长鑫存储DRAM出货量增长预测 - 公司今年DRAM出货量预计同比增长50% [1] - 公司在整体DRAM市场的出货份额将从第一季度的6%增至第四季度的8% [1] - 公司在DDR5市场份额预计从第一季度不到1%上升至年底的7% [1] - 公司在LPDDR5市场份额预计从0.5%激增至9% [1] 长鑫存储产品结构变化 - 公司在传统产品DDR4和LPDDR4上持续提升产量 [1] - 公司在DDR5和LPDDR5产品上实现显著增长 [1]

DDR4现货价格暴涨 - DDR4 16Gb（1G×16）3200现货价单日上涨6.32%，均价达9.25美元，DDR4 4Gb（512M×16）单日暴涨8.77% [1] - 本周仅两个交易日，DDR4 16Gb和8Gb规格分别累计上涨12.8%和16.13% [3] - 近三个交易日DDR4现货价累计涨幅达20%，部分PC DDR4产品价格调涨超50% [2][3] 价格上涨驱动因素 - 国际大厂退出DDR4生产，南亚科暂停报价，引发市场追价买盘 [2] - 客户因安全库存恐慌性追货，导致需求激增，渠道厂商强势拉涨报价 [3] - 三星、美光将陆续停供DDR4，OEM/ODM厂大举扫货巩固货源 [4] 价格趋势与行业动态 - 6月以来DDR4 8Gb（1G×8）3200现货价从2.73美元涨至3.775美元，涨幅38.27%，本季累计涨幅达132% [4] - 行业呈现"追涨不追跌"现象，惜售情绪加剧市场紧张，涨势或延续至年底 [2][3] - DDR4现货价已超过厂商损益平衡点，技术改进与折旧降低推动盈利能力提升 [4]

DRAM市场格局变化 - SK海力士在2023年第一季度以36%的市场份额（97.2亿美元销售额）超越三星电子（33.7%），成为全球DRAM市场第一，美光以24.3%位列第三 [1] - 与2022年第一季度相比，三星电子市场份额从43.9%降至33.7%，SK海力士从31.1%升至36%，差距从超10个百分点逆转为反超2.3个百分点 [2] - 市场研究机构Counterpoint Research同样确认SK海力士36%对三星34%的领先优势 [1] HBM技术竞争驱动因素 - SK海力士凭借HBM3E高价值产品（占出货比例上升）及NVIDIA第五代HBM3E独家供应地位实现反超，并已提前提供第六代HBM4样品 [2] - 三星电子因HBM3E产品NVIDIA认证延迟一年以上且无法直接销往中国，导致HBM3E出货量下降 [2] - 三星正调整战略：削减HBM2E旧型号产能，重点开发HBM4（第六代），重新设计10纳米级1c DRAM以提升良率，预计下半年量产 [3] 市场动态与未来展望 - 2023年Q1全球DRAM市场总销售额环比下降5.5%至270.1亿美元，主因DRAM合约价下跌及HBM出货减少，但TrendForce预测Q2将恢复增长 [3] - Q2增长动力来自PC/智能手机厂商配合美国关税宽限期完成库存调整并增产，带动DRAM供应商出货量显著提升 [4]