公司产品与技术布局 - 大为股份全资子公司大为创芯的DRAM产品线覆盖DDR3、DDR4、LPDDR4X及DDR5 [1] - 大为创芯的Nand Flash产品线包括eMMC和BGA NAND Flash [1] - 公司产品广泛应用于多个领域 [1] 公司研发与业务进展 - 公司正积极推进LPDDR5的认证与试产工作 [1] - 公司正在开展高性能存储芯片产品及解决方案的研发 [1] - 相关研发工作旨在为后续业务发展奠定基础 [1]

每经AI快讯，有投资者在投资者互动平台提问：目前代工厂产能紧张，贵司采取什么方式保障自己 DDR3及DDR4的产能了吗？您预计是否会出现拿不到产能的情况，或者能锁定的产能不足以满足订单 的情况？ 北京君正（300223.SZ）1月6日在投资者互动平台表示，公司对部分DRAM产品进行了提前备货，同时 后续也将加强与代工厂的合作与沟通。 （文章来源：每日经济新闻） ...

文章核心观点 - 存储芯片现货市场行情火爆，价格大幅上涨，吸引了大量新参与者进入，导致交易链条复杂化，并伴随出现了假货、假标等风险增加的现象 [1][7] - 面对市场热度与风险，分销商需加强风险控制，优先选择正规渠道，并严格执行验标验货流程 [12][13][14] 存储市场假标假货现象 - 近期出现多起存储芯片标签异常案例，有分销商在短时间内遇到两起，均通过检查标签格式发现问题并取消订单 [1][2] - 社交媒体上也有用户分享假货案例，例如将海力士颗粒重新标记（“盖面”），实际内部是东芝的料，且容量从标称的8+1Gb变为实际的4+1Gb [2] - 假标制作水平并不高明，质检人员指出“会看的人，一眼假”，问题主要集中在标签格式上 [1][2] 存储市场行情与变化 - 存储芯片价格自年初以来持续上涨，以三星某颗常见8G DDR4芯片为例，价格从3月的1.7美元涨至6月的7.5美元左右，10月底约8美元，目前突破20美元，较年初暴涨超过10倍 [7] - 价格上涨由多重因素推动：年初小容量eMMC率先涨价，随后三大厂停产DDR4的消息（美光于6月官宣）进一步引爆市场，DDR4在7、8月进入高位横盘，国庆后现货市场全面暴涨 [7] - 猛烈的行情吸引了大量新参与者，做存储的分销商数量显著增加，例如某中国台湾替代品牌在平台上的挂售分销商从几十家增至上百家 [8][9] - 新参与者涌入导致交易链条变长、转手增多，过去交易多面向终端或次终端，今年很多成交发生在贸易商和囤货商之间 [10][11] - 价格高企已影响终端需求，有分销商指出消费类终端已用不起暴涨的存储芯片，其11月后出货都面向市场而非终端 [11] 市场参与者的现状与风险 - 市场参与者状态各异：有稳定渠道的持续在做；库存出完的在观望；非本行想尝试但觉水深；无渠道无客户想倒手但难做 [14] - 复杂的交易链路提高了风险暴露概率，下半年DDR4假货传闻增多，但长期从业者通过老渠道或代理拿货，较少遇到假货 [11] - 任何热门品类都易被利用，在标签上动手脚可制造有货假象以推动交易，因此风险控制至关重要 [11] - 分销商采购时应尽量走正规渠道，并坚持买货前先验标、付款前先验货的原则 [12] - 具体的质检步骤包括审核货源资质、比对标签格式字体与信息一致性、核对包装细节，必要时进行进一步检测 [13]

文章核心观点 - 存储芯片现货市场行情火爆，价格大幅上涨，吸引了大量新参与者进入，导致交易链条复杂化，并伴随出现了假货、假标等风险上升的现象 [3][9][13] - 面对市场热度与风险，分销商需加强风险控制，优先选择正规渠道，并在交易前严格验标验货 [14][16] 热闹的存储市场开始出现假标了 - 近期存储芯片市场出现多起标签异常案例，有分销商在短时间内遇到两起存储芯片标签格式不符的问题，供应商承认换标但否认是假货 [3] - 另一案例中，芯片型号正确但标签格式不对，供应商坚持货品无问题，最终交易取消 [4][5] - 社交媒体上也有用户曝光假货案例，例如将低规格芯片重新标记为高规格芯片出售 [6] 大家都想分一口的存储没那么简单 - 存储芯片市场自年初以来持续上涨，MLC NAND小容量eMMC率先涨价，随后DDR4因大厂停产消息而上涨 [9] - 以三星某常见8G DDR4芯片为例，其价格从3月的1.7美元涨至6月的7.5美元左右，10月底达8美元，目前价格已突破20美元，较年初暴涨超过10倍 [10] - 猛烈行情吸引了大量新进入者，做存储的分销商明显增多，增长点集中在6月和10月的行情暴涨时期 [11] - 例如，某可替代三大厂产品的中国台湾存储品牌，在平台上挂热卖的分销商从几十家增至上百家 [12] - 新参与者涌入导致交易链条变长、转手增多，过去交易多面向终端，现在贸易商与囤货商之间的交易占比很大 [13] - 复杂的链路增加了风险，下半年DDR4假货传闻增多，但长期经营的分销商通过老渠道拿货，较少遇到假货问题 [13] - 任何热门品类都易被仿冒，通过在标签上动手脚可制造有货假象，因此采购时需走正规渠道并严格执行验标验货流程 [14] - 当前存储分销商状态分化：有稳定渠道的持续经营；原有库存出清者在观望；外行想尝试但觉水深；无渠道者想倒手但因价格高差难做 [15] - 有业内人士将当前存储圈比作围城或景区，形象描述了参与者各种进退犹豫的状态 [15] 结语 - 在存储行情持续火爆的当下，交易链条被拉长、转手增多、信息易失真，对分销商而言，最有效的做法是将风控前置，优先选择老渠道和正规渠道，并注意验标验货 [16]

公司产品线 - 公司传统的NAND产品包括固态硬盘、移动固态硬盘、闪存盘、存储卡等 [1] - 公司的DRAM产品主要是个人计算机（PC）使用的内存产品，包括DDR3、DDR4、DDR5等 [1]

行业与公司 * **行业**：全球存储行业（DRAM与NAND）[1] * **公司**：美光、海力士、三星、长江存储、长鑫存储、南亚科技、华邦电子、中芯国际、华虹半导体[5][10][11][12] 核心观点与论据 * **增长驱动力转变**：AI驱动的服务器需求取代智能手机成为存储行业核心增长点，年增长率超过50%[1][4] * **周期特殊性**：当前周期（始于2023年底）由AI需求强劲支撑，高位景气度持续时间更长，不同于传统的尖顶形态[3] * **需求端特殊性**：服务器成为最核心市场，AI服务器需求保持50%以上增速[4][6] 传统消费电子（如手机）需求疲软，2026年手机总量预计下降5-6%，但主要影响低端市场，高端品牌及终端侧AI应用可能带来新增长点[5] * **供给端特殊性**：高带宽内存（HBM）生产对DRAM产能挤占严重，其产能消耗是DRAM的2-3倍[1][5] 主要厂商（三星、美光、海力士）2026年新增工厂投放有限，短期内供应增速受限[1][5] * **供需缺口**：2026年DRAM供需缺口预计为10%-15%，NAND缺口预计为5%-6%[1][7] 主要云厂商（谷歌、微软、亚马逊）及英伟达的订单需求大幅增长，最低增长率为50%-60%，最高达1.5倍[7] * **价格趋势**：2023年Q3/Q4 DRAM出货价环比增长10%-15%[8] 预计2025年Q4 DRAM价格环比增长20%[8] 预计2026年上半年DRAM价格逐季环比增长10%-15%，下半年涨幅收窄至5%-10%[8] NAND因缺口较小，涨幅相对较小[8] * **高位价格持续性**：高位价格大概率持续，但涨幅可能逐渐收窄[9] 美光最近一个财季毛利率已达历史新高，下个季度净利润率预计超过50%[9] * **扩产与产业链影响**：存储需求上升带动扩产，美光和海力士2024年资本开支增加约50%，预计2025年继续扩张30%[5][10] 设备端进入景气周期，高端存储需求提升薄膜、刻蚀等设备需求[1][10] * **利基存储市场**：台湾利基存储公司（如南亚科技、华邦电子）已开始涨价[11] 受益于海外低端产能（如DDR3全面退出，DDR4部分退出）退出和高端产品（DDR5、HBM）生产增加，中国大陆和台湾厂商承接市场[1][11] * **本土化进程**：中国本土化进程加速，长江存储和长鑫存储全球占比目前不到10%，未来有望提升到30%[10] * **晶圆代工产能挤兑**：中国本土成熟制程晶圆厂（如中芯国际、华虹半导体）产能利用率高企，分别达到96%和110%[12] 存储订单增加可能挤压其他品类（如模拟功率器件）产能，或引发涨价，但消费电子及工业领域需求疲软，传导效应有待观察[2][12] 其他重要内容 * **产能释放时间点**：主要厂商资本开支对应的新产能释放将集中在2027年，届时可能迎来较大规模的供应增长[1][5][6] * **周期性规律**：存储行业是典型周期性行业，历史上大约每四年经历一个完整周期[3]

行业核心观点 - 中国存储芯片行业正迎来由AI算力驱动的“超级周期”，表现为企业注册量激增、产品价格暴涨以及显著的供需错配 [1] - 存储芯片的供应短缺与价格飙升正沿着产业链向下游传导，导致智能手机、PC、平板等终端产品面临涨价压力 [2][3][4] - 行业新增产能释放缓慢，预计供应紧张局面将长期持续，未来或有更多终端产品跟进涨价 [4] 市场供需与价格动态 - **企业注册热潮**：截至2025年12月17日，中国当年新注册存储芯片相关企业1.15万家，同比增长41.4%，创近五年峰值 [1] - **供应高度集中与缺口**：SK海力士、美光、三星将主要资源投入HBM与DDR5，导致DDR4、LPDDR4、DDR3及SLC NAND Flash供应缺口急剧扩大 [1] - **价格暴涨**：自9月以来，DRAM与NAND Flash现货价格累计上涨均超过300% [1] - **市场现货紧缺**：存储模组厂商表示目前市场没有现货 [1] - **原厂业绩飙升**：美光科技2026财年第一季度营收136.4亿美元，同比增长57%，净利润从20亿美元跃升至52亿美元，并给出远超预期的下季度营收指引187亿美元（±4亿美元） [1] - **长期供应紧张**：三大DRAM供应商的新厂建设需两年以上周期，最快2027年下半年完工，投产还需调试，2027年底前新增产能有限 [4] - **未来价格预测**：预计2026年第一季度，智能手机/PC的NAND价格将上涨25%-30%，DRAM价格将上涨30%-35% [4] 下游终端市场影响 - **PC厂商涨价计划与行动**： - 惠普表示内存成本飙升将迫使公司上调产品价格并推出低配版本 [3] - 戴尔计划自12月17日起将商用电脑售价提高10%-30% [3] - 华硕表示将根据市场动态机动调整产品组合与售价 [3] - 宏碁确认明年第一季度产品价格将不同于本季度，并积极寻求更多存储货源 [3] - **平板产品已实施涨价**： - 小米平板8起售价从2199元涨至2299元，小米平板8 Pro从2799元涨至2899元 [3] - Redmi Pad 2全系价格上涨200元，起售价从999元升至1199元，涨幅约20% [3] - 荣耀已表态平板产品即将跟进涨价 [4] - **涨价趋势蔓延**：随着存储芯片成本传导至整机，预计未来将有更多品牌和终端产品跟进涨价 [4] 中国存储产业地域与结构分布 - **新注册企业地域分布**：华南地区占比最高，达30.8%，其次是华东地区，占比29.1%，东北地区最少，仅占2.1% [1][4] - **产业集群格局**：分布格局与长三角、珠三角两大核心存储芯片产业集群高度契合 [5] - **华南（珠三角）**：依托电子制造体系，聚焦模组、封测、贸易等中下游环节，拥有江波龙、佰维等企业，直接服务庞大的消费电子和AI终端市场需求 [5] - **华东（长三角）**：重在全链条布局，尤其是晶圆制造等核心环节 [6] - **新注册企业行业分类**：在1.15万家企业中，44.8%属于科学研究和技术服务业，36.4%属于信息传输、软件和信息技术服务业，9.5%属于批发和零售业 [6] - **企业激增原因分析**： - 主要源于AI时代数据量井喷带来的巨大市场需求和商机，例如智能电源管理芯片、穿戴设备、智能家居等对存储的需求 [6] - 大量新注册企业可能是贸易商，或大型存储企业新设的子公司，实际涉足设计、制造等核心业务的企业数量可能有限 [6]

DRAM现货价格趋势 - DDR5与DDR3现货价格本周小幅回落，主要因前期快速上涨后部分交易商在年底进行获利了结 [1] - DDR4价格持续攀升，其中16Gb颗粒产品涨幅尤为显著 [1] - 主流颗粒DDR4 1Gx8 3200MT/s本周价格上涨2.00%，单价从US$16.729上涨至US$17.064 [3] - 尽管近期现货价格波动，但行业预测2026年第一季度合约价格仍将大幅上涨 [3] NAND闪存现货价格趋势 - NAND闪存现货价格持续走高的关键支撑来自供应端，供应商在年底临近之际并未向市场释出更多Wafer [1] - 本周Wafer市场呈现“涨幅收敛但价格续强”格局，前期过快拉涨后市场出现短暂修正 [3] - 本周512Gb TLC wafer现货价格上涨0.28%，单价达到US$9.634 [3] - 在市场活动受限、供需紧俏的背景下，NAND闪存现货价格持续创高 [1][3] 存储市场整体状况 - 交易商的年底获利了结行为不影响DRAM市场整体供应吃紧的态势 [1] - 供应端的限制（原厂未释放更多Wafer）是支撑当前存储现货价格的关键因素 [1][3]

存储现货市场价格动态 - **DRAM市场整体吃紧，但不同产品价格走势分化**：DDR5和DDR3现货价格本周小幅回落，主要因前期快速上涨后部分交易商在年底进行获利了结[2]；而DDR4价格则继续攀升，市场整体吃紧态势未受影响[2] - **DDR4 16Gb颗粒领涨，合约价看涨预期不变**：DDR4现货价格持续上涨，尤其以16Gb颗粒为最[4]；近期现货价格变化不影响对2026年第一季度合约价格仍将大幅上涨的预测[4] - **具体价格数据**：主流颗粒DDR4 1Gx8 3200MT/s本周价格涨幅为2.00%，单价从US$16.729上涨至US$17.064[4] NAND闪存市场供应状况 - **Wafer供应紧张是NAND价格关键支撑**：NAND闪存现货价格持续走高的关键支撑来自供应端，供应商在年底临近之际并未释出更多Wafer，导致市场活动受限[2] - **Wafer市场呈现“涨幅收敛但价格续强”格局**：由于前期拉涨过速，市场出现短暂修正调节，但供应紧张支撑价格持续走强[4]；本周512Gb TLC wafer现货价格上涨0.28%，单价达US$9.634[4]

行业供需状况 - AI需求涌入导致存储缺货进入20年来最严重局面，客户实际到货量仅为原下单量的30% [2] - 存储缺货潮已迫使国际电子品牌将采购层级提升至董事长或总裁级别，供应商拥有绝对议价权 [2] - 多数客户无法签订一年期合约，只能每月谈判，显示市场供应极度紧俏 [2] - 云端服务提供商抢货产生排挤效应，导致手机、PC、网通等传统电子大厂供应链全部吃紧 [3] - 台湾电子大厂目前能获得的货量仅为一年以前的50%到70%，多数厂商仅能拿到过去一半的货 [3] 缺货性质与驱动因素 - 当前缺货并非由传统景气循环造成，而是由AI、云端数据中心与高性能计算带来的强劲需求驱动 [2] - 存储芯片原厂将部分NAND Flash产能转向毛利更高的DRAM，加剧了供给不均 [2] - 安全库存已见底，不存在重复下单问题，因为即使下再多单也无货可拿 [2][3] 价格走势与产能展望 - 存储合约价涨势预计将持续至少二至三个季度以上，2026上半年DRAM与NAND Flash仍将全面缺货 [2] - 三星、SK海力士、美光的新增产能极为有限，不足以支撑需求，DDR4与DDR5供给持续吃紧 [3] - DDR3价格已从低点翻倍，预计本季度起DDR5报价涨幅将超过DDR4 [3] - NAND Flash缺货情况比预期更严重，因产能遭DRAM排挤，SSD需求需填补缺口，价格涨幅比先前评估更大 [3]