文章核心观点 - 消费型DRAM价格在2024年第一季度已大幅上涨，预计第二季度将继续显著上涨，行业整体供需格局持续紧张，涨价动能由成熟制程产品向全产品线扩散 [2][4][5] 价格走势与预测 - 2024年第一季度消费型DRAM价格已大涨75-80% [2] - 预估2024年第二季度DRAM合约价格将再增45-50% [2] - 2026年3月，消费型DRAM涨价动能集中在4Gb以下容量产品，其中DDR4 4Gb均价月增20%以上 [4] - 2024年3月，DDR3与DDR2各容量产品均价出现20-40%不等的上调，涨幅较DDR4更显著 [4] - 三星电子在2024年第一季度将DRAM合约价大幅上调100%后，第二季度合约价将再度环比上涨30% [4] 市场供需与产能动态 - 三星电子、SK海力士、美光等三大原厂正逐步关停DDR4产线，导致供小于求愈演愈烈 [4] - 大厂将产能转向DDR5与HBM等先进制程产品，进一步加剧了成熟市场（如DDR3、DDR2）的供给紧张 [4] - 大厂退出成熟制程的策略短期内难以逆转，供给端收缩趋势将持续主导市场走向 [4] - 目前DDR3与DDR2市场开始出现转单需求，但受限于产能严重不足 [4] 产品与行业影响 - 2024年第二季度的价格上涨全面覆盖AI服务器所需的HBM高带宽内存，以及PC、智能手机等终端产品使用的通用DRAM，属于全产品线同步上调 [5] - 订单转移效应预计将在未来几个季度内继续扩大 [4] - 部分下游厂商已开始提前备货以应对后续可能出现的更大幅度涨价 [4] - 三星已于2024年3月底与全球主要客户完成新一轮价格谈判并正式签署供货合同，涨价方案已全面落地 [4]

行业核心观点 - Consumer DRAM市场因供给结构持续收敛，价格已累积惊人涨幅，预计2026年第二季度合约价格将持续强劲上涨[2] 价格趋势与驱动因素 - 2026年第二季度Consumer DRAM合约价格预计将环比增长45%-50%[2] - 2026年三月份Consumer DRAM涨价动能集中在4Gb以下容量产品，例如DDR4 4Gb均价月增20%以上[5] - DDR3与DDR2市场因转单需求和产能不足，三月份各容量产品均价出现20%-40%不等的上调，涨幅显著[5] - 大厂逐步退出成熟DDR4以下产品制造的策略不变，导致市场供给结构持续收敛[2] - 成熟制程供应商产能扩张不及，且部分旧制程产品进入生命周期尾声(EOL)，导致供给持续缩减[2][5] 供应商动态与市场结构 - 成熟制程供应商已转移产能重心至DDR4以争取外溢订单，并在三月份提高报价水平，部分价格提前反映第二季预期涨幅[5] - 在产能有限且订单转移效应扩大的情况下，厂商报价态度转向强势，预期第二季不同客户间的成交价格差距将大幅收敛[5][6] - 韩系厂商的Consumer DRAM平均销售单价已相对较高，预计短期的价格调整幅度将较为温和[6]

行业核心观点 - AI浪潮深刻改变存储行业景气周期，引发存储芯片需求井喷 [1] - 存储芯片价格持续大幅上涨，涨势预计至少延续至2026年下半年 [1][2] 市场动态与价格趋势 - 隔夜美股存储公司如闪迪、美光、西部数据等股价大涨超5% [1] - 三星电子计划在第二季度将NAND Flash价格大幅调高一倍，其一季度合约价已上调超过100%，意味着上半年累计涨幅超200% [1] - 其他NAND制造商如SK海力士、铠侠也计划跟进调涨 [1] - 三季度DRAM合约价同比上涨171.8%，NAND Flash价格涨幅超50%，DDR4现货价格暴涨197% [1] - 预计2026年一季度存储芯片价格将上升40%~50%，二季度还将再涨约20% [2] 需求驱动因素 - 英伟达CEO黄仁勋表示“存储器厂产能扩多少，英伟达就会用多少”，凸显AI对存储的强劲需求 [1] - 单台AI服务器平均配置1.7TB存储，远高于普通服务器的0.5TB，直接带动HBM、DDR5及企业级SSD供不应求 [1] - 2026年DRAM位增长率或达26%，NAND位增长率或达21%，较2025年均有加速 [2] 供应与短缺预测 - DRAM供应短缺预计持续至2027年一季度 [2] - NAND短缺则延续至2026年三季度 [2] 相关公司业务 - 协创数据的存储设备产品主要包括机械硬盘、固态硬盘、企业级SSD等 [2] - 大为股份子公司大为创芯的产品覆盖DDR3、DDR4、LPDDR4X、DDR5等DRAM产品，以及eMMC、BGA NAND Flash等NAND Flash产品 [2]

核心观点 - 公司2025年经营业绩呈现持续稳健增长，半导体存储业务成为核心支柱，新能源锂电项目取得重要资源和技术突破，但整体合并口径仍为亏损 [3][4] - 公司抓住全球半导体存储行业结构性复苏与“超级涨价周期”的机遇，半导体存储业务实现营收与利润双丰收，盈利能力显著改善 [4] - 公司计划不进行2025年度利润分配，主要因年度经营业绩亏损，并需满足业务开拓及投资的资金需求 [2][25] 财务表现 - 2025年公司实现营业收入12.22亿元，同比增长16.74% [4][24] - 归属于母公司所有者的净利润为-1,562.18万元，同比大幅减亏67.73% [4][24] - 综合毛利率提升至6.5%，盈利能力显著改善 [4] - 2025年度计提资产减值准备合计620.21万元，减少同期合并报表利润总额620.21万元 [45][50] 半导体存储业务 - 半导体存储业务实现营业收入10.98亿元，同比增长25.20%，占总营收比重90%，首次突破10亿元大关 [4][6] - 业务毛利率显著提升至4.43%，同比上升3.04个百分点 [6] - 产品涵盖DDR3、DDR4、DDR5、LPDDR4X等DRAM产品，以及eMMC、BGA NAND Flash、UFS等NAND Flash产品 [3] - 产品结构持续优化，服务器、内存条、SSD销售占比大幅提升，DDR4/LPDDR4X等产品已与部分国产CPU平台完成适配并批量交付 [6] - 新产品研发取得进展，持续推进LPDDR5认证与试产，启动嵌入式UFS存储产品研发，并于2025年底实现eMMC 64GB/128GB/256GB系列样品产出 [6] - 市场拓展成效显著，成功导入超越科技、四川九洲、广东朝歌、康佳电视等重点行业客户，实现在信创、通信和消费电子领域的突破 [7] - 供应链持续优化，在采用三星、海力士等国际方案的同时，加强了长江存储、长鑫存储等国产厂商的方案布局 [8] - 自主品牌“大为创芯（DW Micro）”建设加速，产品已通过多项主流平台认证并进入国内运营商供应链 [8] - 为增强研发能力，投资设立全资子公司上海大为捷敏技术有限公司，专注于高性能存储芯片模组方案的研发与设计 [9][10] 新能源锂电业务 - 新能源业务主要包括郴州锂电新能源产业项目的投资建设，以及新能源材料委托加工及贸易业务 [3][11] - 郴州锂电项目累计投入约15,500万元，项目子公司桂阳大为新材料、桂阳大为矿业已进入国家高新技术企业备案公示名单 [12] - 在矿业权属办理方面取得重要进展，桂阳大冲里矿区勘探报告矿产资源储量于2025年6月通过评审备案 [12] - 大冲里矿区资源储量达大型矿床标准，主要矿产资源包括：长石矿资源量20,953.3万吨，伴生锂（Li2O）矿物量32.37万吨，钨（WO3）矿物量6.55万吨及锡（Sn）矿物量1.41万吨 [14] - 选矿技术取得创新突破，开发出“磁选+浮选”为主、“重选”为辅助的联合选矿工艺，可规模化开发光伏玻璃用高纯石英砂、电池级锂精矿（Li2O品位2.33%）、高档陶瓷釉料用长石粉等七大类产品 [15] - 碳酸锂业务实现营业收入2928万元，公司构建了“海外+境内”双渠道采购模式，并通过委托加工、贸易等多维业务协同发展 [17][18] 汽车零部件业务 - 汽车事业部实现营业收入7493.10万元，与上年基本持平，销售量9844台，同比上涨4.81% [18] - 主要产品为电涡流缓速器，业务稳健增长，海外市场与新能源领域开拓成效显著 [18] 公司治理与重要事项 - 公司2025年度拟不进行利润分配，不派发现金红利，不送红股，不以公积金转增股本 [2][25][54] - 董事会审议通过了2026年度董事长薪酬方案，标准为100万元/年；高级管理人员薪酬方案，总经理标准为100万元/年，副总经理（含董事会秘书、财务总监）标准为95万元/年 [31][32] - 聘任连宗濠先生为公司副总经理，其持有公司股份31,000股，与公司实际控制人连宗敏女士系姐弟关系 [39][61] - 公司为全资子公司深圳市大为创芯微电子科技有限公司提供人民币1,000万元的连带责任保证担保，该事项在已审议通过的担保额度范围内 [66][71] - 截至公告日，公司为子公司提供担保的实际担保总金额为9,200万元，占公司最近一期经审计净资产的比例为16.90% [71]

全球半导体行业展望 - 世界半导体贸易统计组织上修2026年全球半导体产值预测7%，达7,720亿美元，年成长22% [1] - 2027年预估年增长逾25%，产值达9,750亿美元，逼近1兆美元 [1] - 增长主要来自IC设计、晶圆代工及封测产业驱动 [1] 人工智能应用驱动 - 行业受惠于AI应用基础设施建设带动 [1] - 台积电已于法说会上修全球AI市场成长展望 [1] - 存储器大厂对今年与明年展望乐观 [1] IC设计产业动态 - 发展特殊应用IC（ASIC）业务者众，最受瞩目业者包括联发科、世芯-KY与创意 [1] - 联发科看好非手机业务将抵消手机业务冲击，加上数据中心相关业务挹注，今年业绩预期仍将成长 [1] - 创意获两大云端服务供应商晶片量产挹注，法人估计今年营收与获利年增幅可维持逾三成水准 [2] 主要公司业务进展 - 联发科强调有信心今年数据中心ASIC营收会突破10亿美元，2027年达到数十亿美元规模，预计2028年开始贡献营收 [1] - 法人关注世芯北美CSP客户新一代3奈米制程AI晶片案件，有望在第2季量产，研判可带来约10亿美元规模等级业绩贡献 [2] - 全球半导体封测龙头日月光正向看待今年营收上升趋势，成长动能可延续至明年，看好封装测试营收表现优于逻辑半导体市场 [2] 存储器市场状况 - 存储器去年下半年以来价格上涨 [2] - 南亚科表示AI与一般伺服器需求持续带动DRAM市况，受限于新增产能有限，多数DRAM产品仍供给吃紧 [2] - 公司预计至明年上半年前整体新增产能仍相对有限，市况短期不易反转 [2]

行业需求与价格展望 - 存储巨头铠侠发布的年度业绩预测远超市场预期，营业收入与净利润目标较分析师预测高出约35%至60% [1] - AI算力等相关需求在存储需求中逐步占据主导地位，带动存储紧缺持续 [1] - 由于买方积极竞逐原厂供给，将带动第一季Server DRAM价格上涨约90%，幅度创历年之最 [1] - 在供给缺口持续扩大的情况下，买方激进囤货，推升2026年第一季Enterprise SSD价格将季增53-58%，创下单季涨幅最高纪录 [1] - 英伟达推出推理上下文内存存储平台，闪迪预计相关设计在27年有望带来额外的75-100EB的存储需求增量，并在28年进一步翻倍 [2] - 头部AI应用商及大模型厂商也有望推动以强化存储能力的方式提升用户体验，例如Anthropic有望在Claude Cowork中为知识库注入永久记忆 [2] - AI推理对于存储的增量需求仍将持续被挖掘，面向服务器的DRAM和NAND等整体需求有望持续高速增长 [2] 产业链与国产化机遇 - 2026年，存储产能紧张趋势有望延续，以“两存”为代表的国产厂商扩产动力充足 [2] - 看好国产存储厂商扩产带来的产能增量以及先进工艺提升带来的价值量提升 [2] - “两存”产能扩张有望驱动设备、封测、材料等投资需求，利好国产存储产业链 [2] 相关公司业务动态 - 兆易创新为NORFlash全球龙头，布局利基DRAM及MCU领域，加速拓展汽车电子与AI终端市场 [3] - 大为股份子公司大为创芯主要产品目前覆盖DDR3、DDR4、LPDDR4X商规/宽温级、DDR5等DRAM产品，以及eMMC、BGA NAND Flash等Nand Flash产品 [3]

内存价格飙升的核心驱动因素 - AI计算需求是导致内存价格大幅上涨的核心原因 来自AI数据中心的需求正在吞噬全球内存硬件产量的巨大份额 预计今年以AI为中心的内存将消耗全球产量的70% [2] - 主要内存芯片制造商将产能转向AI相关的高带宽内存和服务器级DDR5 例如美光已完全退出直接面向消费者的内存市场 关闭了其子品牌英睿达 [3] - 供应短缺而需求未降 导致价格飙升并预计将在一年或更长时间内保持高位 AI软件和硬件巨头正试图锁定供应价格 承包了大量尚未制造的晶圆和芯片 [3] 消费级PC内存市场现状 - DDR5内存模组价格在过去的几个月里一路飙升 翻了一倍甚至更多 [1] - 一套64GB的台式机内存套件价格已迅速超过索尼PlayStation 5 一些更大容量套件的价格甚至超过了高端台式机GPU [1] - 价格上涨已蔓延至较旧的DDR4和DDR3内存类型 [1] - 笔记本电脑使用的内存颗粒与台式机相同 同样面临巨大的价格压力 对于今年需要新电脑的消费者而言 情况将变得困难 [1] 对其他关键PC组件的影响 - 显卡专用的GDDR6和GDDR7显存价格同样因供应短缺而上涨 每Gb成本在过去六个月中翻了三倍多 这将直接导致台式机和笔记本显卡价格更昂贵 [4] - 固态硬盘的NAND芯片生产也受到冲击 生产DRAM的同一批公司也生产NAND芯片 DRAM需求抽走的产能同样影响了SSD供应 NAND晶圆价格已随内存价格同步攀升 去年11月的环比涨幅高达60% [5]

内存价格飙升的核心驱动因素 - 个人电脑（PC）主系统内存（RAM）价格在过去的几个月里已失控，最新标准DDR5模组价格翻了一倍甚至更多[2] - 一套64GB的台式机内存套件价格已超过索尼PlayStation 5，部分更大容量套件价格甚至超过高端台式机GPU[2] - 价格上涨已蔓延至较旧的DDR4和DDR3内存类型[2] - 导致价格飙升的核心原因是来自AI计算巨头的压倒性需求[2] - 为ChatGPT等AI工具提供动力的数据中心正在吞噬可用内存制造产能的巨大份额[3] - 根据TrendForce预测，以AI为中心的内存预计将消耗今年全球内存硬件产量的70%[3] - 主要内存芯片制造商（美光、三星、SK海力士）正将产能转向堆叠设计的显存（HBM）和服务器级DDR5，进一步削减了消费级产品的供应[3] - 例如，美光已完全退出直接面向消费者的内存市场，关闭了其子品牌英睿达（Crucial）[3] - 供应匮乏而需求未降，预计价格将在一年或更长时间内保持高位，因为AI软件和硬件巨头正试图锁定供应价格[4] 对笔记本电脑行业的影响 - 笔记本电脑使用的内存颗粒与台式机相同，容易受到相同的价格压力影响[2] - 对于今年需要新电脑的人来说，情况即将变得困难[2] - 内存芯片制造商仍会向商用PC制造商提供内存，但供应紧缺同样会影响到他们[4] 对其他PC组件的连锁影响 - 供应短缺正在影响其他将内存作为整体一部分的组件，最直接的连锁反应将冲击显卡[6] - 显卡依赖的GDDR6和GDDR7显存价格也因同样原因上涨：每Gb的成本在过去六个月中翻了三倍多[6] - 价格飙升将直接转化为更昂贵的台式机和笔记本显卡[6] - 生产DRAM的公司与生产SSD内部NAND芯片的公司重合[7] - 如果DRAM需求从消费级芯片抽走产能，同样也会从构成SSD的芯片那里抽走产能[7] - 根据Procurement Pro数据，NAND晶圆价格已随内存价格同步攀升，去年11月的环比涨幅高达60%[7] - PC用户可能转向高速SSD和软件解决方案来抵消内存不足，但SSD供应也面临压力[7]

记忆体行业（华邦） - 华邦总经理表示当前记忆体价格持续上涨，本季与下季合约价涨幅将与去年第四季相当[2] - 客户需求旺盛，现有及新增产能（至2027年）已被预订一空，公司逐季涨价客户仍愿意接受[2] - 公司高雄路竹厂持续扩产，DRAM第一波装机预计6月中旬展开，Flash装机更早，但整体记忆体供给仍供不应求[2] - DDR4供给缺口极大，部分客户已降规使用DDR3，公司晶圆产能有限，将尽力最大化产出[2] - 公司尤其看好LPDDR4成长潜力，其应用涵盖各类智能装置、物联网、扫地机器人及无人机等，是今年产能配置重点[2] 被动元件行业（MLCC及整体） - 被动元件全面涨价，市场用量最大的积层陶瓷电容（MLCC）近期中国大陆通路现货价调幅上看两成，国巨、华新科现货价有望跟进[3] - 钽电容、芯片电阻、磁珠、MLCC四大主力产品线全数涨价，产业龙头国巨因掌握所有产品线且份额最大，将优先受惠[3] - 钽电容因AI服务器大量导入导致供不应求，国巨旗下基美去年和今年已针对服务器用大尺寸聚合物钽电容展开第二波涨价，涨幅达二至三成[3][4] - 随钽电容交期拉长、价格上扬，系统设计端重新配置被动元件组合，MLCC用量显著增加，营造涨价环境[4] - AI服务器与加速卡因运算密度高、功耗大，对电源品质要求严格，单机MLCC使用颗数远高于一般服务器[4] - 为分散供应风险并控制成本，部分电源模组已从采用钽电容改为“钽电搭配MLCC”设计策略[4] - 在AI长期需求支撑下，MLCC需求被视作结构性扩张，而不仅是补涨[5] 被动元件主要公司（国巨、村田、TDK） - 国巨的营收结构中，钽电容占比约18%至22%，MLCC占比约18%至20%，芯片电阻占比约11%至13%[5] - 全球MLCC龙头村田制作所订单/出货比（B/B值）连续五季高于1，上季接获订单超过5,000亿日圆，年增逾一成，其中电容订单暴增近三成，B/B值达1.07创15季来新高[5] - 村田基于订单稳健，将本财年（2025年4月至2026年3月）营收目标从原估1.74兆日圆上修至1.8兆日圆[5] - TDK上季营收6,752亿日圆，年增16.2%，每股盈余36.73日圆[5] - TDK调高截至3月底的本财年营业利益目标8%、达2,650亿日圆（17亿美元），优于预期，并同步调升净利和营收预测，同时将配息上调至每股34日圆[5] - 村田与TDK两大日本被动元件巨头同声看旺后市并上修财测，为产业景气定调[5]

行业周期分析 - 当前存储芯片行业正经历由AI驱动的结构性上涨周期，其上涨幅度与持续时间远超历史规律，以DDR3为代表的传统产品自2024年底至今累计涨幅接近600% [1][12] - 本轮周期的核心驱动力是AI需求激增，导致三星、SK海力士、美光等巨头将产能向HBM（高带宽内存）倾斜，从而挤占了传统DRAM的供给，造成供需缺口持续扩大 [1][8][12][19] - 与历史周期对比，本轮上涨斜率最强：2016-2017年因智能手机和DDR4升级，涨幅192%；2020-2021年因疫情带动服务器和PC需求，涨幅155%；而本轮（2024年底至今）涨幅高达577% [1][12] 下游市场影响 - 存储芯片持续涨价导致下游终端厂商成本压力激增，资本市场担忧其利润空间受到侵蚀 [3][14] - 部分头部主机厂股价因此承压，自2025年6月高点以来，苹果累计跌幅约13%，小米累计跌幅近30%，任天堂累计跌幅近40% [3][14] 公司（长鑫科技）基本面 - 长鑫科技是国内规模最大、布局最完整的DRAM IDM企业，于2025年12月30日科创板IPO获受理，拟募资约295亿元，为科创板史上第二大IPO [8][19] - 公司正处于业绩快速释放期，2022至2024年营收年均复合增速超过70%，2025年前三季度实现营收320亿元，并预测2025年全年营收将达到550亿至580亿元 [8][19] - 公司营收规模目前约为国际巨头的八分之一，但维持高增长，正通过建设3座新工厂快速扩产 [5][9][16][20] - 公司以3.97%的市占率位列中国第一、全球第四大DRAM厂商，在半导体行业，接近5%的市占率被视为进入规模效应正循环的重要门槛 [9][20] 公司技术能力与差距 - 在传统DRAM产品上，长鑫科技已实现性能追平国际先进水平，例如已量产LPDDR5X、DDR5，最高速率达10667 Mbps [6][17] - 但在先进制程上仍落后国际巨头1.5至2代，国际厂商已进入10-12nm（D1Z）节点，而长鑫处于14nm（D1Alpha）节点 [6][17] - 在关键的AI存储产品HBM领域，国际厂商已量产HBM3e并向HBM4迭代，而长鑫尚未实现HBM量产，目前HBM2已送样 [6][17] 公司成长逻辑与市场展望 - 公司短期直接受益于存储芯片涨价周期，并承接国际巨头产能转向HBM后所释放的传统DRAM市场空间 [9][20] - 长期成长逻辑在于国产替代，根据Omdia预测，2029年全球DRAM市场规模将达2045亿美元，其中中国市场占比超过四分之一，为公司提供了广阔的替代空间 [9][20] - 资本市场对其稀缺性给予高估值预期，普遍预期上市后估值向万亿靠拢，基于2025年预测营收，按12倍行业平均PS计算估值中枢约6000亿元，参考中芯国际15倍PS并叠加战略溢价后，合理估值上限约9000亿元 [10][21]