关键要点 在 DRAM 芯片中，存储器阵列包含最密集的特征，但至少它们是规则排列的。在阵列外部，规则 性会消失，但在最困难的情况下，间距仍然可以与阵列内的间距相当，尽管通常更大。这些特征包 括外围最低的金属线，用于感测放大器 (SA) 和子字线驱动器 (SWD) 电路。 一个关键的挑战是这些线条在外观上是蜿蜒曲折的，并且间距在一定范围内变化；局部最大/最小 间距比范围可以从~1.4 到 2。这些间距具有不同的聚焦窗口，而在 EUV 光刻中，这些窗口之间的 距离可能大于光刻胶厚度。 如果将布局相应地分割为带拼接的双重图案，则可以在单次曝光内实现间距均匀性（图 1）。布局 被分割成交替颜色的条纹，每种颜色分配给两次曝光中的一次。特征可能会跨越条纹边界；在这种 情况下，两次曝光需要在边界处正确拼接。 如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容来自 semiwiki，谢谢。 图 1. 分割金属布局以实现缝合双重图案化，从而获得更好的间距均匀性。 或者，某些特征（如对角线）可能被禁止拼接，从而导致不同的布局分割（图 2）。 图 2. 或者分割金属布局以进行缝合双重图案化，从而实现更好的间距均匀性，避免对角线特 ...

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容来自semiwiki，谢谢。 要点总结： 随着间距的不断缩小，电子模糊、随机性和现在的偏振，都在 EUV 光刻中产生越来越强的影响。 随着 EUV 光刻技术的不断发展，目标是越来越小的间距，新的物理限制不断涌现，成为强大的障 碍。长期以来，随机效应已被认为是关键挑战，而电子模糊最近也得到了深入研究 [3]，现在偏振效 应正日益成为图像质量下降的一个令人担忧的问题。随着行业向 2nm 节点迈进，这些影响形成了一 场完美风暴，威胁着 EUV 印刷特征的质量。模糊和偏振导致的对比度损失使得随机波动更有可能跨 越印刷阈值。 图 1 显示了在 0.55 NA EUV 光刻系统上，18 nm 间距的偏振、模糊和随机性的综合影响。偶极子 引起的衰减 [6] 被忽略，因为它是一个相对较小的影响。如果假设非偏振光 [5]，则对比度损失为 14%，但电子模糊对加剧图像中的随机电子行为的影响更为显著（约 50% 的对比度损失）。总对比 度损失是通过将偏振引起的对比度降低与电子模糊引起的对比度降低相乘得到的。 边缘"粗糙度"非常严重，足以被视为缺陷。随机波动跨越印刷阈值的概率不可忽 ...

美光科技1γ节点DRAM技术突破 - 美光开始出货采用第六代1γ节点DRAM技术的DDR5内存样品 这是业界首次采用该节点发运产品 [1] - 1γ节点相比上一代1β节点速度提升15% 功耗降低20%以上 位密度提高30%以上 [1] - 功耗降低通过HKMG和电路设计改进实现 位密度提升主要得益于首次引入EUV光刻技术 [1] 技术细节与市场背景 - 数据中心内存需求预计2028年前三年内翻倍 2030年数据中心电力消耗将占全球8%以上 [1] - 美光DRAM开发在美国爱达荷州和日本广岛进行 制造基地分布在美国 台湾和弗吉尼亚州 [1] - 1γ节点开发在广岛完成 样品制造在引进EUV技术的台湾工厂进行 [1] 美光技术路线与战略 - 公司此前已率先推出1α和1β节点 从1β开始采用HKMG技术 [2] - 针对1γ节点首次引入EUV光刻工具 但仅在必需工序使用以平衡成本和生产效率 [2] - 公司认为DRAM技术发展正面临转折点 未来技术方向尚不明确 [2] - 美光强调保持技术领导地位的重要性 认为一旦落后可能需要10年才能重新领先 [2]

美光第六代DRAM技术突破 - 美光率先向客户出货基于1γ节点的16Gb DDR5内存样品，速度达9200MT/s，较上一代提升15% [1][4] - 1γ节点采用新一代高K金属栅极CMOS技术，功耗降低超20%，比特密度提升超30% [4][5] - 该技术将应用于云端、工业、消费电子及端侧AI设备，满足高性能计算需求 [3][4] DRAM市场竞争格局变化 - 美光市场份额从19.6%升至22.2%，三星和SK海力士分别降至41.1%和34.4% [8] - SK海力士已完成1c DDR5量产认证，计划2月初全面量产 [6][7] - 三星1c DRAM开发延迟至2025年6月，良率目标70%，可能影响HBM4进度 [7][10] HBM市场竞争态势 - SK海力士保持领先地位，正加快开发HBM4目标2026年量产 [13] - 美光已向英伟达供应8层HBM3E，即将量产12层产品，功耗低20%且容量高50% [11][12] - 三星落后于竞争对手，8层HBM3E刚进入小规模量产，12层产品仍在测试阶段 [11][14] 低功耗DRAM市场进展 - 美光将为三星Galaxy S25提供主要LPDDR5X芯片，首次成为三星主要内存供应商 [15] - 美光LPDDR5X芯片在功耗效率和性能上优于三星产品，解决发热问题 [15][17] - 2022年美光已为iPhone 15系列提供基于1b工艺的LPDDR5X [16] 技术发展与产能扩张 - EUV光刻技术使1γ DRAM容量密度提升30%，减少多重光刻步骤提高良率 [20][21] - 美光在日本和台湾增加EUV系统，计划发展1δ工艺和3D DRAM架构 [22] - 公司获得美国61.65亿美元补贴，计划在新加坡建70亿美元封装设施，日本广岛建HBM产线 [18] 行业影响与未来展望 - 美光计划2025年HBM市场份额达20%-25%，挑战SK海力士和三星主导地位 [23] - 三星已开始建设第七代DRAM试验线，试图重夺技术领先地位 [14] - 存储芯片行业竞争加剧，推动整体技术进步和产品升级 [19][23]

美光1γ工艺DDR5芯片技术突破 - 公司推出采用1γ制造工艺的16Gb DDR5芯片，首次应用EUV光刻技术，该工艺属于第6代10nm级节点[1] - 新产品额定数据传输率达9200 MT/s，标准电压1.1V，相比前代1β工艺产品功耗降低20%，位密度提升30%[1] - 新技术结合EUV与多重图案化DUV技术，采用下一代高K金属栅极和全新后端电路设计[4] 产品性能与市场应用 - 芯片9200 MT/s速度超出当前DDR5规范最高等级，但兼容JEDEC标准，可为下一代CPU提供未来防护[2] - 产品适用于CUDIMM/CXL内存模块和发烧友DIMM，后者可能实现10,000 MT/s超频模块[2] - 已向笔记本/服务器厂商送样，预计2025年中期进入零售市场，将覆盖台式机/笔记本/服务器全产品线[2] 生产工艺与产能规划 - 1γ工艺是公司首个采用EUV的技术节点，相比竞争对手延迟数年但带来显著优势[3] - 目前在日本晶圆厂生产，2024年安装首台EUV设备，未来将在日本和台湾工厂增加更多EUV系统[4] - 该工艺将成为公司主力节点，后续将用于GDDR7、LPDDR5X(9600 MT/s)及数据中心产品[3] 技术细节与性能提升 - EUV应用于关键层替代多重图案化，缩短生产周期并提升良率[4] - 新技术使性能比1β提升15%，同时保持20%的功耗优势[4] - 成本优势将在产量达到1β水平时显现，预计制造成本同步降低[1]