公司近期财务表现与运营状况 - 2024年10月营收79.08亿元新台币，同比增长262.37% 税前净利25.02亿元新台币，同比增长781.74% 归属母公司净利20.39亿元新台币，同比增长1006.38% [1] - 2024年第三季营收187.79亿元新台币，同比增长130.9% 税前净利20.23亿元新台币，同比增长210.67% 归属母公司净利15.63亿元新台币，同比增长205.16% 运营已明显脱离谷底，迈入回升循环 [1] - 公司第三季平均报价季增约40%，第四季价格持续走扬，但各产品线涨幅不一 [1] - 因内存供不应求，公司已启动调整订单配置策略并控制出货 [1] 行业供需格局与价格展望 - 全球DRAM价格自8-9月急速拉升，带动公司业绩 [1] - 内存市场目前处于明显缺货状态，AI服务器需求快速成长，预估2026年将占DRAM总需求逼近40% [3] - 主要供货商降低DDR4/LPDDR4产出，并将产能持续转至生产HBM、DDR5/LPDDR5 [1] - AI服务器需求飙升，加上三大原厂优先支持DDR5与HBM生产，使传统DDR4供给快速收敛，供需更形紧俏 [2] - DDR4短缺预计仍将延续至2025年上半年，价格可望维持高档并在第一季后逐步稳定 [2] - 预期2025年价格若能维持首季价格即属理想，整体价格将呈高档持稳，产业已从谷底回升至健康水平 [1] 公司产品战略与市场地位 - 公司维持相对高比重的DDR4产能 [3] - 三大原厂纷纷将产能转为生产DDR5、HBM4等，不易回头生产DDR4 [2] - 目前DDR4仍占有整体DRAM市场约20%，在庞大供需缺口带动下，呈现每月报价调涨态势 [2] - 各大内存原厂在2025-2026年主力皆投向新世代产品，导致DDR4产能缩减幅度超过预期 [3] - 在此背景下，南亚科的市场地位将明显提升，在2026年有望跃升为全球最大DDR4供货商之一 [3] - 若2027年后，3DDRAM顺利导入边缘AI应用，公司在产品技术与市场布局上仍具备进一步上修的空间 [3] 公司产能与技术发展 - 公司正推动制程升级以及新厂建置计划 [3] - 泰山Fab3A正加速导入1C/1D纳米制程 [3] - 南林科技园区的新厂预计自2027年起陆续开出产能 [3] - DRAM资本支出主要在先进制程与高阶产品，制造端库存维持在健康水位 [1]

行业核心观点 - 存储行业正经历由AI需求驱动的“史诗级”涨价浪潮，预计涨价周期将超过上一轮的八个季度，并导致下游消费电子产品价格普遍上涨 [1] - 本轮涨价的根本原因是AI服务器需求旺盛，导致存储原厂将产能结构性转向HBM、DDR5等高端产品，造成传统存储芯片（如LPDDR4）供应短缺 [1][5] - 存储芯片的角色正从成本配件向AI战略物资转型，“以存代算”的趋势正在重构整个存储市场的逻辑 [5] 价格变动与市场动态 - 2024年第四季度，主要存储原厂大幅上调合约价格：SK海力士宣布DRAM和NAND合同价最高上调**30%**；闪迪将NAND闪存合约价上调约**50%**；三星跟进部分产品涨价超过**60%** [1][5] - 消费端现货市场供应紧张，出现“一天一个价”的现象 [5] - 若不包含HBM部分，2024年第四季度消费类DRAM的涨价幅度接近**50%**，此涨幅基本可反映2025年第一季度的走势 [10] - 原厂采取轮流停止报价、竞价的策略推动价格上涨，预计2025年各类型DRAM产品价格没有下跌可能 [10] - 集邦咨询预测，2026年DRAM平均单价将同比上涨**58%**至约**1.63美元**；NAND Flash平均单价将同比上涨**32%**至约**0.1美元** [9] 供需结构与产能转移 - AI服务器对存储需求远高于普通服务器：对DRAM的需求是普通服务器的**8倍**，对NAND的需求高达**3倍** [5] - 三星、SK海力士、美光三大存储巨头主动调整产能结构，削减LPDDR4等传统DRAM产能，转向生产HBM和DDR5等高附加值产品 [6] - 这导致用于智能手机的LPDDR4供应持续紧张，其价格涨幅预期随之上调 [6] - 新建产能（如三星P4L、SK海力士M15X、美光ID1）在2026年能提供的有效供给非常有限，产能紧张局面预计将持续到2027年底 [11] 产品结构演变预测 - LPDDR产品结构快速向LPDDR5迁移：预计LPDDR5(X)在总LPDDR供应中的占比将从2025年的**60%**快速提升至2026年的**73%** [1][6] - 与此同时，LPDDR4(X)的占比将从2025年的**39%**大幅下降至2026年的**26%** [1][6] - 2025年LPDDR5在LPDDR的产出中将超过**70%**，但由于手机需求与AI需求竞争，其供给也将紧张 [6] 下游终端市场影响 - 存储芯片涨价正快速向下游传导，对手机、PC等终端厂商构成巨大成本压力 [6] - LPDRAM价格在2025年下半年整体上涨超**50%**，已促使部分智能手机品牌调涨零售价格 [7] - 成本上升将冲击智能手机和笔记本电脑的升级与换机意愿，集邦咨询预计将导致2026年两者出货量同比增速分别下滑至**-2%**和**-3%** [7] - 云端CSP（云服务提供商）厂商因资金雄厚在采购中占据优势，而中小型终端厂商将面临更大压力，需寻求现货市场等弹性采购方式 [11] 服务器市场需求预测 - 与消费电子市场疲软相反，服务器市场对存储需求保持高速增长 [9] - 2026年，通用服务器对DRAM需求预计同比增长**20%**，对NAND Flash需求同比增长**19%** [9] - 2026年，AI服务器对DRAM需求中，LPDDR预计同比增长**15%**，RDIMM预计同比增长**21%**；对NAND Flash需求预计将继续大涨超**70%** [9] 市场规模与资本支出 - 得益于AI驱动，存储市场需求复苏稳健，服务器市场是主要增长引擎 [10] - 预计2026年DRAM市场营收规模将达到**3006亿美元**，同比大涨**85%**；NAND Flash市场营收规模将达到**1105亿美元**，同比涨**58%** [9] - 2025年，在AI和HBM驱动下，三大存储供应商资本支出同比增长超过**80%** [10] - 预计2026年，三星、SK海力士、美光在DRAM领域的资本支出将分别增长**17%**、**25%**、**40%** [10]

核心观点 - 人工智能浪潮驱动存储芯片行业出现结构性供需失衡，导致存储芯片价格自2024年第四季度起出现“史诗级”上涨，且预计此轮涨价周期将比以往更长，并将持续传导至下游消费电子产品，推高智能手机、笔记本电脑等终端成本与售价 [1][3][4] 存储芯片价格走势 - 2024年第四季度以来，存储芯片行业迎来大规模涨价：SK海力士宣布四季度DRAM和NAND合同价最高上调30%；闪迪大幅上调NAND闪存合约价约50% [1] - 2025年第三季度DRAM价格较去年同期大幅上涨171.8% [1] - 2025年下半年LPDRAM价格整体上涨超50%，第四季度消费类DRAM的涨价幅度接近50%，且预计此涨幅基本可反映2026年第一季度的涨幅 [6][8] - 截至2024年12月4日，存储芯片年内价格涨幅已远超贵金属（白银年内涨超98%，黄金涨59%） [1] - 多家存储原厂已停止报价，采取轮流暂停报价、竞价模式，推动价格持续上行，预计2026年各类型DRAM产品价格没有下跌可能 [8] 涨价原因与驱动因素 - 核心驱动因素是人工智能浪潮带来的AI服务器旺盛需求，推动原厂将更多产能转向生产HBM、DDR5等高端产品，导致用于智能手机等消费电子的传统型存储芯片（如LPDDR4）供应不足 [3][4] - AI服务器对存储需求激增：一台AI服务器对DRAM的需求是普通服务器的8倍，对NAND的需求是普通服务器的3倍 [4] - 上游三大存储巨头（三星、SK海力士、美光）主动调整产能结构，削减LPDDR4等利润率偏低的传统DRAM产能，转向生产HBM和DDR5等高附加值产品，导致结构性产能转移 [5] - 存储芯片的角色正在从成本配件向AI战略物资转型，“以存代算”成为降本增效核心路径，重构了存储市场逻辑 [4] 供需结构与产能变化 - **供应结构变化**：原厂产能持续向高端产品转移，预计LPDDR5(X)在总的LPDDR供应中占比将从2025年的60%快速提升至2026年的73%；同期，LPDDR4(X)的占比将从39%降至26% [3][5] - **需求结构分化**： - AI服务器与通用服务器需求高速增长：预计2026年，AI服务器对NAND Flash需求将同比大涨超70%，对DRAM中的RDIMM需求同比增长21%；通用服务器对DRAM和NAND Flash需求分别同比增长20%和19% [7] - 消费电子需求承压：智能手机和笔记本电脑的存储需求与AI需求形成竞争，预计将受到供应紧张和成本上升的冲击 [6] - **新增产能有限**：尽管三大原厂积极扩产（2025年资本支出同比增长超80%），但新建产能（如三星P4L厂、SK海力士M15X厂、美光ID1厂）在2026年能形成的有效供给非常有限，对产能增长的效果在2027年底前都非常有限 [8][9] 对下游消费电子行业的影响 - **成本压力传导**：存储芯片行业普涨正快速向下游传导，对手机、PC等终端厂商构成巨大成本压力 [5] - **终端产品涨价**：部分智能手机品牌已调涨零售价格作为回应 [6] - **抑制换机需求**：成本上升将冲击智能手机和笔记本电脑的升级意愿与换机计划，机构预计将导致2026年智能手机出货量同比下滑2%，笔记本电脑出货量同比下滑3% [6] - **市场分化加剧**：云端CSP（云服务提供商）等大型厂商在采购中优势更明显，中小型终端厂商将面临更大压力，可能需要转向现货市场或其他渠道寻找资源 [9] 2026年存储市场展望 - **市场规模预测**：预计2026年DRAM市场营收规模将达到3006亿美元，同比大涨85%，平均单价约为1.63美元，同比上涨58%；NAND Flash市场营收规模将达到1105亿美元，同比涨58%，平均单价约为0.1美元，同比上涨32% [7] - **供应量增长**：预计2026年DRAM市场供应量同比增长20%，NAND Flash供应量同比增长21% [7] - **持续供不应求**：由于AI需求持续猛增，而新增产能有限，预计2026年存储市场，特别是LPDDR5等产品，将持续面临供应紧缺和涨价问题 [3][8]

行业核心观点 - 存储行业正经历由AI需求驱动的“史诗级”涨价浪潮，其周期预计将比上一轮更长，并导致下游消费电子产品价格普遍上涨 [1][3] 存储芯片价格动态 - 2024年第四季度，SK海力士宣布将DRAM和NAND合同价最高上调30% [2] - 2024年11月，闪迪将NAND闪存合约价大幅上调约50%，为本轮NAND涨幅最大的单次调价 [3] - 2024年第四季度，若排除HBM部分，消费类DRAM的涨价幅度接近50%，预计可反映2025年第一季度的涨幅 [9] - 2025年下半年，LPDRAM价格整体上涨超过50% [6] - 预计2026年DRAM平均单价将同比上涨58%至约1.63美元，NAND Flash平均单价同比上涨32%至约0.1美元 [8] - 预计2026年各类型DRAM产品基本没有价格下跌可能，竞价模式将持续推动价格上涨 [9] 涨价驱动因素与产能转移 - 本轮涨价主要归因于AI服务器旺盛需求，推动原厂将更多产能转向HBM、DDR5等高端产品，导致普通型存储芯片（如LPDDR4）供应不足 [3] - AI服务器对DRAM的需求是普通服务器的8倍，对NAND的需求是普通服务器的3倍 [4] - 三星、SK海力士、美光三大存储巨头主动调整产能结构，削减LPDDR4等传统DRAM产能，转向生产HBM和DDR5等高附加值产品 [5] - 2025年，在AI和HBM驱动下，三大存储供应商资本支出同比增长超过80% [9] - 预计2026年，三星、SK海力士、美光的DRAM资本支出将分别增长17%、25%、40% [9] - 新建产能（如三星P4L厂、SK海力士M15X厂、美光ID1厂）在2026年能提供的有效供给非常有限，产能增长效果在2027年底前都非常有限 [10] 产品结构变化与供应预测 - 随着原厂逐步停产LPDDR4，预计其占LPDDR总供应的比例将从2025年的39%降至2026年的26% [5] - 同期，LPDDR5(X)的供应占比将从2025年的60%快速提升至2026年的73% [5] - 预计2025年LPDDR5在LPDDR产出中占比将超过70%，但由于手机需求与AI需求竞争，其供给也将紧张 [5] - 预计2026年DRAM市场供应量同比增长20%，营收规模达3006亿美元，同比大涨85% [8] - 预计2026年NAND Flash市场供应量同比增长21%，营收规模达1105亿美元，同比涨58% [8] 对下游消费电子市场的影响 - 存储芯片价格上涨正快速向下游传导，对手机、PC等终端厂商构成巨大成本压力 [5] - 部分智能手机品牌已调涨零售价格作为回应 [6] - 预计价格上涨将冲击智能手机和笔记本电脑的升级意愿与换机计划，导致2026年出货量同比下滑，智能手机增速预计为-2%，笔记本电脑为-3% [6][7] - 行业人士建议消费者尽快购买手机，因明年价格大概率上涨 [3] 服务器市场需求预测 - 与消费电子市场不同，通用服务器和AI服务器对存储的需求将保持高速增长 [8] - 预计2026年，通用服务器对DRAM需求同比增长20%，对NAND Flash需求同比增长19% [8] - 预计2026年，AI服务器对DRAM需求中，LPDDR需求同比增长15%，RDIMM需求同比增长21%，对NAND Flash需求将继续大涨超70% [8] 行业竞争格局与厂商策略 - 存储原厂采取轮流暂停报价的策略，以推高价格，每次报价金额均比上一次高 [9] - 云端CSP（云服务提供商）厂商因财力雄厚，在采购中的优势将更明显，中小型终端厂商将面临更大压力，需从现货市场等弹性渠道获取存储资源 [10] - 存储正从成本配件向战略物资角色转型，行业建议终端厂商将存储作为AI行业战略物资进行长期规划 [4][10]

存储芯片行业迎来史诗级涨价浪潮 - 2025年第四季度以来，存储行业迎来史诗级涨价浪潮，SK海力士官宣四季度DRAM、NAND合同价最高上调30% [1] - 2025年11月9日，闪迪大幅上调NAND闪存合约价约50%，是本轮NAND涨幅最大的单次调价 [1] - 2025年第三季度DRAM价格较去年同期大幅上涨171.8%，存储芯片年内涨幅已远超白银（超98%）、黄金（超59%）等贵金属 [1] 涨价核心驱动因素：AI需求引发结构性产能转移 - 本轮存储芯片涨价归因于人工智能浪潮带来的AI服务器旺盛需求，推动原厂将更多产能转向HBM、DDR5等高端产品，导致普通型存储芯片（如LPDDR4）供应不足 [3] - AI服务器对DRAM的需求是普通服务器的8倍，对NAND的需求是普通服务器的3倍，极大增加了对高性能存储产品的需求 [5] - 上游三星、SK海力士、美光三大存储巨头主动调整产能结构，削减LPDDR4等传统DRAM产能，将晶圆厂产能转向生产HBM和DDR5等高附加值产品 [6] 产品结构发生剧变，LPDDR5供应将持续紧张 - 随着原厂逐步停产LPDDR4，预计到2026年，LPDDR4在总的LPDDR供应中占比将从2025年的39%降至26% [3][7] - LPDDR5(X)的供应占比将从2025年的60%快速提升到2026年的73% [3][7] - 由于手机需求与AI需求相互竞争，LPDDR5的供给也将持续紧张，预计2026年智能手机的成本压力会显著上升 [3][7] 涨价向下游传导，冲击消费电子市场 - 存储芯片普涨正快速向下游传导，对手机、PC等终端厂商构成巨大成本压力 [6] - LPDRAM价格在2025年下半年整体上涨超50%，一些智能手机品牌已调涨零售价格作为回应 [7] - 深圳华强北电子市场现货供应紧张，出现“一天一个价”的现象，业内从业者表示对短时间内的巨大涨幅感到震惊 [4][5] 2026年市场展望：供不应求，价格持续上涨 - 预计2026年DRAM市场供应量同比增长20%，营收规模将达到3006亿美元，同比大涨85%，平均单价同比上涨58%至约1.63美元 [9] - 预计2026年NAND Flash市场供应量同比增长21%，营收规模将达到1105亿美元，同比涨58%，平均单价同比上涨32%至约0.1美元 [9] - 2026年，通用服务器对DRAM需求同比增长20%，对NAND Flash需求同比增长19%；AI服务器对NAND Flash需求将继续大涨超70% [9] - 多家原厂已停止报价，采取轮流暂停报价、竞价的行为模式，预计2026年各类型DRAM产品基本没有价格下跌的可能 [10] 资本支出增加但新产能释放有限 - 在AI和HBM驱动下，2025年三星、SK海力士、美光三大供应商资本支出同比增长超过80% [10] - 预计2026年，三大供应商的DRAM资本支出将分别增长17%、25%、40% [10] - 然而，新建产能（如三星P4L厂、SK海力士M15X厂、美光ID1厂）对2026年的有效供给产出量非常有限，产能增长效果在2027年底前都非常有限 [11] 对终端市场的影响：出货预期下调，行业格局变化 - 存储成本上升冲击智能手机和笔记本电脑的升级意愿和换机计划，机构预计2026年智能手机和笔记本电脑出货增速将分别同比下滑至-2%和-3% [7] - 云端CSP（云服务提供商）厂商在采购中将占据更明显优势，中小型终端厂商将面临更大压力，需从现货市场等渠道寻找资源 [11] - 行业需回归正常供需关系，终端厂商需将存储视为AI行业中的战略物资，做好长期规划 [11]

行业核心观点 - 存储行业正经历由AI规模化应用驱动的“史诗级”结构性、长周期缺货与涨价，其幅度和持续时间超出产业链普遍预期 [2][6] - 存储原厂产能已被预订至未来数年，新产能建设周期长，导致2027年底前供给增加非常有限，供需紧张局面将持续数年 [3][6][7] - 存储涨价压力正沿产业链传导，消费电子（特别是智能手机和笔记本电脑）成为“重灾区”，厂商低库存与有限的成本转嫁能力将冲击终端市场需求与产品规划 [8][9][10][11] 存储市场供需与价格动态 - **产能极度紧张**：NAND闪存原厂产能已被预订完毕，至少到明年的产能已无剩余，模组厂难以拿到充足货源 [3] - **现货价格飙升**：截至11月25日，1Tb QLC NAND闪存价格达12.5美元，DDR4 16Gb 3200价格达30美元，较月初分别上涨78%和50% [4] - **模组产品大幅提价**：在11月停止报价前，10月SSD定价较9月高出30%至40% [4] - **原厂领涨**：闪迪在3月、9月、11月多次提价，11月涨价50%，三星跟进部分产品涨价超过60% [6] - **涨价周期漫长**：业内预估DRAM明年供需缺口至少6%，均价将上涨58%，涨价周期可能超过上一个周期的8个季度，甚至可能持续数年 [7] 产业链各环节状况 - **原厂**：新产能建设周期约2年，三星、SK海力士的新厂预计2027年下半年后建成，2026年供给不会明显上升 [6][7] - **模组厂**：面临严重缺货，多家SSD模组厂已暂停报价，产能被订完 [3] - **云服务厂商**：为AI数据中心建设，对存储涨价态度较为宽容，大量产能被服务器需求“吃下” [8] - **消费电子厂商**：智能手机厂商存储库存水位普遍低于4周（健康水平为8-10周），处于偏低状态 [9] 对消费电子终端市场的影响 - **成本传导与涨价**：低端手机毛利率低（如小米智能手机Q3毛利率11.1%），厂商难以消化成本，必将涨价传导至消费者，近期多款新机已涨价100-300元 [2][10] - **需求与出货冲击**：预计存储涨价将导致2024年智能手机和笔记本电脑出货规模年成长率为-3%至-2% [11] - **产品结构变化**：消费电子厂商可能被迫下调部分机型存储容量，购机需求可能流向二手市场 [9][10] - **向高端与AI产品转型**：产业链正调整产品结构，转向高端、高盈利的AI手机和AI PC，这些产品对存储容量和速度要求更高 [10] 技术演进与国内厂商动态 - **技术迭代加速**：原厂正将产能转向更先进、适用AI场景的颗粒，逐步淘汰旧产品（如DDR4、LPDDR4），预计明年LPDDR产出中超七成为LPDDR5 [11] - **国内厂商进展**：长鑫存储发布领先的24Gb DDR5产品系列，旨在通过产能扩张减少对海外厂商的依赖 [11] - **产业链合作与扩产**：兆易创新计划明年量产自研LPDDR4X，澜起科技DDR5内存接口芯片渗透率提升，德明利拟募资32亿元用于SSD等扩产项目（建设期3年） [12]

涉及的行业与公司 * 行业为大中华区科技半导体行业[1][6][65] * 报告重点提及的公司包括**CXMT**（长鑫存储，非上市公司）[1][2]和**Winbond Electronics Corp**（华邦电子，2344 TW）[3][9][65] * 报告覆盖了众多大中华区半导体公司，如台积电、联电、中芯国际、华虹半导体等[65][67] 核心观点与论据 * 报告对一则关于**CXMT**将增加DDR4/LPDDR4产能并加速DDR5/LPDDR5供应的市场消息表示怀疑[1][2] * 怀疑论据包括：切换回DDR4/LPDDR4需要电路设计更改和产线重组、其市场规模小于DDR5、以及考虑到其国家使命应更专注于先进产品[2] * 报告认为**CXMT**的LPDDR5样品与三大存储器厂商存在性能差距，距离大规模量产尚远[2] * 预计**CXMT**明年产能可能增加**10-20 kwpm**，主要用于先进产品如HBM3e或DDR5，但量产仍需时间[2] * 尽管市场存在波动，报告仍看好其覆盖范围内的传统存储器厂商，并重申对**华邦电子**的**Top Pick**评级[3] * 对**华邦电子**的估值采用**3 0倍2026年预期市净率**，理由是看好其异常的DRAM价格上行潜力和可持续的NOR Flash价格上涨[9] 其他重要内容 * 报告包含对美国行政命令14105的合规风险提示，该命令可能限制美国人士与某些实体的交易[4] * 报告披露摩根士丹利持有**华邦电子**1%或以上的普通股[17]，并在过去12个月内从**华邦电子**获得了投资银行服务及其他服务报酬[18][19][20][21] * 行业观点为**Attractive**（具吸引力）[6] * 报告列出了影响**华邦电子**股价的上行与下行风险，上行风险包括NOR Flash和DRAM价格涨幅超预期，下行风险则相反[10][11]

文章核心观点 - 受AI服务器对先进内存的强劲需求及关键芯片短缺影响，内存价格预计将持续大幅上涨，并对消费电子市场产生广泛冲击 [4][5][6] - 供应链产能向高端工艺转移导致传统内存供给趋紧，价格出现结构性倒挂，中低端消费电子产品面临最大风险 [5][6][9] - 内存成本攀升将显著推高智能手机等终端产品的物料清单成本，压缩制造商利润率 [9][10] 内存价格走势预测 - 内存价格预计将在2026年第二季度之前在当前基础上再上涨约50% [4] - 自今年以来，内存价格已累计上涨50%，预计2025年第四季度将继续上涨30%，2026年年初可能再上升约20% [5] - 2025年第一季度至2026年年底，DDR5 64GB RDIMM的DRAM模组价格预计将上涨两倍 [6] 内存市场供需与结构变化 - 当前核心问题之一是传统LPDDR4供给趋紧，供应商将产能转向更高端工艺以满足AI需求 [5] - 现货市场价格出现倒挂：服务器和PC使用的DDR5交易价格约为每千兆位1.50美元，而用于消费电子产品的老款DDR4价格高达2.10美元，甚至高于目前约1.70美元的先进HBM3e [5] - 2026年主要芯片厂商的DRAM产量预计将增长超过20% [6] - 英伟达在服务器端大幅提升对LPDDR的需求，其需求量已达到大型智能手机制造商的规模，对供应链造成巨大冲击 [6] 对消费电子市场的影响 - 当前的芯片短缺对使用LPDDR4的经济型智能手机等低价消费电子产品造成了影响 [6][9] - 智能手机物料清单成本显著攀升，部分机型涨幅可能高达15%，影响将波及核心的中高端市场，进一步压缩利润率或拖累增长 [10] - 行业面临产能受限与价格飙升的双重压力，供应商与制造商需进行艰难权衡 [10]

行业趋势与价格预测 - 受关键芯片短缺影响 内存价格预计将在2026年第二季度之前 在当前基础上再上涨约50% [1] - 传统LPDDR4面临的涨价风险最大 [1] - 英伟达在服务器端大幅提升对LPDDR的需求 导致围绕先进芯片出现更广泛、更长期的风险因素 并向整个消费电子市场外溢 [1] 存储周期与市场动态 - 进入2025年三季度以来存储行业全面进入加速上行周期 [1] - 本轮上行周期主要系AI时代下存储需求爆发推动 不同于此前供给侧减产或退出带来的价格短暂上行 [1] - 供给侧产能开出有限 行业供需缺口持续扩大 价格加速上涨 [1] 产业链公司盈利表现 - 海外存储原厂盈利能力持续提升 [1] - 国内部分存储模组公司快速扭亏为盈 2025年下半年利润预计将加速释放 [1] - 利基存储芯片和存储产业链配套公司亦将持续受益于存储涨价浪潮 [1] 相关上市公司产品布局 - 北京君正表示LPDDR4目前25nm、20nm和18nm、16nm的产品都有 [1] - 东芯股份在已有的DDR3(L)、LPDDR1、LPDDR2产品基础上持续推进新产品研发 [1] - 东芯股份设计研发的LPDDR4x已进行客户送样及市场推广 [1]

价格预测 - 内存价格预计在2026年第二季度之前于当前基础上再上涨约50% [1] - 传统LPDDR4内存面临的涨价风险最大 [1] 市场动态与风险因素 - 关键芯片短缺是推动内存价格上涨的主要因素 [1] - 英伟达在服务器端大幅提升对LPDDR的需求 [1] - 先进芯片的供需问题产生更广泛、更长期的风险因素 [1] - 风险因素正向整个消费电子市场外溢 [1]