全球内存行业月度价格追踪纪要总结 (2026年1月) 涉及的行业与公司 * **行业**：全球内存（DRAM与NAND闪存）行业 [1] * **涉及公司**：三星电子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK hynix）、美光科技（Micron）、铠侠（KIOXIA）、闪迪（SanDisk）[7][8][9][10][11][12] 核心观点与论据 1. 价格涨幅远超预期，呈抛物线式上涨 * **DRAM合约价**：2026年1月环比（MoM）上涨超过50%，相比2025年第四季度（4QCY25）上涨86% [2][3][14] * **DRAM细分市场**：PC DRAM合约价相比4QCY25上涨98%，服务器DRAM上涨90%，移动DRAM上涨89%，消费类DRAM上涨60% [3] * **NAND合约价**：2026年1月环比上涨约30%，相比4QCY25上涨75% [4][5] * **NAND季度指引**：2026年第一季度（1QCY26）NAND晶圆及移动NAND合约价预计环比上涨74% [5][20] * **现货价格**：PC DRAM（DDR4和DDR5）现货价1月环比上涨27%，服务器DDR5现货价环比暴涨110% [2][18] 2. 价格上涨的主要驱动因素 * **云服务提供商（CSP）需求**：持续强劲的AI相关需求是主要驱动力，预计将支撑全年价格维持高位 [3][6][22] * **库存低位与提前采购**：PC和智能手机OEM厂商库存处于低位，且因担忧后续涨价而进行提前采购，暂时延缓了终端需求破坏 [3][6][18] * **供应紧张**：供应商供应量持续收缩，且将更多产能优先分配给高利润的服务器市场，导致其他市场供应紧张 [3][5][18][22] 3. 未来价格走势展望 * **涨幅预计放缓**：进入2026年第二季度（2QCY26），DRAM合约价涨幅预计将放缓至20-25%的环比增速 [3][18] * **终端需求面临压力**：由于内存成本上升，预计2026年全年PC出货量将同比下降5%（报告认为此预测过于乐观），智能手机出货量可能收缩7-15% [6][18][22] * **价格高位维持但将趋平**：在CSP需求支撑下，价格预计在2026年内保持高位，但随着资本开支增加逐渐转化为供应，价格上涨预计在2026年底逐渐趋平，并在2027年开始正常化 [6][18][22] * **NAND面临结构性挑战**：长期对NAND持更谨慎态度，主要因为来自中国（如长江存储YMTC）的竞争加剧 [22] 4. 各细分市场动态 * **PC DRAM**：OEM厂商为应对成本上涨，预计将商用PC价格提高10-30% [18] * **服务器DRAM**：全年服务器出货量预计增长13%，且存在进一步上修可能，需求预计全年都将无法被完全满足 [18] * **移动DRAM**：供应异常紧张，供应商旨在将所有终端市场的定价和盈利能力拉至相似水平 [18] * **消费类DRAM**：部分客户已难以承受高价，但由于全行业短缺，涨价持续 [18] 其他重要内容 1. 投资建议与目标价 * **三星电子**：评级“跑赢大盘”（Outperform），目标价140，000韩元 [8][93] * **SK海力士**：评级“跑赢大盘”，目标价750，000韩元 [9][95] * **美光科技**：评级“跑赢大盘”，目标价330美元 [10][96] * **铠侠**：评级“跑输大盘”（Underperform），目标价7，000日元 [11][97] * **闪迪**：评级“跑赢大盘”，目标价1，000美元 [12][97] 2. 方法论与数据说明 * 行业平均售价（ASP）变化是基于不同应用产品（PC、服务器、移动、消费类）的加权平均值计算得出，DRAM权重分别为：移动34%、服务器34%、PC 9%、消费类15% [21] * NAND行业ASP基于eMMC/UFS（权重40%）和NAND晶圆（权重60%）的加权平均 [21] * 样本中未包含SSD和HBM（高带宽内存），其影响会单独考虑 [13][21] * 公司财报报告的ASP可能与追踪的合约价涨幅不同，原因是合约覆盖期与财季不完全对齐、产品组合差异以及HBM定价影响（1QCY26 HBM价格预计环比下降） [18] 3. 主要风险提示 * **下行风险**：有利的价格环境提前结束，原因可能是需求弱于预期或供应增加过快 [98][99][100] * **投资者情绪与估值风险**：市场情绪变化可能影响公司获得的估值水平 [98][99][100] * **中国内存产业进展**：中国在内存领域，尤其是NAND方面的进展是一个下行风险 [98][99][100][101] * **NAND结构性风险**：NAND的疲软可能超出当前周期，变得更加结构性，从而影响相关公司的资产价值和DCF估值 [102]

核心观点 - 2026年第一季，AI与数据中心需求加剧全球存储器供需失衡，原厂议价能力增强，TrendForce全面上修DRAM与NAND Flash合约价季增预期 [3] - 各终端应用普遍面临DRAM供给缺口，PC、服务器及移动DRAM价格预计将出现创纪录的季度涨幅 [4][8][9] - NAND Flash市场因产能受限及需求旺盛，价格亦大幅上调，其中企业级SSD受北美CSP拉货刺激，价格涨幅显著 [4][9][10] 价格预测上修 - 整体常规DRAM合约价预期从季增55-60%上修至上涨90-95% [3] - 整体NAND Flash合约价预期从季增33-38%上调至55-60% [3] - 价格预测仍有进一步上修空间 [3] 各细分产品价格预测 - **PC DRAM**：DDR4与DDR5混合价格从季增38-43%上修至季增105-110% [6] - **服务器DRAM**：DDR4与DDR5混合价格从季增53-58%上修至季增88-93% [6] - **移动DRAM**：LPDDR4X与LPDDR5X价格均从季增约48%及43-48%上修至季增88-93% [6] - **整体常规DRAM**：价格从季增45-50%上修至季增90-95% [6] - **HBM混合**：价格从季增50-55%上修至季增80-85% [6] - **企业级SSD**：价格从季增25-30%上修至季增53-58% [6] - **整体NAND Flash**：价格从季增33-38%上修至季增55-60% [6] 市场动态与驱动因素 - **PC DRAM**：因2025年第四季PC整机出货优于预期，目前普遍缺货，主要PC OEM业者库存水平下滑，预计第一季价格将季增100%以上，涨幅达历史新高 [8] - **服务器DRAM**：北美及中国各大云端服务商与服务器OEM持续与原厂洽谈长期供应协议，买方积极竞逐供给，带动第一季价格预计上涨约90%，幅度创历年之最 [8] - **移动DRAM**：因整体DRAM市场供需差距扩大，各终端应用竞相提高报价以争取配额，预计第一季LPDDR4X与LPDDR5X合约价皆大幅上调至季增90%左右，幅度同样是历来最高 [9] - **NAND Flash**：第一季订单量大幅超越供应商生产负荷，但原厂更看好DRAM市场获利前景，将部分产线转产DRAM，进一步压缩NAND Flash新增产能，短期内产能瓶颈难以缓解 [9] - **企业级SSD**：随着推理AI应用场景扩大，北美各大CSP自2025年底起强力拉货，刺激订单爆发，买方激进囤货以补足库存，推升第一季价格季增53-58%，创下单季涨幅最高纪录 [10]

2026年第一季度存储芯片市场展望 - 预计2026年第一季度，整体DRAM合约价将季增55%至60%，其中HBM（高带宽存储器）价格季增50%至55% [1] - 预计2026年第一季度，整体NAND Flash合约价将季增33%至38% [1] DRAM市场动态 - 尽管PC整机出货下修，但原厂收紧供应，导致PC OEM需向模组厂高价采购，预计将大幅推升PC DRAM价格 [2] - AI推理带动服务器建设，美系云端服务业者持续提前拉货或追加Server DRAM需求，加剧供不应求，预计第一季度Server DRAM价格季增逾60% [3] - 手机品牌在淡季维持较强拉货力道，LPDDR4X与LPDDR5X供不应求且资源分配不均，价格走强 [3] - 尽管Graphics DRAM需求动能转趋保守，但其产能受DDR5排挤，供应偏紧带动价格上涨 [3] - Consumer DRAM客户愿以较高价格换取优先供应，但供给仍低于需求，支撑价格上涨 [3] NAND Flash市场动态 - 预计2026年Enterprise SSD（企业级SSD）需求将首度超越手机应用，成为NAND Flash最大应用 [4] - 尽管Client SSD（客户端SSD）需求受笔电出货季减及部分SSD容量降级影响，但因供给受数据中心SSD排挤，预计第一季度合约价仍将季增至少40%，涨幅为各类NAND Flash产品之最 [4] - 北美云端服务业者加码AI基础建设，带动Enterprise SSD需求，但供应商因产能有限采取控制出货策略，供给紧缩推升价格 [4] - eMMC/UFS需求因手机出货季减而疲弱，但原厂产能占比缩减导致整体供不应求 [5] - NAND Flash Wafer因消费市场低迷需求走弱，但原厂优先保障高毛利产品线，压缩对模组厂供应，价格持续上涨 [5]

整体DRAM市场趋势 - 三大DRAM原厂优先分配先进制程产能给高阶Server DRAM和HBM，排挤了PC、Mobile和Consumer应用的产能 [1] - 第四季旧制程DRAM价格涨幅可观，新世代产品涨势相对温和，整体一般型DRAM价格预计季增8-13% [1] - 若加计HBM，第四季整体DRAM价格涨幅将扩大至13-18% [1] - 预计2025年第四季整体DRAM价格（含HBM）将上涨13-18%，其中HBM渗透率预计达到11% [2] PC DRAM - 第四季PC OEM的DRAM位元采购量预计将呈季减，主要因PC促销和铺货动能趋缓导致整机出货量减少 [3] - 三大原厂积极转移产能至Server DDR5，导致PC DDR5和PC DDR4供应规模受限 [3] - 供应受限推动第四季整体PC DRAM价格持续小幅上涨 [3] Server DRAM - 云端服务供应商建置动能回温，DDR5产品需求持续增强，美系和中系CSP在2026年的DRAM采购需求有望大幅成长 [3] - 美系业者为确保供给，计划提前于2025年第四季启动采购，对价格态度较开放 [3] - 原厂2026年上半年优先提供产能给HBM4，给DDR5供给带来变量，预期第四季Server DRAM价格维持上涨 [3] - 尽管部分原厂延后Server DDR4停产，因采购热度延续，预料第四季DDR4价格仍有相当涨幅 [3] Mobile DRAM - 用于中低端智能手机的LPDDR4X因全球总供应位元持续削减，品牌厂加强备货导致供需失衡加剧 [4] - LPDDR4X价格在第四季预计再有10%以上季增 [4] - LPDDR5X除用于高端手机外，也在其他终端应用中扩大使用，预计第四季价格维持上扬走势 [4] Graphics DRAM - 第四季PC应用备货潮及市场对NVIDIA RTX6000系列的期待，延续Graphics GDDR7的拉货动能 [4] - 原厂预期GDDR7将供不应求，对涨幅坚持，其价格上升幅度将较前一季扩大 [4] - 旧制程GDDR6因上一代显卡保有采用比例，采购量维持，但供给明显受限，预计第四季价格涨幅持续高于GDDR7 [4] Consumer DRAM - 原厂对Consumer DDR4供给量非常有限且涨价态度坚定，但买方追货力道已放缓 [5] - 因终端产品销售未转强且第三季价格接近翻倍，预期第四季DDR4价格涨幅将会收敛 [5] - DDR3因有提前备货需求，叠加产能受排挤和原厂快速去化库存，预期第四季价格将持续上涨 [5]

报告行业投资评级 未提及 报告的核心观点 - 上周工业硅偏强震荡，光伏行业产业链各环节挺价氛围浓厚，多晶硅市场“小作文”不断但成交有限，反内卷情绪发酵[2][6][10] - 供应端新疆开工率升至57%，川滇开工率环比回升，呈边际宽松态势；需求端多晶硅企业挺价但签单末期成交有限，硅片企业倾向减产，电池厂商执行原有订单，出口订单或遇阻，组件端弱势震荡，终端需求不佳，工业硅社会库存降至54.5万吨，现货市场因盘面冲高震荡上行[2][6][10] - 中国7月工业增加值同比增速稳健，技术面盘面主力合约8500一线获支撑反弹，多晶硅走势强劲提振工业硅期价，预计期价短期震荡偏强运行[3][10] 根据相关目录分别进行总结 市场数据 - 8月8 - 15日，工业硅主力合约价格从8710元/吨涨至8805元/吨，涨幅1.09%；通氧553现货从9250元/吨涨至9400元/吨，涨幅1.62%；不通氧553现货从9100元/吨涨至9200元/吨，涨幅1.10%；421现货从9700元/吨涨至9750元/吨，涨幅0.52%；3303现货从9500元/吨涨至9600元/吨，涨幅1.05%；多晶硅致密料现货从44元/吨涨至46元/吨，涨幅4.55% [4] - 有机硅DMC现货从12150元/吨降至11400元/吨，跌幅6.17%；工业硅社会库存从54.7万吨降至54.5万吨，降幅0.37% [4] 市场分析及展望 - 宏观上中国7月规模以上工业增加值同比+5.7%，部分行业有不同程度增长或下降[7] - 供需上截止8月14日，工业硅周度产量8.47万吨，环比+1.5%，同比-16.3%，三大主产区开炉数280台，开炉率升至35.2%，其中新疆开炉数108台持平，云南52台增4台，川渝合计55台增6台，内蒙古29台增1台[7][8] - 库存上截止8月15日，工业硅全国社会库存54.5万吨，环比减0.2万吨，广期所仓单库存升至50599手，合25.3万吨，4系仓单多无法重新注册，5系仓单注册入库增加[9] 行业要闻 - 汽车、光伏等行业召开座谈会指向无序竞争，2024年中国大陆芯片制造商产能增长15%，达每月885万片晶圆，推动全球同年产能扩张6%，2025年国内晶圆代工厂成成熟制程增量主力，全球前十大成熟制程代工厂产能将提升6%但价格受压制，部分企业探索从“价格战”转向“差异化创新 + 生态协同”突围[11] - 2025年下半年DDR4市场供不应求、价格上涨，Server订单挤压PC和Consumer市场，推升Mobile DRAM合约价格，第三季LPDDR4X涨幅为近十年单季最大，AI大模型带动多种半导体硬件需求增长，今年三、四季度存储大板块涨价态势或持续[12] 相关图表 - 包含工业硅产量、出口量、国内社会库存、广期所仓单库存、主产区周度产量、有机硅DMC产量、多晶硅产量、工业硅各牌号现货价、多晶硅现货价、有机硅现货价等图表[15][18]

DRAM市场趋势 - 2025年Q1下游品牌厂提前出货加速DRAM库存去化，Q2常规DRAM价格跌幅预计收敛至0%-5%，若计入HBM则均价季增3%-8% [1] - HBM3e 12hi逐步放量推动HBM渗透率从Q1的8%升至Q2的9%，带动整体DRAM均价上行 [2] 分品类价格预测 PC DRAM - Q1 DDR4/DDR5价格分别下跌13-18%/10-15%，Q2跌幅收窄至3-8%/基本持平 [2] - 三星HBM认证延迟但未大幅转产常规DRAM，SK海力士侧重Server/Mobile DRAM导致PC DDR5供给受限 [4] Server DRAM - Q1 DDR4/DDR5价格下跌10-15%/3-8%，Q2跌幅收窄至3-8%/基本持平 [2] - 北美三大CSP扩大通用服务器采购，中国CSP聚焦AI服务器推动DDR5位元需求显著增长 [4] Mobile DRAM - Q1 LPDDR4X/LPDDR5X价格下跌8-13%/3-8%，Q2转为下跌0-5%/上涨0-5% [2] - 中国手机补贴政策提升高端机型占比，LPDDR5X因供应紧缺获主力厂商控价支撑 [6] Graphics DRAM - Q1 GDDR6/GDDR7价格下跌8-13%/0-5%，Q2跌幅收窄至3-8%/基本持平 [2] - GDDR7供应不稳定，原厂采取搭售DDR6策略以稳定价格并去库存 [6] Consumer DRAM - Q1 DDR3/DDR4价格下跌3-8%/10-15%，Q2转为持平/上涨0-5% [2] - 4G/5G基站扩建推动需求回暖，原厂2024H2已收缩DDR3/4产出 [7] 供给端动态 - 原厂加速DDR4转DDR5产能但初期存在瓶颈，英伟达B200/B300系列加剧HBM产能调配压力 [5] - GDDR7生产启动但供货不稳，三大原厂通过搭售策略平衡供需 [6]