如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容编译自semiengineering，谢谢。 从平面 SoC 到 3D-IC 和先进封装的转变需要更薄的晶圆，以提高性能和降低功率，从而减少信号 需要传输的距离和驱动信号所需的能量。 对超薄晶圆的需求正在增长。包含 12 个 DRAM 芯片和基础逻辑芯片的 HBM 模块的总厚度仍小于 优质硅晶圆的厚度。薄晶圆在组装扇出晶圆级封装和用于 AI 应用的先进 2.5D 和 3D 封装方面也发 挥着关键作用，这些封装的增长速度远快于主流 IC。再加上业界对轻薄手机、可穿戴设备和医疗电 子产品的需求，似乎如果没有可靠地加工薄硅晶圆的能力，现代微电子就不可能实现。 薄硅通孔 (TSV) 的揭示工艺是一种需要背面处理的经典工艺。"几乎任何堆叠设备都必须有硅通 孔，" Amkor Technology高级 3D/技术总监 Rick Reed 说道。"在许多当前应用中引入硅通孔需要 非常受控的减薄工艺，而且由于您几乎总是需要进行背面处理，因此该工艺立即需要临时键合和解 键合工艺。" 任何晶圆减薄工艺的第一步都是确定目标。"如果硅片中有我们所谓的盲 TSV，并且您不了解晶圆中 ...