公司IPO与募资计划 - 盛合晶微科创板IPO申请已获受理并于1月7日完成首轮问询回复 计划发行不超过5.36亿股 占发行后总股本的25% 拟募集资金48亿元 主要用于三维多芯片集成封装项目和超高密度互联三维多芯片集成封装项目 [1] - 本次48亿元募资将投向两大核心项目 三维多芯片集成封装项目总投资84亿元 超高密度互联三维多芯片集成封装项目总投资30亿元 设备购置费占比分别达89.47%和80% 将引进1976台（套）设备 其中进口设备1521台（套） [18] - 项目达产后 将新增1.6万片/月2.5D、3D封装产能、4000片/月3DIC产能及8万片/月凸块制造产能 [18] 业务与财务表现 - 公司专注于中段硅片加工、晶圆级封装（WLP）和芯粒（Chiplet）多芯片集成封装 为高性能运算芯片、智能手机应用处理器等提供一站式客制化服务 终端应用覆盖高性能运算、人工智能、数据中心及汽车电子等领域 [1] - 公司近年来业绩增长显著 2022年至2025年上半年 营收分别为16.33亿元、30.38亿元、47.05亿元及31.78亿元 [1] - 芯粒多芯片集成封装业务尤为突出 2024年上半年收入占比跃升至56.24% 成为核心收入支柱 [1] - 从业务构成看 公司向第一大客户客户A销售的产品主要包括Bumping、WLCSP、2.5D封装等多种先进封装与测试服务 报告期内对客户A的销售收入持续攀升 各期分别为6.62亿元、20.94亿元、34.56亿元及23.65亿元 [6] 客户集中度 - 报告期内 公司对前五大客户的销售占比从72.83%一路走高至90.87% 依赖度不断加深 [2] - 第一大客户客户A的集中度尤为显著 对其销售收入占比由40.56%飙升至74.40% [2] - 2025年1-6月 前五大客户营业收入合计为28.88亿元 占比90.87% 其中客户A营业收入为23.65亿元 占比74.40% [3][4] - 公司解释客户集中度高与下游高集成度、高性能芯片市场集中度高的行业特征相符 同行业公司也存在类似情况 [5] - 为降低对单一客户的依赖 公司已采取多项风险缓释措施 包括与主要客户维持长期业务关系并签订含最惠客户条款的长期框架协议 同时加速拓展新客户 报告期内新客户收入已从180.41万元增至3.84亿元 [9] 产能利用率与募资必要性 - 公司产能利用率偏低 以2022年或2023年产能为基准 各业务线产能利用率均未达80% [2] - 作为当前收入主力的芯粒多芯片集成封装 2024年产能利用率仅为57.62% 2025年1-6月为63.42% [2][14][16] - 公司解释产能利用率情况符合集成电路先进封测行业规律 与同行业不存在重大差异 CP业务的高度客制化导致机台通用率受限 叠加2022-2023年行业下行周期影响 部分机台闲置率较高 随着2024年行业回暖 产能利用率已逐步回升 [16] - 芯粒多芯片集成封装为报告期内的新增业务 2023年中实现规模量产 处于产能爬坡阶段 因此产能利用率相对不高 但随着新建产能的逐步爬坡 产能利用率整体呈现提升趋势 [18] - 公司强调募资规模具备合理性 参考行业标准 1万片/月CoWoS产能投资约50亿元 结合灼识咨询和J.P. Morgan发布的报告测算 国内相关产能缺口显著 现有扩产计划难以满足市场需求 [18] 技术领先性与市场地位 - 公司宣称多项核心技术达到“国际领先”水平 但此表述遭上交所问询 要求以量化数据说明其技术在与境内外龙头企业对比中 在产能、良率、性能指标等方面是否具备竞争优势 [11] - 公司回应称 其Bumping技术平台在最小凸块间距、最小凸块直径等关键指标上 与日月光、安靠科技等全球领先企业处于同一先进水平 2.5D技术平台SmartPoser®-Si在最小微凸块间距、最大硅转接板尺寸等指标 也对标台积电、三星电子等全球领先晶圆制造企业 [11] - 据Yole统计 公司为全球第七大、中国大陆第二大Bumping服务商 占全球约3%份额 灼识咨询数据显示 其为大陆最大的12英寸Bumping产能企业 且在12英寸WLCSP收入方面位居国内第一 [11] - 根据灼识咨询数据 公司在中国大陆市场各业务市场占有率如下 12英寸Bumping产能占比25% 排名第1 独立CP营收排名第2 WLCSP业务收入占比12% 排名第4 12英寸WLCSP业务收入占比31% 排名第1 2.5D业务收入占比85% 排名第1 [12] - 对于尚未量产的技术 公司称已具备量产条件 推进节奏取决于客户需求 并强调不同封装技术将长期并存 被替代风险较低 核心技术均为自主研发 与客户不存在依赖或绑定关系 [13] 供应链与外协加工 - 公司部分关键设备仍依赖进口 若遭遇贸易壁垒可能面临供应风险 [2][19] - 报告期内存在外协采购CP服务的情形 采购金额分别为2527.95万元、1.02亿元、7552.53万元和5797.83万元 占对应期间营业成本的比例分别为1.67%、4.32%、2.10%和2.67% [19] - 公司称外协采购CP服务主要系特定测试机台产能短期不足 属于临时性、过渡性的安排 具有商业合理性 且采购外协加工的环节主要为部分常规产品的晶圆测试（CP） 不涉及核心工序 [19] 关联交易 - 公司与既是客户又是供应商的公司B存在关联交易 被监管关注交易定价的规范性 [9] - 公司称相关交易源于“Turn-key”商业模式 即客户通过公司B下单整段订单 后者完成前段晶圆制造后 委托公司提供中后段封测服务 相关交易定价参考市场行情 属于正常商业往来 [9]

先进封装行业电话会议纪要关键要点 一、 涉及的行业与公司 * **行业**：半导体先进封装行业，特别是2.5D/3D Chip-on-Wafer-on-Substrate封装领域[1][2] * **主要公司**： * **第一梯队（已量产）**：盛和（年产能约120万颗）、通富（年产能约30万颗）[2] * **第二梯队（建设中）**：长电（预计2026年底年产能50万颗）、华天（预计2026年底年产能50万颗）、永锡、华进半导体、珠海天成先进[2] * **第三梯队（非传统封测厂）**：太极、日月星（布局消费电子/GPU/CPU的FCBG或OS封装）[2] * **非传统厂商**：百维（在COWS领域有一定进展）、慧辰（无明显动作）[1][5] * **设备/材料供应商**：盛美、中科飞测、北方华创、芯源微、上海微、新上微、宁波新丰、沈阳和颜、北京华丰、普莱信、南大光电、同创新材、安吉、新阳、鼎龙等[8][9][12][13][17] 二、 产能与规划 * 国内COWS封装总产能：2025年约150万颗/年，预计到2026年底将接近300万颗/年[1][3] * 产能扩张主要驱动力：长电、华天等第二梯队厂商的产能释放[1] * 主要技术路线：硅中间层技术[1][2] 三、 技术细节与良率 * **产品规格**：主要为1个SOC加4个或6个HBM的组合，如H100[4][7] * **晶圆切割效率**：一片晶圆大约可切割25到30颗芯片[4] * **产能换算**：以盛和为例，年产120万颗芯片需加工约5至6万片晶圆[1][4] * **TSV技术**：大陆封装厂（如通富、永熙）已具备TSV制造基础，技术难度相对可控[6] 四、 投资与成本 * **生产线投资**：建设一条年产100万颗芯片的2.5D全流程生产线，总体资本开支约10亿元人民币[7] * **投资分配**： * 主要工艺设备费用约8亿元人民币[1][7][13] * 厂房建设和水汽处理设备约2亿元人民币[7] * 设备投资细分：光刻及电镀设备各需约5,000万元人民币；固晶及键合设备总计近4,000万元人民币；测试相关设施投入约3,000万元人民币[11][13][14] 五、 设备需求与国产化进程 * **设备需求特点**：工序多（100至200道），需求体现在设备升级（如光刻机从GI线升级到TLF，固晶机升级到多芯片组合）和数量增加[8] * **整体国产化率**：跨式先进封装国产化率已超过50%[1][8] * **分环节国产化率**： * **高国产化率（≥50%）**：PVD（物理沉积，70%）、涂胶显影（100%）、曝光机（100%）、电镀邦定及Micro Bumping（50%）、COW固晶机（70%）、锡银混合电镀液（>50%）、镍电镀液（约50%）、CMP抛光液（约50%）[8][9][12][16][17] * **低国产化率（<50%）**： * **设备**：3D AOI检测设备（约30%）、研磨切割设备（约30%）、光刻机与电镀机（金额最大，依赖进口）[2][9][12] * **材料**：光刻胶（PR胶，<10%）、PSPI（约10%）、金电镀液（几乎0%）[2][13][16] * **几乎无国产化**：晶圆级塑封设备、测试机（Final Test）[2][12] 六、 核心挑战与进入壁垒 * **战略与资金**：需要公司高层明确的战略决策、足够的资金支持以及客户基础[5] * **回报周期**：从研发到形成收入的回报周期长达3至4年[1][5] * **技术集成**：需掌握邦定、RDL、FCBJ及TSV等核心技术[1][6] * **人才作用**：从台积电挖人有帮助，但不能替代战略、资金和客户基础[1][5][6] 七、 上游材料与新兴技术 * **材料价格**：上游材料价格普遍上涨10%到20%；存储器件（DRAM和NOR Flash）因产能与耗材问题涨幅达30%；消费类电子产品因产能紧张涨幅约20%[2][19] * **碳化硅中介层前景**：具备良好散热和绝缘性能，但TSV加工工艺复杂、设备要求高，且碳化硅片制备工艺不成熟，大规模量产面临挑战[20] * **光刻技术方向**：WLP封装解析力要求较低（约15微米）；LDI直写光刻在成本与效率上仍有挑战，国内设备尚不能满足亚微米级需求[18] 八、 其他重要信息 * 非传统封测厂商可能参与OS，但不一定建设全流程2.5D COWS生产线[5] * 大陆先进封装技术发展得到大量台湾团队成员的支持[6] * 检测设备市场70%份额被以色列Camtek占据[10] * 研磨切割设备市场70%份额被日本Disco占据[12] * 测试机市场70%以上被爱德万占据，10-20%被泰瑞达占据[12] * 金属材料日系品牌占主导地位[16] * CMP高端需求仍依赖国际品牌如Carbo或Fujimi[17]

公司技术进展 - 公司已通过实施Bumping项目掌握了RDL及凸点加工能力 [1] - 公司于2024年第四季度完成了2.5D封装的通线 [1] - 公司的技术路线覆盖了基于RDL、硅转接板及硅桥等多种方案 [1] 客户与产品进展 - 公司目前正在和相关客户进行产品验证 [1]

公司技术进展 - 甬矽电子已通过实施Bumping项目掌握了RDL及凸点加工能力 [1] - 公司于2024年第四季度完成了2.5D封装的通线 [1] - 公司的技术路线覆盖了基于RDL、硅转接板、硅桥等多种方案 [1] - 公司目前正在和相关客户进行产品验证 [1] 业务与客户 - 公司正在与相关客户就覆盖多种技术方案的产品进行验证 [1]

三星电子美国投资计划 - 公司去年末与美国商务部达成的最终版《CHIPS》法案激励计划中，取消了在得克萨斯州泰勒市建设3D HBM和2.5D封装先进封装的内容[1] - 在获得特斯拉大额先进制程订单及韩美贸易谈判进入关键阶段的背景下，公司重新考虑在泰勒市导入先进封装产能，预计追加投资规模约70亿美元（约合502.63亿元人民币）[1] - 在泰勒市实现AI6芯片的前后端一体化生产符合特斯拉在美国构建本地化芯片产能的目标，此大额交易可能带动其他客户向三星泰勒厂下达代工订单[1] 先进封装技术需求 - 以特斯拉AI6为代表的先进制程芯片存在对先进封装技术的天然需求[1] SK海力士美国投资动态 - 公司正在考虑在美国建设DRAM晶圆厂，以与此前宣布的HBM先进封装设施形成协同效应[1] - 此举旨在避免需要外部DRAM供应才能完成HBM制造的局面[1]

先进封装技术演进 - 半导体封装从单纯保护功能发展为集成多个元件的复杂系统[2] - 先进封装涵盖2.5D/3D等多种集成方案，显著提升信号密度和能效[2][4] - 封装技术变革主要受带宽需求和功耗优化双轮驱动[4][5] 封装架构创新 - 球栅阵列(BGA)取代传统通孔封装，实现双面元件布局[7][8] - 再分布层(RDL)技术突破焊盘限制，支持扇入/扇出布线[17][20] - 中介层技术实现芯片间高密度互连，缩短信号传输距离[46][49] 材料与工艺突破 - 味之素积层膜(ABF)提供更优介电性能和热稳定性[34] - 硅/玻璃/有机中介层形成技术路线竞争，硅中介层当前主导[55][56][59] - 混合键合技术消除中间材料，直接实现芯片间金属-氧化物连接[79] 热管理与可靠性 - 3D堆叠带来散热挑战，需集成散热器/导热片等热管理元件[101][102] - 共面性和热膨胀系数(CTE)匹配成为可靠性设计关键[126][127] - 电迁移风险随互连密度提升而加剧，需特殊分析工具[126] 设计与测试变革 - 系统级协同设计取代传统串行流程，需早期规划热/电/机械特性[106][110] - 测试标准(IEEE 1149/1687/1838)演进应对多芯片封装挑战[115][118][122] - 组装设计套件(ADK)正在形成以标准化复杂封装工艺[112][113] 安全新挑战 - 2.5D封装信号暴露面扩大，需防范探测攻击和信息泄露[133][134] - 混合键合3D堆叠提升物理安全性，但需完善系统级防护[133] - 供应链安全需覆盖基板/中介层等非芯片元件[132][133]

2.5D封装技术成为AI芯片的关键解决方案 - 2.5D封装技术凭借高带宽、低功耗和高集成度优势成为AI芯片的理想封装方案 [1] - 英特尔EMIB和台积电CoWoS是2.5D封装领域的两大明星技术 [1] - 2.5D封装通过硅中介层或嵌入式桥接技术实现多芯片水平连接，在单一封装内集成CPU、GPU、内存和I/O模块 [3] - 相比传统2D封装，2.5D封装显著提升数据传输效率，同时避免3D堆叠的制造难度和热管理挑战 [3] 英特尔EMIB技术的五大优势 - 成本更低：EMIB采用小型硅桥连接芯片，一个晶圆可生产数千个桥接单元，良率高且成本优势随HBM数量增加呈指数级增长 [4] - 更高良率：EMIB减少复杂工艺步骤，简化"芯片对晶圆"流程，提升生产稳定性 [4] - 更快生产周期：EMIB将传统数天的生产周期缩短数周，帮助客户提前获取测试数据 [5] - 更强扩展性：EMIB嵌入基板的设计提高基板利用率，适合集成更多HBM或复杂工作负载的大型封装 [8] - 更多选择：EMIB为客户提供灵活性和选择权，技术已成熟应用近十年 [8] 英特尔在封装技术领域的领先地位 - 英特尔封装技术领先行业五十多年，从引线键合架构发展到2.5D、3D和3.5D技术 [13] - 英特尔代工提供完整先进封装产品组合，包括低成本FCBGA和高性能EMIB系列 [14] - EMIB 2.5D通过基板中的微型硅桥连接单层芯片或HBM堆叠，在AI和HPC领域表现突出 [17] - EMIB 3.5D引入3D堆叠技术，保留EMIB连接优势并增加垂直堆叠灵活性 [17] - Foveros技术分为2.5D和3D版本，提供最高带宽和最低功耗互连，可灵活组合多种技术 [18] 英特尔代工服务的系统级优化 - 英特尔扩展至系统级架构和设计服务，包括热建模、功耗建模等优化技术 [20] - 英特尔数据中心GPU Max系列集成近50块基于五种不同制造工艺的芯片 [21] - 开发裸片测试技术，在组装前进行高精度测试，提升生产效率和良率 [22] - 代工服务提供灵活定制模式，客户可单独选择EMIB封装或裸片测试等服务 [26] - 已完成超过250个2.5D设计项目，涵盖消费电子、FPGA、服务器和AI加速器等领域 [27] 未来封装技术发展方向 - 研发120毫米×120毫米超大封装尺寸，计划未来一到两年内量产 [29] - 加大玻璃基板和玻璃核心技术的投资，预计未来几年将成为主流 [29] - 封装技术创新将成为推动AI技术进步和产业变革的重要动力 [30]