英特尔战略调整 - 英特尔新任CEO陈立武考虑对合同制造业务进行重大改革，可能不再向外部客户营销公司长期开发的某些芯片制造技术[1] - 前任CEO帕特·基辛格倾注巨资研发的18A制程正在失去对新客户的吸引力，可能需要减记数亿甚至数十亿美元[1] - 18A的主要客户长期以来一直是英特尔本身，目标是在2025年晚些时候提高其"Panther Lake"笔记本电脑芯片的产量[2] 制造工艺与技术竞争 - 英特尔18A制造工艺面临延期，其竞争对手台积电N2技术已步入生产阶段[2] - 公司将更多资源集中于14A工艺，预计比台积电更具优势，以争取苹果和英伟达等大客户[2] - 英特尔计划在今年晚些时候实现18A芯片的量产，内部芯片预计将比外部客户订单提前到货[4] 公司财务状况与挑战 - 2024年公司预计净亏损为188亿美元，是自1986年以来首次亏损[3] - 公司失去了制造优势，并在移动计算和人工智能等关键技术浪潮中落后[3] - 能否及时交付14A芯片以赢得大额合同还不确定，可能会选择坚持现有的18A芯片计划[4] 客户与市场策略 - 说服外部客户使用英特尔的工厂仍然是其未来发展的关键[2] - 公司正在根据主要客户的需求定制14A，以使其取得成功[5] - 陈立武已责成公司准备方案，最早将于本月与董事会讨论是否停止向新客户推广18A芯片[2]

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来 源： 内容 编译自 tomshardware 。 市场研究和技术咨询公司Yole Group预测，中国大陆将占据全球晶圆代工产能的30%，成为最大 的半导体生产中心。目前，中国台湾的产能最高，为23%，紧随其后的是中国大陆（21%）、韩国 （19%）、日本（13%）、美国（10%）和欧洲（8%）。据《电子时报》报道，由于中国政府致 力于实现芯片生产自给自足的目标，对国内半导体制造业进行了大规模投资，中国大陆预计将占据 领先地位。 不过，该报告似乎并未考虑美国正在建设的晶圆厂。目前已有多家公司在美国开工建设，其中以台 积电为首，该公司预计将在亚利桑那州生产其30%的先进芯片。英特尔、三星、美光、格芯和德州 仪器也都有正在建设中的项目，这将增加美国的晶圆产能。 此外，该报告并未具体说明中国晶圆厂的技术能力与西方同行相比如何。美国一直对最先进的芯片 制造技术实施出口管制，这使得中国企业更难获得生产最新芯片所需的设备。正因如此，北京方面 正投入数十亿美元，帮助填补其半导体行业的空白，例如光刻工具和电子设计自动化 (EDA) 软 件。因此，尽管中国在产能方面可能占据上风，但 ...

半导体制造技术演进 - 领先的晶圆代工厂和IDM厂商正朝着2纳米（或同等）技术节点量产迈进，环栅（GAA）纳米片晶体管将发挥核心作用，作为FinFET技术的后继者，旨在缩小SRAM和逻辑标准单元尺寸 [1] - GAA纳米片器件垂直堆叠两个或多个纳米片状导电沟道，每个逻辑标准单元包含p型和n型堆叠，允许缩小单元高度或加宽沟道以换取更大驱动电流，栅极全方位包围通道增强控制 [1] GAA纳米片技术发展 - 在过渡到CFET技术前，GAA纳米片预计持续至少三代技术，CFET因nMOS-pMOS垂直堆叠复杂度高，量产需从A7节点开始，GAA需延伸至A10节点（单元高度90纳米） [2] - 缩小GAA纳米片标准单元尺寸极具挑战性，forksheet架构作为非破坏性技术可提供更大扩展潜力 [4] Forksheet技术优势 - 内壁forksheet通过介电壁隔离n/p栅极沟槽，实现更紧密间距，单元高度可缩至90nm，性能提升，但介电壁需薄至8-10nm且面临工艺对准和栅极控制问题 [5][8] - 外壁forksheet将介电壁置于单元边界（厚度15nm），采用wall-last集成法，简化工艺并支持Ω栅极结构，驱动电流提升25%，同时实现全沟道应变 [9][16][18][19] 性能与面积优化 - 外壁forksheet在A10节点实现90nm单元高度（较A14纳米片115nm缩小22%），SRAM位单元面积减少22%，环形振荡器频率保持与A14/2nm节点一致 [14][25] - 全沟道应力在外壁forksheet中可实现，避免纳米片/内壁架构33%的驱动电流损失，进一步提升性能 [25] 技术路线图展望 - imec路线图显示纳米片时代延伸至A10节点，外壁forksheet作为过渡方案，后续将转向A7及更高节点的CFET技术 [11][27] - 外壁forksheet兼容性研究进行中，探索其与CFET架构结合的PPA效益潜力 [27]

众所周知，目前主要的芯片制造方案，均采用的是光刻技术，而光刻技术最重要的就是光刻机。 事实上，之前也有好几套技术方案，比如日本研究的NIL纳米压印技术，佳能就有推出相关的设备，据 说也能用于5nm芯片的制造。 还有美国之前搞了EBL电子束技术，据称也能够用于5nm及以下芯片的制造。 光刻机领域，ASML一家独占了80%以上的市场份额，特别是最高端的EUV光刻机，全球仅ASML一家 能够制造。 而EUV又用于7nm以下的芯片制造，所以说ASML卡住了全球所有先进芯片制造企业的脖子。 所以一直以来，全球众多的企业，都在想方设法，绕过ASML的封锁，特别是绕过EUV光刻机技术，掌 握另外的芯片制造技术，那么全球的芯片设备格局都可能被改写。 这种产品，据称可以制造下一代半导体芯片，并且是不需要EUV光刻机的芯片制造技术，据称这也是 全球第二个，欧洲首个此类电子束光刻中心。 不过，目前这一代产品，也并不是没有缺点，那就是目前它还只能用于200mm的晶圆，也就是8寸的， 要支持300mm也就是12寸的，据称要等到下一代技术才行。 但不可否认的是，一旦这种电子束光刻机大突破，解决了产能、分辨率等等问题之后，ASML的麻烦就 ...