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闪德资讯存储市场洞察报告 2025年2月
闪德资讯· 2026-01-20 16:45
报告行业投资评级 * 报告未明确给出统一的行业投资评级,但通过对市场各环节的分析,传递出对存储行业在2025年第二季度及之后触底复苏的乐观预期 [40][42][50][66] 报告核心观点 * 宏观经济与半导体市场情绪存在不确定性,但制造业呈现扩张趋势,AI发展前景与地缘政治风险并存 [8][11][18] * 上游原厂积极扩产先进制程与HBM产能,同时通过技术迁移和减产来优化供应结构并稳定价格,行业库存去化已见成效 [19][22][32][36][46] * 存储模组厂普遍认为产品价格已触底或企稳,看好第二季度起市场复苏,AI应用与新产品将驱动需求 [40][42][51] * 国内现货市场在2025年初保持平稳,春节后出现回暖迹象,低容量产品因供应紧张率先涨价,原厂与头部品牌有意拉涨价格 [44][52][57][58][66] * AI终端(如AI PC、AI手机)的硬件创新与生态竞争加速,但消费端换机需求尚未完全激发,传统消费电子与汽车半导体需求复苏缓慢 [85][86][90][92][93] * 全球多地出台产业政策支持半导体与AI发展,同时地缘政治因素导致贸易限制与供应链转移风险加剧 [97][98][99] 根据相关目录分别进行总结 宏观经济 * 2025年2月中国制造业PMI为50.2%,环比上升1.1%,保持扩张趋势 [8][10] * 2025年1月美国制造业PMI为50.9%,自2024年10月起呈上涨趋势,进入生产加速扩张状态 [8] * 2月费城半导体指数从4924.81下滑至4766.75,万得半导体指数涨跌幅从3.22%下滑至-4.74%,市场受AI前景、关税政策及企业财报影响波动 [11][14] 上游市场:机构预测 * Omdia预测2025年DRAM晶圆投入量:三星电子计划789万片,同比增6%;SK海力士计划592万片,同比增15%;美光计划360万片,小幅增加;长鑫存储计划237万片,同比增54% [19] * SEMI预期2025年全球半导体月产能将年增6.6%,达3360万片约当8寸晶圆,其中7nm以下先进制程月产能将增16%至220万片 [20][22] * SEMI指出晶圆代工厂2025年月产能估增10.9%至1260万片,存储器扩产转趋缓和,但HBM需求带来结构性变化,DRAM月产能估年增约7%至450万片 [22][23] * Gartner将2025年全球半导体产业规模预期从7391.73亿美元下修至7167.23亿美元,年增长率从16.6%下修至13.8% [23] * Gartner预估2025年存储芯片年增33%,若扣除存储芯片,标准型芯片仅成长约5%~9%,而GPU和AI处理器成长性居冠,预计再成长24% [25] * Counterpoint Research表示晶圆代工产业2025年营收增长挑战20%,先进制程产能利用率维持高位,成熟制程复苏迟缓 [26][28] 上游市场:原厂企业动态 * 三星电子2024年第四季度DS部门销售额30.1万亿韩元,营业利润2.9万亿韩元,已生产HBM3E 16层样品,HBM4目标2025年下半年量产 [29][32] * 三星电子预计DRAM和NAND的客户库存调整持续至第一季度,位增长预计环比减少10%,第二季度起随AI新品推出及GPU供应改善,需求预计恢复 [32] * 三星电子正升级西安工厂至286层NAND工艺,计划下半年建立月产能2000至5000片晶圆的V9生产线,并通过向1b纳米、DDR5/LPDDR5x、V8 NAND及QLC SSD转型优化产品组合 [33] * SK海力士计划2025年第一季度末开始批量生产基于CXL标准的DDR5内存模块 [34] * 美光新加坡HBM封装工厂已动工,计划到2025年将HBM市场份额提高到20%,HBM产能预计从2024年底的每月2万片扩大到2025年底的每月6万片 [34] * 铠侠预计智能手机和PC客户库存将在2025年中期前正常化,下半年需求复苏,2025年NAND Flash位元增长率预估10-14% [35] * 三大DRAM厂正将生产转向服务器DDR5、HBM等高端产品,可能年内停产DDR3和DDR4;为应对价格下跌,三星、SK海力士、美光等正通过工艺转换实现“自然减产” [36] * 慧荣科技2024年全年营收8.0355亿美元,毛利率从43%提升至46.2%,预计2025年业绩增长来自PCIe Gen5 SSD、UFS 4.1等新产品的上市 [37][39] 上游市场:模组厂动态 * 南亚科2025年2月合并营收22.73亿元,月增5.1%,其总经理预期DRAM市场有望在上半年触底止跌上涨 [40] * 威刚2025年2月营收33.43亿元新台币,月增18.79%,认为DRAM与NAND Flash现货价回稳,原厂减产效应显现,第一季是产业谷底,第二季起正向发展 [40] * 华邦电2025年2月营收63.54亿元,月增4.73%,预计下半年网通市场改善将带动DRAM供需好转及价格上涨 [40] * 旺宏2025年2月营收18.94亿元,月减4.95%,其NOR Flash预计2025年回归增长轨道,当前公司库存高达134亿元,首要目标为大幅降低库存 [41] * 因美国关税问题,宏碁计划将产品售价调涨10%,并考虑探索在美国生产笔记本电脑的可能性;华擎科技表示将把至少部分制造业务迁出中国 [43] * PC OEM厂商自2024年底以来加大早期零部件采购力度,为可能出现的美国关税上调做准备 [43] 国内现货市场 * 2025年初国内存储现货市场保持平稳,价格缓跌,需求疲软,部分OEM厂商出现破价行为 [44] * 春节前后,原厂减产使NAND库存清理接近尾声,部分企业库存降至最低点,原厂有意节后坚守价格底线 [45][46] * 2025年第四季度末,三星电子、SK海力士、美光的存货周转天数分别为100天、127.65天、147.57天,较第三季度有所下降,去库存见效 [46] * 2月份16Gb DDR5内存成本从4.70美元攀升至4.90-5美元,月涨幅超4%,而DDR4价格有所下降;三星2025年3月DDR5合约价预计月增约5% [47] * 截至2月,智能手机和PC厂商内存库存已减至8-9周,较2024年下半年减少50%以上,预计第二季末将降至6-7周正常水平 [48][50] * 原厂拟自2025年第二季起调涨DRAM价格,NAND价格也将随库存去化逐步回稳 [50] * 1月至2月,64G TLC / 128G TLC / 128G QLC闪存合约价从3.15美元 / 5.6美元 / 4.7美元降至2.85美元 / 5.2美元 / 4.5美元 [52] * 2月下旬,品牌SSD低容量产品因资源供应缺乏,价格明显上涨,最大涨幅达14% [57] * 2月,OEM SSD价格普遍上涨,SATA 3.0涨幅2-10元,NVME 3.0涨幅3-60元,NVME 4.0涨幅5-50元 [58] * 2025年初品牌及OEM内存条报价下跌,D3价格稳定,D4供应充足,D5颗粒价格已出现上涨趋势但消耗未达预期 [60][63] * USB市场在2月底受SSD涨价带动,主流容量价格小幅上涨;TF卡因颗粒缺货,64G/128G价格涨幅在0.4-0.5元之间 [64][66] * 截至2024年第三季度末,国内上市存储企业存货情况:英唐智控6.87亿元(同比下降5.82%)、江波龙78.15亿元(同比上涨61.13%)、香农芯创16.79亿元(同比上涨12.44%)、德明利34.51亿元(同比上涨114.87%)、佰维存储37.41亿元(同比上涨6.33%) [73][74][77][79][80] 应用市场 * 英特尔、AMD、高通、英伟达、联发科等均在2025年初发布新一代AI PC或移动处理器,强调本地AI算力 [85][86][87][89][90] * 中国手机厂商加速“多终端协调”战略,接入DeepSeek等大模型,进入生态化竞争,但消费者换机周期延长至近4年,AI手机未带来预期换机热潮 [90][91] * Digitimes预估2025年第一季全球笔电出货量季减近8%至4200万台以下,但全年出货量年增幅估在5%以下,2025年总量无法回升至1.8亿台水位 [92] * 汽车半导体行业需求持续疲软,库存调整时间超预期,恩智浦、德州仪器、意法半导体等表示一季度业绩将下降,意法半导体计划裁员3000人 [93] 行业新产品 * 2025年1-2月,铠侠、英睿达、美光、三星等品牌推出了多款基于PCIe 5.0接口的高性能SSD,最大顺序读取速度高达14800 MB/s [95] * 美光推出了16Gb DDR5-9200内存,额定数据传输率9200 MT/s;多家厂商推出了低延迟、高容量的DDR5内存套件,容量高达96GB [96] 行业政策 * 深圳市计划到2026年AI终端产业规模达8000亿元以上,产量突破1.5亿台,重点支持AI手机、AI PC等九大品类 [97] * 美国国防部将腾讯、宁德时代、长鑫存储、长江存储、中芯国际等134家中企列入“中国涉军企业”清单 [98] * 美国政府对AI芯片实施三级管制,中国、俄罗斯等被完全禁止取得美国先进技术;荷兰自4月1日起扩大对先进半导体设备的出口管制 [98][99] * 美国政府宣布自3月4日起对来自中国的进口产品再加征10%关税,使总加征税率达到20% [99] * 韩国政府决定设立最大50万亿韩元规模的五年期“尖端战略产业基金”,助力半导体、AI等产业发展 [99]
现货市场报价混乱,本周存储价格持续上涨 | 闪德周评
搜狐财经· 2025-11-21 16:50
市场整体态势 - 存储市场持续供不应求,各类产品价格保持上涨势头 [1] - 原厂合约价大幅上涨,现货市场价格更为疯狂,部分产品报价已经翻倍 [1][2] - 供需矛盾短期内很难缓解,预计各类产品将呈现震荡上行的趋势 [2] - 市场成交量因价格过高而下降,整体成交订单陷入低迷 [1] 供应链影响 - 存储价格大幅上涨已彻底影响消费电子整条供应链,手机、电脑、电动车、服务器等行业均感受缺货和涨价压力 [1] - 供应链各个环节观察价格走势,暂时无法确定未来产品规划和采购决策 [1] - 模组厂受上游资源涨价影响,原定第四季度发布的新产品已全面推迟至2026年推出 [1] - 终端应用市场交期拉长并被动上调价格,成本压力逐渐加大 [8] 固态硬盘(SSD)市场 - SSD产品价格持续上涨,交期持续延长,出现有价无市现象 [1][3] - 上游晶圆原厂受企业级与HBM订单挤压,持续收紧消费级渠道货源并拉高合约价 [3] - NVME3.0所有容量价格呈上涨态势,涨幅区间在2%-3%左右 [5] - NVME4.0所有容量价格呈上涨态势,涨幅区间在1%-3%左右 [5] - SATA3.0所有容量价格呈上涨态势,涨幅区间在1%-6%左右 [5] 内存(DRAM)市场 - DRAM价格继续大幅上涨,现货颗粒价格剧烈波动,成交活跃 [1][6] - 现货颗粒价格已超过成品条价格,买卖颗粒成为市场热点 [6] - AI数据中心持续消耗内存是市场持续紧张的主要原因 [6] - 内存OEM市场D4板块所有容量呈上涨态势,涨幅区间在19%-32%;D3板块涨幅区间在14%-15% [7] - DRAM模组销售变为配货制,需搭配主机板购买 [1] 闪存(FLASH)颗粒市场 - Flash Wafer原厂合约价全线上涨,64G TLC涨幅高达38% [8][9] - 现货市场流通货源极度稀缺,贸易商哄抬价格致报价翻倍已成常态 [8] - 原厂形成了极强的价格纪律,从市场份额转向利润导向 [8] - 新增产能需至2026年才能缓解市场压力 [8] USB及存储卡市场 - USB市场报价呈上涨态势,但终端需求疲软,成交量萎缩 [2][10] - TF卡市场受晶圆端影响,厂商被迫再次上调报价且货源不稳定 [10] - PCBA报价除16G容量不变,其它容量呈上涨态势,涨幅区间在1%-7% [12] - UDP所有容量呈上涨态势,涨幅区间在8%-16% [12] - TF卡所有容量呈上涨态势,涨幅区间在7%-22% [12]
别笑印度开挂了!这俩发明全球跪了:没它抖音都刷不了
新浪财经· 2025-07-09 20:24
印度软件行业发展史 - 上世纪八九十年代印度软件业成为全球标杆 中国软件业曾以印度为学习榜样 印度InfoSys公司达到CMM5级认证成为行业标杆 [1] - 印度软件业优势包括时区优势 英语优势和流程管理优势 中国《计算机世界》杂志曾将印度软件业称为"中国软件业的镜子" [1] - 中国最终选择互联网发展道路 而印度坚持在技术底层创新 开发出USB和DCT算法等基础技术 [1] DCT算法发展历程 - 1972年印度教授纳西尔·艾哈迈德在无工资情况下坚持研究 开发出DCT算法 最初目的是实现图像压缩让家人远程查看照片 [2][3] - DCT算法通过分离图像低频和高频信息 保留关键视觉信息 实现10:1的压缩比 人眼几乎无法察觉画质损失 [6][7] - 1992年DCT被采纳为JPEG标准核心算法 随后扩展到MP3音频 MPEG视频等压缩标准 成为数字媒体传输基础 [7] DCT算法技术原理 - DCT将图像从空间域转换到频率域 类似"超级整理师"对杂乱像素进行结构化处理 [4] - 算法优先保留低频信息(如轮廓和光影) 舍弃部分高频信息(如细节纹理) 实现高效压缩 [6] - 该算法实现了信息论创始人香农提出的有损压缩理论 解决了数字图像存储和传输的核心难题 [7] 印度科技创新特点 - 印度科技人才倾向于深耕基础技术领域 而非追逐商业风口 形成"系统渗透"式发展模式 [10] - 印度裔科技人才在美国科技公司中占据重要地位 如谷歌 微软 Adobe等公司CEO均为印度裔 [10] - 印度创新文化注重解决实际问题 如艾哈迈德发明DCT的初衷是让家人远程查看照片 体现"科技温度" [13] DCT算法行业影响 - 目前全球超过100亿台设备使用DCT算法 支撑了图片 音频 视频等数字内容的存储和传输 [1][8] - 该算法是当代互联网视频通话 社交媒体 在线视频等应用的基础技术 如抖音 微信视频等功能都依赖DCT [7][8] - 2020年因疫情视频通话需求激增 艾哈迈德的贡献被重新关注 Netflix拍摄了相关纪录片 [9]
USB 太多太乱?看这一篇就够了
半导体行业观察· 2025-06-07 10:08
USB接口发展历程 - USB协议于1990年代末推出,取代串口和PS/2端口成为连接外设和存储设备的标准接口[1] - 目前主流接口为USB-A和USB-C,但仍存在多种速度和标准混用情况[1] - USB-IF论坛设计了认证图标体系帮助识别协议类型,但并非所有设备都采用这些付费认证标志[2] USB 2.0标准 - 2000年4月发布的USB 2.0标准传输速率达480Mbps,远超USB 1.1的12Mbps[5] - 该标准使USB进入主流市场,并引入经典三叉戟图标[5] - 目前USB 2.0端口在消费设备中已基本淘汰,仅部分游戏主板保留[5][6] USB 5Gbps标准 - USB 3.0于2008年11月推出,理论速度5Gbps(625MB/s)[9] - 后续更名为USB 3.1 Gen 1和USB 3.2 Gen 1[9] - 2019年推出简化品牌"USB SuperSpeed 5Gbps",2021年更新为带"5Gbps"字样的电缆图标[9][10] USB 10Gbps标准 - USB 3.1 Gen 2于2013年推出,速度提升至10Gbps(1250MB/s)[13] - 2017年更名为USB 3.2 Gen 2,2019年推出"USB SuperSpeed 10Gbps"品牌[13] - 当前官方图标与5Gbps类似,仅数字改为"10Gbps"[13] USB 20Gbps标准 - 2017年推出USB 3.2 Gen 2x2,速度达20Gbps且仅支持USB-C接口[16] - 消费市场品牌为"USB SuperSpeed 20Gbps",但采用率低[16] - 笔记本厂商通常不单独支持20Gbps,多与10Gbps或40Gbps端口搭配[16] USB4标准 - USB4于2019年推出,带宽翻倍至40Gbps(5000MB/s)[19] - 初期采用新版三叉戟标志,后改为传输速度加弯曲电缆图形[19] - 截至2025年中,获得USB-IF认证的40Gbps产品不足2000个[19] USB4版本2.0 - 2022年推出USB4版本2.0,速度达80Gbps(10000MB/s)[21] - 采用带"80Gbps"字样的电缆图形标志[21] - 目前支持设备极少,如雷蛇Blade 18的雷电5端口兼容但未标注[21] Thunderbolt协议 - Thunderbolt并非USB但使用USB-C接口并具有交叉兼容性[24] - 最新Thunderbolt 5协议速度达80Gbps,与USB4版本2.0相当[25] - 官方要求标注闪电符号加箭头图标,但厂商执行不统一[26] USB供电标准 - USB PD标准2012年推出,最高供电100W[29] - USB PD 3.1提升至240W,3.2版本加入可调电压源支持[29] - 标识为电池图形加"PD"字样,但设备上实际标注较少[29][30] DisplayPort Alt模式 - 2015年推出DisplayPort Alt模式,支持8K视频输出和100W供电[33] - 特征为USB-C接口旁标注DP图标[33] - 正逐步被USB4和Thunderbolt取代[34]