台积电员工分红与薪酬 - 2024年台积电总计将发出1,405.9亿元新台币员工奖金及分红，年增幅逾4成，以7万员工计算平均每人可领超过200万元新台币（约合人民币50万）[1] - 分红分为四季分红和年分红两部分发放，其中半数（702.96亿元新台币）已每季发放，另半数（702.96亿元新台币）将于7月发放[2] - 具体案例：33职等、年资6年员工可领180万元新台币，32职等、年资5年、考绩S+员工可领116万元新台币[1] - 6年资历以上工程师全年薪资结构上看500万元新台币[3] 台积电财务与业绩表现 - 2024年总营收达2兆8,943亿元新台币，税后净利1兆1,732亿元新台币，均创新高[1] - EPS达45.25元新台币[1] - 业绩增长主要受高效能运算（HPC）和智能手机平台带动[1] 半导体行业技术竞争格局 - 台积电技术领先：预计2024下半年量产2纳米制程，2026下半年量产A16制程，2028年推出A14制程[5] - 台积电2纳米制程良率已突破60%，首批客户包括苹果、高通和联发科[5] - 三星推迟1.4纳米制程至2029年，转向改善2纳米以上成熟制程[4] - 三星2纳米良率不足40%，但高通有意委托其生产[5] - 英特尔18A制程面临客户兴趣缺失问题，可能认列数亿美元费用[4] 行业人才竞争与企业文化 - 台积电分红制度不再与在职状态直接挂钩，导致创新低离职率[3] - 高薪资与分红政策使台积电在半导体业抢人才大战中强化竞争力[3] - 晶圆代工业者薪资直逼一线IC设计厂[3]

市场展望 - 2030年全球半导体市场将突破1万亿美元，高性能计算（HPC）占比达45%，智能手机占25%，汽车占15%，物联网占10% [4][5] - 边缘计算场景对高能效处理的迫切需求驱动半导体市场长期增长，AI功能深度集成是主要推动力 [4] - 汽车产业快速成长推动台积电N4、N3及N6RF工艺在自动驾驶领域加速应用，数据中心市场指数级成长推动5nm和3nm设计及CoWoS®、SoIC®先进封装技术发展 [5] 先进制程技术 3nm家族 - N3P已于2024年Q4量产，在相同漏电率下性能提升5%或功耗降低5-10%，晶体管密度提升约4% [6][8] - N3X支持1.2V电压，相同功耗下性能提升5%或功耗降低7%，预计2024年下半年量产，但漏电功耗可能增加250% [9] - 3nm家族已收到超过70个NTOS，预计成为高容量、长时间运行的节点 [6][10] 2nm及以下制程 - N2（2nm）制程256Mb SRAM良率>90%，预计2024年下半年量产，N2P将于2026年下半年量产，相比N3E性能提升18%或功耗降低36%，密度提高1.2倍 [11][13] - A16制程融合NanoFLEX晶体管架构、超级电轨和DTCO技术，2026年下半年量产，相比N2P性能提升8-10%或功耗降低15-20%，逻辑密度提升7-10% [14][16][18][19] - A14制程基于第二代GAA晶体管技术，2028年量产，相比N2性能提升15%或功耗降低30%，逻辑密度增加20% [20][21][22] 先进封装技术 - TSMC 3DFabric®技术包括SoIC-P和SoIC-X，N3-on-N4堆叠方案将于2025年量产，A14-on-N2方案2029年就绪 [23][25][26] - CoWoS技术支持硅中介层和有机中介层，InFO技术扩展至汽车应用 [26] - SoW-X基于CoWoS技术，运算能力比现有方案高40倍，2027年量产 [29][30] 特殊制程技术 汽车技术 - N7A、N5A、N3A满足L2-L4级ADAS需求，每代技术性能提升20%或功耗降低30-40%，N3A预计2024年底通过汽车认证 [32] - 28nm RRAM已通过汽车认证，22nm MRAM已量产，16nm MRAM准备就绪 [36][37] 物联网与射频技术 - N4C RF相比N6RF+功耗和面积减少30%，2026年Q1试产，支持Wi-Fi 8和AI功能 [39][40] - 16HV FinFET高压平台相比28HV功耗降低28%，逻辑密度提升41%，适用于OLED和AR眼镜 [41][42] 制造与产能规划 - 2025年AI相关晶圆出货量达2021年12倍，大尺寸芯片出货量达8倍 [44][45] - 2022-2026年SoIC产能CAGR超100%，CoWoS产能CAGR超80% [45] - 2025年新增9座设施，包括6座中国台湾晶圆厂和1座先进封装厂 [45] 可持续发展 - 2040年实现RE100，2050年净零排放，加入SBTi设定减碳目标 [46] - 2030年供应链碳排放降低50%，资源回收率98%，工业用水循环利用率97%以上 [46][47]

台积电1.4纳米制程技术 - 台积电A14（1.4纳米级）制造技术将在性能、功耗和晶体管密度方面显著优于N2（2纳米）工艺，预计2028年投入量产 [5][7] - A14工艺每片晶圆成本高达4.5万美元，较2纳米节点价格上涨50% [5] - A14采用第二代环栅（GAA）纳米片晶体管和NanoFlex Pro技术，速度提高15%，功耗降低30%，逻辑密度是N2的1.23倍 [7][8] - A14不需要售价高达4亿美元的High NA EUV设备，台积电技术团队已找到替代方案 [9] 技术优势与成本挑战 - A14基于第二代GAAFET纳米片晶体管和新标准单元架构，相同功耗下性能提升10%-15%，相同频率下功耗降低25%-30%，晶体管密度提高20%-23% [8] - NanoFlex Pro技术允许设计人员灵活设计产品，实现最佳功率性能优势 [8] - 未来节点光刻成本可能增加高达20%，主要由于光源功率限制和光学元件磨损 [19][20] 潜在客户分析 - 台积电最TOP客户包括英伟达、苹果、联发科、英特尔、高通和博通等 [12] - 英伟达对台积电收入贡献将从2023年5%-10%增长至2025年20%以上，与苹果份额持平 [13] - 苹果2025年2纳米订单规模可能达1万亿新台币（约330亿美元），占台积电营收60% [14] - 谷歌、微软、AWS和META等云服务提供商也可能成为1.4纳米客户 [15] 行业趋势与未来展望 - 1.4纳米晶圆成本已达4.5万美元，但未来仍有上涨空间 [18] - 先进制程节点成本持续攀升，主要受光刻技术、EDA和IP成本上升影响 [19][20] - 半导体行业向更先进制程节点发展，但成本压力日益显著 [5][18]

台积电产能扩张与技术进展 - 2024年台湾与海外扩建9个厂，包含8座晶圆厂和1座先进封装厂，远超往年平均每年5个厂的扩建速度[1] - 3纳米产能2024年预计增加60%，2025年整体产能将成长超过60%[1][2] - 2纳米制程将于2025年下半年量产，初期良率表现超越预期，将在新竹与高雄建置专属产线[1][2] - 台中晶圆25厂预计2028年量产2纳米及更先进技术，高雄将建5座厂包含A16及更先进技术[1] 制程技术发展 - 3纳米家族制程进入第三年量产，包括N3E、N3P、N3X多样技术版本，良率表现与5纳米相当且已具备车用芯片品质[1] - 2纳米技术采用新一代纳米片电晶体架构，制程更为精细[2] - A14制程预计2028年量产，与2纳米相比：相同功耗下速度提升10%-15%，相同速度下功耗降低25%-30%，逻辑密度增加超过20%[4] 全球布局与产能 - 美国亚利桑那州厂2024年底量产4纳米，日本熊本厂2024年初投产且良率与台湾接近，熊本二厂已开建，德国德勒斯登厂按计划推进[2] - 先进封装领域3D Fabric平台通过AI自动化提升良率，SOIC产能自2022年以来已倍增，CoWoS产能年增达80%[2] - 在台中、嘉义、竹南、龙潭和台南持续扩大封装厂产能，并规划设立海外封装基地[2] AI与半导体行业展望 - AI芯片规模2021-2025年预计成长12倍，与AI直接相关的大面积芯片出货量将成长8倍[2] - 2025年半导体行业预计成长10%以上，2030年产值有望达1万亿美元，其中AI占比将达45%[3][4] - 2024年为AI元年，AI将持续推动5纳米、4纳米及3纳米等先进制程及先进封装技术需求[3] 应用领域发展趋势 - 智能手机、电脑和物联网市场增长温和，汽车市况疲软但自驾功能将推动技术向5纳米等先进制程演进[4] - 2030年半导体应用占比预测：手机约25%，汽车15%，物联网10%[4] 永续发展目标 - 2040年达成RE100，2050年实现净零排放目标，已导入碳捕捉技术与AI节能机制[3] - 2025年起碳排放将出现拐点并呈下降趋势[3]

| 国际社会热点 . | | --- | | 国际货币基金组织和世界银行会议结束,关税可题仍不明朗,经济前景堪忧 3 | | 贝森特:特朗普关税政策让华府在谈判中占上风. | | 中国商务部: 离境退税是吸引和扩大入境消费重要切入点 . | | 欧央行内部对 6 月降息共识进一步增强 | | 法国政府提议合并或撤销三分之一政府机构 . | | TikTok 将进军日本电商行业 . | | 人工智能 . | | OpenAI 发布 ChatGPT 深度研究工具轻量级版本 . | | Manus 母公司被爆完成超 5 亿元融资,通用智能体赛道再掀狂潮 ……………… 9 | | 据报道,马斯克的 xAI 控股公司正在进行有史以来第二大规模的私人融资 11 | | 台积电宣布采用世界领先的 A14 制程技术为人工智能提供动力 | | 清华大学成立人工智能医院 . | | 航空航天 . | | 2024 年,全球军事开支撤增,达到创纪录的 2.7 万亿美元 ... | | 中国成功发射天链二号 05 星 . | | 中国首个大型通用光谱望远镜 JUST 启动建设 . | | 香港首次应用低轨卫星互联网成功验证网联自动驾 ...

行情速递 - 主板领涨个股包括西陇科学(+10 00%)、武汉凡谷(+5 10%)、盛路通信(+4 87%)、立昂微(+4 75%)、大晟文化(+4 46%) [1] - 创业板领涨个股包括海联讯(+9 36%)、新晨科技(+8 35%)、飞天诚信(+7 33%) [1] - 科创板领涨个股包括莱尔科技(+6 07%)、世华科技(+5 56%)、新点软件(+3 31%) [1] 国内新闻 - 台积电揭示A14制程技术进展，该技术基于N2制程，旨在提升AI运算速度和能源效率，并增强智能手机的装置端AI功能，计划2028年投产，目前良率表现优于预期 [1] - 和辉光电递交香港联交所主板上市申请，此前已登陆上交所科创板，A股市值约292亿元，此次IPO旨在拓展国际融资渠道并支持技术研发和产能扩张 [1] - 斯凯孚（SKF）在2025上海车展展示"智能+清洁"双轮驱动战略，推出新能源技术战略全景图，应对汽车产业电动化、智能化转型 [1] - 中国信科科协第一次会员代表大会在武汉举行 [1] 公司公告 - 盈趣科技2025年一季度总营业收入8 59亿元（同比+12 45%），归母净利润0 77亿元（同比+37 81%） [2] - 欧菲光2025年一季度总营业收入48 82亿元（同比+5 07%），归母净利润-0 59亿元（同比-470 51%） [2] - 恒银科技2025年一季度总营业收入0 94亿元（同比+1 27%），归母净利润0 05亿元（同比+125 24%） [2] - 朗威股份2025年一季度总营业收入2 50亿元（同比+21 43%），归母净利润0 20亿元（同比+110 43%） [2] 海外新闻 - Meta推出翻新版Quest 3S，128GB版售价270美元（约1950元人民币），256GB版360美元（约2600元人民币） [2] - 谷歌I/O开发者大会议程包含Android XR应用开发会议 [2] - 贝思半导体（BESI）表示亚洲晶圆代工厂因AI相关数据中心应用产品需求增加，一季度订单量增长 [2] - 诺基亚一季度利润低于市场预期，美国关税将影响二季度利润，实现全年业绩预期面临挑战 [2] 行业研究团队 - 孙远峰为太平洋证券科技行业首席分析师，拥有电子实业工作经验，曾多次获得新财富、水晶球等行业奖项，2023年和2024年带领团队获得Wind金牌分析师进步最快研究机构奖 [3]

①主板领涨，西陇科学(+10.00%)/武汉凡谷(+5.10%)/盛路通信(+4.87%)/立昂微(+4.75%)/大晟 文化(+4.46%)/ ②创业板领涨，海联讯(+9.36%)/新晨科技(+8.35%)/飞天诚信(+7.33%)/③科创板领涨，莱尔科 技(+6.07%)/世华科技(+5.56%)/新点软件(+3.31%)/ 国内新闻 ①全球半导体观察，台积电在全球技术论坛北美场次中/揭示其下一世代先进 逻辑制程技术A14的状况/台积电表示/A14制程技术体现了台积电在其领先 业界的N2制程上的重大进展/此技术旨在通过提供更快的运算和更好的能源 效率来推动人工智能（AI）转型/其亦有望透过增进装置端AI功能（on- board AI capabilities）来强化智慧型手机功能/使其更加智慧/A14制程技 术计划于2028年开始生产/截至目前开发进展顺利/良率表现优于预期进度/ ②爱集微，和辉光电正式向香港联交所递交主板上市申请/中金公司担任独家 保荐人/该公司此前已于2021年5月登陆上交所科创板/截至2025年4月23日 A股市值约292亿元/此次赴港IPO旨在拓展国际融资渠道/优化资本结构/为 技 ...

台积电2025年北美技术论坛发布的新技术 - 公司推出A14制程技术，并计划在2027年量产9.5倍光罩尺寸的CoWoS技术，相较现阶段CoWoS-L的3.3倍和去年推出的8倍有显著升级，可将12个或更多HBM堆叠整合到一个封装中 [2] - 公司发表新的逻辑制程、特殊制程、先进封装和3D芯片堆叠技术，为HPC、智能手机、汽车和IoT技术平台做出贡献 [2] - 公司推出以CoWoS技术为基础的SoW-X，计划2027年量产，拥有当前CoWoS解决方案40倍运算能力 [2] 先进封装与逻辑技术进展 - 公司推进CoWoS技术以满足AI对逻辑和HBM的需求，2027年量产的9.5倍光罩尺寸CoWoS可整合12+个HBM堆叠 [2] - 公司提供新解决方案包括：硅光子整合(COUPE技术)、用于HBM4的N12/N3逻辑基础裸片、新型IVR(5倍垂直功率密度传输) [2] 智能手机技术突破 - 公司推出N4C RF技术，与N6RF+相比提供30%功率和面积缩减，支持Wi-Fi 8和AI功能真无线立体声，计划2026年Q1试产 [2] 汽车与物联网技术布局 - 公司N3A制程正进行AEC-Q100第一级验证最后阶段，将进入汽车应用生产阶段，满足ADAS和AV的严苛需求 [2][3] - 公司超低功耗N6e制程进入生产，将继续推动N4e拓展边缘AI的能源效率极限 [3]

核心观点 - 台积电在TSMC Symposium 2025上发布了第二代GAA工艺14A，计划2028年投产，相比N2工艺在相同功耗下速度提升15%，相同速度下功耗降低30%，逻辑密度提升20%以上 [2][8][10] - 公司推出多项新技术覆盖高性能计算、手机、汽车和物联网领域，包括9.5光罩尺寸CoWoS封装、SoW-X晶圆级系统等 [2][4][5][6] - 3nm工艺路线图更新，N3P已投产，N3X计划2025年下半年量产，相比N3E性能提升5%，功耗降低7% [16][17][18] - 先进封装技术成为发展重点，3DFabric技术组合支持从微凸块到无凸块的多层次集成方案 [34][36][38] - 人工智能成为技术发展主要驱动力，推动半导体行业向更高性能、更低功耗方向发展 [19][21][43] 技术路线图更新 14A工艺 - 采用第二代GAA纳米片晶体管和NanoFlex Pro架构，2028年量产基础版，2029年推出带背面供电的SPR版本 [8][13][14] - 与N2相比性能提升10-15%，功耗降低25-30%，逻辑密度提升1.2-1.23倍 [10][12][25] - 初期版本采用正面供电，适合客户端和边缘应用，高性能版本将引入背面供电网络 [13][25] 3nm工艺进展 - N3P已投产，相比N3E性能提升5%，功耗降低5-10%，密度提升4% [16][17] - N3X计划2025年下半年量产，支持1.2V高压，Fmax性能再提升5%但漏电增加250% [17][18] - N3C为压缩版本，优化工艺密度 [23] 16A工艺 - 首款采用SPR背面供电技术，计划2026年下半年量产 [27] - 相比N2P速度提升8-10%，功耗降低15-20%，密度提升7-10% [12][27] 应用领域技术 高性能计算 - CoWoS技术升级至9.5光罩尺寸，支持12个以上HBM堆栈集成，2027年量产 [2] - SoW-X晶圆级系统计算能力达现有CoWoS方案的40倍，2027年量产 [2] - 集成硅光子引擎COUPE和IVR电压调节器，功率密度提升5倍 [3][43][46] 智能手机 - N4C RF技术支持WiFi8和AI功能，相比N6RF+功耗和面积减少30%，2026年Q1风险生产 [4] 汽车电子 - N3A工艺通过AEC-Q100一级认证，满足汽车级DPPM要求，已开始量产 [5] 物联网 - N6e超低功耗工艺已投产，N4e工艺继续提升边缘AI能效 [6] 先进封装发展 - 3DFabric技术组合包含SoIC-P（16微米间距）、SoIC-X（几微米间距）等方案 [36] - CoWoS系列支持硅中介层、有机中介层和局部硅桥三种互连方式 [38] - InFO平台扩展至汽车应用，TSMC-SoW实现晶圆级系统集成 [38] - 集成稳压器和高密度电感器技术将功率传输密度提升5倍 [46] 行业趋势 - AI成为半导体技术发展核心驱动力，推动高性能计算需求爆发式增长 [19][21][43] - 先进制程与先进封装协同发展成为关键，台积电提供从晶体管到系统级完整解决方案 [51] - 人形机器人、AR眼镜等新兴应用将需要更复杂的异构集成方案 [48][49]