科创板半导体行业发展 - 科创板开市六周年，半导体企业从首批4家增长至109家，总市值突破3 18万亿元，占科创板总市值37 6% [1][3] - 半导体成为科创板市值占比最高的二级行业，电子行业权重占比44%，产业链覆盖晶圆制造、设计、材料、封装、设备等全环节 [1][3] - 半导体企业研发投入强度领跑，近三年平均研发占比19 6%，显著高于A股平均水平（12 38%）和科创板平均水平（15 06%），48家企业研发投入占营收比例超20% [4] 产业链突破与国产替代 - 中芯国际攻克先进工艺，寒武纪推出云端AI芯片，澜起科技研发DDR5芯片，中微公司CCP刻蚀机进入5nm产线，产品从"可用"迈向"好用" [2][3] - 半导体设备国产化快速推进，中微公司刻蚀机和薄膜沉积设备打入国际一线客户生产线，2025年上半年营收49 61亿元（同比+43 88%），净利润7 05亿元（同比+36 44%） [6] - 产业链矩阵成型，代表企业包括晶圆制造环节的中芯国际、华虹半导体，设计环节的寒武纪、澜起科技，设备环节的中微公司、拓荆科技，材料环节的安集科技、沪硅产业 [3] 业绩表现与AI驱动 - 2024年三季度起全球半导体景气度复苏，澜起科技2025年上半年营收26 33亿元（同比+58 17%），净利润11 5亿元（同比+93 9%），创历史最好水平 [5] - 乐鑫科技2025年上半年营收12 2亿~12 5亿元（同比+33%~36%），净利润2 5亿~2 7亿元（同比+65%~78%），AI端侧芯片收入达数亿元级别 [5][6] - AI产业爆发推动半导体需求，算力芯片（寒武纪）、边缘AI芯片（恒玄科技）、AIoT芯片（瑞芯微）等带动业绩倍增，设备与材料高阶替代加速 [7] 政策支持与未来趋势 - 科创板推出"1+6"政策措施，设立科创成长层服务未盈利科技企业，首批半导体企业包括中巨芯、芯联集成、寒武纪等 [8] - AI创造千亿级芯片市场增量，寒武纪云端训练芯片出货量激增，中微公司设备全面打入一线制造商，国产抛光液在3D NAND领域市占率提升 [7][8] - 科创板分层策略助力优质半导体企业脱颖而出，AI与自主可控趋势推动产业跨越式发展 [8]

半导体行业上市潮 - 长鑫启动上市辅导 加上国内两家龙头GPU厂上市辅导通过 可能标志着半导体行业迎来上市潮 [1] - 长鑫是国内最领先的DRAM/HBM厂商 国内外研报一致看好其国产替代潜力 [1] HBM技术路线 - CXMT计划2026年上半年量产HBM2E 2025年中实现小规模量产 [2] - 长鑫存储计划2025年底前交付HBM3样品 2026年全面量产 2027年开发HBM3E以缩小与国际巨头的技术差距 [2] - 先进封装合作伙伴包括通富微电 长电科技和晋华集成电路 通富微电提供TSV技术和KGSD键合技术支持 [3] 产能规划 - CXMT的HBM产能到2026年底达1万wpm 2028年底扩大至4万wpm [4] - 全球HBM产能到2025年底预计达34万wpm 显示长鑫仍有较大发展空间 [4] - DRAM领域 长鑫计划2025年底将DDR5/LPDDR5产能提升至11万wpm 占全球DRAM产能6% [5] - 合肥工厂和北京工厂长期产能可能超30万wpm [5] - 2025年长鑫DRAM芯片产量预计占全球14% 但实际市场份额可能因良率问题降至10% [6] 技术进展 - 长鑫在不使用EUV光刻的情况下开发D1节点面临良率和规模生产挑战 [7] - 已能在1z纳米节点制造DDR5芯片 但裸片尺寸较大 良率未完全验证 [7] - 推出16nm节点16Gb DDR5芯片 比18nm第三代DRAM缩小20% 目前技术落后国际大厂约3年 [7][10] - UBS预计2024年底产能达17万片/月 2025年底接近23万片/月 已开始提供DDR5样品 [10] 产能数据对比 - 2025年预计产能540kwpm(8英寸等效) 2028年达799kwpm [6] - 合肥一期12英寸产能2025年达120kwpm 二期2026年达75kwpm [6] - 北京工厂12英寸产能2026年达60kwpm 2028年70kwpm [6]

核心观点 - 全球芯片市场尤其是内存芯片领域正释放复苏信号，包括DRAM和HBM市场价格回升、库存去化、订单恢复 [3] - 行业供需结构、产品组合与资本流向正发生深刻变化，新一轮存储周期正以不同于以往的节奏启动 [26] 韩国DRAM出口激增 - 韩国DRAM出口额自2月起连续四个月实现两位数增长：3月增长27.8%，4月增长38%，5月增长36%，6月前20天增长25.5% [4] - 6月前20天韩国DRAM出口额达2.69万亿韩元（约19亿美元），同比增长25.5% [6] - TrendForce预计第三季度通用型DRAM价格将上涨18%~23% [6] 三星DRAM业绩复苏 - 三星半导体部门第二季度营业利润预计达2万亿韩元，环比翻倍增长，主要归因于通用DRAM价格回升 [9] - 三星已向AMD供应HBM3E 12层芯片，但需进入英伟达供应链以站稳HBM市场 [9] - 今年以来三星股价上涨12.9%，走势明显改善 [9] DDR4与DDR5价格走势 - DDR4芯片现货均价达12.5美元，最高价触及24美元，而DDR5价格维持在6美元上下 [11] - 16Gb DDR4 3200芯片现货价格从5月23日的5.6美元上涨至6月20日的11.5美元，几近翻倍 [13] - DDR5 4800/5000芯片价格上涨9%至6美元左右 [13] 美光财报表现 - 季度营收达93亿美元，环比增长15.5%，同比增长36.6%，高于预期的88.6亿美元 [15] - 调整后每股收益1.91美元，高于预估的1.60美元，毛利率提升至39% [15] - HBM业务季度收入环比增长约50%，计划2025年底将HBM市场份额提升至23%~24% [15] SK海力士HBM表现 - SK海力士第一季度在全球DRAM市场份额达36%，高于三星的34%和美光的25% [17] - HBM领域占据70%市场份额，市值突破200万亿韩元（1470亿美元） [17] - 预计第二季度营业利润达9万亿韩元（66亿美元），下半年季度营业利润有望突破10万亿韩元 [17] 行业结构性变化 - 三星、美光、SK海力士相继宣布停产DDR4系列，转向DDR5与HBM [22] - HBM生产带来更高单位利润，厂商将传统产线转向高附加值产品 [22] - 欧美关税政策不明促使终端厂商囤货避险，推高短期价格 [23] AI与HBM需求 - 英伟达预计"数十GW"的AI基础设施项目，每建设一个GW收入将在400亿至500亿美元之间 [24] - 预计英伟达2025年GPU出货量达650万台，2026年达750万台，平均销售价格超40,000美元 [24] - HBM供不应求，存储厂商宣布HBM库存将在2025年之前售罄 [23]

行情回顾 - 市场全天冲高回落，三大指数涨跌互现，沪深京三市超3300股飘红，成交1.58万亿 [1] - 算力硬件股走强，创意通、新亚电子等涨停，有色板块集体拉升，北方铜业、金徽股份封板 [1] - "马"字辈个股午后大涨，玉马科技、云中马涨停，银行板块调整，近20只银行股跌超3% [1] 算力板块 - 算力板块大涨，诚邦股份、时代万恒连板，新亚电子、创益通涨停，CPO核心新易盛创新高，中际旭创大涨 [3] - 英伟达股价续创历史新高，带动算力产业链热度 [3] - 国盛证券指出CPO技术将重塑光通信行业格局，产业链技术门槛提高 [4] - Yole Intelligence预测2020-2032年CPO市场复合年增长率达65% [5] - 中信证券认为算力产业围绕英伟达链和ASIC链维持高景气，国内PCB/CCL龙头受益高端产能供需紧张 [5] RWA概念 - RWA概念活跃，奥瑞德、霍普股份、金一文化等涨停，中国移动通信联合会区块链与数据要素专业委员会征集"RWA生态合作伙伴" [6] - 民生证券认为RWA架构真实世界资产与web3.0的桥梁，实现资产多元化和风险分担 [7] - 国盛证券指出传统金融机构如贝莱德、富兰克林邓普顿积极参与RWA，推动加密货币市场发展 [8] 国产芯片 - 国产芯片板块走强，存储表现突出，好上好三板，太龙股份20cm涨停，华天科技、深圳华强涨停 [9] - DDR4现货价飙涨，16Gb芯片均价12美元，DDR5同容量报价6.014美元，DDR4价格首次超越新一代产品 [9] - 中信证券表示5月DDR4 8/16Gb颗粒现货价平均涨幅超30%，6月涨幅达17%-37% [10] - 东海证券指出DDR4需求旺盛致供给短缺，韩系厂商三星、SK海力士计划停产DDR4，美光进入停产阶段 [11] 其他热点 - 有色铜大涨，军工、医药、固态电池分化，光伏、油服跌幅居前 [11] - 固态电池板块因首届硫化锂与硫化物固态电池论坛催化，金龙羽、大东南等活跃 [13] - 军工板块受阅兵及北约军费提升预期驱动，际华集团、安凯客车等表现 [13] - 有色金属中钨价创历史新高，株冶集团、中志举办等受关注 [14] 历史新高公司 - 国源科技（金融科技）涨幅16.5%，北方长龙（军工）涨幅14.98%，雅葆轩（PCB板）涨幅10.21% [16] - 好上好（存储）、金龙羽（固态电池）、新易盛（CPO）等均创历史新高 [16]

美股市场表现 - 美股三大股指集体收涨，标普500指数和纳指创超4个月以来收盘新高，道指涨1.19%，纳指涨1.43%，标普涨1.11% [1] - 恐慌指数VIX跌11.85%至17.48，美元指数跌0.42%至97.97，美国十年国债收益率跌1.173%至4.297% [1] - 现货黄金跌1.37%至3322.93美元/盎司，布伦特原油跌3.41%至66.81美元/桶 [1] 行业板块表现 - 标普11大板块中，除能源和日常消费分别跌1.3%和0.09%外，其余8大板块悉数收涨，半导体板块领涨3.79% [1] - 中概股多数收涨，台积电涨4.65%，阿里涨3.47%，拼多多涨5.11%，京东涨3.13%，小马智行涨16.73% [1] - 广州计划到2027年L2以上级别智能网联车新车占比超90% [1] 大型科技股动态 - 大型科技股多数上涨，微软涨0.85%，英伟达涨2.59%，Meta涨1.96%，特斯拉跌2.35% [2] - 英伟达CEO黄仁勋出售10万股公司股票，规模近1450万美元 [2] - COIN涨12.1%，CRCL跌15.49%，国际清算银行指稳定币无法通过货币三大测试 [2] 美联储政策动向 - 交易员削减美联储提前降息可能性，鲍威尔称通胀仍高于2%目标，有条件等待利率行动 [7] - 机构模型显示鲍威尔讲话较此前稍显鹰派，语气较上周FOMC会议后有所转变 [8] - 鲍威尔驳回了7月降息的可能性，表示无需仓促行事，未来利率路径有多种可能 [9][10] - 若劳动力市场疲软或通胀下降，美联储可能提前降息，多数政策制定者认为今年晚些时候降息合适 [11] 公司财报与业务动态 - 联邦快递第四财季营收222亿美元超预期，但不提供全年业绩指引，盘后跌逾5% [12] - Meta在AR/VR头显市场份额达50.8%，全球AR/VR头显市场同比增18.1% [13] - 花旗将Meta目标价从690美元上调至803美元，维持"买入"评级 [14] 半导体与汽车行业 - DDR4现货价持续飙涨，16Gb芯片均价12美元，较DDR5同容量产品贵100% [16] - 瑞银上调特斯拉Robotaxi业务估值至3500亿美元，目标价从190美元上调至215美元 [16] - 特斯拉在得州奥斯汀启动Robotaxi试点，首批投入10辆Model Y，收费4.2美元 [16] 国际政治与经济 - 特朗普称以色列和伊朗已完全同意全面停火，双方将在24小时内结束战争 [3] - 北约成员国国防支出目标对比显示，东欧国家占比最高，拉脱维亚和立陶宛2024年占比分别为3.3%和3.1% [4]

公司战略与资本运作 - 公司正式启动"A+H"双资本平台布局，已审议通过发行H股股票并在香港联交所上市的议案 [1] - 截至公告日，公司A股市值为921.4亿元 [1] - 赴港上市旨在深化国际化战略布局，吸引研发与管理人才，增强境外融资能力 [1] - 为适应H股上市要求，公司修订了公司章程及多项内部制度 [1] - 拟使用自有资金回购不超过338.98万股股份，占总股本的0.3%，回购价格不超过118元/股，回购总金额2亿元至4亿元 [2] 募资用途与业务布局 - 上市所募资金将用于全互连芯片领域前沿技术研发、全球市场拓展、战略投资与收购 [2] - 公司业务涵盖内存互连、PCIe/CXL互连、以太网及光互连三个维度 [2] - 自研DDR4和DDR5芯片处于行业领先地位，客户包括三星电子、海力士、美光科技等DRAM龙头企业 [2] 行业前景与市场需求 - 人工智能、大数据、云计算等新兴技术推动存储芯片性能需求提升，内存接口芯片市场需求增长 [2] - 预计2025年中国内存接口芯片市场规模达千亿级别，同比增长率超20% [2] - 公司预计2024年DDR5内存接口芯片需求及渗透率较2023年大幅提升 [2] 财务表现与业绩增长 - 2024年营业收入36.39亿元，同比增长59.20%，归母净利润14.12亿元，同比增长213.10% [3] - 2025年第一季度营业收入12.22亿元，同比增长65.78%，归母净利润5.25亿元，同比增长135.14% [3] - 三款高性能运力芯片（PCIe Retimer、MRCD/MDB及CKD）合计销售收入1.35亿元，同比增长155%，成为新业绩增长点 [3]

半导体板块市场表现 - 半导体产业链午后强势崛起，存储器、电路板方向领涨，生益电子、科翔股份、中富电路涨逾10%，大为股份等多股涨停 [1] - 半导体ETF涨幅一度超1%，成为反弹主力，港股华虹半导体午后涨近2% [1][2] - 板块筹码收敛较好，拥挤度低，聚拢人气效果显著，在市场弱势时拉升效果明显 [2] 行业供需动态 供给端 - DDR4价格暴涨：5月单月涨幅达53%（2017年以来最大涨幅），8Gb颗粒报价暴涨50%，16Gb现货价冲破6美元 [1][2] - 三大DRAM厂商（三星、SK海力士、美光）集体宣布停产DDR4，仅保留车用/工业/网通领域供应 [3] - 存储现货市场持续涨价：渠道内存条、服务器DDR4、LPDDR4X等产品价格延续上升，部分已回涨至去年年中水平 [4] - 低容量eMMC供应紧缺加速容量升级，美光6月DDR4报价跳涨50% [4] 需求端 - 消费电子复苏：2025Q1全球智能手机出货量同比增1.5%，中国增3.3%；PC出货量同比增4.9% [6][7] - AI/汽车驱动创新：AI眼镜出货量同比增216%，服务器厂商信骅5月营收同比增75% [8][10] 技术突破 - 中科院上海光机所研制出"流星一号"光计算芯片，实现并行度超100的光子计算系统，解决高密度信息并行处理难题 [1][3] - 该技术为发展低功耗、低时延、大算力的超级光子计算机开辟新途径 [3] 价格趋势预测 - NAND FLASH：2025Q2合约价预期涨3%-8%，Q3涨5%-10% [4] - DDR4：Trend Force预计Q3 PC DDR4合约价涨18%-23%，Server DDR4涨8%-13% [4] - 低容量LPDDR/256Gb TLC Wafer仍有涨价空间（供应紧缺+停产预期延续） [4]