全球半导体行业展望 - 世界半导体贸易统计组织上修2026年全球半导体产值预测7%，达7,720亿美元，年成长22% [1] - 2027年预估年增长逾25%，产值达9,750亿美元，逼近1兆美元 [1] - 增长主要来自IC设计、晶圆代工及封测产业驱动 [1] 人工智能应用驱动 - 行业受惠于AI应用基础设施建设带动 [1] - 台积电已于法说会上修全球AI市场成长展望 [1] - 存储器大厂对今年与明年展望乐观 [1] IC设计产业动态 - 发展特殊应用IC（ASIC）业务者众，最受瞩目业者包括联发科、世芯-KY与创意 [1] - 联发科看好非手机业务将抵消手机业务冲击，加上数据中心相关业务挹注，今年业绩预期仍将成长 [1] - 创意获两大云端服务供应商晶片量产挹注，法人估计今年营收与获利年增幅可维持逾三成水准 [2] 主要公司业务进展 - 联发科强调有信心今年数据中心ASIC营收会突破10亿美元，2027年达到数十亿美元规模，预计2028年开始贡献营收 [1] - 法人关注世芯北美CSP客户新一代3奈米制程AI晶片案件，有望在第2季量产，研判可带来约10亿美元规模等级业绩贡献 [2] - 全球半导体封测龙头日月光正向看待今年营收上升趋势，成长动能可延续至明年，看好封装测试营收表现优于逻辑半导体市场 [2] 存储器市场状况 - 存储器去年下半年以来价格上涨 [2] - 南亚科表示AI与一般伺服器需求持续带动DRAM市况，受限于新增产能有限，多数DRAM产品仍供给吃紧 [2] - 公司预计至明年上半年前整体新增产能仍相对有限，市况短期不易反转 [2]

行业需求与价格展望 - 存储巨头铠侠发布的年度业绩预测远超市场预期，营业收入与净利润目标较分析师预测高出约35%至60% [1] - AI算力等相关需求在存储需求中逐步占据主导地位，带动存储紧缺持续 [1] - 由于买方积极竞逐原厂供给，将带动第一季Server DRAM价格上涨约90%，幅度创历年之最 [1] - 在供给缺口持续扩大的情况下，买方激进囤货，推升2026年第一季Enterprise SSD价格将季增53-58%，创下单季涨幅最高纪录 [1] - 英伟达推出推理上下文内存存储平台，闪迪预计相关设计在27年有望带来额外的75-100EB的存储需求增量，并在28年进一步翻倍 [2] - 头部AI应用商及大模型厂商也有望推动以强化存储能力的方式提升用户体验，例如Anthropic有望在Claude Cowork中为知识库注入永久记忆 [2] - AI推理对于存储的增量需求仍将持续被挖掘，面向服务器的DRAM和NAND等整体需求有望持续高速增长 [2] 产业链与国产化机遇 - 2026年，存储产能紧张趋势有望延续，以“两存”为代表的国产厂商扩产动力充足 [2] - 看好国产存储厂商扩产带来的产能增量以及先进工艺提升带来的价值量提升 [2] - “两存”产能扩张有望驱动设备、封测、材料等投资需求，利好国产存储产业链 [2] 相关公司业务动态 - 兆易创新为NORFlash全球龙头，布局利基DRAM及MCU领域，加速拓展汽车电子与AI终端市场 [3] - 大为股份子公司大为创芯主要产品目前覆盖DDR3、DDR4、LPDDR4X商规/宽温级、DDR5等DRAM产品，以及eMMC、BGA NAND Flash等Nand Flash产品 [3]

内存价格飙升的核心驱动因素 - AI计算需求是导致内存价格大幅上涨的核心原因 来自AI数据中心的需求正在吞噬全球内存硬件产量的巨大份额 预计今年以AI为中心的内存将消耗全球产量的70% [2] - 主要内存芯片制造商将产能转向AI相关的高带宽内存和服务器级DDR5 例如美光已完全退出直接面向消费者的内存市场 关闭了其子品牌英睿达 [3] - 供应短缺而需求未降 导致价格飙升并预计将在一年或更长时间内保持高位 AI软件和硬件巨头正试图锁定供应价格 承包了大量尚未制造的晶圆和芯片 [3] 消费级PC内存市场现状 - DDR5内存模组价格在过去的几个月里一路飙升 翻了一倍甚至更多 [1] - 一套64GB的台式机内存套件价格已迅速超过索尼PlayStation 5 一些更大容量套件的价格甚至超过了高端台式机GPU [1] - 价格上涨已蔓延至较旧的DDR4和DDR3内存类型 [1] - 笔记本电脑使用的内存颗粒与台式机相同 同样面临巨大的价格压力 对于今年需要新电脑的消费者而言 情况将变得困难 [1] 对其他关键PC组件的影响 - 显卡专用的GDDR6和GDDR7显存价格同样因供应短缺而上涨 每Gb成本在过去六个月中翻了三倍多 这将直接导致台式机和笔记本显卡价格更昂贵 [4] - 固态硬盘的NAND芯片生产也受到冲击 生产DRAM的同一批公司也生产NAND芯片 DRAM需求抽走的产能同样影响了SSD供应 NAND晶圆价格已随内存价格同步攀升 去年11月的环比涨幅高达60% [5]

内存价格飙升的核心驱动因素 - 个人电脑（PC）主系统内存（RAM）价格在过去的几个月里已失控，最新标准DDR5模组价格翻了一倍甚至更多[2] - 一套64GB的台式机内存套件价格已超过索尼PlayStation 5，部分更大容量套件价格甚至超过高端台式机GPU[2] - 价格上涨已蔓延至较旧的DDR4和DDR3内存类型[2] - 导致价格飙升的核心原因是来自AI计算巨头的压倒性需求[2] - 为ChatGPT等AI工具提供动力的数据中心正在吞噬可用内存制造产能的巨大份额[3] - 根据TrendForce预测，以AI为中心的内存预计将消耗今年全球内存硬件产量的70%[3] - 主要内存芯片制造商（美光、三星、SK海力士）正将产能转向堆叠设计的显存（HBM）和服务器级DDR5，进一步削减了消费级产品的供应[3] - 例如，美光已完全退出直接面向消费者的内存市场，关闭了其子品牌英睿达（Crucial）[3] - 供应匮乏而需求未降，预计价格将在一年或更长时间内保持高位，因为AI软件和硬件巨头正试图锁定供应价格[4] 对笔记本电脑行业的影响 - 笔记本电脑使用的内存颗粒与台式机相同，容易受到相同的价格压力影响[2] - 对于今年需要新电脑的人来说，情况即将变得困难[2] - 内存芯片制造商仍会向商用PC制造商提供内存，但供应紧缺同样会影响到他们[4] 对其他PC组件的连锁影响 - 供应短缺正在影响其他将内存作为整体一部分的组件，最直接的连锁反应将冲击显卡[6] - 显卡依赖的GDDR6和GDDR7显存价格也因同样原因上涨：每Gb的成本在过去六个月中翻了三倍多[6] - 价格飙升将直接转化为更昂贵的台式机和笔记本显卡[6] - 生产DRAM的公司与生产SSD内部NAND芯片的公司重合[7] - 如果DRAM需求从消费级芯片抽走产能，同样也会从构成SSD的芯片那里抽走产能[7] - 根据Procurement Pro数据，NAND晶圆价格已随内存价格同步攀升，去年11月的环比涨幅高达60%[7] - PC用户可能转向高速SSD和软件解决方案来抵消内存不足，但SSD供应也面临压力[7]

记忆体行业（华邦） - 华邦总经理表示当前记忆体价格持续上涨，本季与下季合约价涨幅将与去年第四季相当[2] - 客户需求旺盛，现有及新增产能（至2027年）已被预订一空，公司逐季涨价客户仍愿意接受[2] - 公司高雄路竹厂持续扩产，DRAM第一波装机预计6月中旬展开，Flash装机更早，但整体记忆体供给仍供不应求[2] - DDR4供给缺口极大，部分客户已降规使用DDR3，公司晶圆产能有限，将尽力最大化产出[2] - 公司尤其看好LPDDR4成长潜力，其应用涵盖各类智能装置、物联网、扫地机器人及无人机等，是今年产能配置重点[2] 被动元件行业（MLCC及整体） - 被动元件全面涨价，市场用量最大的积层陶瓷电容（MLCC）近期中国大陆通路现货价调幅上看两成，国巨、华新科现货价有望跟进[3] - 钽电容、芯片电阻、磁珠、MLCC四大主力产品线全数涨价，产业龙头国巨因掌握所有产品线且份额最大，将优先受惠[3] - 钽电容因AI服务器大量导入导致供不应求，国巨旗下基美去年和今年已针对服务器用大尺寸聚合物钽电容展开第二波涨价，涨幅达二至三成[3][4] - 随钽电容交期拉长、价格上扬，系统设计端重新配置被动元件组合，MLCC用量显著增加，营造涨价环境[4] - AI服务器与加速卡因运算密度高、功耗大，对电源品质要求严格，单机MLCC使用颗数远高于一般服务器[4] - 为分散供应风险并控制成本，部分电源模组已从采用钽电容改为“钽电搭配MLCC”设计策略[4] - 在AI长期需求支撑下，MLCC需求被视作结构性扩张，而不仅是补涨[5] 被动元件主要公司（国巨、村田、TDK） - 国巨的营收结构中，钽电容占比约18%至22%，MLCC占比约18%至20%，芯片电阻占比约11%至13%[5] - 全球MLCC龙头村田制作所订单/出货比（B/B值）连续五季高于1，上季接获订单超过5,000亿日圆，年增逾一成，其中电容订单暴增近三成，B/B值达1.07创15季来新高[5] - 村田基于订单稳健，将本财年（2025年4月至2026年3月）营收目标从原估1.74兆日圆上修至1.8兆日圆[5] - TDK上季营收6,752亿日圆，年增16.2%，每股盈余36.73日圆[5] - TDK调高截至3月底的本财年营业利益目标8%、达2,650亿日圆（17亿美元），优于预期，并同步调升净利和营收预测，同时将配息上调至每股34日圆[5] - 村田与TDK两大日本被动元件巨头同声看旺后市并上修财测，为产业景气定调[5]

行业周期分析 - 当前存储芯片行业正经历由AI驱动的结构性上涨周期，其上涨幅度与持续时间远超历史规律，以DDR3为代表的传统产品自2024年底至今累计涨幅接近600% [1][12] - 本轮周期的核心驱动力是AI需求激增，导致三星、SK海力士、美光等巨头将产能向HBM（高带宽内存）倾斜，从而挤占了传统DRAM的供给，造成供需缺口持续扩大 [1][8][12][19] - 与历史周期对比，本轮上涨斜率最强：2016-2017年因智能手机和DDR4升级，涨幅192%；2020-2021年因疫情带动服务器和PC需求，涨幅155%；而本轮（2024年底至今）涨幅高达577% [1][12] 下游市场影响 - 存储芯片持续涨价导致下游终端厂商成本压力激增，资本市场担忧其利润空间受到侵蚀 [3][14] - 部分头部主机厂股价因此承压，自2025年6月高点以来，苹果累计跌幅约13%，小米累计跌幅近30%，任天堂累计跌幅近40% [3][14] 公司（长鑫科技）基本面 - 长鑫科技是国内规模最大、布局最完整的DRAM IDM企业，于2025年12月30日科创板IPO获受理，拟募资约295亿元，为科创板史上第二大IPO [8][19] - 公司正处于业绩快速释放期，2022至2024年营收年均复合增速超过70%，2025年前三季度实现营收320亿元，并预测2025年全年营收将达到550亿至580亿元 [8][19] - 公司营收规模目前约为国际巨头的八分之一，但维持高增长，正通过建设3座新工厂快速扩产 [5][9][16][20] - 公司以3.97%的市占率位列中国第一、全球第四大DRAM厂商，在半导体行业，接近5%的市占率被视为进入规模效应正循环的重要门槛 [9][20] 公司技术能力与差距 - 在传统DRAM产品上，长鑫科技已实现性能追平国际先进水平，例如已量产LPDDR5X、DDR5，最高速率达10667 Mbps [6][17] - 但在先进制程上仍落后国际巨头1.5至2代，国际厂商已进入10-12nm（D1Z）节点，而长鑫处于14nm（D1Alpha）节点 [6][17] - 在关键的AI存储产品HBM领域，国际厂商已量产HBM3e并向HBM4迭代，而长鑫尚未实现HBM量产，目前HBM2已送样 [6][17] 公司成长逻辑与市场展望 - 公司短期直接受益于存储芯片涨价周期，并承接国际巨头产能转向HBM后所释放的传统DRAM市场空间 [9][20] - 长期成长逻辑在于国产替代，根据Omdia预测，2029年全球DRAM市场规模将达2045亿美元，其中中国市场占比超过四分之一，为公司提供了广阔的替代空间 [9][20] - 资本市场对其稀缺性给予高估值预期，普遍预期上市后估值向万亿靠拢，基于2025年预测营收，按12倍行业平均PS计算估值中枢约6000亿元，参考中芯国际15倍PS并叠加战略溢价后，合理估值上限约9000亿元 [10][21]

文章核心观点 - 2025年1月，现货市场多类芯片热度持续上升，价格普遍呈现上涨趋势，其中存储芯片（如NOR Flash、DDR3、DDR5、eMMC）和运动传感器（MEMS IMU）是主要热点[3] 存储芯片市场动态 - **NOR Flash持续火热**：华邦电（Winbond）的W25Q128JVSIQ和W25Q64JVSSIQ在1月热度继续蹿升，价格显著上涨。W25Q128JVSIQ报价从上月约6元涨至8-10元，W25Q64JVSSIQ从上月约3元涨至5-8元[4]。该系列产品适用于穿戴设备、工业与汽车等多个领域[6]。行业方面，华邦电计划将NOR Flash投片规模从2025年底的每月约2.5万片扩增至2026年中的约3万片，以响应工控、车用与通讯需求，同时同行缩减供给强化了其市场地位[8] - **兆易创新NOR Flash价格上涨**：GD25Q128ESIGR（兆易创新）在1月热度上升，市场报价从上月的近4元涨至4-6元，其常态价格在2元出头。该公司是全球NOR Flash销售额排名第二的厂商，该型号包含车规级选项并已批量供应智能座舱厂商[21] - **DDR3价格攀升**：美光（Micron）的MT41K256M16TW-107:P（4Gb DDR3L SDRAM）在1月热度攀升，报价从上月的20元出头涨至目前的30元左右，适用于工业级应用[12][13] - **DDR5价格暴涨**：SK海力士（SK Hynix）的H5CG48AGBDX018N（DDR5 16Gb）涨势凶猛，其常态价格约46元人民币，从去年10月开始涨价，11月暴涨至300元以上，1月报价继续攀升至约56美元（约合人民币390元）。该芯片频率为5600MHz，工作电压1.1V，适用于高速计算应用[16] - **eMMC价格持续上涨**：三星（Samsung）的KLM8G1GETF-B041（8GB eMMC）在1月从上月的70-80元涨至目前的120元左右，该型号在去年5月的市场价格还在28元左右[17][18] 运动传感器（MEMS）市场动态 - **TDK InvenSense运动跟踪器价格暴涨**：ICM-42688-P和ICM-42670-P在1月热度更高。ICM-42688-P价格从上月30元左右涨至50-60元，部分报价超70元；ICM-42670-P常态价格5-6元，本月报价涨至15-16元左右[9]。ICM-42688-P是6轴MEMS运动跟踪器IMU，应用于AR/VR控制器、头戴式显示器、可穿戴设备及机器人等；ICM-42670-P同样为6轴IMU，面向超低功耗的消费级和物联网应用[11] - **ST MEMS加速度计热度回升**：意法半导体（ST）的LIS3DHTR（3轴MEMS加速度计）在2024年底至2025年1月重新升温，常态价1.7-2元，去年年底报价涨至2元出头，本月报价在2-2.5元左右。该产品应用于运动激活、自由落体检测、计步器等。公司2025年四季度财报预测，因消费电子产品需求出现复苏迹象，其第一季度营收将超出分析师预期[25]

存储现货市场整体态势 - 行业面临价格高涨与需求疲软的矛盾局面 DRAM方面因DDR4/DDR5价格涨幅过大导致工厂采购停滞 现货交易清淡 但供应短缺支撑报价维持高位 NAND Flash方面现货价格持续上调 但高价位和消费需求疲软导致部分买家观望 市场成交量平淡 [1] - 供应商对后市价格持乐观态度 在NAND Flash市场 现货供应商未选择让价出货 [4] DRAM现货市场详情 - DDR4及部分DDR5因价格涨幅过大、成本转嫁困难 导致工厂暂停采购 现货交易停滞 但因供应端持续短缺 报价仍维持高档 [2] - DDR3凭借低价优势吸引买气转向 本周询单增温并持续有实际成交 带动价格小幅上扬 成为现货市场唯一的动能来源 [2] - 主流颗粒DDR4 1Gx8 3200MT/s在本周(1/21-1/27)的均价上涨1.98% 由US$30.30上涨至US$30.90 [2] NAND Flash现货市场详情 - 现货价格持续上调 但在现货价格明显处于高档、消费型需求表现疲弱 以及春节假期将近影响工厂稼动率等因素下 部分买方暂时采取观望态度 [4] - 本周(更新至1/26)512Gb TLC Wafer现货价格上涨5.58% 均价达US$16.310 [4] - 根据价格图表数据 截至1月26日 其他NAND产品如eMMC 64GB均价为US$24.23 MicroSD 128GB均价为US$7.70 8GBx8颗粒均价为US$1.62 [6]

文章核心观点 - 根据TrendForce集邦咨询报告，DRAM与NAND Flash现货市场呈现“价涨量缩”的分化格局 DRAM方面因DDR4/DDR5价格涨幅过大导致工厂采购停滞，但供应短缺支撑报价高位 NAND方面价格持续上涨但需求疲软，部分买方转向观望，供应商则对后市持乐观态度而未降价 [2][4] DRAM现货市场 - DDR4及部分DDR5因价格涨幅过大、成本转嫁困难，导致工厂已暂停采购，现货交易停滞 [2] - 由于供应端持续短缺，DRAM报价仍维持在高档水平 [2] - DDR3凭借低价优势吸引买气转向，本周询单增温并持续有实际成交，带动价格小幅上扬，成为现货市场主要动能 [2] - 主流颗粒DDR4 1Gx8 3200MT/s在本周(1/21-1/27)均价上涨1.98%，从US$30.30上涨至US$30.90 [2] NAND Flash现货市场 - 近期NAND Flash现货价格持续上调，但消费型需求表现疲弱，且春节假期将近影响工厂稼动率，部分买方采取观望态度 [4] - 现货供应商对后市价格走势持正向看法，未选择让价出货，导致市场成交量表现平淡 [4] - 本周(更新至1/26) 512Gb TLC Wafer现货价格上涨5.58%，均价达到US$16.310 [4]

报告投资评级 - 公司投资评级：增持 [2] - 板块评级：强于大市 [2] 核心观点与业绩预测 - 报告核心观点：AI算力建设加速叠加存储行业周期上行，公司2025年业绩实现稳健增长，利基存储景气周期有望持续，端侧AI定制化存储产品具备先发优势，维持增持评级 [4][6][9] - 上调盈利预测：预计公司2025/2026/2027年分别实现收入92.03/120.41/160.16亿元，实现归母净利润分别为16.10/28.35/36.18亿元 [6] - 对应估值：预计2025-2027年市盈率分别为130.4/74.1/58.1倍 [6] 近期业绩与市场表现 - 2025年业绩预增：预计2025年实现营业收入约92.03亿元，同比增长25%，实现归母净利润约16.10亿元，同比增长46% [9] - 2025年第四季度表现：预计Q4实现营收23.71亿元，同比增长39%，实现归母净利润5.27亿元，同比增长95% [9] - 股价表现：截至报告发布，公司股价今年以来绝对涨幅为27.9%，过去12个月绝对涨幅达121.3% [3] - 总市值：以2026年1月22日收盘价计，公司总市值为210,053.79百万人民币 [4] 行业景气与产品动态 - 利基存储价格大幅上涨：根据CFM数据，DDR4 8Gb 3200市场报价从2025年7月29日的3.20美金上涨至2026年1月20日的15.00美金，涨幅高达369% [9] - 存储供应紧张加剧：DDR4、DDR3、NOR Flash及SLC/MLC NAND等产品供应紧张，预计2026年一季度DDR4价格涨幅可能达50%，NOR Flash一季度报价预计上涨20%-30% [9] - 端侧AI定制化存储落地：行业已有先导客户产品实现定制化存储的发布和落地，公司看好相关技术带来的性能优势 [9] - 关联交易额度提升：公司预计2026年上半年从长鑫集团采购DRAM相关产品的交易额度为2.21亿美元，折合人民币约15.47亿元，较2025年额度大幅提升 [9] 财务预测摘要 - 收入增长：预计2025E/2026E/2027E收入增长率分别为25.1%、30.8%、33.0% [8] - 归母净利润增长：预计2025E/2026E/2027E归母净利润增长率分别为46.1%、76.0%、27.6% [8] - 每股收益：预计2025E/2026E/2027E最新股本摊薄每股收益分别为2.31元、4.07元、5.19元 [8] - 盈利预测调整：2026E和2027E的每股收益预测较原先分别上调38.87%和43.20% [8] - 盈利能力改善：预计毛利率从2024年的38.0%提升至2026E的44.9%，归母净利润率从2024年的15.0%提升至2026E的23.5% [12]