公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 来源：内容来自 Digitimes 。 台积电研究发展副总经理暨卓越科技院士余振华，于2025年7月8日正式退休。 而台积「研发六骑士」的美谈并未熄灭，这位真正尚在近期，仍于台积电任职的「最终骑士」余振华，也被半导体业界高 度评价，十足地推动台积电站上晶圆代工产业顶峰。 业界人称道格（英文名）的余振华，自1994年加入台积电，从铜制程的重大突破，到领军开发CoWoS、InFO等划时代先 进封装技术，为台湾半导体技术创下无数里程碑，对台积电登上全球晶圆代工龙头地位贡献深远。 业界认为，余振华对台积电先进封装与异质系统整合制程居功厥伟，尤其是目前AI最夯的CoWoS封装技术更由他一手推 动，余振华退休后，他的工作交由另一位副总徐国晋负责。 半导体业界近期传出余振华将从台积电退休。 台积证实，余振华退休，台积电感谢余振华多年来对公司的贡献，并预祝他退休生活愉快。 余振华成就台积电先进封装 1955年出生于基隆的余振华，1977年自清大物理系毕业，1979年取得材料工程硕士学位，并于1987年获美国乔治亚理工 学院材料工程博士学位，毕业后进入当时全球最先进的美国AT&T ...

AI芯片封装技术发展 - AI热潮持续推动先进封装技术发展，扇出型面板级封装（FOPLP）成为提升芯片效能的关键技术 [1] - FOPLP采用方形基板，利用率达95%，3.5世代线玻璃基板可用面积是12吋晶圆的7倍 [1] - 经济部2023年联合群创光电、工研院推动FOPLP技术，活化面板旧产线转型为高附加值半导体封装产线 [1] 群创光电FOPLP布局 - 公司建置全球首条面板产线转型的FOPLP封装产线，跨足半导体先进封装领域 [2] - 面板厂动线设计适合搬运玻璃基板，相比传统封装厂具备搬运优势 [2] - 公司拥有现成无尘室资源，可快速投入封装，降低设备投资成本 [2] 技术优势与竞争策略 - 群创3.5世代线玻璃基板（620x750）面积远超台积电规划的300x300基板，首批需求仅需1/4大小 [3] - 公司通过方形基板灵活扩展封装面积，未来可升级至5代线、6代线提供更大基板 [3] - 公司从chip first方案切入市场，已获客户认证，计划2024年实现出货 [3] 技术路线规划 - 除chip first外，公司同步推进chip last、重布线（RDL）及导通孔玻璃晶圆（TGV）技术 [4] - 不同技术路线设定差异化里程碑，不以量产为唯一检验标准 [4]

核心观点 - 台积电在TSMC Symposium 2025上发布了第二代GAA工艺14A，计划2028年投产，相比N2工艺在相同功耗下速度提升15%，相同速度下功耗降低30%，逻辑密度提升20%以上 [2][8][10] - 公司推出多项新技术覆盖高性能计算、手机、汽车和物联网领域，包括9.5光罩尺寸CoWoS封装、SoW-X晶圆级系统等 [2][4][5][6] - 3nm工艺路线图更新，N3P已投产，N3X计划2025年下半年量产，相比N3E性能提升5%，功耗降低7% [16][17][18] - 先进封装技术成为发展重点，3DFabric技术组合支持从微凸块到无凸块的多层次集成方案 [34][36][38] - 人工智能成为技术发展主要驱动力，推动半导体行业向更高性能、更低功耗方向发展 [19][21][43] 技术路线图更新 14A工艺 - 采用第二代GAA纳米片晶体管和NanoFlex Pro架构，2028年量产基础版，2029年推出带背面供电的SPR版本 [8][13][14] - 与N2相比性能提升10-15%，功耗降低25-30%，逻辑密度提升1.2-1.23倍 [10][12][25] - 初期版本采用正面供电，适合客户端和边缘应用，高性能版本将引入背面供电网络 [13][25] 3nm工艺进展 - N3P已投产，相比N3E性能提升5%，功耗降低5-10%，密度提升4% [16][17] - N3X计划2025年下半年量产，支持1.2V高压，Fmax性能再提升5%但漏电增加250% [17][18] - N3C为压缩版本，优化工艺密度 [23] 16A工艺 - 首款采用SPR背面供电技术，计划2026年下半年量产 [27] - 相比N2P速度提升8-10%，功耗降低15-20%，密度提升7-10% [12][27] 应用领域技术 高性能计算 - CoWoS技术升级至9.5光罩尺寸，支持12个以上HBM堆栈集成，2027年量产 [2] - SoW-X晶圆级系统计算能力达现有CoWoS方案的40倍，2027年量产 [2] - 集成硅光子引擎COUPE和IVR电压调节器，功率密度提升5倍 [3][43][46] 智能手机 - N4C RF技术支持WiFi8和AI功能，相比N6RF+功耗和面积减少30%，2026年Q1风险生产 [4] 汽车电子 - N3A工艺通过AEC-Q100一级认证，满足汽车级DPPM要求，已开始量产 [5] 物联网 - N6e超低功耗工艺已投产，N4e工艺继续提升边缘AI能效 [6] 先进封装发展 - 3DFabric技术组合包含SoIC-P（16微米间距）、SoIC-X（几微米间距）等方案 [36] - CoWoS系列支持硅中介层、有机中介层和局部硅桥三种互连方式 [38] - InFO平台扩展至汽车应用，TSMC-SoW实现晶圆级系统集成 [38] - 集成稳压器和高密度电感器技术将功率传输密度提升5倍 [46] 行业趋势 - AI成为半导体技术发展核心驱动力，推动高性能计算需求爆发式增长 [19][21][43] - 先进制程与先进封装协同发展成为关键，台积电提供从晶体管到系统级完整解决方案 [51] - 人形机器人、AR眼镜等新兴应用将需要更复杂的异构集成方案 [48][49]