事件概述 - 台积电前企业策略发展资深副总经理罗唯仁于今年7月底退休，10月底已赴英特尔担任研发副总 [1] - 罗唯仁在离职前疑似利用职务要求团队进行技术简报，并带走超过20箱涉及2纳米与A14等先进制程的机密资料 [1] - 该事件引发岛内高度关注，有观点质疑此事可能获得公司或当局的默许 [1][11] 关键人物背景 - 罗唯仁现年75岁，拥有美国加州大学柏克莱分校固态物理与表面化学博士学位，曾在英特尔任职，于2004年加入台积电 [3] - 在其领导下，台积电技术团队共取得超过1500项专利，是公司先进制程技术保持全球领先的重要推手 [3] - 他曾提出“夜鹰计划”，带领团队成功突破10纳米技术瓶颈，并于2011年获时任执行长张忠谋亲颁内部最高荣誉“TSMC Medal of Honor” [5] 事件细节与潜在影响 - 罗唯仁带走超过20箱手写稿等资料，包含即将量产的2纳米、A16、A14等最先进制程技术机密 [6] - 其在英特尔将负责研发到落地量产前的先进设备暨模块发展领域，该领域攸关英特尔最需要提升的生产良率 [6] - 有分析认为此事件高度敏感，可能削弱台积电的竞争优势，甚至动摇全球半导体产业的稳定性，属于“国安”层级问题 [7] 各方反应与质疑 - 台积电和英特尔方面截至目前尚未作出回应 [2] - 事件曝光后，台积电和民进党当局一度保持沉默 [10] - 有知情人士分析，台积电信息保护制度严格，罗唯仁作为关键人物不可能未签署竞业协议，其转任英特尔可能获得公司决策层默许 [11] - 有媒体人质疑75岁的元老退休后带机密投靠对手的动机，并指出此事背景与美台芯片产业博弈时间点高度巧合 [11] 官方后续回应 - 台湾经济部门负责人龚明鑫20日表示，经初判该事件对产业冲击有限，台湾半导体产业经过40多年积累，非个人拿走资料就能破坏 [15] - 台湾“国发会”主委、台积电董事叶俊显称，罗唯仁退休前一年多已调离核心单位，不再担任可接触机密的核心职务，初判影响不大，是个人问题非公司内控状况 [15]

台积电高雄厂投资与产能规划 - 高雄Fab22厂区规划五座厂区（P1-P5）全数投入2纳米家族生产，总投资金额可望突破500亿美元，创下企业投资高雄的新纪录，总投资金额将逾1.5兆元 [3] - P1厂确定于2024年底量产2纳米晶圆，P2厂已于2024年8月进机，预定2025年第二季量产，P3至P5厂已获准开工，P1至P5厂可于2027年第4季全面营运 [3][5] - 公司评估在高雄增设第六厂区（P6），导入更先进的A14（1.4纳米）制程 [3] 技术节点与创新 - A16制程除提升效能与功耗比，更首次导入晶背供电结构（BSPDN），是AI与高速运算晶片性能飞跃关键技术，将于2025年导入 [4] - A14制程预定2028年量产，主要量产基地为台中Fab25，共计四座厂房，预计2024年底动工、2028年下半年投产 [4] - 2纳米技术应用广泛，为AI、高速运算、车用电子、智能制造及通信设备等领域注入关键动能 [5] 区域布局与战略地位 - 高雄将成为2纳米生产重镇，未来可望成为台积电2纳米以下制程的全球核心枢纽，建厂进度明显领先美国亚利桑那州厂 [3][4] - 美国亚利桑那州厂预计在P3、P4导入2nm/A16，但P3厂最快2025年中下旬才开始施作，2028年前在美国大量生产2纳米难度高 [4] - 台积电在先进制程区域分工逐步成形，新竹宝山Fab20将率先推进A14制程 [4] 经济与就业影响 - 高雄Fab22预估可创造7,000个高科技职缺与2万个营建工作机会，为南台湾半导体聚落注入庞大就业动能 [3] - 楠梓园区开发持续推进，预计2024年营运后初期可带来至少1500个就业机会及超过1500亿元年产值 [5] - P1与P2厂的高科技就业需求约2至3千人，若加计建厂工人与下游承包商，总就业人口已突破1万人 [4]

台积电A14制程技术进展 - A14制程良率进展已超前原定进度 [1][2] - A14制程相较于N2制程速度提升最多15%、功耗降低最多30%、芯片密度增加超过20% [1] - A14制程专为AI及智能手机应用打造，具备进阶NanoFlex Pro单元架构 [1] 台积电A16制程技术进展 - A16制程整合了纳米片电晶体、超级电轨及背面接面设计 [1] - 相较于N2P制程，A16速度提升8-10%、功耗降低15-20%、芯片密度增加约1.1倍 [1] - A16制程非常适合需要复杂信号传输与稳定供电的高效能运算产品 [1] 中科1.4纳米新厂建设规划 - 中科1.4纳米新厂预计第四季动土，原预估产值4,857亿元新台币，可能提升至5,000亿元新台币 [3][4] - 中科二期扩建将建设四座1.4纳米先进制程厂，首座厂2027年风险性试产，2028年下半年量产 [4] - 新厂就业人数预计维持在4,500人左右 [4] 其他科学园区建设进展 - 竹科宝山二期2纳米厂第一期厂房办公大楼已完工，启用后将增加2,500个就业机会 [4] - 南科嘉义园区一期与楠梓园区相关厂房正在建设中 [4] 先进制程量产时间表 - 2纳米制程计划于2025年下半年量产，将导入GAA半导体架构 [5] - A16制程计划于2026年下半年导入，效能与能效将再提升约15-20% [5] - 公司持续研发更先进节点，预期在2030年前后延伸摩尔定律效益 [5] 台湾半导体产业现状 - 上半年积体电路在科学园区占比达83%，营业额年成长34.33% [4] - 半导体产业快速发展，晶圆制造、封测连结本地自有供应链比重增加 [4] - 其他产业如精密机械、工具机等正结合到半导体产业链中 [4]

报告公司投资评级 - 维持“买入”评级 [4] 报告的核心观点 - 报告研究的具体公司作为晶圆代工龙头企业，在最先进制程上与竞争对手优势愈发明显，有望充分受益AI芯片需求增长；未来AI有望带动端侧产品创新，公司也有望受益AI手机、机器人等端侧应用起量，预计公司25 - 27年净利润分别为496.86、603.79、667.68亿美元 [4] 业绩简评 - 2025年7月17日公司披露25Q2业绩，25Q2公司实现营收300.7亿美元，同比增长44.4%，环比增长17.8%，毛利率为58.6%，同比+5.4pcts，环比 - 0.2pcts，实现净利润128.0亿美元，同比+60.7%，环比+10.2% [2] - 公司指引25Q3营收为318 - 330亿美元，毛利率为55.5% - 57.5%，营业利润率为45.5% - 47.5% [2] 经营分析 - 公司毛利率下滑主要因新台币升值导致，公司收入按美元计价，报表转化为新台币计价，所在晶圆代工行业属重资产行业，折旧占营业成本比重较大，新台币升值对公司毛利率影响明显；新台币相比美元升值1%，会造成公司1%的收入损失以及40bps的毛利率损失，25Q2新台币升值4.4%，导致公司毛利率下滑180bps，Q2预计新台币继续升值6.6%，将造成公司毛利率260bps的损失 [3] - 公司将全年按美元计价的收入指引增速上调至30%左右，增长驱动力主要来自先进制程需求；25Q2公司N3、N5、N7制程的营收在晶圆收入的占比分别为24%、36%、14%，合计达到74%；25Q2公司HPC、智能手机、IoT收入分别环比增长14%、7%、14%，占营收比例分别为60%、27%、5% [3] - 先进制程方面，公司预计第一代N2制程将在25H2进入量产，N2P、A16制程预计26H2进入量产；公司更新一代制程A14研发进展顺利，A14预计相比N2有20%的晶体管密度提升，预计将在2028年进入量产 [3] 盈利预测、估值与评级 - 预计公司25 - 27年净利润分别为496.86、603.79、667.68亿美元，维持“买入”评级 [4] 公司基本情况 |项目|2023|2024|2025E|2026E|2027E| |----|----|----|----|----|----| |营业收入(百万元)| - | - |70,626.4|89,747.5|118,586.0| |增长率（%）|-4.4%|27.1%|32.1%|13.1%|10.5%| |EBITDA| - | - |47,804.9|61,766.0|81,514.0| |归母净利润| - | - |27,827.3|35,919.4|49,686.2| |增长率（%）|-14.1%|29.1%|38.3%|21.5%|10.6%| |每股收益 - 期末股本摊薄|5.37|6.93|9.58|11.64|12.87| |每股净资产|21.60|25.38|32.09|39.70|48.16| |市盈率（P/E）|44.28|34.30|24.80|20.41|18.45| |市净率（P/B）|11.00|9.36|7.40|5.98|4.93| [9] 利润表预测摘要 |项目/报告期|2022A|2023A|2024A|2025E|2026E|2027E| |----|----|----|----|----|----|----| |营业收入|73,885|70,626|89,748|118,586|134,155|148,207| |营业成本|29,880|32,234|39,379|49,692|51,892|57,801| |毛利|44,006|38,392|50,368|68,894|82,263|90,407| |其他收入|0|0|0|0|0|0| |一般费用|2,071|2,335|3,004|3,558|3,756|4,150| |研发费用|5,328|5,958|6,331|8,301|9,391|10,375| |营业利润|36,607|30,099|41,033|57,036|69,116|75,882| |利息收入|732|1,970|2,704|3,068|3,717|4,557| |利息支出|383|392|325|1,153|1,153|1,153| |权益性投资损益|251|157|151|200|200|200| |其他非经营性损益|133|162|30|0|0|0| |其他损益|0|0|0|0|0|0| |除税前利润|37,338|31,995|43,593|59,150|71,879|79,486| |所得税|4,921|4,191|7,700|9,464|11,501|12,718| |净利润（含少数股东损益）|32,418|27,804|35,893|49,686|60,379|66,768| |少数股东损益|12|-23|-27|0|0|0| |净利润|32,406|27,827|35,919|49,686|60,379|66,768| |优先股利及其他调整项|0|0|0|0|0|0| |归属普通股东净利润|32,406|27,827|35,919|49,686|60,379|66,768| [10] 市场中相关报告评级比率分析 |日期|一周内|一月内|二月内|三月内|六月内| |----|----|----|----|----|----| |买入|0|0|0|0|0| |增持|0|0|0|0|0| |中性|0|0|0|0|0| |减持|0|0|0|0|0| |评分|0.00|0.00|0.00|0.00|0.00| [11] 市场中相关报告评级比率分析说明 - 市场中相关报告投资建议为“买入”得1分，为“增持”得2分，为“中性”得3分，为“减持”得4分，之后平均计算得出最终评分，作为市场平均投资建议的参考；最终评分与平均投资建议对照：1.00 = 买入；1.01 - 2.0 = 增持；2.01 - 3.0 = 中性；3.01 - 4.0 = 减持 [12]

台积电员工分红与薪酬 - 2024年台积电总计将发出1,405.9亿元新台币员工奖金及分红，年增幅逾4成，以7万员工计算平均每人可领超过200万元新台币（约合人民币50万）[1] - 分红分为四季分红和年分红两部分发放，其中半数（702.96亿元新台币）已每季发放，另半数（702.96亿元新台币）将于7月发放[2] - 具体案例：33职等、年资6年员工可领180万元新台币，32职等、年资5年、考绩S+员工可领116万元新台币[1] - 6年资历以上工程师全年薪资结构上看500万元新台币[3] 台积电财务与业绩表现 - 2024年总营收达2兆8,943亿元新台币，税后净利1兆1,732亿元新台币，均创新高[1] - EPS达45.25元新台币[1] - 业绩增长主要受高效能运算（HPC）和智能手机平台带动[1] 半导体行业技术竞争格局 - 台积电技术领先：预计2024下半年量产2纳米制程，2026下半年量产A16制程，2028年推出A14制程[5] - 台积电2纳米制程良率已突破60%，首批客户包括苹果、高通和联发科[5] - 三星推迟1.4纳米制程至2029年，转向改善2纳米以上成熟制程[4] - 三星2纳米良率不足40%，但高通有意委托其生产[5] - 英特尔18A制程面临客户兴趣缺失问题，可能认列数亿美元费用[4] 行业人才竞争与企业文化 - 台积电分红制度不再与在职状态直接挂钩，导致创新低离职率[3] - 高薪资与分红政策使台积电在半导体业抢人才大战中强化竞争力[3] - 晶圆代工业者薪资直逼一线IC设计厂[3]

市场展望 - 2030年全球半导体市场将突破1万亿美元，高性能计算（HPC）占比达45%，智能手机占25%，汽车占15%，物联网占10% [4][5] - 边缘计算场景对高能效处理的迫切需求驱动半导体市场长期增长，AI功能深度集成是主要推动力 [4] - 汽车产业快速成长推动台积电N4、N3及N6RF工艺在自动驾驶领域加速应用，数据中心市场指数级成长推动5nm和3nm设计及CoWoS®、SoIC®先进封装技术发展 [5] 先进制程技术 3nm家族 - N3P已于2024年Q4量产，在相同漏电率下性能提升5%或功耗降低5-10%，晶体管密度提升约4% [6][8] - N3X支持1.2V电压，相同功耗下性能提升5%或功耗降低7%，预计2024年下半年量产，但漏电功耗可能增加250% [9] - 3nm家族已收到超过70个NTOS，预计成为高容量、长时间运行的节点 [6][10] 2nm及以下制程 - N2（2nm）制程256Mb SRAM良率>90%，预计2024年下半年量产，N2P将于2026年下半年量产，相比N3E性能提升18%或功耗降低36%，密度提高1.2倍 [11][13] - A16制程融合NanoFLEX晶体管架构、超级电轨和DTCO技术，2026年下半年量产，相比N2P性能提升8-10%或功耗降低15-20%，逻辑密度提升7-10% [14][16][18][19] - A14制程基于第二代GAA晶体管技术，2028年量产，相比N2性能提升15%或功耗降低30%，逻辑密度增加20% [20][21][22] 先进封装技术 - TSMC 3DFabric®技术包括SoIC-P和SoIC-X，N3-on-N4堆叠方案将于2025年量产，A14-on-N2方案2029年就绪 [23][25][26] - CoWoS技术支持硅中介层和有机中介层，InFO技术扩展至汽车应用 [26] - SoW-X基于CoWoS技术，运算能力比现有方案高40倍，2027年量产 [29][30] 特殊制程技术 汽车技术 - N7A、N5A、N3A满足L2-L4级ADAS需求，每代技术性能提升20%或功耗降低30-40%，N3A预计2024年底通过汽车认证 [32] - 28nm RRAM已通过汽车认证，22nm MRAM已量产，16nm MRAM准备就绪 [36][37] 物联网与射频技术 - N4C RF相比N6RF+功耗和面积减少30%，2026年Q1试产，支持Wi-Fi 8和AI功能 [39][40] - 16HV FinFET高压平台相比28HV功耗降低28%，逻辑密度提升41%，适用于OLED和AR眼镜 [41][42] 制造与产能规划 - 2025年AI相关晶圆出货量达2021年12倍，大尺寸芯片出货量达8倍 [44][45] - 2022-2026年SoIC产能CAGR超100%，CoWoS产能CAGR超80% [45] - 2025年新增9座设施，包括6座中国台湾晶圆厂和1座先进封装厂 [45] 可持续发展 - 2040年实现RE100，2050年净零排放，加入SBTi设定减碳目标 [46] - 2030年供应链碳排放降低50%，资源回收率98%，工业用水循环利用率97%以上 [46][47]