台积电退出氮化镓业务 - 台积电计划于2027年7月终止氮化镓晶圆生产业务，并与客户合作确保平稳过渡[1][4] - 台积电当前6英寸氮化镓晶圆月产能仅3000-4000片，对整体营收贡献微乎其微[4] - 台积电退出原因包括业务优先级转向高利润AI芯片、市场竞争恶化导致利润压缩、以及原料供应链风险[4][5][6][7] 台积电氮化镓业务历史 - 台积电2011年启动氮化镓研发，2015年实现硅基氮化镓工艺量产，构建650V/100V/40V多电压平台[2] - 2017年与纳微半导体合作大规模出货GanFast功率IC，2023年占据全球氮化镓代工40%市场份额[3] - 台积电氮化镓产品早期通过JEDEC和军用标准认证，切入工业和通信高端市场[3] 氮化镓行业格局变化 - 纳微半导体转向与力积电合作，计划2025年Q4完成认证，2026年量产100V系列[10][12] - 英飞凌推进300毫米氮化镓晶圆产线，预计2025年Q4提供样品，生产效率提升2.3倍[13][14] - 英诺赛科计划2025年将8英寸氮化镓产能扩至2万片/月，进入汽车OBC市场[9] 氮化镓技术发展趋势 - 行业从6英寸向8英寸硅基氮化镓技术过渡，力积电采用180nm CMOS工艺实现量产[12] - 英飞凌300毫米晶圆技术将降低成本30%，覆盖48V AI电源和电动车快充场景[9][14] - 氮化镓在高效能源转换和高频通信领域仍被视为未来十年最具潜力技术[15] 主要企业动态 - 英诺赛科车规级产品已进入长安汽车供应链，全球产能达1.3万片/月[9] - 德州仪器持续扩大8英寸产能，与消费电子品牌合作高密度快充方案[9] - Wolfspeed计划2025年将氮化镓产能提升50%，开发车规级模块[9]

氮化镓行业动态 - 国内外多家氮化镓企业宣布最新订单与合作进展，市场渗透速度加快，推动下游应用向高效能、低功耗方向转型升级 [2] - 英诺赛科、能华半导体、致能半导体、京东方华灿光电、镓奥科技等公司确认参编《2024-2025氮化镓产业调研白皮书》 [1] 芯干线 - 一季度在AI算力基础设施、消费电子快充、高端音响电源及商用储能领域获得多个全球一线品牌订单 [2] - AI服务器领域：自主研发700V增强型氮化镓功率器件及1200V碳化硅MOSFET通过全球一线AI服务器品牌验证，预计2025年Q2量产 [2] - 消费电子领域：为全球一线手机品牌定制45W氮化镓PD快充方案Q1实现量产，集成700V增强型氮化镓功率器件 [3] - 专业音频领域：高端音响功放氮化镓电源方案通过国际一线品牌认证并量产 [4] - 计划将研发投入提升至营收25%，重点突破车规级SIC MOSFET与800V高压快充方案 [5] - 储能领域：为国内头部商用储能企业定制1200V全碳化硅模块Q1投产 [8] 罗姆半导体 - EcoGaN™产品650V TOLL封装GaN HEMT被村田电源公司用于AI服务器电源 [6] - 村田电源5.5kW输出电源装置采用ROHM的GaN HEMT，实现低损耗运行和高速开关性能，预计2025年量产 [9] - GaN HEMT的高速开关操作、低寄生电容和零反向恢复特性可提高开关转换器工作频率并减小磁性元件尺寸 [10] 英诺赛科 - 与长城电源合作，在AI数据中心钛金级电源中采用InnoGaN技术，实现96%以上电源转换效率 [11] - 推出E-GaN功率IC（ISG612xTD SolidGaN），采用To-247-4封装，集成栅极驱动和短路保护，耐压700V [13] - 与长城服务器电源合作，轻中载电能损耗减少至少30%，20%-50%负载区间效率提升4个百分点 [14] - 与多家数据中心厂商合作，推动全链路氮化镓数据中心系统 [14] 纳微半导体 - 一季度公布多起氮化镓订单及合作 [15] - 进入戴尔供应链，为AI笔记本打造60W至360W电脑适配器 [15] - GaNFast™氮化镓功率芯片进入长城电源供应链，打造2.5kW模块电源 [15] - 与兆易创新达成战略合作，整合氮化镓技术与高算力MCU产品 [15] - GaNSafe™氮化镓功率芯片通过AEC-Q100和AEC-Q101车规认证 [17] IQE与X-FAB - 签署GaN Power联合开发协议，开发市场化GaN功率平台 [18] - 合作开发650V GaN器件，初始期限两年，面向汽车、数据中心和消费电子应用 [19] - 结合IQE的GaN外延专业知识和X-FAB的制造能力，提供外包选择 [20][21] 冠亚半导体 - 台亚半导体成立子公司冠亚半导体，生产8吋GaN产品 [24] - 与NTT集团子公司NTT-AT签署合作备忘录 [24] - 未来三年冠亚将提供氮化镓器件，NTT-AT提供高品质外延片 [25] 皇庭国际与芯茂微电子 - 达成战略合作，在电源芯片代理销售、大功率氮化镓器件联合开发领域建立深度合作 [27][29] - 皇庭国际依托德兴意发功率半导体公司，打造涵盖功率半导体器件设计、晶圆制造、先进封装的IDM公司 [32] Wevis - 获得印度最大国有国防工业公司高功率氮化镓半导体代工工艺订单 [33] - 芯片将用于主动多功能防空雷达系统 [34] - 曾获得印度铁路通信基础设施氮化镓射频半导体订单 [35] - 与木浦国立大学合作推出韩国首个基于GaN的多项目晶圆(MPW)服务 [36]

AI服务器电源技术发展 - 2024年纳微推出GaNSafe™氮化镓功率芯片和第三代碳化硅MOSFETs，意法半导体推出新型硅光技术PIC100，英飞凌推出CoolSiC™ MOSFET 400V，共同提升AI服务器电源功率密度 [1] - 电源功率密度持续攀升对被动元器件提出小型化、大容量、高可靠性要求，永铭与合作伙伴深度配合开发高性能电容器解决方案 [1] 永铭与纳微的合作 - 永铭开发高压牛角型铝电解电容IDC3系列，成功应用于纳微4.5kW、8.5kW高密度AI服务器电源方案 [3] - IDC3系列通过12项技术革新，满足AI服务器电源对空间与性能的严苛需求 [7] IDC3牛角电容核心优势 - 高容量密度：同规格产品体积较国际头部同行缩减25%-36%，解决AI服务器电源空间不足问题 [8] - 耐大纹波电流：纹波电流承载值较常规产品提升20%，ESR值降低30%，温升更低，可靠性更高 [9] - 长寿命：105℃高温环境下寿命达3000小时以上，适合不间断运行的AI服务器场景 [11] IDC3电容规格与应用场景 - 适用场景：高功率密度、小型化的AI服务器电源方案 [13] - 产品认证：获得AEC-Q200认证及第三方国际机构可靠性认证 [13] 行业展望 - IDC3系列在纳微4.5kW、8.5kW AI服务器电源方案中的成功应用，验证永铭在高能量密度与小型化设计领域的技术实力 [15] - 永铭将继续深耕电容技术，为12kW乃至更高功率AI服务器电源时代提供支持 [15]