港股科技投资策略 - 科技是港股下半年胜负手 [6] - 港股是本轮牛市主战场 [6] - AI是最重要的边际和最top的pick [6] 港股市场驱动因素 - 港股涨跌受EDA在中美贸易摩擦中的变量影响 [6] - 历次港股占优行情的驱动因素分析 [6] - 港股定价权在特定资金手上 [6] 资金流向分析 - 解密南下资金：买家构成和剩余空间 [7] - AH溢价中枢将趋势性下行 [7] 科技产业升级 - 从14nm到N2工艺演进牵引EDA创新与产业升级 [6] - 3D-IC新场景引领产业升级 [7] - 全球合并重塑EDA行业竞争格局 [6] 稀缺性资产研究 - AI应用类稀缺资产研究 [7] - 新消费类稀缺资产研究（哔哩哔哩Z世代内容生态） [7] - 红利类稀缺资产研究（ASML先进制程增长） [7] 互联网平台分析 - 从Spotify看TME、网易云音乐的成长空间 [7] - 快手可灵AI驱动的内容生态与商业增长 [7]

台积电研发六骑士与关键技术贡献 - 余振华于2025年7月8日退休 其主导铜制程突破并开发CoWoS InFO等先进封装技术 推动公司成为晶圆代工龙头 [3][5][8] - 余振华累计取得超过190项美国与173项台湾专利 涵盖低介电材料 封装整合技术等关键领域 [9] - 余振华工作由徐国晋接任 徐曾任台湾美光董事长 拥有30年半导体经验 专长技术转移与良率改善 [11][13] 台积电关键技术发展历程 - 2003年0.13微米铜制程战役是公司关键转折点 使台积电营收从1999年比联电多15%提升至2005年的2.91倍 [16] - 林本坚提出浸润式微影技术 将193nm波长缩短至134nm 推动制程进步约14年 使台积电跃居世界领先 [17][20] - 梁孟松参与台积电每一世代最先进制程开发 在0.13微米战役中贡献仅次于蒋尚义 [20][21] 研发六骑士的专长与贡献 - 林本坚为光学领域大师 梁孟松专精先进制程 孙元成和杨光磊负责逻辑制程整合与良率提升 余振华专注铜制程与封装 蒋尚义为总领导者 [17] - 蒋尚义将研发团队从400人扩至7600人 研发经费从数十亿增至百亿元 被张忠谋誉为"从二军拉到一军"的关键人物 [22] - 孙元成团队制定节能CMOS SOC系统芯片技术 其低耗电平台被国际采用 开启手机与移动运算商机 [32] 先进封装技术发展 - 余振华开发CoWoS InFO-PoP及TSV技术 使台积电成为iPhone 7独家芯片供应商 并推动3D-IC时代来临 [25][26] - 台积电将2.5D和3D封装合并为"3D Fabric"品牌 竹南全自动化3D Fabric厂预计2023年下半年投产 [25] - 2009年张忠谋拨400名工程师给余振华开发先进封装 两三年后成功推出CoWoS技术 [26]

核心观点 - 从平面SoC向3D-IC和先进封装转型需要更薄晶圆以提升性能并降低功耗，减少信号传输距离和驱动能量[1] - 超薄晶圆需求增长迅速，尤其在HBM模块、AI应用2.5D/3D封装及消费电子产品中成为关键要素[1] - 晶圆减薄工艺面临TSV深度控制、粘合剂选择、边缘缺陷管理等技术挑战，直接影响生产良率[1][2][8] - 行业正在优化临时键合/解键合技术，开发新型激光/光子脱粘方法以应对超薄晶圆加工需求[13][15][16] 晶圆减薄技术 - 减薄流程需平衡研磨/CMP/蚀刻工艺，目标将TTV（总厚度变化）控制在微米级以下[8] - 典型减薄步骤：粗磨（几微米TTV）→CMP（几百纳米）→等离子蚀刻（10-100纳米）→离子束蚀刻（25纳米）[8] - TSV揭示工艺需精确控制，常见架构为直径11μm/深度110μm，铜污染风险需通过自适应研磨/CMP避免[9] - 边缘修整技术通过台阶切割防止碎裂，台阶深度需≥最终晶圆厚度[2] 临时键合材料 - 粘合剂需满足：低温键合/高温耐受（250-350°C）、旋涂均匀性、低应力释放等特性[7] - 主流粘合剂类型：有机热固性/热塑性材料，通过真空热压或UV照射实现键合[3] - 旋涂工艺可平整微凸块等特征，烘烤固化后形成稳定粘合[7] - 新型无机纳米切割层可承受900°C高温，适用于前端层堆叠应用[16] 载体晶圆选择 - 玻璃载体优势：CTE接近硅、透光性支持激光脱粘，但TTV控制较差（1μm）且成本较高[5][8] - 硅载体优势：完全CTE匹配、工具兼容性好，TTV更低且成本仅为玻璃一半[5] - 载体回收面临化学腐蚀问题，典型使用寿命约10次[17] 脱粘技术进展 - 激光烧蚀：UV/IR激光配合吸收层，吞吐量20-30片/小时，适合<20μm晶圆[16] - 光子脱粘：宽带脉冲光源，对晶圆弯曲容忍度高，成本低于激光[15] - 机械剥离：刀片物理分离，需设备晶圆具备抗压能力[15] - 热滑动/化学溶解因热预算/良率限制逐渐被替代[14][15] 缺陷管理 - 边缘缺陷通过选择性等离子蚀刻/CVD钝化处理，微米级SiO2薄膜可填补键合间隙[10] - CMP后采用等离子/离子束蚀刻消除亚表面划痕、凹坑等缺陷[11] - 温度控制关键：CMP需冷却抛光垫表面防止聚氨酯垫玻璃化转变[9] 行业应用趋势 - 薄晶圆工艺成为2.5D/3D封装、晶圆堆叠、扇出封装的必备环节[18] - 设备商要求定制化解决方案，强调工艺可重复性及高生产率[2] - 当前技术可支持300mm晶圆减薄至50μm以下，20μm成为新目标[13][16]