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美光科技(MU):FY2026Q1 业绩点评及业绩说明会纪要:各业务单元均创营收记录,毛利率大幅超过指引上限
华创证券· 2025-12-19 15:59
报告投资评级 * 报告未明确给出对美光科技(MU)的具体投资评级(如“买入”、“持有”等)[1][7][8] 报告核心观点 * 美光科技FY2026Q1业绩全面超预期,营收、各业务部门及产品线营收均创历史记录,毛利率大幅超越指引上限,主要受益于AI驱动的强劲需求、行业供应紧张带来的价格上涨以及有效的成本控制和产品组合优化[2][12] * 公司对行业前景极为乐观,预计AI数据中心建设热潮将持续推动内存与存储需求急剧增长,而行业总供给在可预见的未来难以匹配需求增长节奏,供需紧张态势将延续至2026年及以后,行业景气度有望维持高位[5][13] * 公司给出FY26Q2强劲指引,预计营收环比增长37.1%至187亿美元,毛利率进一步提升至68.0%左右,显示其业绩增长势头强劲且盈利能力持续扩张[6][28] FY2026Q1业绩情况 * **总体业绩**:FY2026Q1实现营收136.43亿美元,环比增长20.6%,同比增长56.7%,高于指引中值(125亿美元)[2][12] Non-GAAP毛利率达56.8%,环比提升11.1个百分点,同比提升17.3个百分点,超过指引区间上限(51.5%±100基点)[2][12] 稀释后每股收益(Non-GAAP)为4.78美元[10] * **产品营收**:DRAM业务营收108亿美元,占总营收79%,环比增长20%,价格环比上涨约20%[16] NAND业务营收27亿美元,占总营收20%,环比增长22%,位元出货量环比增长中高个位数百分比,价格环比上涨十几个百分点[16] * **业务部门营收**:云内存业务部(CMBU)营收53亿美元,环比增长16%,占总营收39%[15] 核心数据中心业务部(CDBU)营收24亿美元,环比增长51%,占总营收17%[23] 移动和客户端业务部(MCBU)营收43亿美元,环比增长13%,占总营收31%[23] 汽车和嵌入式业务部(AEBU)营收17亿美元,环比增长20%,占总营收13%[23] * **供给能力提升**:公司将FY26资本支出计划提升至200亿美元,较此前预估增加20亿美元,重点投向HBM与1γ产品的供应能力建设[11] 加速全球产能布局,包括爱达荷州、纽约州的新晶圆厂,以及日本、新加坡、印度工厂的扩建与新建,以构建长期供应支撑体系[11] 终端市场进展与展望 * **数据中心市场**:AI数据中心建设进入大规模扩张阶段,公司预计2025年服务器市场出货量增长率接近20%,且2026年增长势头延续[3][24] HBM4产品具备业界领先的11Gbps以上速度,预计2026Q2高良率量产[3] 数据中心NAND产品组合收入超10亿美元,全球首款PCIe Gen6 SSD认证订单快速增长[3][24] * **PC市场**:公司预计2026年PC市场出货量将实现高个位数增长,但内存供应限制可能制约部分出货[4] 公司已完成基于16Gb/s、1γ的DDR5及G9 PCIe Gen4 QLC SLD内存等多项OEM认证[4] * **手机市场**:公司预期2026年智能手机出货量保持低个位数百分比增长,AI推动内存容量需求提升,旗舰机型12GB DRAM配置占比达59%,较去年同期翻倍[4] 公司推出1γ 16Gb LPDDR6样品,性能提升超50%[4] * **汽车与工业市场**:L2+及L3级技术普及推动存储需求,公司凭借差异化产品组合,其ASIL认证的LPDDR5X及UFS 4.1 NAND产品需求强劲,已斩获数十亿美元设计订单[4][28] 工业领域需求受自主系统普及推动持续增长[4][28] 行业供需预判 * **需求端**:AI数据中心建设热潮持续推动内存与存储需求急剧增长,公司对2025年DRAM和NAND闪存行业位元需求增速预期均较此前提升,其中DRAM位元需求增长率预计达20%出头,NAND闪存位元需求增长率将达近20%[5][13] * **供给端**:行业供应端存在约束,全球洁净室建设交付周期延长,新增产能释放受限[13] 公司预计2026年行业DRAM和NAND位元出货量均较2025年增长约20%,公司自身相关产品出货量也计划增长约20%,但仍难以全面满足客户需求,供需缺口下行业景气度有望维持高位[5][13] FY2026Q2及未来业绩指引 * **营收指引**:预计FY26Q2营收为187亿美元,上下浮动4亿美元,环比增长37.1%,同比增长132.2%[6][28] * **毛利率指引**:预计FY26Q2毛利率在68.0%左右,上下浮动100基点,环比提升11.2个百分点,同比提升30.1个百分点[6][28] * **每股收益指引**:预计FY26Q2每股收益将达到创纪录的8.42美元,上下浮动0.20美元[34] * **未来展望**:公司认为毛利率在FY26Q2之后有进一步提升空间,但增长速度将比过去几个季度更为平缓[44] 2026年HBM产能已经售罄,公司已与客户完成2026日历年的销量和定价谈判[48] 其他关键信息(来自Q&A) * **HBM业务**:公司上调HBM总潜在市场预期,预计到2028年将达到1000亿美元,比之前预期提前两年[38][42] 2025年第三季度,公司HBM市场份额已达到与其DRAM整体市场份额相当的水平[41] 2026年将同时供应HBM3E和HBM4,HBM4良率爬坡速度预计快于HBM3E[36] * **长期协议**:公司正与多家核心客户洽谈涉及DRAM和NAND产品的多年期合同,合同结构与以往的一年期合同不同,具有更严谨的结构和明确的承诺[31][47] * **供应状况**:中期来看,公司只能满足多家核心客户50%到三分之二的需求[35][47] 供应紧张环境预计将持续,非HBM DRAM的供应也将保持紧张[38] * **企业级SSD**:企业级SSD业务增长势头强劲,人工智能从训练向推理的快速演进正在推动企业级SSD的需求增长[39][40]
Micron Technology(MU) - 2026 Q1 - Earnings Call Transcript
2025-12-18 06:32
财务数据和关键指标变化 - 公司2026财年第一季度业绩远超指引上限,营收、毛利率和每股收益均创纪录 [4] - 第一季度总营收为136亿美元,环比增长21%,同比增长57%,连续第三个季度创下季度纪录 [21] - 第一季度DRAM营收为108亿美元,同比增长69%,占总营收79%,环比增长20% [21] - 第一季度NAND营收为27亿美元,同比增长22%,占总营收20%,环比增长22% [21] - 第一季度综合毛利率为56.8%,环比提升11个百分点,主要受价格上涨、成本控制和有利的产品组合驱动 [22] - 第一季度营业利润为64亿美元,营业利润率为47%,环比提升12个百分点,同比提升20个百分点 [24] - 第一季度非GAAP摊薄后每股收益为4.78美元,环比增长58%,同比增长167% [24] - 第一季度运营现金流为84亿美元,资本支出为45亿美元,自由现金流为39亿美元,创下季度纪录 [25] - 第一季度末库存为82亿美元,环比减少1.5亿美元,库存天数为126天,DRAM库存天数保持在120天以下 [25] - 第一季度末现金及投资为120亿美元,总流动性(含未动用信贷额度)为155亿美元,偿还债务27亿美元后,净现金余额超过2.5亿美元 [25][26] - 公司预计第二季度营收将再创纪录,达到187亿美元(±4亿美元),毛利率约为68%(±100个基点),每股收益预计为8.42美元(±0.20美元) [29][30] 各条业务线数据和关键指标变化 - 云存储业务部营收创纪录,达53亿美元,占总营收39%,环比增长16%,毛利率为66%,环比提升620个基点 [22][23] - 核心数据中心业务部营收创纪录,达24亿美元,占总营收17%,环比增长51%,毛利率为51%,环比提升990个基点 [23] - 移动与客户端业务部营收创纪录,达43亿美元,占总营收31%,环比增长13%,毛利率为54%,环比提升17个百分点 [23] - 汽车与嵌入式业务部营收创纪录,达17亿美元,占总营收13%,环比增长20%,毛利率为45%,环比提升14个百分点 [23] - 数据中心NAND产品组合营收在第一季度超过10亿美元,数据中心SSD产品组合势头强劲 [11] - 第一季度QLC NAND(包括G9 QLC)的占比达到历史新高 [8] 各个市场数据和关键指标变化 - 数据中心市场:AI数据中心容量增长推动高性能、高容量内存和存储需求显著增加 [9] 服务器需求显著增强,预计2025年服务器单位增长率为高十位数百分比范围,高于此前预期的10% [10] 预计2026年服务器需求将继续保持强劲 [10] - PC市场:Windows 10生命周期结束和AI PC推动需求,预计2025年PC单位销量将实现高个位数百分比增长,高于此前预期的中个位数增长 [12] 预计2026年需求驱动因素将持续,但内存供应紧张可能影响部分PC出货量 [12] - 移动市场:预计2025年智能手机单位销量将实现低个位数百分比增长 [13] AI推动内存容量增长,2025年第三季度配备12GB DRAM的旗舰智能手机出货占比增至59%,是一年前的两倍多 [14] - 汽车与工业市场:L2+和L3级自动驾驶的采用推动当前强劲需求,客户路线图显示全自动驾驶汽车的内存容量将显著提高 [14] 工业领域需求持续走强,受工厂自动化、航空航天与国防、人形机器人等应用推动 [15] 公司战略和发展方向和行业竞争 - 公司认为其处于历史上最佳竞争地位,是半导体行业最大的AI赋能者之一 [7] - 技术领先是核心竞争优势,在DRAM上已连续四个技术节点领先,在NAND上连续三个节点领先,且每个节点的良率爬坡速度都在加快 [8] - 1-gamma DRAM节点进展顺利,将成为2026年DRAM位元增长的主要驱动力,并在2026年下半年成为位元产出的主体 [8] 1-delta和1-epsilon节点正在开发中 [8] - NAND方面,G9节点正在爬坡,技术向G9过渡将成为2026年NAND位元增长的主要驱动力,并预计在2026财年晚些时候成为最大的NAND节点 [9] - 2025年是公司在内部和客户质量指标上的创纪录之年,作为内存行业的质量领导者,这成为重要的差异化因素 [9] - 公司计划将2026财年资本支出从之前估计的180亿美元增加到约200亿美元,主要用于支持HBM供应能力和1-gamma节点在2026年的供应 [17][28] - 正在全球制造基地进行投资以增加长期供应,包括将首座爱达荷州晶圆厂的首次晶圆产出时间提前至2027年中,第二座爱达荷州晶圆厂将于2026年开始建设,纽约州首座晶圆厂计划于2026年初动工 [18][19] - 在新加坡的HBM先进封装工厂预计将在2027年为HBM供应做出重要贡献 [19] 管理层对经营环境和未来前景的评论 - AI驱动的需求正在加速,公司正以史上最佳竞争地位抓住这些机遇 [31] - 预计第二季度和整个2026财年将在营收、毛利率、每股收益和自由现金流方面再创多项新纪录 [7] - 持续强劲的行业需求以及供应限制导致市场环境紧张,预计这种状况将持续到2026年之后 [7][16] - 整个行业的总供应量在可预见的未来将大幅低于需求 [16] HBM需求的急剧增长因与DDR5存在3:1的产能置换比而进一步加剧供应环境挑战,且该置换比在未来HBM世代中只会增加 [16] - 预计2025年DRAM位元需求增长率为低20%范围(此前为高十位数百分比),NAND位元需求增长率为高十位数百分比范围(此前为低至中十位数百分比) [17] - 预计2026年行业DRAM和NAND位元出货量增长将受到供应限制,两者均将比2025年增长约20% [17] 公司预计其2026年DRAM和NAND位元出货量也将增长约20% [17] - 尽管付出巨大努力,公司仍无法满足所有细分市场的客户需求,在中期内仅能满足部分关键客户约50%至三分之二的需求 [17][60] - 公司预计2026财年自由现金流将同比显著增长 [28] 其他重要信息 - 公司已完成整个2026日历年HBM供应(包括行业领先的HBM4)的价格和数量协议 [4] - 预计HBM市场规模将以约40%的年复合增长率增长,从2025年的约350亿美元增至2028年的约1000亿美元,这一里程碑比之前的预测提前了两年 [4] - HBM4按计划将于2026年第二季度以高良率开始爬坡,与客户产品爬坡计划一致 [10] HBM4采用先进的CMOS和金属化工艺技术,性能领先,速度超过11Gb/s [10] - 公司已开始向领先的OEM和生态系统合作伙伴送样突破性的1-gamma 16Gb LPDDR6产品 [14] - 在汽车和先进机器人领域优化的ASIL级LPDDR5X和UFS 4.1 NAND产品已获得数十亿美元的设计订单 [15] - 公司内部超过80%的专业人员积极使用生成式AI,自去年以来总使用量增长了十倍,AI在制造、研发和业务职能中提升了生产效率和决策速度 [27] 问答环节所有的提问和回答 问题: 关于与客户的多年度长期协议的性质和期限 [33] - 回答: 公司正在与多个关键客户讨论涉及DRAM和NAND的多年度合同,这些合同与以往的长期协议非常不同,包含具体的承诺和更强的合同结构,但无法透露具体细节 [34][35] 问题: 关于资本支出强度低于通常35%的指标,是否因洁净室空间限制,以及2027财年资本支出是否会接近该水平 [37] - 回答: 资本支出增加主要支持DRAM,特别是HBM和1-gamma节点的爬坡,从2025年到2026年,实体建筑相关的资本支出计划大约翻倍,预计2027年资本支出会增加,但公司将保持纪律性,使供应与需求保持一致,资本强度在市场环境向好时会下降 [51] 问题: 关于资本支出增长相对保守,是否因洁净室空间不足且未显著提前建设时间,以及背后的策略考量 [55] - 回答: 供应问题已持续几个季度,节点转换是2026财年供应增长的主要来源,HBM增长进一步加剧供应压力,洁净室建设需要时间,整个行业预计将供不应求,公司正在现有产能和近期扩张范围内尽一切努力加速工具安装和建设以提供供应,2026年的位元增长数据是受供应限制的 [56][57] 补充: 公司继续在现有产能上进行技术节点转换投资,1-gamma节点将是2026年供应增长的主要驱动力,同时也在进行绿地产能投资和提升日本现有洁净室的技术生产能力,需求基本面非常强劲,供应严重短缺 [58][59][60] 问题: 关于2026日历年DRAM和NAND的成本下降展望,以及从HBM3E向HBM4过渡时是否存在因良率等问题导致的暂时性成本上升 [61] - 回答: 公司在DRAM和NAND上的成本执行一直很好,获得了规模效益,支出控制良好,良率表现不错,2026年下半年至2027年会有新晶圆厂建设的启动成本,但对利润率影响相对较小,1-gamma DRAM和G9 NAND的爬坡进展顺利,将成为成本方面的有利因素,HBM4计划在第二季度开始爬坡以符合客户需求,进展极好,拥有行业领先的超过11Gb/s的性能,预计其良率爬坡将快于HBM3E,2026年的产品组合将基于客户需求包含HBM3E和HBM4 [62][63][64] 问题: 关于ASIC AI XPU(如Google TPU, AWS Trainium)出货量上修是否推动了HBM3E订单,以及如何管理2026年已签约的HBM3E需求与强劲的HBM4需求 [67] - 回答: 2026年将是HBM3E和HBM4的混合,公司与整个HBM客户生态系统的多个客户都有合作,他们都将贡献2026年HBM收入的强劲同比增长,公司将根据客户需求管理两者的组合,2026年HBM供应将紧张,非HBM DRAM也将紧张,公司上调了HBM市场规模预测,预计2028年达到1000亿美元,比之前展望提前两年,客户架构和平台的演进需要越来越多的HBM [68][69][70] 问题: 关于企业SSD业务强劲增长后,是否也与客户签订长期供应协议,以及SSD需求是否更与推理工作负载相关,存储强度是否在推理中高于训练 [70] - 回答: 企业SSD是数据中心业务组合的重要组成部分,公司预计将通过强大的SSD路线图和客户参与继续关注份额增长,正在与多个关键客户讨论的多年度合同中也包含数据中心SSD,这些合同不仅涉及数据中心客户,也涉及多个市场细分领域的客户,在数据中心AI应用中,随着生成式AI向更多视频发展,也推动了对更多SSD的需求,AI从训练到推理的快速演进以及AI模型和应用的快速发展都在推动企业SSD的增长 [71][72] 问题: 关于HBM目前占DRAM业务收入的百分比,以及面对竞争对手在HBM3E上可能更积极,公司对2026年的竞争定位和战略决策的看法 [75][76][77] - 回答: 公司对其竞争地位感觉非常好,HBM4产品拥有行业领先的超过11Gb/s的性能和最佳规格,在功耗方面也保持领先势头(HBM3E比竞争对手低30%),公司对未来的HBM4及更远路线图感觉良好,团队在过去几个季度成功提升了HBM3E的生产能力,在第三季度使HBM份额与DRAM份额保持一致,在供应紧张的环境下,公司将基于战略客户关系、盈利目标和增长目标来管理HBM与非HBM的组合,HBM正在增长,公司也将增长其HBM业务,目前所有DRAM(包括HBM)的供需缺口是前所未见的 [78][79][80][81] 问题: 关于HBM在11月和2月季度的贡献细节 [84] - 回答: 公司不提供具体的细分数据,仅指出第一季度HBM收入创纪录,并预计2026年HBM收入将实现强劲的同比增长 [84] 问题: 关于毛利率在2月季度之后的可持续性和走势 [90] - 回答: 公司不提供第二季度之后的毛利率指引,但指出业务将在年内持续走强,因此相信毛利率可以上升,DRAM和NAND的毛利率都会上升,但在当前高毛利率水平下,相同的价格上涨对毛利率百分比的提升作用会减弱,因此预计第二季度之后的毛利率扩张将比前两个季度更为渐进 [91][92] 补充: 公司预计有利的市场环境将在年内持续,同时成本执行良好,并将位元产品部署到最有价值的市场部分 [94] 问题: 关于在2028年1000亿美元HBM市场规模中,美光的HBM市场份额展望 [96] - 回答: 公司不会具体说明份额,就像管理产品组合中的任何其他产品一样,公司将基于战略原因和客户关系来管理HBM与非HBM的组合,在当前行业基本面持久的有利环境下,公司凭借产品组合的顺风处于非常有利的地位 [97][98][99] 问题: 关于长期客户合同的更多细节,例如预计签署时间和阻碍,以及AI公司是否可能为新建晶圆厂提供资金 [102] - 回答: 公司不会透露与客户合同讨论的具体细节,但指出客户对长期获得充足内存的担忧正在促成与多个关键客户及跨市场领域的建设性对话,讨论中的合同结构与以往任何合同都不同,它们是多年期合同,包含具体的承诺,且合同结构更强有力,在管理合同讨论时,必须考虑公司的总体供应情况,因为中期内仅能满足部分关键客户50%至三分之二的需求 [103][104][105] 问题: 关于HBM定价是否在2026年已售罄的情况下锁定,还是可以像DDR5一样有一定浮动 [106] - 回答: 公司很高兴其产品定位和与客户合作的能力,2026年HBM在数量和价格上的谈判已经完成,HBM具有强大的盈利能力,非HBM业务也表现出健康的盈利能力 [106] 问题: 关于内存价格上涨在多大程度上会影响电子产品(除数据中心和AI市场外)的需求,以及对2026年消费类和传统企业产品需求及内存定价走势的影响 [112] - 回答: 公司已在准备好的发言中指出,在一些消费市场,单位需求可能会受到半导体和内存价格的影响,客户可能会调整产品组合以应对可用供应,这些已计入公司的预测中,即便如此,供应环境仍然非常紧张,需求与供应之间存在巨大缺口,AI体验从数据中心到边缘设备都需要更多内存,没有足够的内存,边缘设备的AI功能和体验就会受到影响,因此AI正在全面推动内存容量的增加和需求,这也是客户与公司就长期多年计划进行供应合作的原因 [112][113][114]
Micron Stock Price Prediction: Can MU Touch $270 in 2025?
Yahoo Finance· 2025-10-15 19:30
公司业务与市场定位 - 公司是领先的半导体公司,设计和制造用于计算机、智能手机、数据中心和人工智能系统的内存和存储产品 [1] - 核心业务是制造用于计算机、服务器和人工智能系统的内存和存储产品,包括动态随机存取存储器(DRAM)、NAND闪存、高带宽内存(HBM)和低功耗DRAM(LPDRAM)[4] - 公司构建了现代计算的内存骨干,为从AI超级计算机、云数据中心到智能手机和汽车的一切设备提供支持 [4] 财务表现 - 在2025财年第四季度,总收入同比增长46.7%至113亿美元,调整后每股收益同比增长156.7%至3.03美元 [5] - 第四季度调整后毛利率从去年同期的36.1%提升至45.7% [5] - 2025财年全年收入飙升49%至374亿美元,调整后收益惊人地增长了537% [5] 人工智能驱动因素 - 与AI应用直接相关的产品,特别是HBM、高容量DIMM和数据中心用低功耗DRAM,在2025财年贡献了约100亿美元的收入 [6] - AI驱动数据中心支出的快速增长已不可逆转地改变了公司的收入结构 [6] - 公司正精简其产品组合,专注于更高利润的机会,退出托管NAND业务将为需求可见度和利润率显著更高的数据中心领域释放产能 [7] 市场表现与预期 - 公司股票年内上涨127%,远超以科技股为主的纳斯达克综合指数17.7%的涨幅 [1] - 法国巴黎银行Exane将公司股票评级上调至“跑赢大盘”,并将其目标价上调至270美元,这意味着较当前水平有超过40%的上涨潜力 [2]
AI周观察:AI驱动美光业绩高增长,阿里发布系列新模型
国金证券· 2025-09-28 19:48
行业投资评级 - 报告对美光维持积极展望 未明确提及整体行业投资评级 [22] 核心观点 - AI 应用活跃度持续提升 海外 Gemini 活跃度大幅增长 国内豆包等应用保持稳定 [2][9] - 大模型技术快速迭代 阿里巴巴发布 Qwen3-Omni 和 Qwen3-Max 在多项基准测试中领先 DeepSeek 开源升级版模型优化编程与推理性能 [11] - 美光 FY25Q4 业绩超预期 收入达 113 亿美元创历史新高 同比增长 46% 环比增长 22% 非 GAAP EPS 为 3.03 美元同比大增 157% [12] - HBM 成为美光核心增长引擎 Q4 收入近 20 亿美元 年化约 80 亿美元 份额已与整体 DRAM 持平 锁定 2026 年供给 HBM4 预计 2026 年量产 [15] - OpenAI 拓展 AI 硬件领域 与立讯精密合作开发消费级 AI 原型设备 与歌尔股份洽谈零部件供应 整合前苹果设计师团队强化工业设计 [23] AI 应用与模型发展 - 海外 Gemini 应用活跃度周均环比大幅提升 ChatGPT 保持平稳 国内豆包活跃度持续增长 [2][9] - 阿里巴巴 Qwen3-Omni 在 36 项音视频基准测试中取得 22 项 SOTA 音频能力媲美 Gemini2.5-Pro Qwen3-Max 在代码与智能体方面领先 LMArena 排行榜全球前三 [11] - DeepSeek-V3.1-Terminus 优化编程与搜索智能体性能 HLE 等基准性能提升最高达 36.5% [11] - 可灵 AI 推出可灵 2.5Turbo 模型 降价近 30% 文本响应、动态效果和视频生成稳定性显著提升 [11] 美光业绩与战略 - FY25Q4 数据中心业务收入占比提升至 56% 毛利率高达 52% 成为核心增长支柱 [12] - 推出业界首款 G9 NAND PCIe Gen6 SSD 满足 AI 负载需求 与英伟达合作推动 LPDRAM 在服务器端应用 成为数据中心唯一 LPDRAM 供应商 [18] - FY25 全年净资本开支 138 亿美元 FY26 预计提升至 180 亿美元 主要投向 DRAM 获得 20 亿美元政府激励对冲支出 [18] - DRAM 和 HBM 毛利率有望维持在健康水平 公司已形成以 HBM、高价值 DRAM、AI SSD 与 LPDRAM 为核心的产品组合优势 [19][22] AI 硬件与生态拓展 - OpenAI 合作立讯精密开发口袋大小、具备上下文感知能力的 AI 原型设备 合作歌尔股份提供扬声器和声学模组 [23] - 整合前苹果设计师 Jony Ive 团队负责工业设计与交互体验 探索端侧 AI 战略以减少云端依赖、降低延迟、提升隐私保护 [23] - 面临能耗与续航瓶颈、模型轻量化难题、交互体验设计、生态应用不足以及成本与市场接受度等挑战 [23] 海外市场行情 - 英特尔周涨跌幅 20.01% 美满电子周涨跌幅 12% 苹果周涨跌幅 4.06% 特斯拉周涨跌幅 3.36% [6] - 高通周涨跌幅 1.41% Qorvo 周涨跌幅 1.32% 超威半导体周涨跌幅 1.32% 英伟达周涨跌幅 0.86% [6] - 微软周涨跌幅 -1.25% 谷歌周涨跌幅 -3.21% 亚马逊周涨跌幅 -5.05% Meta 周涨跌幅 -4.45% [6]
Micron Technology(MU) - 2025 Q4 - Earnings Call Transcript
2025-09-24 07:02
好的 我将为您总结美光科技2025财年第四季度财报电话会议的关键要点 财务数据和关键指标变化 - 第四季度毛利率达到50%以上 为2017-2018年以来最高水平 [42] - DRAM毛利率高于2022年中期水平 营业利润率为2018年11月以来最高 [42] - 预计第二季度毛利率将继续环比上升 [44] - 利息收入预计转为正值 因资本化利息增加 债务减少和现金余额增加 [79] 各条业务线数据和关键指标变化 - NAND位元出货量在第四季度下降 但管理层表示这只是各细分市场组合变动的噪音 [8] - 数据中心SSD市场份额连续多年创纪录 市场地位强劲 [9] - HBM业务在2025年第三季度达到DRAM供应份额水平 预计2026年份额将高于2025年 [17] - DDR4业务占比为低个位数百分比 已进入产品生命周期结束阶段但因客户极度短缺而延长 [39] - HBM和非HBM DRAM采用不同商业模式 HBM具有长期订单可见性和价格锁定特点 [19] - 退出管理型NAND业务 将更多供应集中于数据中心市场 [11] 各个市场数据和关键指标变化 - 超大规模企业因HDD市场短缺而需要显著更多存储容量来支持AI服务器部署 [8] - 数据中心SSD部署预计将在2026年增加 [8] - AI服务器倾向于使用最高容量驱动器 积极使用100TB 120TB和245TB驱动器 [57] - 数据中心细分市场现在占整体市场一半以上 并继续以高于其他市场的速度增长 [64] - HBM 高容量DIMM和用于数据中心的LPDRAM这三个类别在2025财年达到100亿美元收入 [65] 公司战略和发展方向和行业竞争 - 资本支出将从2025年的138亿美元净额增加到2026年的约180亿美元净额 绝大部分用于DRAM建设和设备 [13] - 正在爱达荷州建设新晶圆厂 预计2027年下半年开始生产 [34] - 在日本和台湾优化生产 利用可用洁净室空间 [35] - HBM3E产品具有最高性能和比任何竞争对手低30%的功耗 [23] - HBM4产品具有最高性能 超过11Gbps引脚速度和2.8TB/s带宽 [25][77] - 相信HBM4的竞争格局变化主要发生在两个竞争对手之间 不会对美光份额产生重大影响 [26] 管理层对经营环境和未来前景的评论 - DRAM市场已经紧张且将变得更加紧张 NAND市场正在改善并变得更加紧张 [9] - 行业供应增长受限因素包括:库存水平低于目标 DDR4/LP4延长生命周期限制技术转型 HBM硅强度增加 新晶圆厂建设时间长 [44] - AI已彻底改变格局 数据中心成为更大且更高价值的机会 [64] - 推理工作负载往往是内存密集型 随着推理成为AI市场更大组成部分 客户将寻求增加内存容量和带宽的架构 [72] - 正在考虑长期协议 但会慎重考虑美国制造 232条款半导体关税和行业结构变化等因素 [82] 其他重要信息 - 一伽马(1γ)DRAM技术在本季度达到成熟良率并首次向超大规模企业发货 [47] - 一伽马和一贝塔(1β)生产已占位元输出的重要多数 且混合比例将在2026财年继续向一伽马倾斜 [47] - HBM4成本高于HBM3 价格将显著高于HBM3E [49] - 2025财年成本降低情况:DRAM前端(不包括HBM)略高于高个位数 NAND为中十位数 包含HBM的DRAM为低个位数百分比 NAND为低十位数 [53] - 平均容量预计将继续快速提升 高容量驱动器将有显著需求 [55] 问答环节所有提问和回答 问题: NAND行业状况和位元增长前景 [6] - NAND位元下降主要是各细分市场组合变动的噪音 [8] - 超大规模企业因HDD短缺需要更多存储容量 数据中心SSD部署将在2026年增加 [8] - NAND供应方面结构性减少晶圆产出 继续减缓节点转换速度和新节点爬坡速度 [10] - 退出管理型NAND将释放更多供应专注于数据中心市场 [11] 问题: 资本支出构成和DRAM重点 [12] - 资本支出从138亿美元增加到约180亿美元 绝大部分用于DRAM建设和设备 [13] 问题: HBM市场份额目标和盈利能力 [17][19] - HBM份额在2025年第三季度达到DRAM供应份额水平 2026年全年份额将高于2025年 [17] - HBM业务具有长期订单可见性 价格锁定和更稳定的投资回报特点 [19] - HBM预计在整个周期内具有更高的投资回报率 但非HBM DRAM也可能在某些时候挑战甚至超过HBM盈利能力 [20] 问题: HBM4竞争地位和份额预期 [23] - HBM3E具有最佳性能和最低功耗 HBM4起始位置比HBM3E好得多 [23] - HBM4具有最高性能 相信客户会强烈偏好美光产品 [25] - HBM竞争格局变化可能主要发生在两个竞争对手之间 [26] 问题: 资本支出中设备与设施拆分 [27] - 不提供具体拆分 但绝大部分支出用于DRAM建设和设备 [28] - 正在多个地点扩张 包括爱达荷州新晶圆厂 [29] 问题: DRAM收入构成和毛利率贡献 [39] - DDR4占比为低个位数百分比 已延长产品生命周期结束时间 [39] - 不评论HBM和非HBM DRAM之间的相对利润率 [39] - DRAM行业紧张 预计2026年将进一步收紧 推动非HBM产品组合价格和利润率改善 [40] 问题: 毛利率改善驱动因素和极限 [41] - 市场条件持续改善 DRAM非常紧张 NAND继续改善 [42] - 供应约束 将位元转向最佳产品 持续良好的成本改进都提供扩大利润率的能力 [44] - 数据中心和高性能市场需求对业务有有利影响 [48] 问题: 一伽马与一贝塔技术混合比例 [47] - 一伽马和一贝塔已占位元输出的重要多数 混合比例将在2026财年继续向一伽马倾斜 [47] - 一伽马将是2026财年位元增长的主要来源 [47] 问题: HBM4与HBM3E利润率比较 [49] - HBM4成本更高 价格将显著高于HBM3E [49] - 不按产品线讨论利润率 但预计HBM将在多年内带来良好的投资回报能力 [49] 问题: 2026财年成本降低预期 [52] - 仅提供了2025财年成本降低数据 未给出2026财年目标 [53][69] 问题: SSD平均容量趋势和AI服务器影响 [54] - 平均容量预计将继续快速提升 高容量驱动器将有显著需求 [55] - AI服务器使用最高可用容量 从100TB 120TB到245TB驱动器 [57] 问题: HBM3E效率改进和封装良率 [61] - 对12层HBM3E良率提升速度感到满意 最大的效益提升已经发生 [62] 问题: 业务结构变化和毛利率改善 [63] - AI彻底改变了格局 数据中心现在占整体市场一半以上且继续更快增长 [64] - HBM 高容量DIMM和LPDRAM三个类别在2025财年达到100亿美元收入 [65] - 数据中心需求紧张正在推动整个市场价格上涨 帮助整个产品组合盈利能力 [66] 问题: 推理市场GDDR7架构对HBM影响 [70] - AI市场将发展出许多不同用例和优化架构 [71] - 推理工作负载往往是内存密集型 客户将寻求增加内存容量和带宽的架构 [72] - 美光在HBM GDDR7和LPDRAM方面都具有行业领先能力 [73] 问题: HBM4性能超出JEDEC标准原因 [76] - 客户寻求尽可能提高最终客户投资回报 [77] - 更高带宽可以增加token数量 减少首次token时间 降低每token成本 [77] 问题: 长期协议讨论情况 [82] - 对某些协议有兴趣 但会慎重考虑条款期限 美国制造 关税和行业结构变化等因素 [82] 问题: 退出智能手机管理型NAND原因 [84] - 基于投资回报考虑 移动NAND市场竞争激烈程度不利于强劲投资回报 [85] - 产品组合改善使公司能够更积极地将资源集中在盈利能力最高的部分 [86] - NAND业务已完成第二年正自由现金流 [87] 问题: 退出管理型NAND对客户关系影响 [88] - 客户对重要供应商离开细分市场不满意 但DRAM业务对客户至关重要且选择更少 [88] - 已支持客户向其他供应商过渡NAND产品 继续在DRAM方面保持强大供应关系 [88]
Micron Technology(MU) - 2025 Q4 - Earnings Call Transcript
2025-09-24 05:32
财务数据和关键指标变化 - 2025财年第四季度营收达到创纪录的113亿美元,环比增长22%,同比增长46% [21] - 2025财年第四季度毛利率为45.7%,环比上升670个基点 [24] - 2025财年第四季度非GAAP摊薄后每股收益为3.03美元,环比增长59%,同比增长157% [26] - 2025财年全年营收达到创纪录的374亿美元,同比增长49% [4][21] - 2025财年全年毛利率为41%,较2024财年提升17个百分点 [4][21] - 2025财年全年每股收益为8.29美元,较上年增长538% [21] - 2025财年第四季度运营现金流为57亿美元,资本支出为49亿美元,自由现金流为8.03亿美元 [26] - 2025财年全年自由现金流为37亿美元,占营收的10% [26] - 2025财年第四季度末库存为84亿美元,库存天数为124天,环比减少15天 [26] - 2026财年第一季度营收指引为创纪录的125亿美元(±3亿美元),毛利率指引为51.5%(±100个基点),每股收益指引为创纪录的3.75美元(±0.15美元) [29] 各条业务线数据和关键指标变化 - DRAM业务:2025财年第四季度DRAM营收创纪录,达到90亿美元,环比增长27%,同比增长69%,占总营收79% [21];2025财年DRAM营收为286亿美元,同比增长62% [21];DRAM位元出货量环比增长低十位数百分比,价格环比增长低双位数百分比 [21] - NAND业务:2025财年第四季度NAND营收为23亿美元,环比增长5%,同比下降5%,占总营收20% [21];2025财年NAND营收为85亿美元,同比增长18% [21];NAND位元出货量环比下降中个位数百分比,价格环比增长高个位数百分比 [21] - 云内存业务单元:2025财年第四季度营收为45亿美元,占总营收40%,环比增长34%,毛利率为59%,环比提升120个基点 [23] - 核心数据中心业务单元:2025财年第四季度营收为16亿美元,占总营收14%,环比增长3%,毛利率为41%,环比提升400个基点 [23] - 移动客户端业务单元:2025财年第四季度营收为38亿美元,占总营收33%,环比增长16%,毛利率为36%,环比提升12个百分点 [24] - 汽车与嵌入式业务单元:2025财年第四季度营收为14亿美元,占总营收13%,环比增长27%,毛利率为31%,环比提升540个基点 [24] 各个市场数据和关键指标变化 - 数据中心市场:2025财年数据中心业务营收占总营收56%,毛利率达52% [11];HBM、高容量DIMM和低功耗服务器DRAM合计营收达到100亿美元,较上一财年增长超过五倍 [4];2025财年第四季度HBM营收接近20亿美元,年化运行率接近80亿美元 [11] - PC市场:预计2025日历年PC出货量将增长中个位数百分比,此前预期为低个位数百分比增长 [15] - 智能手机市场:预计2025日历年智能手机出货量增长维持在低个位数百分比范围 [16];2025日历年第二季度旗舰智能手机中有三分之一配备了12GB或更多DRAM [16] - 汽车与嵌入式市场:汽车和工业需求在整个季度走强,超过初始预测 [17] 公司战略和发展方向和行业竞争 - 技术领先:1-gamma DRAM节点达到成熟良率的速度比上一代快50%,是行业首家出货1-gamma DRAM的公司 [8];G9 NAND生产爬坡进展顺利,已为TLC和QLC NAND进行爬坡,并完成企业级存储的G9 QLC NAND认证 [8] - 产能扩张:爱达荷州新晶圆厂完成关键建设里程碑,获得CHIPS拨款,预计2027年下半年首次产出晶圆 [9];开始第二座爱达荷州晶圆厂的设计工作 [9];日本晶圆厂安装首台EUV工具以实现1-gamma能力 [9];新加坡HBM封装测试设施建设按计划进行,预计2027年开始贡献HBM供应能力 [9] - HBM领导力:HBM4 12-high产品按计划支持客户平台爬坡,客户样品带宽超过2.8 TB/秒,引脚速度超过11 Gb/秒 [12];HBM4E将提供标准产品和定制化基逻辑芯片选项,并与台积电合作制造 [12];HBM客户群已扩大至六家客户 [13] - AI应用:AI在整个公司范围内用于产品设计、技术开发、制造等,在某些生成式AI用例中生产率提升高达30%-40% [7] 管理层对经营环境和未来前景的评论 - 行业需求:预计2025日历年行业DRAM位元需求增长为高十位数百分比,NAND位元需求增长为低至中十位数百分比 [18];预计2025日历年服务器总出货量增长约10%,传统服务器出货量增长预期从中个位数百分比上调至高个位数百分比 [10] - 行业供应:预计2025日历年公司非HBM DRAM和NAND的位元供应增长将低于行业位元需求增长 [18];行业DRAM环境紧张,NAND市场状况改善 [18];预计2026日历年行业DRAM供应将更加紧张,NAND市场状况将持续改善 [19] - 资本支出:2025财年资本支出为138亿美元,预计2026财年资本支出将高于2025财年水平,主要用于DRAM前端设备和晶圆厂建设 [20] 其他重要信息 - 库存管理:DRAM库存天数低于目标水平,NAND库存天数环比改善 [26] - 财务状况:季度末持有119亿美元现金和投资,总流动性为154亿美元;季度内减少债务9亿美元 [27] - 运营费用:2026财年第一季度运营费用预计约为13.4亿美元(±2000万美元),环比增加主要由数据中心产品创新的研发驱动 [28] - 税收:预计2026财年第一季度和全年税率约为16.5% [28] 总结问答环节所有的提问和回答 问题: 2026财年第一季度营收增长和毛利率的驱动因素 [32] - 营收增长主要由DRAM驱动,DRAM占比将高于NAND [33];毛利率环比580个基点的提升由产品组合、定价和成本削减共同驱动 [33];需求端数据中心支出强劲,传统服务器支出改善,PC、智能手机、汽车等内容增长;供应端由于结构性因素紧张 [34][35] 问题: HBM总目标市场更新和2026年展望 [36] - 长期来看,预计到2030年HBM总目标市场将达到1000亿美元,HBM位元复合年增长率将超过DRAM [37];HBM价值主张持续增长,规格要求日益严苛,公司产品定位良好 [37];对AI数据中心基础设施支出的数万亿美元投资为内存和HBM带来巨大机遇 [38] 问题: 从HBM3到HBM4的过渡时间、HBM3E定价和份额展望 [42] - HBM4将于2026日历年第二季度首次量产,并在2026年下半年爬坡 [43];HBM3E在2026年的定价协议已与几乎所有客户就绝大部分供应量完成 [43];预计2026年HBM份额将增长 [43];2026年整体DRAM供需环境健康,有利于HBM和非HBM的盈利能力 [44] 问题: 毛利率前景和云数据中心业务利润率扩张空间 [45] - 预计毛利率在第二季度将环比改善,受DRAM供应紧张及定价、NAND业务改善、产品组合向高价值市场倾斜以及良好成本表现推动 [46];需求因素持久,供应因库存健康、节点转换受限、新产能建设周期长而紧张 [46];预计2026年HBM和非HBM利润率都将保持健康 [47] 问题: DRAM需求可持续性和季节性 [50] - AI趋势强劲,从训练扩展到推理,应用和架构创新拓宽数据中心和边缘设备的需求向量 [52];AI服务器、传统服务器、AI智能手机和AI PC共同推动DRAM需求强劲增长 [52];客户和供应商库存处于良好水平,公司DRAM供应紧张 [53][55] 问题: 2026财年资本支出构成和总额 [56] - 2026财年资本支出大部分将用于DRAM,包括新洁净室空间建设、节点转换工具和新建晶圆厂前期安装 [57];资本支出框架约为180亿美元(净额),净资本支出为总资本支出减去政府激励 [57];2025财年总资本支出为158亿美元,政府激励为20亿美元,净资本支出为138亿美元 [57] 问题: 库存水平和供应紧张可持续性 [61] - 预计库存天数将维持在第四季度水平或更好,DRAM将保持紧张,低于目标水平,NAND库存天数预计将下降 [62];1-gamma爬坡支持非HBM产品需求,HBM产品由1-beta支持,专注于生产效率和洁净室空间利用 [63] 问题: HBM4性能提升和功耗 [64] - HBM4带宽超过2.8 TB/秒,引脚速度超过11 Gb/秒,通过创新的DRAM设计、内存架构、先进的DRAM和基芯片CMOS技术实现,性能领先 [65];公司内部CMOS基芯片提供竞争优势 [65];产品按计划准备量产 [66] 问题: 2026日历年HBM供应量和灵活性 [71] - HBM3E的定价和体积协议已与大多数客户完成,HBM4协议预计在未来几个月内完成 [72];公司通过前端晶圆(使用相同的1-beta)和封装测试产能的灵活性,可管理HBM与非HBM的产品组合,以投资回报率为导向 [73][74] 问题: HBM4E基芯片选项和混合 [75] - HBM4使用公司内部基芯片,HBM4E(预计2027年产品)将提供标准产品和定制产品,并与台积电合作 [76];定制化预计将带来更高毛利率 [76];公司内部逻辑芯片是差异化优势的关键 [77]
Susquehanna Raises Micron (MU) PT to $200, Sees Strong Earnings Ahead
Yahoo Finance· 2025-09-23 05:15
分析师评级与目标价调整 - Susquehanna分析师Mehdi Hosseini将美光科技目标价从160美元上调至200美元 并维持正面评级[1] - 此次评级调整发生在公司9月23日发布财报之前[1] 财务业绩预期 - 公司预计美光科技将超越市场预期并上调业绩指引[2] - 预计公司的评论将强调平均售价和毛利率将保持强劲 并持续到2026年[2] - 预计到2026年底 公司季度每股收益将达到5美元[4] 产品与技术前景 - 产品组合向高附加值产品转移是关键驱动因素 包括高带宽内存、GDDR7、低功耗动态随机存取存储器和企业级固态硬盘[3] - 高带宽内存堆栈将从2025年的8层转向2026年的12层[4] - 更高的带宽预计将使HBM4的平均售价比HBM3E提高至少50%[4] 行业动态与公司战略 - 分析师不认同市场对2026年高带宽内存价格可能下跌的担忧[3] - 整个行业的资本支出趋于自律[4] - 公司专注于盈利能力而非市场份额[4]