近期战略与合并 - 公司于2025年11月宣布与Veeqo进行待完成合并，旨在创建一家领先的半导体设备公司 [2] - 合并预计带来技术互补（如离子注入与激光退火）和市场协同（尤其在碳化硅和MOCVD领域），并增强客户服务能力 [2] 业绩与财务指引 - 管理层预计2026年第一季度营收与2025年第四季度相近，约为2.15亿美元 [3] - 公司看好化合物半导体（如碳化硅和氮化镓）因AI和电气化需求带来的增长，以及存储器市场（如DRAM/HBM）的潜在复苏 [3] 产品与业务进展 - 公司近期推出了Purium Power plus系列、GSD Ovation es等高能注入机产品，专注于功率器件和先进逻辑应用 [4] - 产品创新可能支持未来增长，尤其在碳化硅和高端离子注入领域 [4] 行业与市场状况 - 公司预计2025年第四季度订单环比增长，主要受存储器客户扩产驱动 [5] - 地缘政治因素（如中国市场变化）和关税影响可能在2026年受到关注 [5] 股价表现 - 2026年1月期间，公司股价出现多次显著波动，例如1月2日上涨5.02%、1月6日上涨5.11%、1月9日上涨5.21% [6] - 股价波动反映了市场对半导体行业趋势的关注 [6]

文章核心观点 - 根据TrendForce集邦咨询报告，DRAM与NAND Flash现货市场呈现“价涨量缩”的分化格局 DRAM方面因DDR4/DDR5价格涨幅过大导致工厂采购停滞，但供应短缺支撑报价高位 NAND方面价格持续上涨但需求疲软，部分买方转向观望，供应商则对后市持乐观态度而未降价 [2][4] DRAM现货市场 - DDR4及部分DDR5因价格涨幅过大、成本转嫁困难，导致工厂已暂停采购，现货交易停滞 [2] - 由于供应端持续短缺，DRAM报价仍维持在高档水平 [2] - DDR3凭借低价优势吸引买气转向，本周询单增温并持续有实际成交，带动价格小幅上扬，成为现货市场主要动能 [2] - 主流颗粒DDR4 1Gx8 3200MT/s在本周(1/21-1/27)均价上涨1.98%，从US$30.30上涨至US$30.90 [2] NAND Flash现货市场 - 近期NAND Flash现货价格持续上调，但消费型需求表现疲弱，且春节假期将近影响工厂稼动率，部分买方采取观望态度 [4] - 现货供应商对后市价格走势持正向看法，未选择让价出货，导致市场成交量表现平淡 [4] - 本周(更新至1/26) 512Gb TLC Wafer现货价格上涨5.58%，均价达到US$16.310 [4]

DRAM市场趋势 - 当前DRAM现货价格持续上涨趋势不变 尽管年底工厂盘点和部分获利了结导致采购力道略有收敛[3] - DDR4价格涨幅显著高于DDR5 且三星明确表示不会推迟其产品生命周期结束计划[2][3] - 由于供应量将在2026年迅速下降 预计DDR4每Gb价格将达到最高水平[2][3] - 主流颗粒DDR4 1Gx8 3200MT/s在12月24日至12月30日当周价格上涨6.80% 从22.235美元上涨至23.746美元[3] NAND Flash市场趋势 - 在预期2026年第一季度合约价格将上调的影响下 NAND Flash现货价格进一步走高[2][6] - 由于当前现货价格明显偏高、消费类需求不佳以及临近中国春节假期 部分买家采取观望态度 导致市场交易量有限[6] - 现货商基于对后续价格走势的乐观判断 没有选择贸然让价出货 市场成交量平淡[7] - 512Gb TLC wafer现货价格在12月24日至12月30日当周上涨13.35% 单价达到13.055美元[7]

全球DRAM市场第三季度表现 - 全球整体DRAM市场规模在第三季度环比增长26%，主要受出口量增加和价格上涨带动 [1] - 主要供应商减产传统DRAM导致供应短缺 [1] - DRAM产业变化快速，SK海力士、三星电子及美光的高市占率仍无法满足市场需求，亟需更多厂商增加产能 [1] 主要厂商DRAM市场份额变化 - SK海力士连续第三季维持DRAM市场龙头宝座，但市占率环比下滑4个百分点至34% [1] - 三星电子第三季DRAM市占率环比增长1个百分点至33%，受惠于高频宽存储器HBM3E表现强劲 [1] - 南亚科市占率从1%提高到2%，主要受益于传统DRAM供应短缺 [1] 高带宽存储器市场格局 - 在HBM市场，SK海力士第三季市占率下滑至57%，低于第二季的64%，但仍稳居市场龙头 [1] - 三星电子HBM市占率从15%攀升至22%，超越美光的21%，成为市场第二名 [1]

华虹半导体 (1347 HK) 业绩与展望 - 3Q25营收为6.35亿美元，符合预期，毛利率达13.5%，超过11.6%的预期和12%的指引上限 [1] - 管理层对4Q25的业绩指引为：营收6.5-6.6亿美元，毛利率12-14% [1] - 管理层预计9A厂到2026年中将达到每月6-6.5万片的产能 [1] - 平均销售价格环比提升超过5%，涨价效应自2Q25开始，并在3Q25显现 [2] - 公司涉及NOR Flash存储器产品的嵌入式NVM和独立NVM平台，管理层认为整体存储器市场需求旺盛 [2] - 报告维持对公司的买入评级，目标价微调至91港元，对应3.1倍2026年市账率，潜在涨幅为14.5% [1][2] 财务预测调整 - 调整2025/26/27年收入预测至24.0/28.4/32.6亿美元（前值为24.3/29.2/33.1亿美元） [2] - 调整2025/26/27年毛利率预测至11.9%/14.3%/16.8%（前值为11.1%/14.5%/16.8%） [2] 全球市场与商品表现 - 主要股指表现：恒生指数收于26,242点，单日下跌0.95%，年初至今上涨30.66%；道指收于46,987点，单日上涨0.16%，年初至今上涨10.44% [3] - 商品价格：布兰特原油收于63.40美元，单日下跌4.53%；期金收于3,999.40美元，单日上涨17.62%；期铜收于10,720.00美元，单日上涨11.24% [3] - 外汇及利率：日圆汇率为153.15，单日下跌3.68%；美国10年期国债收益率为4.09%，单日下跌3.59个基点 [3] 近期重点研究报告 - 科技行业下半年展望报告指出，AI和国产替代仍是核心投资主线 [4] - 汽车行业报告认为混动技术加速新能源渗透，智驾与机器人产业化提速 [4] - 近期发布的公司报告覆盖华虹半导体、超微半导体、中微公司、小鹏汽车、英伟达等，涉及业绩更新及目标价调整 [4] 指数成份股关键数据（选摘） - 腾讯控股 (700 HK) 收盘价634.00港元，市值5,749,429百万港元，年初至今上涨52.04%，2025年预测市盈率为21.36倍 [5] - 阿里巴巴 (9988 HK) 收盘价160.10港元，市值2,873,361百万港元，年初至今上涨94.30%，2025年预测市盈率为25.35倍 [6] - 中芯国际 (981 HK) 收盘价75.45港元，市值452,738百万港元，年初至今上涨137.26%，2026年预测市盈率为88.85倍 [5]

存储芯片现货市场价格动态 - DRAM现货价格本周飙升，DDR5芯片价格大幅上涨30% [2][5] - 主流颗粒DDR4 1Gx8 3200MT/s价格从$9.523上涨至$10.629，涨幅达11.61% [7] - 买家抢购及模组厂商限制出货量导致供应紧张，推动价格飞涨 [2][5] NAND Flash市场供应状况 - NAND Flash现货价格涨势明显，512Gb TLC Wafer现货单价达$5.514，本周上涨14.21% [2] - 原厂释出的Wafer资源有限，厂商惜售导致市场出现"一货难求"状况 [2] - 现货供应紧张使交易量零星，预计价格将随供应吃紧进一步攀升 [2] 行业供需格局与厂商行为 - DRAM市场供不应求态势突出，短期内供应问题难以有效缓解 [7] - 模组厂面临巨大备货压力，为保证货源不计官价与现货价差积极购货 [5] - 客户为确保持续料源稳定，纷纷采取提前备货措施 [7]