存储产品价格变动 - 近期DRAM产品价格大幅上涨，DDR4和DDR3涨幅显著，部分产品涨幅达100%或一个月内涨50% [1] - 截至5月27日的一周内，DDR4 16Gb 3200、DDR4 8Gb 3200、DDR4 8Gb eTT价格分别环比上涨3.95%、15%、10% [2] - DDR4 8Gb 3200在5月29日涨幅为4%，深圳市场买家问价动作较多，部分DDR4价格持续拉升 [2] - NAND Flash中32Gb及以下的MLC产品也出现涨价，主要因原厂停产通知导致供应减少 [4] 原厂生产调整 - 三星、美光、SK海力士可能在年底前停止生产DDR3和DDR4内存，三星最后订购日期定在6月 [2] - 原厂宣布EOL后，买方抢购补充库存，4月至5月颗粒现货市场供给紧张，价格大幅上涨 [3] - 原厂将产能转向高性能产品如DDR5和HBM，DDR4系列产品价格和利润较低 [7] - 三星停产DDR4后，将生产资源集中在DDR5和HBM上，美光也提及HBM销售对毛利率的提升作用 [7] 行业技术升级 - 存储技术朝更先进制程迁移，原厂资本支出更多投入先进封装技术或产品研发，如HBM、1c、1γ和200层、300层产能 [8] - 美光进行业务部门重组，新成立云内存业务部，专注于高性能内存和存储以推动AI发展 [8] - SK海力士加码布局HBM，去年第四季度HBM占DRAM销售额超40%，预计今年提升至50%以上 [9] - 多家存储厂商极力推广QLC产品，推进产品迭代，因AI PC、AI手机等端侧设备需要存储密度增加 [7] 市场供需情况 - 涨价背后驱动因素不是需求增长，而是原厂停产 [1] - 第一季度NAND Flash平均销售价格下降15%，出货量环比减少7%，前五大品牌厂营收合计120.2亿美元，环比减少24% [6] - 预计第二季度NAND Flash价格触底反弹，品牌厂商营收有望环比增加10% [6] - 存储市场整体规模预计今年比去年增长1%~2%，因去库存后价格得到支撑及AI应用带来大容量存储需求 [6]

全球存储器龙头三星有意退出MLC储存型快闪存储器（NAND Flash）市场，通知客户只接单到6月，并 通过涨价要客户知难而退，「不要来下单」，业界急寻新供应商，引爆新一波抢货潮。值此NAND报价 向上之际，三星停供将引动市况更热，群联、威刚、创见等NAND族群受惠。 业界指出，三星去年下半年就酝酿规划退出MLC NAND市场，原先时间点是今年下半年，如今提前停 产，将剩余手中库存销货完毕后就不再制造，使需要MLC规格NAND Flash的客户开始紧急寻求握有大 量库存的模块厂支持。 业界表示，现在NAND Flash规格主流虽正朝QLC方向推进，但MLC规格稳定性高，工规、物联网、电 视甚至车用等利基型高毛利应用仍大量采用MLC NAND，市场规模仍大，三星为最大供应商，停供将 导致下游很紧张。 根据了解，NAND Flash单元将数据储存在一个存储单元中，每个单元能够储存多个信息，不同类型的 NAND Flash，如SLC、MLC、TLC和QLC，其最大差别在于存储器芯片的储存信息单元量不同，SLC 规格的稳定性最高，但容量密度最低，现阶段消费性及企业级市场已开始往TLC、QLC推进。 韩媒The Ele ...