存储产品价格变动 - 近期DRAM产品价格大幅上涨，DDR4和DDR3涨幅显著，部分产品涨幅达100%或一个月内涨50% [1] - 截至5月27日的一周内，DDR4 16Gb 3200、DDR4 8Gb 3200、DDR4 8Gb eTT价格分别环比上涨3.95%、15%、10% [2] - DDR4 8Gb 3200在5月29日涨幅为4%，深圳市场买家问价动作较多，部分DDR4价格持续拉升 [2] - NAND Flash中32Gb及以下的MLC产品也出现涨价，主要因原厂停产通知导致供应减少 [4] 原厂生产调整 - 三星、美光、SK海力士可能在年底前停止生产DDR3和DDR4内存，三星最后订购日期定在6月 [2] - 原厂宣布EOL后，买方抢购补充库存，4月至5月颗粒现货市场供给紧张，价格大幅上涨 [3] - 原厂将产能转向高性能产品如DDR5和HBM，DDR4系列产品价格和利润较低 [7] - 三星停产DDR4后，将生产资源集中在DDR5和HBM上，美光也提及HBM销售对毛利率的提升作用 [7] 行业技术升级 - 存储技术朝更先进制程迁移，原厂资本支出更多投入先进封装技术或产品研发，如HBM、1c、1γ和200层、300层产能 [8] - 美光进行业务部门重组，新成立云内存业务部，专注于高性能内存和存储以推动AI发展 [8] - SK海力士加码布局HBM，去年第四季度HBM占DRAM销售额超40%，预计今年提升至50%以上 [9] - 多家存储厂商极力推广QLC产品，推进产品迭代，因AI PC、AI手机等端侧设备需要存储密度增加 [7] 市场供需情况 - 涨价背后驱动因素不是需求增长，而是原厂停产 [1] - 第一季度NAND Flash平均销售价格下降15%，出货量环比减少7%，前五大品牌厂营收合计120.2亿美元，环比减少24% [6] - 预计第二季度NAND Flash价格触底反弹，品牌厂商营收有望环比增加10% [6] - 存储市场整体规模预计今年比去年增长1%~2%，因去库存后价格得到支撑及AI应用带来大容量存储需求 [6]

行业动态 - 全球存储器龙头三星有意退出MLC NAND Flash市场，通知客户只接单到6月，并通过涨价策略促使客户减少下单 [1] - 三星提前停产MLC NAND，原计划今年下半年退出，现决定销完库存后不再制造 [1] - 三星停供MLC NAND导致业界出现抢货潮，客户紧急寻求模块厂支持 [1] - 尽管QLC成为主流方向，但MLC在工规、物联网、电视及车用等高毛利领域仍有大量需求 [1] 市场影响 - 三星停供MLC NAND将加剧市场供应紧张，推动NAND报价进一步上涨 [1] - 韩厂乐金显示器(LGD)无法获得三星货源，正积极寻找其他供应商调货 [1] - 群联、威刚、创见等NAND相关厂商有望受益于此次市场变动 [1] 技术背景 - NAND Flash根据存储单元信息量分为SLC、MLC、TLC和QLC等不同类型 [2] - SLC稳定性最高但容量密度最低，消费级和企业级市场正转向TLC和QLC [2] - MLC在特定应用领域仍保持重要地位，因其具备较高稳定性 [1][2]