导致行政开支增至4.848亿元(同比增22.5%) [16] - 胖东来招聘900人 保安保洁岗位要求本科学历且年龄不超25岁 45分钟内简历投递通道因超额关闭 [17] - 王健林现身新疆克拉玛依考察 探讨文旅合作可能性 称合作将提升城市发展和居民幸福指数 [18] 汽车行业新品 - 吉利银河M9开启预售 定位大六座旗舰SUV 价格区间19.38万至25.88万元 搭载雷神EM-P AI电混系统 [18] - 新车CLTC工况最低馈电油耗4.8L/100km 两驱版综合续航达1500km [18] 国际企业与政府合作 - 英特尔获美国政府89亿美元股权投资 以每股20.47美元收购4.333亿股(占9.9%股份) 支持半导体制造业振兴 [12] - 该交易涉及将109亿美元联邦补贴转换为股权 被视作政府对关键行业的直接干预 [12] 国际事件与自然灾害 - 台风"剑鱼"加强为强热带风暴级 预计24日登陆海南 三亚机场24日10时起暂停航班起降 [5][6] - 多国邮政(印度 意大利 法国等)宣布暂停向美国寄送包裹 仅法国豁免低于100欧元私人礼品包裹 [8] - 德国披露"北溪"管道爆炸细节 称4名潜水员在水下70-80米深处放置14-27公斤炸弹 [9][10]