文章核心观点 - 高带宽内存是AI算力发展的关键基础设施，其性能直接决定了AI模型训练和推理的速度与效率[1] - 韩国KAIST大学发布的HBM技术路线图详细规划了从2026年HBM4到2038年HBM8的完整发展蓝图，揭示了未来十年HBM技术的演进方向[1] - HBM通过3D堆叠等核心技术，在带宽、功耗和体积上相比传统内存具有压倒性优势，已成为AI服务器的必需品[7][11][14] HBM技术定义与核心优势 - HBM是一种专为AI设计的“超级内存”，采用“三明治式”3D堆叠技术，将8-24层核心芯片垂直堆叠，通过硅通孔连接，解决了传统内存的“平面布局”缺陷和数据传输瓶颈[7][8] - HBM相比传统DDR5内存具有三大核心优势：带宽极高、功耗更低、体积迷你[11] - **带宽碾压**：HBM3带宽为819GB/s，HBM4将达2TB/s，HBM8更将飙升至64TB/s，是HBM3的78倍，能满足未来万亿参数AGI的需求[12][56] - **功耗减半**：传输1TB数据，HBM3功耗是DDR5的60%，HBM4能降至50%，可为数据中心节省巨额电费[13] - **体积小巧**：HBM直接集成在GPU封装旁，传输距离从厘米级缩短至毫米级，使AI服务器算力密度提升3倍[10][14] HBM技术发展路线图（2026-2038） - **2026年：HBM4——定制化首秀** - 核心创新在于定制化Base Die，可集成内存控制器并直接连接低成本、大容量的LPDDR内存，作为“备用仓库”[9][22] - 带宽从HBM3的819GB/s提升至2TB/s，单模块容量达36-48GB，是HBM3的2倍[22] - 采用直触液冷散热方案以应对75W的高功耗[24] - 主要面向中端AI服务器、高端游戏显卡等场景[26] - **2029年：HBM5——近内存计算崛起** - 核心创新是引入近内存计算，在内存堆叠中集成NMC处理器和L2缓存，使内存具备计算能力，可将LLM推理中GPU的工作量减少40%，速度提升1.5倍[27][28] - 带宽提升至4TB/s，单模块容量80GB，功率100W[27] - 采用浸没式冷却散热，并集成专用去耦电容芯片以稳定供电[28][29] - 主要面向超算中心、大模型训练集群等场景[31] - **2032年：HBM6——多塔架构优化高吞吐量** - 核心创新是“四塔”结构，在一个Base Die上放置两个独立的Core Die堆叠，使吞吐量比HBM5提升126%[36][38] - 带宽达8TB/s，数据速率提升至16Gbps，单模块容量96-120GB，功率120W[35][36] - 采用硅-玻璃混合中介层以降低成本20%，并集成L3缓存专门存储LLM推理中的KV缓存，减少HBM访问次数73%[38][40] - 主要面向LLM推理集群、实时AI翻译等高吞吐量场景[40] - **2035年：HBM7——内存与闪存融合** - 核心创新是整合高带宽闪存，形成“内存+闪存”协同方案，HBM存高频数据，HBF存低频大容量数据，使系统总容量可达17.6TB，成本比全用HBM降低60%[41][42][46] - 带宽提升至24TB/s，数据速率24Gbps，单模块容量160-192GB，功率160W[44][46] - 支持3D堆叠LPDDR以拓展边缘计算场景，并采用嵌入式液冷散热[46][47] - 主要面向多模态AI系统、自动驾驶中央计算单元等场景[48] - **2038年：HBM8——全3D集成终极形态** - 核心创新是全3D集成技术，通过铜-铜直接键合将GPU裸片垂直堆叠在HBM之上，使数据传输延迟突破1纳秒，I/O功耗降低70%[54] - 带宽达到64TB/s，数据速率32Gbps，单模块容量200-240GB，功率180W[36][56] - 采用双面中介层设计，使单GPU搭配的HBM容量再提升50%，并应用双面嵌入式冷却进行精准温控[56][57] - 专为未来AGI原型机设计，标志着计算架构进入“立体共生”时代[52][60] 支撑HBM性能的三大关键技术 - **硅通孔**：在芯片上制造垂直微孔道，让数据直接在堆叠层间穿梭，传输路径缩短90%以上，是实现3D堆叠的基础[59][67] - **混合键合**：采用铜-铜直接键合工艺替代早期的微凸点连接，使连接电阻降至原来的1/10，实现了更高密度（单片10万个连接点）和更可靠的芯片堆叠，支撑HBM8达到16384个I/O[68][70][71] - **AI辅助设计**：利用AI模型大幅提升HBM复杂结构的设计效率，如PDNFormer模型可在1毫秒内完成电源阻抗分析，Mamba-RL算法可在20分钟内优化去耦电容布局，将设计周期从半年缩短至两周[72][74][76][79] HBM产业格局与市场前景 - 全球HBM市场呈现寡头垄断格局，SK海力士、三星、美光三家公司垄断了90%以上的产能，订单已排至2026年[80][81] - SK海力士为行业龙头，HBM3E良率达90%，占据全球55%的HBM3E出货量，其M15X新工厂投产后月产能将从10万片提升至17.8万片[81] - 三星的HBM3E产能已被谷歌、博通、亚马逊等头部客户包圆，并与OpenAI签订了价值713亿美元的四年供应大单[84] - 美光增速最快，其HBM3E已通过英伟达认证，目标是在2026年将市场份额从7%提升至24%[85] - 2025年全球HBM市场规模已达300亿美元，预计2030年将突破980亿美元，占据整个DRAM市场的50%[80] HBM未来发展的主要挑战 - **成本挑战**：HBM3每GB成本约为DDR5的5倍，HBM4因工艺复杂成本预计再增30%，需通过提升良率（目标95%以上）、扩大产能、技术创新（如采用玻璃中介层）来构建降本体系[86] - **散热挑战**：未来HBM8功率可能突破200W，需研发新型高热导率冷却材料、采用芯片级冷却方案（如集成微型散热鳍片）以及智能温控系统来应对[87] - **生态协同挑战**：需要GPU/CPU厂商优化硬件接口，AI框架针对近内存计算特性优化算法，并推动行业制定统一标准，以降低应用门槛并实现性能最大化[87]

核心观点 - 在人工智能浪潮推动下，存储芯片需求激增，市场预期美光科技第一财季业绩将录得爆发式增长，DRAM与NAND闪存市场供需失衡强化了公司的定价权，多家投行因此上调目标价 [2][3] - 尽管基本面强劲，但公司股价在财报发布前出现高位回调，期权市场预示财报后波动可能加剧 [2][4] - 公司进行重大战略调整，计划退出Crucial消费类业务以聚焦于增长更快、利润更高的数据中心和企业市场，这被视为其中长期增长的关键 [2][8] 业绩预期与市场反应 - 华尔街普遍预期美光第一财季营收将同比增长约48%至创纪录的129.3亿美元，调整后每股收益预计为3.96美元，较去年同期实现翻倍增长 [4] - 对于当前季度（第二财季），市场预期营收将达143.3亿美元，同比增长78%，每股收益预计为4.78美元，增幅达206% [12] - 受乐观预期推动，Needham和Wedbush等投行将美光目标价上调至300美元 [4] - 公司股价在触及约264.75美元的历史高点后，于财报前回落至232美元附近，显示部分获利盘选择避险 [4] - 期权市场定价显示，交易员预计财报发布后公司股价的波动幅度可能高达9% [4] 行业供需与定价权 - 存储芯片市场的供需格局发生根本性转变，PC及手机制造商等客户已开始恐慌性地“争抢”锁定直至2026日历年甚至2027年的DRAM和NAND闪存产能 [3] - 随着存储市场持续收紧，需求可能会在整个2026日历年超过供应，这种供需失衡显著推高了DRAM和NAND芯片的定价 [6] - 供需失衡促使分析师大幅上调了对美光2026和2027财年的营收及每股收益预期 [6] - Rosenblatt分析师假设美光的平均销售价格将环比增长9%，并指出此预测可能仍偏保守 [7] 产品结构与战略聚焦 - 数据中心需求强劲，主要受超大规模云计算服务商和新型云资本支出增加驱动，大量消耗美光的高价值产品，包括高带宽内存、LPDDR5、大容量DIMM及企业级SSD [6] - 产品结构向高价值产品的优化，对公司的平均销售价格和毛利率构成了有力支撑 [6] - 公司宣布计划退出其Crucial消费类业务，以完全专注于企业和商业业务，旨在改善供应情况以支持在增长更快细分市场中的战略客户 [8] - 这一战略转向凸显了管理层对“高价值终端市场”的重视，旨在将现有产能转化为针对高利润云端和数据中心产品的可销售产量 [8] 估值与市场展望 - 尽管公司股价今年以来已上涨近三倍，但分析师普遍认为其估值依然合理，远期市盈率仍维持在12倍左右，与年初水平相近 [10] - 随着AI应用增加对存储的需求并允许产品差异化，公司在结构上正变得更强 [10] - 在Visible Alpha追踪的分析师中，目前有9位给予“买入”评级，2位给予“持有”评级 [11] - Rosenblatt预计，即便二月通常是季节性淡季，但在OEM厂商急于确保长期供应的背景下，美光的业绩指引有望再次超出市场共识 [12]

在AI推动存储需求爆发的背景下，市场预期美光一财季业绩大幅增长，DRAM与NAND供需失衡强化定价权。多家投行上调目标价，但公司股价在财报 前出现回调，期权显示波动加剧。美光退出消费业务、聚焦高利润数据中心，被视为中长期增长关键。 供需失衡强化定价权 华尔街分析师认为，美光正受益于存储芯片价格上涨和供应紧张的双重顺风。Needham分析师Quinn Bolton在客户报告中指出， 随着存储市场持续收 紧，需求可能会在整个2026日历年超过供应。 这种供需失衡不仅推高了DRAM和NAND芯片的定价，也促使分析师大幅上调了对美光2026和2027财年 的营收及每股收益预期。 Bolton强调，数据中心市场的需求依然强劲，主要受到超大规模云计算服务商（Hyperscaler）和新型云资本支出增加的驱动。这些数据中心大量消耗 美光的高价值产品，包括HBM、LPDDR5、大容量DIMM及企业级SSD。这种产品结构的优化对公司的平均销售价格（ASP）和毛利率构成了有力支 撑。 美光科技将于周三美股盘后公布第一财季业绩，在人工智能浪潮推动存储芯片需求激增的背景下，华尔街普遍预期其营收与利润将录得爆发式增长。尽 管该股今年以 ...

文章核心观点 - 在人工智能浪潮推动存储芯片需求激增的背景下，美光科技即将公布的第一财季业绩被华尔街普遍预期将录得爆发式增长，其营收与利润有望大幅提升 [1] - 存储芯片市场的供需格局正发生根本性转变，下游客户出现恐慌性抢单以锁定长期产能，预计将显著推高公司的平均销售价格和整体利润率 [1] - 尽管基本面强劲且多家投行上调目标价，但公司股价在财报发布前出现高位回撤，市场正密切关注业绩能否成为股价重拾升势的关键催化剂 [1][2] 业绩预期与市场共识 - 根据Visible Alpha编制的市场共识，分析师预计美光第一财季营收将同比增长约48%至创纪录的129.3亿美元，调整后每股收益预计为3.96美元，较去年同期实现翻倍增长 [2] - 对于当前季度（第二财季），FactSet调查的分析师模型显示，美光营收预计将达143.3亿美元，同比增长78%，每股收益预计为4.78美元，增幅达206% [7] - 多家投行在财报前上调了美光的目标价，Needham和Wedbush的分析师均将目标价上调至300美元，理由是数据中心对高带宽内存等高价值产品的需求持续强劲 [2] 行业供需与定价趋势 - 存储芯片市场的供需格局正发生根本性转变，PC及手机制造商等客户不仅在为当前季度下单，更已开始恐慌性地争抢锁定直至2026日历年甚至2027年的DRAM和NAND闪存产能 [1] - 随着存储市场持续收紧，需求可能会在整个2026日历年超过供应，这种供需失衡正推高DRAM和NAND芯片的定价 [4] - Rosenblatt分析师Kevin Cassidy的模型假设美光的平均销售价格将环比增长9%，并指出由于合同谈判的时间点不同，这一预测可能仍偏保守 [4] 公司战略与产品结构 - 公司正在进行重大战略调整，计划退出其Crucial消费类业务，以完全专注于企业和商业业务，旨在改善供应情况以支持在增长更快的细分市场中更大的战略客户 [5][6] - 数据中心市场的需求强劲，主要受到超大规模云计算服务商和新型云资本支出增加的驱动，这些数据中心大量消耗美光的高价值产品，包括HBM、LPDDR5、大容量DIMM及企业级SSD [4] - 产品结构向高价值产品的优化对公司的平均销售价格和毛利率构成了有力支撑 [4] 市场表现与估值 - 美光股价今年以来已上涨近三倍，在上周触及约264.75美元的历史高点后回落至232美元附近，显示出部分获利盘选择在财报前避险 [1][2] - 期权市场定价显示，交易员预计财报发布后美光股价的波动幅度可能高达9%，这意味着股价可能一举突破前高至258美元上方，或进一步回撤至217美元左右 [2] - 尽管股价涨幅巨大，但分析师普遍认为美光的估值依然合理，其远期市盈率仍维持在12倍左右，与年初水平相近 [7] - 在Visible Alpha追踪的分析师中，目前有9位给予“买入”评级，2位给予“持有”评级 [7]

以下文章来源于e公司 ，作者证券时报 严翠 e公司 . e公司，证券时报旗下专注上市公司新媒体产品，立志打造A股上市公司资讯第一平台。提供7x24小时上市公司标准化快讯，针对可能影响上市公司股价的 主题概念、行业事件及时采访二次解读，从投资者需求出发，直播上市公司有价值的活动、会议。 业内人士指出，与以往的涨价潮不同，此轮涨价潮由人工智能发展转向应用中"以存代算"技术兴起推动，且市场缺口在最近一两年内很难补齐。 多位消费电子企业负责人、存储行业专家对证券时报记者表示，2026年手机、电脑等主要的消费电子产品涨势已定，消费电子企业或将祭出组合拳，具体表现为结构 性涨价与降配、与产业链共担成本等多管齐下，组合拳推出的时点可能是即将到来的元旦。 "以存代算"撬动周期 "这么短的时间这么大的涨幅，让我非常震惊，也是我从业十几年来第一次遇到。"时创意董事长倪黄忠对记者表示。 "我研究存储产业大概20年，从来没看到这么疯狂的情况。"集邦咨询资深研究副总经理吴雅婷说。 "无论闪存还是内存，现在钱不是重点，而是没货。"集邦咨询资深研究副总经理郭祚荣说。 对于本轮存储芯片涨价根源，倪黄忠对记者表示："以前存储涨价，基本都是手机 ...

行业趋势与市场环境 - 海外原厂将资本开支倾斜于HBM为代表的高端存储产品，导致传统存储的供需缺口具有持续性 [1] - 科技自主可控成为“十五五”规划的重点工作目标，国产算力板块有望成为市场主线 [1] - 持续看好AI浪潮下的存储周期和消费电子的创新周期 [1] 国内存储厂商动态 - 国内存储厂商扩产的紧迫性不断上升 [1] - 长鑫存储在DDR5和LPDDR5产品上正实现显著增长 [1] - Counterpoint预测，长鑫存储在DDR5市场的份额将从第一季度不到1%上升至年底的7% [1] - Counterpoint预测，长鑫存储在LPDDR5市场的份额将从0.5%激增至9% [1] - 长鑫存储已完成IPO辅导 [1] - 长鑫存储的先进制程技术发展迅猛 [1] 相关金融产品信息 - 信创ETF（159537）跟踪的是国证信创指数（CN5075） [1] - 国证信创指数从沪深市场中选取业务涉及软件开发、计算机设备等信息技术领域的上市公司证券作为指数样本 [1] - 该指数旨在反映信息技术创新主题相关上市公司证券的整体表现 [1] - 指数覆盖了从基础硬件到应用软件的全产业链 [1] - 行业配置上侧重于制造业和信息传输、软件服务业 [1] - 指数成分股呈现大盘特征，注重市值较大企业 [1]

公司近期财务表现与运营状况 - 2024年10月营收79.08亿元新台币，同比增长262.37% 税前净利25.02亿元新台币，同比增长781.74% 归属母公司净利20.39亿元新台币，同比增长1006.38% [1] - 2024年第三季营收187.79亿元新台币，同比增长130.9% 税前净利20.23亿元新台币，同比增长210.67% 归属母公司净利15.63亿元新台币，同比增长205.16% 运营已明显脱离谷底，迈入回升循环 [1] - 公司第三季平均报价季增约40%，第四季价格持续走扬，但各产品线涨幅不一 [1] - 因内存供不应求，公司已启动调整订单配置策略并控制出货 [1] 行业供需格局与价格展望 - 全球DRAM价格自8-9月急速拉升，带动公司业绩 [1] - 内存市场目前处于明显缺货状态，AI服务器需求快速成长，预估2026年将占DRAM总需求逼近40% [3] - 主要供货商降低DDR4/LPDDR4产出，并将产能持续转至生产HBM、DDR5/LPDDR5 [1] - AI服务器需求飙升，加上三大原厂优先支持DDR5与HBM生产，使传统DDR4供给快速收敛，供需更形紧俏 [2] - DDR4短缺预计仍将延续至2025年上半年，价格可望维持高档并在第一季后逐步稳定 [2] - 预期2025年价格若能维持首季价格即属理想，整体价格将呈高档持稳，产业已从谷底回升至健康水平 [1] 公司产品战略与市场地位 - 公司维持相对高比重的DDR4产能 [3] - 三大原厂纷纷将产能转为生产DDR5、HBM4等，不易回头生产DDR4 [2] - 目前DDR4仍占有整体DRAM市场约20%，在庞大供需缺口带动下，呈现每月报价调涨态势 [2] - 各大内存原厂在2025-2026年主力皆投向新世代产品，导致DDR4产能缩减幅度超过预期 [3] - 在此背景下，南亚科的市场地位将明显提升，在2026年有望跃升为全球最大DDR4供货商之一 [3] - 若2027年后，3DDRAM顺利导入边缘AI应用，公司在产品技术与市场布局上仍具备进一步上修的空间 [3] 公司产能与技术发展 - 公司正推动制程升级以及新厂建置计划 [3] - 泰山Fab3A正加速导入1C/1D纳米制程 [3] - 南林科技园区的新厂预计自2027年起陆续开出产能 [3] - DRAM资本支出主要在先进制程与高阶产品，制造端库存维持在健康水位 [1]

行业动态与趋势 - 海外原厂将资本开支倾斜于以HBM为代表的高端存储产品，导致传统存储的供需缺口具有持续性 [1] - 这一趋势使得国内存储厂商扩产的紧迫性不断上升 [1] 公司进展与预测 - 长鑫存储已完成IPO辅导 [1] - 公司在DDR5和LPDDR5产品上正实现显著增长 [1] - Counterpoint预测，长鑫存储在DDR5市场的份额将从第一季度不到1%上升至年底的7% [1] - 公司在LPDDR5市场的份额将从0.5%激增至9% [1] - 公司先进制程技术发展迅猛 [1] 相关金融产品 - 半导体设备ETF（159516）跟踪的是半导体材料设备指数（931743） [1] - 该指数聚焦于半导体产业链上游的材料与设备领域 [1] - 指数选取从事半导体材料研发、生产以及半导体设备制造的上市公司证券作为样本 [1] - 该指数旨在反映半导体产业核心基础环节的整体表现 [1] - 作为科技投资的重要风向标，该指数具有显著的技术壁垒和成长性特征 [1] - 该指数能够有效追踪半导体产业关键支撑领域的发展动态 [1]

行业核心动态 - 全球存储行业正经历重大战略转向，主要存储巨头将核心产能优先投向利润丰厚的AI服务器和数据中心市场，导致消费级市场供应紧张 [1] - 当前局面与2018年比特币暴涨导致的显卡短缺类似，由AI算力需求爆发引发，行业代工厂满负荷运转仍无法满足数据中心和企业对DRAM、NAND的需求 [3] - 冷数据存储方式变化加剧供应紧张，数据中心将更多冷数据转移至固态硬盘，进一步推高NAND闪存需求，而硬盘制造商未扩产 [3] - 行业悲观预期一致，在2027年底之前，消费级存储市场恐难回归“常态”价格与供应水平 [1] 市场价格表现 - 消费级内存价格剧烈波动，DDR4与DDR5内存价格不再稳定，在美国和欧洲二手市场，部分DDR5内存条价格翻倍，甚至一周内多次刷新高价 [1] - 区域性价格波动难以持久，例如去年日本市场DDR4库存意外过剩带来短期平价，但仅两个月后全球一体化行情便将价格拉回高位 [3] - 供应链紧张导致交货周期大幅延长，在东南亚部分电商平台，包括GDDR6、GDDR7、LPDDR5在内的多种内存发货时间被拉长至半年以上 [3] 公司战略调整 - 美光科技于12月初宣布退出Crucial（英睿达）消费级业务，反映出公司基于利润考量，将资源从消费级市场转向企业级市场 [1] - 存储巨头如SK海力士、三星等均将资源向AI服务器和数据中心客户倾斜，供应链所有资源优先服务企业级需求 [1] 未来趋势展望 - 未来几年，若无技术突破降低DRAM/NAND生产难度，消费级用户攒机和升级的窗口期预计将持续收窄而非扩大 [4] - 整体趋势显示，只要AI赛道持续高速发展，大众消费市场的购买力将被动等待新一轮市场变革带来的再平衡 [3]

行业核心观点 - 存储行业正经历由AI需求驱动的“史诗级”涨价浪潮，预计涨价周期将超过上一轮的八个季度，并导致下游消费电子产品价格普遍上涨 [1] - 本轮涨价的根本原因是AI服务器需求旺盛，导致存储原厂将产能结构性转向HBM、DDR5等高端产品，造成传统存储芯片（如LPDDR4）供应短缺 [1][5] - 存储芯片的角色正从成本配件向AI战略物资转型，“以存代算”的趋势正在重构整个存储市场的逻辑 [5] 价格变动与市场动态 - 2024年第四季度，主要存储原厂大幅上调合约价格：SK海力士宣布DRAM和NAND合同价最高上调**30%**；闪迪将NAND闪存合约价上调约**50%**；三星跟进部分产品涨价超过**60%** [1][5] - 消费端现货市场供应紧张，出现“一天一个价”的现象 [5] - 若不包含HBM部分，2024年第四季度消费类DRAM的涨价幅度接近**50%**，此涨幅基本可反映2025年第一季度的走势 [10] - 原厂采取轮流停止报价、竞价的策略推动价格上涨，预计2025年各类型DRAM产品价格没有下跌可能 [10] - 集邦咨询预测，2026年DRAM平均单价将同比上涨**58%**至约**1.63美元**；NAND Flash平均单价将同比上涨**32%**至约**0.1美元** [9] 供需结构与产能转移 - AI服务器对存储需求远高于普通服务器：对DRAM的需求是普通服务器的**8倍**，对NAND的需求高达**3倍** [5] - 三星、SK海力士、美光三大存储巨头主动调整产能结构，削减LPDDR4等传统DRAM产能，转向生产HBM和DDR5等高附加值产品 [6] - 这导致用于智能手机的LPDDR4供应持续紧张，其价格涨幅预期随之上调 [6] - 新建产能（如三星P4L、SK海力士M15X、美光ID1）在2026年能提供的有效供给非常有限，产能紧张局面预计将持续到2027年底 [11] 产品结构演变预测 - LPDDR产品结构快速向LPDDR5迁移：预计LPDDR5(X)在总LPDDR供应中的占比将从2025年的**60%**快速提升至2026年的**73%** [1][6] - 与此同时，LPDDR4(X)的占比将从2025年的**39%**大幅下降至2026年的**26%** [1][6] - 2025年LPDDR5在LPDDR的产出中将超过**70%**，但由于手机需求与AI需求竞争，其供给也将紧张 [6] 下游终端市场影响 - 存储芯片涨价正快速向下游传导，对手机、PC等终端厂商构成巨大成本压力 [6] - LPDRAM价格在2025年下半年整体上涨超**50%**，已促使部分智能手机品牌调涨零售价格 [7] - 成本上升将冲击智能手机和笔记本电脑的升级与换机意愿，集邦咨询预计将导致2026年两者出货量同比增速分别下滑至**-2%**和**-3%** [7] - 云端CSP（云服务提供商）厂商因资金雄厚在采购中占据优势，而中小型终端厂商将面临更大压力，需寻求现货市场等弹性采购方式 [11] 服务器市场需求预测 - 与消费电子市场疲软相反，服务器市场对存储需求保持高速增长 [9] - 2026年，通用服务器对DRAM需求预计同比增长**20%**，对NAND Flash需求同比增长**19%** [9] - 2026年，AI服务器对DRAM需求中，LPDDR预计同比增长**15%**，RDIMM预计同比增长**21%**；对NAND Flash需求预计将继续大涨超**70%** [9] 市场规模与资本支出 - 得益于AI驱动，存储市场需求复苏稳健，服务器市场是主要增长引擎 [10] - 预计2026年DRAM市场营收规模将达到**3006亿美元**，同比大涨**85%**；NAND Flash市场营收规模将达到**1105亿美元**，同比涨**58%** [9] - 2025年，在AI和HBM驱动下，三大存储供应商资本支出同比增长超过**80%** [10] - 预计2026年，三星、SK海力士、美光在DRAM领域的资本支出将分别增长**17%**、**25%**、**40%** [10]