公司股权动态 - 清越科技控股股东昆山和高办理了股份质押登记手续，本次质押股份数量为900万股 [1] - 本次质押股份占控股股东昆山和高持股总数的5.28%，占公司总股本的2.00% [1] - 本次质押完成后，控股股东累计质押公司股份数量为900万股，占其持股总数的5.28%，占公司总股本的2.00% [1] 行业技术发展 - 中国新型芯片问世，该技术路线旨在绕开光刻机“卡脖子”问题 [1] - 据北京大学孙仲介绍，该新型芯片可支撑AI训练和具身智能 [1] - 该新型芯片可在28纳米及以上成熟工艺实现量产 [1]

公司动态 - 京源环保于2025年12月30日晚间发布公告 [1] - 公司第四届第二十一次董事会会议于2025年12月30日以通讯方式召开 [1] - 会议审议了《关于部分募投项目延期的议案》等文件 [1] 行业技术 - 中国新型芯片问世 旨在绕开光刻机“卡脖子”问题 [1] - 该新型芯片可支撑AI训练和具身智能 [1] - 该芯片可在28纳米及以上成熟工艺实现量产 [1]

公司动态 - 海利得于2025年12月30日晚间发布公告，宣布公司第九届第六次董事会会议于当日召开 [1] - 董事会会议审议了《关于向产业投资基金增资的议案》等文件 [1] 行业技术 - 有报道称中国新型芯片问世，旨在绕开光刻机“卡脖子”问题 [1] - 该新型芯片据称可支撑AI训练和具身智能，并可在28纳米及以上成熟工艺量产 [1]

公司治理与激励计划 - 公司于2025年12月29日召开了第三届第四次董事会会议 [1] - 会议以现场结合通讯的方式在公司广州分公司会议室举行 [1] - 会议审议了《关于调整2025年限制性股票激励计划授予价格及授予数量的议案》等文件 [1] 行业技术发展 - 中国新型芯片问世 旨在绕开光刻机"卡脖子"问题 [1] - 该新型芯片可支撑AI训练和具身智能 [1] - 该芯片可在28纳米及以上成熟工艺实现量产 [1]

公司人事变动 - 邦彦技术股份有限公司副总经理祝国强因已到法定退休年龄，辞去公司副总经理职务 [1] - 祝国强辞职后仍在公司担任其他职务 [1] 行业技术动态 - 中国新型芯片问世，可绕开光刻机"卡脖子"问题 [1] - 该新型芯片可支撑AI训练和具身智能 [1] - 该芯片可在28纳米及以上成熟工艺量产 [1]

公司动态 - 英科医疗于2025年12月30日晚间发布公告，宣布公司第四届第十三次董事会会议于当日召开 [1] - 会议以通讯方式在公司会议室举行，审议了《关于召开公司2026年第一次临时股东会的议案》等文件 [1] 行业技术 - 新闻报道提及中国新型芯片问世，该技术旨在绕开光刻机“卡脖子”问题 [1] - 据北京大学孙仲专访，该新型芯片可支撑AI训练和具身智能，并能在28纳米及以上成熟工艺实现量产 [1]

公司股权质押情况 - 公司控股股东厦门三安电子有限公司于12月30日办理了部分股份质押手续，本次质押股份合计1095万股[1] - 三安电子持有公司股份数量约为12.14亿股，占公司总股本比例为24.33%[1] - 本次质押后，三安电子累计质押股份数量约为5.99亿股，占其所持公司股份的49.38%[1] 控股股东整体持股与质押 - 三安电子及其控股股东福建三安集团有限公司合计持有公司股份数量约为14.7亿股，占公司总股本比例为29.47%[1] - 本次部分股份质押后，两家累计质押股份数量约为7.66亿股，质押股份约占两家所持公司股份的52.11%[1]

公司治理 - 公司于2025年12月29日以现场结合通讯方式召开了第八届第十一次董事会会议 [1] - 董事会会议审议了《关于召开公司2026年第一次临时股东会的议案》等文件 [1] 行业技术动态 - 有新型芯片问世 旨在绕开光刻机“卡脖子”问题 [1] - 该新型芯片可支撑AI训练和具身智能 [1] - 该新型芯片可在28纳米及以上成熟工艺实现量产 [1]

公司人事变动 - 江苏菲沃泰纳米科技股份有限公司于2025年12月30日召开第二届董事会第十七次会议，审议通过了《关于聘任公司财务总监的议案》[1] - 董事会同意聘任曲宁女士为公司财务总监，任期自董事会审议通过之日起至第二届董事会任期届满之日止[1] 行业技术动态 - 中国新型芯片问世，旨在绕开光刻机“卡脖子”问题[1] - 该新型芯片可支撑AI训练和具身智能，并可在28纳米及以上成熟工艺量产[1]

公司动态 - 元道通信于2025年12月30日晚间发布公告，宣布召开了第四届第十四次董事会会议 [1] - 董事会会议以现场结合通讯会议的方式召开 [1] - 会议审议了包括《关于部分募投项目延期的议案》在内的文件 [1] 行业技术 - 中国新型芯片问世，旨在绕开光刻机“卡脖子”问题 [1] - 该新型芯片可支撑AI训练和具身智能应用 [1] - 该芯片技术可在28纳米及以上的成熟工艺节点实现量产 [1]