公司评级与目标价 - 美银证券维持台积电"买入"评级 重申220美元目标价 [1] - 分析师认为公司技术研讨会强化了对其技术领先和卓越制造的积极看法 [1] 技术领先与市场定位 - 台积电持续为客户提供可靠技术路线图 支持AI创新 [1] - 公司在高性能计算(HPC/AI)、汽车、尖端AI和物联网领域保持相关性 [1] - 台积电正在为半导体需求大幅增长奠定基础 预计2030年市场规模超1万亿美元 [1] 业务发展前景 - 人工智能数据中心发展势头强劲 将持续推动前沿节点和先进封装发展至2025年 [1] - 尖端AI领域快速崛起 包括XR眼镜、可穿戴设备、物联网和射频转向FinFET类逻辑 [1] - 汽车业务短期疲软但长期结构性增长 平台向N5A、N3A升级 [1] 长期发展趋势 - 台积电将人形机器人、6G和WiFi 8视为长期发展趋势 [2] - 公司硅解决方案2024年为美国公司创造2500亿美元价值 预计2030年翻倍至5000亿美元 [2] 技术路线图 - 台积电正在推出A14技术 计划2028年投产 [2] - 开发A16技术 专注于AI/高性能计算 计划2026年下半年投产 [2]

台积电技术路线图更新 - 公司发布第二代GAA工艺14A，计划2028年投产，良率已提前达标，相比N2工艺在相同功耗下速度提升15%或相同速度下功耗降低30%，逻辑密度提升20%以上 [1][8][10] - A14采用NanoFlex Pro架构实现设计灵活性，首代不支持背面供电(2028年量产)，支持SPR背面供电版本计划2029年推出 [12][13][26] - 3nm工艺进展：N3P已投产，相比N3E性能提升5%或功耗降低5-10%，密度提升4%；N3X计划2025年下半年量产，支持1.2V电压但漏电增加250% [15][16][17] 先进封装技术发展 - CoWoS技术2027年将实现9.5倍光罩尺寸量产，集成12个以上HBM堆栈；SoW-X技术计算能力达现有CoWoS方案40倍，计划2027年量产 [2][39] - 3DFabric技术组合包含SoIC-P(16微米间距)和SoIC-X(几微米间距)等方案，支持芯片/晶圆级3D集成 [35][37] - 集成硅光子和高密度电感器技术将功率传输密度提升5倍，解决AI加速器数千瓦级功耗挑战 [44][47] 各应用领域技术布局 - 高性能计算：推出COUPE硅光子引擎和HBM4逻辑基片，IVR电压调节器功率密度提升5倍 [3][42] - 智能手机：N4C RF技术相比N6RF+功耗和面积减少30%，支持WiFi8和AI功能，2026年Q1风险生产 [4] - 汽车电子：N3A工艺通过AEC-Q100一级认证，满足汽车级DPPM要求，已开始应用于ADAS/AV芯片 [5] - 物联网：N6e超低功耗工艺已投产，N4e工艺继续提升边缘AI能效 [6] 半导体行业趋势 - AI驱动半导体需求快速增长，预计行业规模将突破1万亿美元，公司凭借移动SoC经验占据优势 [20][22] - N2工艺流片量首年即超N3，2026年下半年量产的N2P相比N3E速度提升18%/功耗降36%/密度1.2倍 [31][33] - 先进制程与封装需协同发展，公司正开发统一解决方案满足AR眼镜、人形机器人等未来产品需求 [49][50][52]