技术演进维度 - 先进封装市场规模预计从2024年450亿美元增长至2030年800亿美元，年复合增长率9.4%[3] - 台积电CoWoS技术从2016年1.5倍光罩尺寸演进至2024年3.3倍光罩尺寸，支持8个HBM3堆叠，2027年计划实现9倍光罩尺寸超级载板，中介层面积达7,722平方毫米[6][7] - 混合键合技术预计2027年随HBM4E量产应用，可实现无凸块直接晶圆键合，提升互连密度并降低功耗[10][11] - AMD MI300X AI加速器采用3.5D封装，集成1530亿个晶体管和192GB HBM3内存，晶体管数量为NVIDIA H200的近两倍[14][15] - 英特尔EMIB技术支持2.5D封装，Foveros技术专注3D堆叠，其数据中心GPU Max系列SoC含超1000亿晶体管和47个主动模块[18][19] - 玻璃基板技术具低介电损耗和可调热膨胀系数，台积电计划2027年实现8倍以上光罩尺寸玻璃中介层，市场渗透率预计五年内超50%[22][23] 材料体系分析 - BT树脂基板占全球IC载板70%以上，具高耐热性和低介电常数，但布线密度有限，主要应用于存储芯片和MEMS封装[26][27] - ABF基板支持更细布线和更高传输速率，成为CPU、GPU等高端运算芯片首选，但成本较高且易受热胀冷缩影响[30][31] - 陶瓷基板中氮化铝导热率达170-180 W/m·K，热膨胀系数接近硅材料，氮化硅抗弯强度高达800 MPa，适用于高功率器件和汽车电子[33][34][35] - 柔性聚酰亚胺基板工作温度范围-269℃至280℃，拉伸强度200 MPa，适用于可穿戴设备和折叠显示器[37][38] - 封装基板占芯片封装总成本30%-80%，其中倒装芯片类基板占比70%-80%[41][42] 设备与工艺维度 - 热压键合设备市场由ASMPT垄断，份额超80%，2027年潜在市场规模预计突破10亿美元[45][47] - 全球固晶机市场前四大厂商占82%份额，ASMPT以31%居首，中国新益昌以6%进入前四[49][51] - 后端封装设备市场中Disco以20%份额领先，Besi占11%，ASMPT占9%[53][54] - 测试设备市场呈双寡头格局，爱德万测试2025年第三季度营收2629亿日元（约17亿美元），泰瑞达营收7.69亿美元[58] - 晶圆级封装专用设备支持高密度扇出和3D封装，泛林研究电化学沉积设备用于铜互连工艺[61] 产业布局分析 - 台积电CoWoS月产能从2023年13,000-16,000片增至2025年65,000-75,000片，2025年预计向英伟达供应390,000个单元[65][66] - HBM市场三星、SK海力士、美光三强占95%份额，SK海力士市占率60%-70%，正开发16层48GB HBM3E[67][68] - 中国封装三强中长电科技全球市占率12%居第三，通富微电占8%居第四，华天科技完成2.5D产线建设[70][71] - IDM厂商在先进封装市场占主导地位，台湾企业占全球数据中心AI封装市场份额77%[73] - 先进封装市场2030年规模预计达800亿美元，AI驱动领域年复合增长率45.5%[75]

文章核心观点 - TrendForce集邦咨询发布2026年十大科技市场趋势预测 涵盖晶圆代工、存储器、AI服务器、第三代半导体、储能、AI机器人等重点科技领域 [2] - 剖析关键领域动态 挖掘数据与洞察AI闭环下的"隐形机遇" 为行业发展提供前瞻指引 [2] - 从技术创新、商业落地、市场推动等维度 向行业推荐一批为科技产业带来突出成就的杰出企业 [4] 获奖企业技术亮点 台湾积体电路制造股份有限公司 - 荣获《AI整合制造标杆奖》 凭借革命性CoWoS技术成为驱动AI产业高速发展的核心战略支柱 [5][6] - 构建适配全球AI芯片领导厂商的全场景先进封装解决方案矩阵 [6] - 积极落实大规模CoWoS产能扩张 为全球AI算力生态的规模化扩张筑牢根基 [6] SAMSUNG（三星半导体） - 荣获《高性能存储领航奖》 以技术深耕赋能容量与性能双突破 [8][9] - 构建覆盖移动终端与AI算力场景的高端存储矩阵 [9] - 以高性能高容量产品引领行业升级 赋能全球海量数据的极速处理与高效流通 [9] Solidigm - 荣获《液冷存储技术先锋奖》 率先推出全球首款支持数据中心直连式冷板冷却的企业级SSD [11][12] - 引入单面直触芯片液冷技术 实现对PCIe 5.0极致性能下热负载的高效管理 [12] - 通过卓越能效显著提升AI/ML、HPC等工作负载的算力与存储密度 [12] 长江存储科技有限责任公司 - 荣获《闪存可靠性突破奖》 凭借独创Xtacking®架构确立3D NAND闪存技术战略高地 [14] - 最新一代Xtacking® 4.0架构实现超高能效比与QLC在可靠性和数据耐久度的进一步提升 [14] - 为AI智算中心存力建设注入前沿竞争力 保障高性能固态存储长效稳定运行 [14] KIOXIA - 荣获《年度存储杰出创新奖》 创新实现容量突破 发挥第八代BiCS Flash高密度高效能优势 [16][17] - 推出LC9 245.76TB NVMe SSD产品 单盘位浓缩数十块存储设备的超强性能 [17] - 产品已在大规模AI服务器集群落地 为LLM训练、多模态数据湖等场景提供高可靠支撑 [17] Sandisk 闪迪 - 荣获《闪存技术革新奖》 依托BiCS技术与CBA晶圆键合工艺攻克超低晶粒翘曲难题 [19] - 实现16层晶粒堆叠的高效配置 联合SK海力士制定行业规范并组建技术顾问委员会 [19] - 在降本增效中推动闪存技术生态升级 [19] 华为技术有限公司 - 荣获《AI服务器卓越贡献奖》 以"鲲鹏通算 + 昇腾智算"双引擎筑牢核心根基 [22] - 2025年昇腾910B/910C芯片释放卓越算力 搭配鲲鹏平台高效内存调度能力破解通算高耗难题 [22] - 2026年昇腾950系列将深化芯片-系统-超节点一体化方案 为政企及CSP客户提供高可靠支撑 [22] 英诺赛科（苏州）科技股份有限公司 - 荣获《中国功率半导体先锋奖》 是全球氮化镓工艺创新与功率器件制造领导者 [24] - 高性能氮化镓器件广泛用于消费与家电、AI数据中心、新能源汽车及工业等领域 [24] - 推动功率半导体迈向更高效、更智能的新时代 [24] 江苏天合储能有限公司 - 荣获《年度AIDC绿色能源基石奖》 凭借"源-网-荷-储-算"五维协同方案打造全球首个零碳数据中心 [26][27] - 三江源绿电智算融合示范微电网项目实现100%绿电稳定供应 年供电超1000万度 [27] - 储能系统提供安全、高效、智能三重保障 助力"绿电驱动AI算力" 推动"东数西算"工程 [27] 帕西尼感知科技 - 荣获《AI机器人关键技术奖》 在机器人触觉感知领域实现突破性技术进展 [29] - 具备15种多维触觉感知能力 搭载自研双模态仿生灵巧手 全球首创VTLA具身智能大模型 [29] - 推动人形机器人在触觉感知、精细操作与场景落地上取得重大突破 [29]

NVIDIA CoWoP技术升级计划 - NVIDIA计划在2027年前后将CoWoS技术升级至CoWoP解决方案 直接跳过FCBGA载板过渡设计 这将大幅增加主板PCB布线工艺与信号传输设计难度 [2] - CoWoS目前使用的先进封装载板线宽线距(L/S)在10/10微米以下 采用半加成工艺 而PCB行业主流减成法工艺的L/S集中在75-50微米 高端HDI/SLP载板极限仅达30-25微米 [2] - 在多拼大尺寸panel级PCB(≥200mm*200mm)实现10微米超细间距 当前PCB厂在成本、工艺稳定性和产品质量方面3年内无法具备批量生产能力 [2] 技术路线影响分析 - 传统PCB厂商难以从CoWoP技术中受益 IC载板厂可能通过扩大有机载板尺寸和升级设备建立新护城河 [3] - 玻璃基板开发商可能成为潜在受益者 因其导热性能和大尺寸稳定性优于PCB及有机载板 当前线宽线距已突破20/20微米 [3] - 玻璃基板面临图形化工艺控制挑战 包括大尺寸加工中的碎片问题、薄膜粘结力不足、填充能力差及精细化布线待提升 [3] 产业技术发展趋势 - 大尺寸玻璃基主板技术可能成为未来超高精度PCB发展方向 若初代CoWoP采用20/20微米精度玻璃基板 可视为产业化落地标志 [3] - 现有PCB行业技术路线与半导体级封装要求存在代际差距 半导体制程(10微米)与微电子行业(75-50微米)工艺差异显著 [2][3]

技术布局 - 公司eSinC 2.5D封装技术平台包含SiCS、FoCS、BiCS三项技术 [1] - 上述技术对标CoWoS相关技术路线 [1] 技术澄清 - 公司明确表示未布局CoWoP封装技术 [1]

公司技术布局 - 华天科技在投资者互动平台确认其eSinC 2.5D封装技术平台中的SiCS、FoCS、BiCS技术对标CoWoS相关技术 [2] - 公司明确表示目前不具备CoWoP封装技术 [2] 技术对标关系 - eSinC 2.5D封装技术平台的三大子技术(SiCS、FoCS、BiCS)直接对标行业主流CoWoS封装技术 [2]

技术路径选择 - 英伟达下一代GPU产品Rubin Ultra仍将沿用现有的ABF基板技术，而非转向CoWoP方案 [2] - 从CoWoS转向CoWoP在技术上仍面临重大挑战，对ABF基板的依赖短期内难以改变 [1][2] - 技术转换的复杂性和供应链重组风险使得短期内大规模采用CoWoP并不现实 [1][2] 技术门槛 - CoWoP技术要求PCB的线/间距(L/S)缩小至10/10微米以下，与目前ABF基板的标准相当 [5] - 当前高密度互连(HDI) PCB的L/S为40/50微米，类基板PCB(SLP)仅达到20/35微米，缩小至10/10微米以下存在显著技术难度 [5] - 技术壁垒是Rubin Ultra不太可能采用CoWoP的主要原因之一 [6] 供应链风险 - 从CoWoS转向CoWoP将带来显著的良品率风险和相关供应链的重组 [8] - 台积电的CoWoS良品率已接近100%，技术切换存在不必要风险 [8] - 技术转换涉及整个供应链生态系统的重新配置，短期内实施的复杂性和风险较高 [8] CoWoP潜在优势 - CoWoP技术优势包括信号路径更短、散热性能显著提升、电源完整性更好、解决有机基板产能瓶颈问题 [10] - 采用CoWoP可解决基板翘曲问题、增加NVLink覆盖范围、实现更高散热效率、消除某些封装材料产能瓶颈 [10] - 不排除英伟达正在并行开发CoWoP技术的可能性，作为当前量产技术的补充 [3][10]

纪要涉及的行业和公司 - **行业**：扇出封装、RISC-V、微短剧、脑机接口、AI 医疗、机器人、药物研发、电子设备制造、旅游、航空、电力储能、无人机、飞行汽车、视频创作、金融科技、半导体、光学加工等 [2][4][6][8][10][16][19] - **公司**：通富微电、兴森科技、长电科技、甬矽电子、曼恩斯特、三佳科技、华海诚科、翱捷科技、全志科技、乐鑫科技、阿里 RISC-V、芯原股份、北京君正、华大九天、晶晨股份、安路科技、复旦微电、飞利信、中科软、华润微、兆易创新、好上好、亿通科技、富瀚微、固高科技、天威视讯、欢瑞世纪、掌阅科技、中文在线、引力传媒、思美传媒、安妮股份、奥飞娱乐、华策影视、横店影视、岩山科技、三博脑科、翔宇医疗、熵基科技、诚益通、狄耐克、南京熊猫、荣泰健康、东方中科、创新医疗、倍益康、RECURSION、满坤科技、凯撒旅业、延华智能、建设工业、金现代、双鹭药业、南山智尚、万里扬、绿能慧充、华曙高科、中一科技、万兴科技、天阳科技、深科技、拓荆科技、华是科技、华辰装备等 [3][5][7][9][11][13][15][16][19] 纪要提到的核心观点和论据 1. **扇出封装行业** - **核心观点**：台积电全力推进 CoWoS 技术，扇出封装市场前景广阔 [2] - **论据**：2025 年 7 月 17 日台积电称全力推进 CoWoS 技术，美股盘前上涨 4%，预计第三季度销售额 318 - 331 亿美元超市场预估；2026 年全球市场超 100 亿美元，中国增速领跑 71%，AI 芯片与 HBM 是核心驱动力 [2] 2. **RISC-V 行业** - **核心观点**：产业峰会召开，高性能计算产品加速产业落地 [4] - **论据**：2025 年 7 月 17 日第五届 RISC - V 中国峰会举办；英伟达推进 CUDA 向 RISC - V 架构移植，探索系列 CPU、GPU 组件；达摩院玄铁团队称 RISC - V 高性能计算产品走向产业落地 [4][5] 3. **微短剧行业** - **核心观点**：深圳市发布政策支持，市场规模增长迅速 [6] - **论据**：深圳市实施相关措施和操作规程，对优秀作品最高资助 200 万元；2024 年国内微短剧市场规模 504 亿，网民使用率近 60%，预计 2025 年达 686 亿，增速 36%，海外 2025Q1 全球短剧总内购收入 6.94 亿美元，环比 + 26%，同比 + 400% [6] 4. **脑机接口行业** - **核心观点**：科研成果进入临床试验，市场规模大且商业化有进展 [8] - **论据**：科研成果可让失语患者通过脑机接口表达中文；麦肯锡预测 2030 年全球脑机接口医疗应用市场规模达 400 亿美元，2040 年达 1450 亿美元；湖北省医保局发布脑机接口医疗服务价格 [8] 5. **AI 医疗行业** - **核心观点**：行业高景气，投融资火热 [10] - **论据**：2025 年 6 月全球 AI 医疗投融资火热，RECURSION 开源生物分子模型运行速度比当前标准基准快 1000 倍 [10] 6. **其他公司业务亮点** - **满坤科技**：受英伟达 H20 芯片解禁影响，AI 硬件股爆发，公司在手订单充足，有相关产品完成研发和样板制作 [11][12] - **凯撒旅业**：国常会提出提振消费，暑期旅游消费规模预计达 1.8 万亿元，公司暑期邮轮线路预订率超 85%，且持有易生支付股权 [13] - **延华智能**：网传工信部要求 app 适配鸿蒙系统，公司子公司布局机器人，智慧医疗业务占比 46% [14][15] - **建设工业**：受阅兵和市场需求影响，军用机器人落地加速，公司有相关研发和产品展出 [16] - **金现代**：众多政务应用适配鸿蒙，公司产品完成鸿蒙适配，有低代码开发和 AI 智能体业务 [16][17] 其他重要但是可能被忽略的内容 1. **各公司在研或新业务进展**：双鹭药业有多个重点创新药在研；南山智尚手部腱绳产品获海外订单并切入新领域；万里扬成立机器人项目公司且高温提升储能电站收入；绿能慧充子公司与中国邮政合作参展并中标项目；华曙高科为飞行汽车配套 3D 打印结构件；中一科技高频高速铜箔产品已生产销售；万兴科技将上线移动端 AIGC 视频创作工具；天阳科技推出“稳定币充值信用卡”功能；深科技存储半导体板块扩产，子公司可能是长鑫存储最大委外封测供应商；拓荆科技 Q2 扣非净利润预计大幅扭亏，营业收入同比增长 52% - 58%；华是科技推进无人机水上执法应用；华辰装备超精密曲面磨床交付验证，与福立旺合作推进，产品可应用于机器人领域 [19][20][21][22] 2. **行业相关政策和事件驱动**：2025 年 9 月 3 日我国将举行抗战胜利 80 周年大会检阅部队；网传工信部要求 app 在 2025 年 9 月 30 日前完成鸿蒙 100%适配功能，2026 年 1 月起三版齐发 [14][16]

台积电研发六骑士与关键技术贡献 - 余振华于2025年7月8日退休 其主导铜制程突破并开发CoWoS InFO等先进封装技术 推动公司成为晶圆代工龙头 [3][5][8] - 余振华累计取得超过190项美国与173项台湾专利 涵盖低介电材料 封装整合技术等关键领域 [9] - 余振华工作由徐国晋接任 徐曾任台湾美光董事长 拥有30年半导体经验 专长技术转移与良率改善 [11][13] 台积电关键技术发展历程 - 2003年0.13微米铜制程战役是公司关键转折点 使台积电营收从1999年比联电多15%提升至2005年的2.91倍 [16] - 林本坚提出浸润式微影技术 将193nm波长缩短至134nm 推动制程进步约14年 使台积电跃居世界领先 [17][20] - 梁孟松参与台积电每一世代最先进制程开发 在0.13微米战役中贡献仅次于蒋尚义 [20][21] 研发六骑士的专长与贡献 - 林本坚为光学领域大师 梁孟松专精先进制程 孙元成和杨光磊负责逻辑制程整合与良率提升 余振华专注铜制程与封装 蒋尚义为总领导者 [17] - 蒋尚义将研发团队从400人扩至7600人 研发经费从数十亿增至百亿元 被张忠谋誉为"从二军拉到一军"的关键人物 [22] - 孙元成团队制定节能CMOS SOC系统芯片技术 其低耗电平台被国际采用 开启手机与移动运算商机 [32] 先进封装技术发展 - 余振华开发CoWoS InFO-PoP及TSV技术 使台积电成为iPhone 7独家芯片供应商 并推动3D-IC时代来临 [25][26] - 台积电将2.5D和3D封装合并为"3D Fabric"品牌 竹南全自动化3D Fabric厂预计2023年下半年投产 [25] - 2009年张忠谋拨400名工程师给余振华开发先进封装 两三年后成功推出CoWoS技术 [26]

AI芯片封装技术发展 - AI热潮持续推动先进封装技术发展，扇出型面板级封装（FOPLP）成为提升芯片效能的关键技术 [1] - FOPLP采用方形基板，利用率达95%，3.5世代线玻璃基板可用面积是12吋晶圆的7倍 [1] - 经济部2023年联合群创光电、工研院推动FOPLP技术，活化面板旧产线转型为高附加值半导体封装产线 [1] 群创光电FOPLP布局 - 公司建置全球首条面板产线转型的FOPLP封装产线，跨足半导体先进封装领域 [2] - 面板厂动线设计适合搬运玻璃基板，相比传统封装厂具备搬运优势 [2] - 公司拥有现成无尘室资源，可快速投入封装，降低设备投资成本 [2] 技术优势与竞争策略 - 群创3.5世代线玻璃基板（620x750）面积远超台积电规划的300x300基板，首批需求仅需1/4大小 [3] - 公司通过方形基板灵活扩展封装面积，未来可升级至5代线、6代线提供更大基板 [3] - 公司从chip first方案切入市场，已获客户认证，计划2024年实现出货 [3] 技术路线规划 - 除chip first外，公司同步推进chip last、重布线（RDL）及导通孔玻璃晶圆（TGV）技术 [4] - 不同技术路线设定差异化里程碑，不以量产为唯一检验标准 [4]

核心观点 - 台积电在TSMC Symposium 2025上发布了第二代GAA工艺14A，计划2028年投产，相比N2工艺在相同功耗下速度提升15%，相同速度下功耗降低30%，逻辑密度提升20%以上 [2][8][10] - 公司推出多项新技术覆盖高性能计算、手机、汽车和物联网领域，包括9.5光罩尺寸CoWoS封装、SoW-X晶圆级系统等 [2][4][5][6] - 3nm工艺路线图更新，N3P已投产，N3X计划2025年下半年量产，相比N3E性能提升5%，功耗降低7% [16][17][18] - 先进封装技术成为发展重点，3DFabric技术组合支持从微凸块到无凸块的多层次集成方案 [34][36][38] - 人工智能成为技术发展主要驱动力，推动半导体行业向更高性能、更低功耗方向发展 [19][21][43] 技术路线图更新 14A工艺 - 采用第二代GAA纳米片晶体管和NanoFlex Pro架构，2028年量产基础版，2029年推出带背面供电的SPR版本 [8][13][14] - 与N2相比性能提升10-15%，功耗降低25-30%，逻辑密度提升1.2-1.23倍 [10][12][25] - 初期版本采用正面供电，适合客户端和边缘应用，高性能版本将引入背面供电网络 [13][25] 3nm工艺进展 - N3P已投产，相比N3E性能提升5%，功耗降低5-10%，密度提升4% [16][17] - N3X计划2025年下半年量产，支持1.2V高压，Fmax性能再提升5%但漏电增加250% [17][18] - N3C为压缩版本，优化工艺密度 [23] 16A工艺 - 首款采用SPR背面供电技术，计划2026年下半年量产 [27] - 相比N2P速度提升8-10%，功耗降低15-20%，密度提升7-10% [12][27] 应用领域技术 高性能计算 - CoWoS技术升级至9.5光罩尺寸，支持12个以上HBM堆栈集成，2027年量产 [2] - SoW-X晶圆级系统计算能力达现有CoWoS方案的40倍，2027年量产 [2] - 集成硅光子引擎COUPE和IVR电压调节器，功率密度提升5倍 [3][43][46] 智能手机 - N4C RF技术支持WiFi8和AI功能，相比N6RF+功耗和面积减少30%，2026年Q1风险生产 [4] 汽车电子 - N3A工艺通过AEC-Q100一级认证，满足汽车级DPPM要求，已开始量产 [5] 物联网 - N6e超低功耗工艺已投产，N4e工艺继续提升边缘AI能效 [6] 先进封装发展 - 3DFabric技术组合包含SoIC-P（16微米间距）、SoIC-X（几微米间距）等方案 [36] - CoWoS系列支持硅中介层、有机中介层和局部硅桥三种互连方式 [38] - InFO平台扩展至汽车应用，TSMC-SoW实现晶圆级系统集成 [38] - 集成稳压器和高密度电感器技术将功率传输密度提升5倍 [46] 行业趋势 - AI成为半导体技术发展核心驱动力，推动高性能计算需求爆发式增长 [19][21][43] - 先进制程与先进封装协同发展成为关键，台积电提供从晶体管到系统级完整解决方案 [51] - 人形机器人、AR眼镜等新兴应用将需要更复杂的异构集成方案 [48][49]